TRANSISTORES DE UNIÓN

BIPOLARES
ALUMNO: ALAN ESCALANTE BARAHONA
MAESTRO:
MATERIA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
6.1 EL TRANSISTOR NO POLARIZADO
• Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura 6.1.
La región inferior es el emisor, la región intermedia es la base y la región
superior es el colector. En un transistor real, la región de la base es mucho
más estrecha comparada con las regiones de colector y de emisor. El
transistor de la Figura 6.1 es un dispositivo npn porque tiene una región p
entre dos regiones n. Recuerde que los portadores mayoritarios son los
electrones libres en un material de tipo n y los huecos en un material de tipo
p.
• Niveles de dopaje
En la Figura 6.1 vemos que
el emisor está fuertemente
dopado. Por el contrario, la
base sólo está ligeramente
dopada. El nivel de dopaje
del colector es intermedio,
entre el fuerte dopaje del
emisor y el ligero dopaje
de la base. Físicamente, el
colector es la más ancha de
las tres regiones.
• Diodos de emisor y de colector
El transistor de la Figura 6.1
tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base, y otra entre el
colector y la base, por lo que un
transistor es como dos diodos en
oposición. El diodo inferior es el
diodo emisor-base, o 0,7 V a 25°C para un transistor de
simplemente diodo de emisor. El
diodo superior es el diodo
colector-base, o diodo de
colector.
• Antes y después de la difusión
El resultado son dos zonas de
deplexión, como se muestra en la
Figura 6.2. En cada una de las
zonas de deplexión, la barrera de
potencial es de aproximadamente
silicio (0,3 V a 25°C para un
transistor de germanio).
6.2 EL TRANSISTOR POLARIZADO

• Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposición. Cada diodo

tiene una barrera de potencial de aproximadamente 0,7 V. Cuando se
conectan al transistor fuentes de tensión externas, circularán corrientes a
través de las distintas partes del transistor.
• Electrones del emisor
• La Figura 6.3 muestra un transistor polarizado. Los signos menos representan
los electrones libres. El trabajo que rea-liza el emisor fuertemente dopado es
el siguiente: emite o inyecta sus electrones libres en la base. La base
ligeramente dopada también tiene un propósito bien definido: pasar los
electrones inyectados por el emisor al colector. El colector debe su nombre
precisamente a que recolecta la mayor parte de los electrones de la base.
• La Figura 6.3 muestra la forma habitual de polarizar un transistor. La fuente
de la izquierda, VBB, de la Figura 6.3 polariza en directa el diodo de emisor
y la fuente de la derecha, VCC, polariza en inversa el diodo de colector.
Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar en directa el
diodo de emisor y en inversa el diodo de colector es el que proporciona
resultados más útiles.
• Electrones de la base
En el instante en que se aplica la polarización directa al diodo de emisor de la
Figura 6.3, los electrones del emisor todavía no han entrado en la región de la
base. Si, en la Figura 6.3, VBB es mayor que la barrera de potencial
• Electrones del colector
Casi todos los electrones libres entran en el colector, como se muestra en la Figura 6.5. Una vez
que están en el colector, se ven atraídos por la fuente de tensión VCC, por lo que fluyen a
través del colector y atraviesan RC hasta alcanzar el terminal positivo de la tensión de
alimentación del colector. En resumen, lo que ocurre es lo siguiente: en la Figura 6.5, VBB
polariza en directa el diodo de emisor, forzando a los electrones libres del emisor a entrar en
la base. La base es estrecha y está poco dopada, proporcionando el tiempo suficiente para
que todos los electrones se difundan hasta el colector. Estos electrones atraviesan el colector, la
resistencia RC, y entran en el terminal positivo de la fuente de tensión VCC.
6.3 CORRIENTES DEL TRANSISTOR
• Las Figuras 6.6a y 6.6b muestran el símbolo esquemático de un transistor npn.
Si prefiere utilizar la dirección de la corriente convencional, utilice la Figura
6.6a. Si prefiere la dirección del flujo de electrones, utilice la Figura 6.6b. En
la Figura 6.6, se ilustran las tres corrientes diferentes que hay en un transistor:
corriente de emisor IE, corriente de base IB y corriente de colector IC.
6.4 LA CONEXIÓN EN EMISOR COMÚN

• Las siguientes son tres formas de conectar un transistor: en emisor común (EC),
en colector común (CC) o en base común (BC). Las conexiones en CC y en BC
se verán en capítulos poesteriores. En este capítulo, vamos a centrarnos en la
conexión en emisor común, ya que es la más utilizada.
• Emisor común
• Dobles subíndices
• Subíndices simples
6.5 CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA
• Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la base en el circuito de la
Figura 6.7b obtenemos esta derivación:
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
• 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

• Si utilizamos un diodo ideal, 𝑉𝐵𝐸 = 0. Con la segunda aproximación, 𝑉𝐵𝑅 =

0.7𝑉. En la mayoría de las ocasiones, comprobaremos que la segunda
aproximación es el mejor compromiso entre la velocidad de utilizar el diodo
ideal y la precisión de las aproximaciones de orden superior. Todo lo que hay
que recordar para la segunda aproximación es que 𝑉𝐵𝐸 es 0,7 V, como se
muestra en la Figura 6.8a.
6.6 CURVAS DE COLECTOR
• En circuito de la Figura 6.9a, ya sabemos cómo calcular la corriente de base.
Puesto que VBB polariza en directa al diodo de emisor, todo lo que tenemos
que calcular es la corriente a través de la resistencia de base RB. Volvamos
ahora nuestra atención sobre la malla de colector.
RESUMEN

• Un transistor tiene cuatro regiones de operación distintas: activa, corte,

saturación y disrupción. Cuando se emplean transistores para amplificar
señales débiles, estos trabajan en la región activa. Algunas veces, la región
activa se denomina región lineal, porque las variaciones en la señal de
entrada producen variaciones proporcionales en la señal de salida. Las
regiones de saturación y de corte resultan útiles en los circuitos digitales y de
computadoras, y se conocen como circuitos de conmutación.
 6.7 APROXIMACIONES DEL TRANSISTOR

• Aproximación ideal
• La segunda aproximación
• Aproximaciones de orden
superior
6.8 LECTURA DE UNA HOJA DE CARACTERÍSTICAS

• Los transistores de pequeña señal pueden disipar menos de un vatio; los

transistores de potencia pueden disipar más de un vatio. Cuando consulte una
hoja de características de cualquier tipo de transistor, lo primero en lo que
debe fijarse es en los valores máximos permitidos, ya que son los límites de
las corrientes, tensiones y otras magnitudes del transistor.
6.9 TRANSISTORES DE MONTAJE SUPERFICIAL

• Habitualmente, los transistores de montaje superficial se encuentran en

encapsulados de tres terminales en forma de ala de gaviota. El encapsulado
SOT-23 es el más pequeño de los dos y se utiliza para transistores que
trabajan en el rango de los milivatios. El encapsulado SOT-223 es el más
grande y se utiliza cuando la máxima potencia permitida es de
aproximadamente 1 W.
• La Figura 6.17 muestra un
encapsulado SOT-23 típico.
• El encapsulado SOT-223 está
diseñado para disipar el calor
generado por los transistores
que trabajan en el rango de 1
W. Este encapsulado tiene un
área de superficie más grande
que el SOT-23; lo que
incrementa su
6.10 DETECCIÓN DE AVERÍAS
• Averías comunes
• Si está localizando averías en un circuito como el mostrado en la Figura 6.19,
una de las primeras cosas que tendrá que medir es la tensión colector-emisor.
Debería tener un valor próximo a 11,8 V.
• De hecho, cuando se producen fallos, se trata de cortocircuitos o circuitos
abiertos. Los cortocircuitos pueden producirse como consecuencia de
dispositivos dañados o salpicaduras de soldadura en las resistencias. Los
circuitos abiertos se pueden producir cuando se queman los componentes. Las
averías de este tipo producen grandes cambios en las corrientes y tensiones.
Por ejemplo, una de las averías más comunes se produce cuando al colector