MOSFET DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN

Los transistores de efecto de campo por semiconductor de óxido metálico

(metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET) con apreciable
capacidad de conducción de corriente en estado activo y buena capacidad de
tensión de bloqueo en estado pasivo y por tanto, con potencial para
aplicaciones de electrónica de potencia están disponibles desde principios de
la década de 1980. Ahora se usan tanto como los BJT y de hecho los están
remplazando en muchas aplicaciones, en especial aquellas en las que son
importantes las velocidades de conmutación altas. Los MOSFET operan con
base en mecanismos físicos diferente de los BJT, y es esencial comprender
bien estas diferencias para utilizar de modo eficaz tanto de los BJT como los
MOSFET.
 ¿QUÉ ES UN MOSFET DE POTENCIA?

• Los MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje y requiere

solo una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy
alta y los tiempos de conmutación son del orden de nanoegundos . Los
MOSFET de potencia se utilizan cada vez mas en convertidores de alta
frecuencia y baja potencia. Los dos tipos de MOSFET son
• 1 MOSFET de agotamiento.
• 2 MOSFET de enriquecimiento
ESTRUCTURA DE LOS MOSFETS DE POTENCIA
• Están formados por miles de celdas puestas en paralelo (son posibles
integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
• Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fácilmente
• Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):

Fuente Fuente Puerta

Puerta

n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en trinchera
(V MOS) D
Estructura planar
(D MOS)
ESTRUCTURA DE LOS MOSFET DE POTENCIADE
LOS MOSFETS DE POTENCIA
Es un dispositivo unipolar:
la conducción sólo es debida a un tipo de portador

D
Conducción debida a electrones
Canal N
G
S

D
Canal P Conducción debida a huecos
G
S

Los más usados son los MOSFET de canal N

La conducción es debida a los electrones y por tanto, son más rápidos
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

Referencias normalizadas • Curvas de salida

ID [mA]
ID VGS = 4,5V
D 4
+
G VDS VGS = 4V
+ S - 2 VGS = 3,5V
VGS VGS = 3V
- VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH =
2V

• Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

 Características fundamentales de los MOSFETs de potencia

1ª -Máxima tensión drenador-fuente Fuente Puerta

2ª -Máxima corriente de drenador N+ P

Diodo
Fuente–
3ª -Resistencia en conducción N- Drenador

4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta N+

5ª -Proceso de conmutación
Drenador
MOSFET con puerta en trinchera
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a la fuente) y el
drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña circulación de
corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
 Precauciones en uso del MOSFETs de acumulación de señal

• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos. A veces se integran
diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
 Resistencia en conducción
• Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes, RDS(on) crece con el
valor de VDSS
 Resistencia en conducción

• Es uno de los parámetro más importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el
dispositivo
• Se representa por las letras RDS(on)
• Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
• Para un dispositivo particular, decrece con la tensión de puerta. Este decrecimiento tiene un
límite.

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

ENCAPSULADOS DE MOSFET

D 61
TO 220

TO 247

TO 3
Máxima corriente de drenador
• El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua máxima ID
- Corriente máxima pulsada IDM

• La corriente continua máxima ID depende de la

temperatura de la cápsula (mounting base aquí)

A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
Máxima tensión drenador-fuente
• La
máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o
como V(BR)DSS
• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V (SiC)
80 V
CIRCUITO
EJEMPLO
 Solucion

𝑉𝐷𝑆2−𝑉𝐷𝑆1 +𝐼𝑇 𝑅𝑆2

𝐼𝐷1 =
𝑅𝑆1+ 𝑅𝑆2

3−2.5+20∗0.2
𝐼𝐷1 = =9ª ó 45℅
0.2+0.3
𝐼𝐷2 =20 − 9 = 11𝐴 ó 55 ℅

3−2.5+20∗0.2
𝐼𝐷1 = =10.5ª
ó 52.5℅
0.5+0.5
𝐼𝐷2 =20 − 10.5 = 9.5𝐴 ó 47.5 ℅