 INTEGRANTES DEL EQUIPO:

Arzate Rivera Luis

Cureño Vera Zhabiani
Herrera Serrano Michell Jonas
Sánchez Montoya Erick
Luna de la cruz Judit Celeste

 Profesor:
Ortiz Sarmiento Armando
 En esta unidad se aborda el concepto de
aleación, y posibilidades estructurales que
aparecen en las principales aleaciones
metálicas de interés industrial, así mismo, se
estudian los distintos defectos estructurales
presentes en los metales y sus implicaciones
en el comportamiento mecánico del
material, esto, a fin de comprender la
interrelación estructura-propiedades-
procesamiento en los materiales metálicos.
 Se definen como defectos a las
desviaciones que son observadas, por
métodos experimentales, con referencia a
la estructura cristalina descrita con
anterioridad. Según la dimensión del
espacio ocupado por el defecto se
clasifican en:
a) Vacante o ausencia de átomos
aislados en ciertas posiciones cristalinas.
b) Dislocaciones
c) Bordes de grano
 a) Vacante o ausencia de átomos
aislados en ciertas posiciones cristalinas.
Las vacantes se producen durante el
proceso de solidificación por las
perturbaciones locales, cifrándose en
numero de la densidad de vacantes
específicos para cada proceso y
material.
 Sin embargo, la densidad de vacantes
se incrementa con la temperatura T,
hasta alcanzar un valor NT modelizado
por la expresión exponencial.
 El número de vacantes crece
exponencialmente con la temperatura,
directa, y con la fuerza de enlace, inversa.
Aunque estas observaciones estén
conformes con la existencia de bordes a lo
largo de los cuales los enlaces
interatómicos se disponían irregularmente.
 Por lo que no era posible establecer el
espesor de aquellas películas y hasta
mucho más tarde no se pudo demostrar
que aquellas propiedades mecánicas
todavía las poseería el metal si los bordes
fueran solamente de algunos átomos de
espesor.
 b) Dislocaciones o ausencia conjunta de
átomos alineados en subplanos.
La existencia de dislocaciones en los
materiales metálicos justifican la plasticidad
y fluencia que los caracterizan y
diferencian frente a los cerámicos.
 Estos aún teniendo también estructura
cristalina no permiten los procesos de
plastificación.
 c) Bordes de grano
Son amorfismo espacial de la estructura
atómica que hace de nexo de unión de las
estructuras cristalinas, que constituyen los
monocristales, con diferente orientación
espacial.
 Son observables en la probeta
metalográfica después de atacada
químicamente en configuraciones de
líneas erráticas interconexionadas
abarcando toda la dimensión de la
probeta, y limitando los monocristales.
 Las dislocaciones son imperfecciones
lineales en un cristal que de otra manera
seria perfecto.
 Se suelen introducir en cristal durante la
solidificación del material o cuando el
material se deforma permanentemente.
 Anqué en todos los materiales incluyendo
cerámicos y polímeros, hay dislocaciones.
 Se pueden identificar tres clases de
dislocaciones: de tornillo, borde y mixta.
Tipo 1: De tornillo.
 Se puede ilustrar haciendo un corte
parcial en un cristal perfecto torciendo
ese cristal una distancia atómica.
 Si se continuara la rotación se describiría
una trayectoria espiral.
 El eje o línea respecto al cual se traza la
trayectoria, es la dislocación de tornillo.
 Tipo 2: De borde o arista.

 Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un

cristal perfecto abriendo el cristal y llenando en parte
el corte con un plano adicional de átomos.
 La orilla inferior de este plano insertado representa la
dislocación de borde.
 El vector necesario para cerrar el circuito es el vector
de Burgers.
 Al introducir la dislocación, los átomos que están
arriba de la línea de dislocación están muy
comprimidos entre sí, mientras que los de abajo están
muy distendidos.
 A diferencia de una dislocación de borde o arista,
una de tornillo no se puede visualizar como un
semiplano adicional de átomos
Tipo 3: Mixtas.
 Tienen componentes de bordes y de tornillos con una
región de transición entre ella.
 Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección
del vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocación, esta se puede mover rompiendo los
enlaces de los átomos en un plano.
 El plano de cortes se desplaza un poco para establecer
enlaces con el plano parcial de átomos originales.

 Ejemplo: Otra forma de visualizarlo, es imaginar cómo

se movería una onda en una alfombra si tratáramos de
eliminarla aplanándola en lugar de levantar la
alfombra.

 Son imperfecciones de la estructura
cristalina ubicadas en un área del
material.
 Los principales defectos son la misma
superficie y las fronteras de los granos.
 La superficie del material es un defecto
de estructura porque se rompe con la
simetría de los átomos entrelazados,
estos átomos tienen enlaces químicos no
completos, lo cual los hace más
 Las dimensiones exteriores del material
representan superficies en donde
termina el cristal en forma súbita.
 Cada átomo en la superficie ya no
tiene el número adecuado de
coordinación y se interrumpe el
enlazamiento atómico.
 La superficie exterior también puede ser
apera, contener muescas diminutas y
ser mucho más reactiva que el interior
del material.
 Ejemplo: la oxidación de metales, ya
que estos presentas estructuras
policristalinos los átomos no llegan a
completar sus enlaces.
 Estos son llamados también
dislocaciones. Son defectos que dan
lugar a una distorsión de la red
alrededor de una línea. Se crean
durante la solidificación o por
deformación plástica o permanente.
 Dislocación de borde: Se genera en un
cristal por una inserción de un semi
plano extra de átomos. La “T” invertida
indica una dislocación de borde positiva
(plano insertado por arriba). La “T” en
posición normal indica dislocación de
borde negativa, es decir la inserción del
plano es por abajo.
 Dislocación de Tornillo: Es una zona de
distorsión en forma de rampa espiral o
distorsión de tornillo que se puede
formar por la aplicación de esfuerzos
cortante, hacia arriba y hacia abajo a
las zonas del cristal.
Los átomos se
mueven de una
manera
predecible,
tratando de
eliminar
diferencias de
concentración y
de producir una
composición
homogénea y
uniforme.
 Importantes aplicaciones de la difusión de
los átomos en los materiales.

La manufactura de los cerámicos.

La solidificación de los materiales.

La fabricación de transistores.

La fabricación de celdas solares.

Fabricación de conductividad
eléctrica de muchos cerámicos.
 La capacidad de los átomos y de las
imperfecciones para difundirse aumenta
conforme se aumenta la temperatura, o
los átomos incrementan su energía
termina.
 La razón de movimiento esta relacionada
con la temperatura o energía térmica,
mediante la ecuación de Arrhenius.
 La difusión es el movimiento de los
átomos en un material. Los átomos se
mueven de manera ordenada,
tendiendo a eliminar las diferencias de
concentración y producir una
composición homogénea en el material.
Los átomos pueden también ponerse en
movimiento aplicando voltajes o fuerzas
externas al material.
 Difusión por vacancias:

 intercambio de un átomo de una posición

reticular normal a una vacancia o lugar
reticular vecino vacío.
• la tasa depende de:
Número de vacancias y la energía de
activación para el intercambio.
 Mecanismos de difusión intersticial. La
difusión intersticial de los átomos en las
redes cristalinas tiene lugar cuando éstos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo
sin desplazar permanentemente a ninguno
de los átomos de la matriz de la red
cristalina. Para que el mecanismo
intersticial sea efectivo, el tamaño de los
átomos que se difunden debe ser
relativamente pequeño comparado con
los de la red.