CAPÍTULO 17 AMPLIFICADORES

DIFERENCIALES
ALUMNO: ESCALANTE BARAHONA ALAN
MATERIA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
17.1 EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

• El amplificador diferencial es la clave. El diseño de este circuito es

extremadamente inteligente porque elimina la necesidad del condensador de
desacoplo de emisor. Por ésta y otras razones, el amplificador diferencial se
utiliza como etapa de entrada en casi todos los amplificadores operacionales
integrados.
• Entrada y salida diferenciales
La Figura 17.1 muestra un amplificador diferencial. Se trata de dos etapas en
emisor común en paralelo con una resistencia en emisor común. Aunque tiene
dos tensiones de entrada (v1 y v2) y dos tensiones de colector (vc1 y vc2), el
circuito global se considera una sola etapa.
Esta tensión se denomina salida diferencial porque combina las dos tensiones
alternas de colector en una sola tensión, que es igual a la diferencias de las
tensiones de colector.
El amplificador diferencial de la Figura 17.1 tiene dos entradas separadas. La
entrada v1 se denomina entrada no inversora porque Vout está en fase con v1.
Por otro lado, v2 se denomina entrada inversora porque Vout está desfasada
180° respecto de v2.
• Cuando tanto la entrada no inversora como la inversora están presentes, la entrada
se denomina entrada diferencial, porque la tensión de salida es igual a la ganancia
de tensión por la diferencia de las dos tensiones de entrada.
• Salida asimétrica
• Una salida diferencial como la de la Figura 17.1 requiere una carga flotante
porque ningún terminal de la carga puede conectarse a tierra. En muchas
aplicaciones, esto resulta ser un inconveniente porque las cargas a menudo tienen un
único terminal; es decir, uno de los terminales está puesto a tierra.
17.2 ANÁLISIS DE CONTINUA DE UN AMPLIFICADOR
DIFERENCIAL
• La Figura 17.5a muestra el circuito equivalente de continua de un
amplificador diferencial.
• Al amplificador diferencial se le denomina long-tail pair (par de cola larga)
porque los dos transistores comparten una resistencia común 𝑅𝐸 . La corriente
que circula por esta resistencia común se denomina corriente de cola (tail
current). Si ignoramos la caída 𝑉𝐵𝐸 en los diodos de emisor de la Figura
17.5a, entonces la resistencia de emisor es idealmente un punto de tierra de
continua. En este caso, toda la tensión 𝑉𝐵𝐵 cae en 𝑅𝐸 y la corriente de cola es:

• 𝐼𝑇 = 𝑉𝑅𝐸𝐸
𝐸

• Esta ecuación resulta útil en la localización de averías y en los análisis

preliminares, porque proporciona de forma rápida el punto de interés, aquel
en el que casi toda la tensión de alimentación de emisor aparece en la
resistencia de emisor.
17.3 ANÁLISIS EN ALTERNA DE UN AMPLIFICADOR
DIFERENCIAL
• Teoría de funcionamiento
La Figura 17.8a muestra una entrada no inversora y una salida asimétrica (un
terminal).
El transistor Q1 se comporta como un seguidor de emisor que genera una tensión
alterna en la resistencia de emisor. Esta tensión alterna es la mitad de la tensión de
entrada V1. En el semiciclo positivo de la tensión de entrada, la corriente de emisor de
Q1 aumenta, la corriente de emisor de Q2 disminuye y la tensión de colector de Q2
aumenta. Del mismo modo, en el semiciclo negativo de la tensión de entrada, la
corriente de entrada de Q1 disminuye, la corriente de emisor de Q2 aumenta y la
tensión de colector de Q2 disminuye. Por tanto, la onda sinusoidal de salida
amplificada está en fase con la entrada no inversora.
• Ganancia con salida asimétrica
La Figura 17.8b muestra el circuito equivalente de alterna.
La Figura 17.8c muestra el circuito equivalente simplificado.
• Ganancia con salida diferencial
La Figura 17.9 muestra el circuito equivalente de alterna para una entrada no
inversora y una salida diferencial.
• Configuraciones con entrada inversora
La Figura 17.10a muestra una entrada inversora y salida asimétrica.
El amplificador diferencial de la Figura 17.10b es una versión pnp invertida de
la configuración mostrada en la Figura 17.10a.
17.4 CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA DE
UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL
• Corriente de polarización de entrada
En un amplificador operacional integrado, la 𝛽𝑏𝑐 de cada transistor de la
primera etapa es ligeramente diferente, lo que significa que las corrientes de
base en el circuito de la Figura 17.13 serán ligeramente distintas. La corriente
de polarización de entrada se define como la media de las corrientes continuas
de base:

• 𝐼𝑖𝑛(𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛) = 𝐼𝐵1+𝐼
2
𝐵2
• Corriente de offset de entrada
• La corriente de offset de entrada se define como la diferencia de las
corrientes continuas de base:
• 𝐼𝑖𝑛(𝑜𝑓𝑓) = 𝐼𝐵1 − 𝐼𝐵2
Esta diferencia en las corrientes de base indica el grado de adaptación de los
transistores. Si los transistores son idénticos, la corriente de offset de entrada es
igual a cero, ya que ambas corrientes de base serán iguales. Pero casi siempre,
los dos transistores son ligeramente distintos y en consecuencia las corrientes de
base son diferentes.
17.5 GANANCIA EN MODO COMÚN

• La Figura 17.19a muestra una entrada diferencial y una salida asimétrica (un
único terminal). A cada una de las bases se aplica la misma tensión de
entrada 𝑉𝑖𝑛(𝐶𝑀) . Esta tensión se denomina señal en modo común.
• En la Figura 17.19a, se aplican tensiones iguales a las entradas no inversora
e inversora.
• Factor de rechazo en modo común
El factor de rechazo en modo común (CMRR, common-mode rejection ratio) se
define como la ganancia de tensión dividida entre la ganancia de tensión en
modo común.
17.6 CIRCUITOS INTEGRADOS

• La invención del circuito de integrado (CI) en 1959 fue un avance

fundamental porque los componentes ya no son discretos, sino integrados. Esto
significa que se construyen y conectan durante el proceso de fabricación en
un mismo chip, un pequeño fragmento de material semiconductor. Puesto que
los componentes tienen un tamaño microscópico, un fabricante puede incluir
miles de estos componentes integrados en el espacio ocupado por un único
transistor discreto.
• En primer lugar, el fabricante genera un cristal p con una longitud de varios
centímetros (Figura 17.23a). Esta pieza se corta en muchas obleas delgadas,
como se muestra en la Figura 17.23b. Un lado de la oblea se pule para
eliminar las imperfecciones de la superficie. Esta oblea es lo que se denomina
sustrato p, el cual se utiliza como un chasis para los componentes integrados.
A continuación, las obleas se introducen en un horno y una mezcla gaseosa de
átomos de silicio y átomos pentavalentes pasa sobre las obleas. De este
modo se forma una delgada capa de semiconductor de tipo n en la superficie
calentada del sustrato (véase la Figura 17.23c). Esta delgada capa recibe el
nombre de capa epitaxial. Como se muestra en la Figura 17.23c, la capa
epitaxial tiene un grosor de aproximadamente 0,1 a 1 mil (mil = 25,4 micras)
• Para evitar que la capa epitaxial se contamine, se aplica sobre la superficie
oxígeno puro. Los átomos de oxígeno se combinan con los átomos de silicio
para formar una capa de dióxido de silicio (SiO2) en la superficie, como se
puede ver en la Figura 17.23d. Esta capa cristalina de SiO2 sella la
superficie e impide que se produzcan reacciones químicas posteriormente. El
proceso de sellado de la superficie se conoce como pasivación
• Tipos de circuitos integrados
Los circuitos integrados que hemos descrito son circuitos integrados monolíticos.
La palabra monolítico procede del griego y significa “una piedra”. El término
es apropiado porque los componentes forman parte de un chip.
• Niveles de integración
La integración a media escala (MSI, Medium-scale integration) hace referencia
a los CI que tienen de 12 a 100 componentes integrados por chip.
La integración a gran escala (LSI, Large-scale integration) hace referencia a los
CI que tienen más de cien componentes.
La integración a muy gran escala (VLSI, Very large scale integration) hace
referencia a los CI que tienen miles (o cientos de miles) de componentes en un
mismo chip
Por último, la integración a ultra gran escala (ULSI, ultra large scale integration)
hace referencia a los CI que contienen más de 1 millón de componentes en un
mismo chip.
17.7 ESPEJO DE CORRIENTE
• LosCI permiten aumentar la ganancia de tensión y el CMRR de un
amplificador diferencial. La Figura 17.28a muestra un diodo de
compensación en paralelo con el diodo de emisor de un transistor.
• Un circuito como el de la Figura 17.28a se denomina espejo de corriente
porque la corriente de colector es la imagen especular dede la corriente por
la resistencia. Con los CI es relativamente fácil adaptar las características del
diodo de compensación y del diodo de emisor, porque ambos componentes se
encuentran dentro del mismo chip. Los espejos de corriente se utilizan como
fuentes de corriente y cargas activas en el diseño de amplificadores
operacionales integrados.
17.8 EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CARGADO
• La Figura 17.31a muestra una salida diferencial con una resistencia de carga
entre los colectores. El efecto que tiene esta resistencia de carga en la tensión
de salida se puede calcular de varias formas. Si intentamos llegar a una
solución aplicando las ecuaciones de mallas Kirchhoff, nos encontraremos con
un problema bastante difícil. Sin embargo, si aplicamos el teorema de
Thevenin, el problema se resuelve muy rápidamente.