• El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla

un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un

campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

• El transistor FET de canal n esta compuesto de una parte de

silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta y que están unidas entre
si; Mientras que el transistor FET de canal p, esta compuesto
de una región tipo P que se le añaden 2 regiones tipo N unidas
entre si.
• Los terminales de este tipo de transistor se llaman drenador,
fuente y el tercer terminal es la compuerta.

• La región que existe entre el drenador y la fuente es el camino

obligado de los electrones se llama «canal». La corriente circula
del drenaje(D) a fuente(S).
• Este tipo de transistor se polariza de manera diferente a un BJT. El
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al
terminal de fuente(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente
con respecto a la fuente

• A mayor voltaje –Vgs, mas angosto es el canal y mas difícil para la

corriente pasar del terminal drenador al terminal fuente. La tensión
–Vgs para que el canal quede cerrado se llama «punch off» y es
diferente para cada FET
• El transistor FET es controlado
por tensión y los cambios en la
tensión de puerta a fuente
(Vgs) modifican la región de
empobrecimiento y causan que
varié el ancho del canal

• Las uniones Puerta-Drenador,

Surtidor-Puerta están
polarizadas en inversa de tal
forma que no existe otra
corriente que la inversa de
saturación de la unión PN
 Se puede observar que en este
grafico al aumentar el voltaje Vds
para un Vgs fijo, la corriente
aumenta rápidamente, hasta llegar
a un punto conocido como voltaje
de estricción donde la corriente se
mantiene constante, hasta llegar a
la región de ruptura donde la
corriente aumenta
exponencialmente
 DIFERENCIAS ENTRE
TRANSISTORES BJT Y FET
• Los transistores FET son dispositivos controlados por voltaje

• Son dispositivos unipolares (depende del canal n y del canal p)

• Alta impedancia de entrada (MΩ)

• Baja ganancia de voltaje

• Muy estables a altas temperaturas y mucho mas pequeños que

sus contrapartes BJT

• Pueden ser usados como dispositivos de almacenamiento de

energía
A diferencia de los transistores BJT la relación entre la
corriente de salida y la corriente de entrada de un
transistor FET es una relación no lineal, que viene dada
por la siguiente ecuación
 FET

MOSFET JFET MESFET

Empobrecimiento
EMPROBECIMIENTO ENRIQUECIMIENTO

Enriquecimiento

JFET
APLICACIONES TRANSISTORES FET
PRINCIPAL
APLICACIÓN USOS
VENTAJA
Aislador o Impedancia de
separador entrada alta y de Uso general, equipo de medida, receptores
(buffer) salida baja
Amplificador
Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
de RF

Baja distorsión de
Mezclador Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
intermodulación

Facilidad para
Amplificador
controlar Receptores, generadores de señales
con CAG
ganancia
Amplificador Baja capacidad
Instrumentos de medición, equipos de prueba
cascodo de entrada
Ausencia de
Troceador Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección
deriva

Resistor
Se controla por Amplificadores operacionales, órganos electrónicos,
variable por
voltaje controlas de tono
voltaje

Amplificador Capacidad
de baja pequeña de Audífonos para sordera, transductores inductivos
frecuencia acoplamiento
Mínima variación
Oscilador Generadores de frecuencia patrón, receptores
de frecuencia
Circuito MOS
Pequeño tamaño Integración en gran escala, computadores, memorias
digital