Universidade Federal de Santa Catarina

Campus de Joinville

Profa. Viviane Lilian Soethe

Joinville - SC
04/04/2018

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 Conteúdos da Aula/Objetivos
Imperfeições nos sólidos
Objetivos:
- Compreender as diferenças entre os defeitos do tipo lacuna e
autointersticiais;
- Compreender o conceito de soluções sólidas e os fatores que
promovem sua existência;
- Identificar os diferentes tipos de imperfeições tais como
discordâncias, defeitos interfaciais, volumétricos e vibrações
atômicas;
- Compreender os princípios de algumas técnicas de análises
microscópicas e o processo de determinação do tamanho do
grão.
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 Por que estudar?
 O que torna o aço consideravelmente mais duro e resistente
que o ferro puro?
 Por que utilizamos cobre de alta pureza como condutor em
aplicações elétricas?
 Por que os metais CFC (cobre, alumínio) tendem a ser mais
dúcteis que os metais CCC e HC?
• Motivação: as propriedades dos materiais são altamente
influenciadas pela presença de imperfeições.

Propriedades metal puro ≠ metal ligado

Cu puro - mole Latão (70%Cu/ 30% Zi)

• Até agora: estruturas cristalinas idealizadas
• Sólidos: imperfeições/ defeitos
• A presença de defeitos promove o
surgimento de propriedades e características
singulares aos materiais.
• “defeitos cristalinos” – irregularidades na
rede com 1 ou mais dimensões da ordem de
1 diâmetro atômico.

A classificação é dada em função da geometria e

dimensão do defeito.
 O processo de dopagem em
semicondutores visa criar
imperfeições/alocar impurezas a fim
de alterar a condutividade em
determinadas regiões do material.

 A deformação mecânica dos

materiais promove a formação de
imperfeições que geram um aumento
na resistência mecânica (processo
conhecido como encruamento).
 „É uma imperfeição ou um "erro" no arranjo periódico
regular dos átomos em um cristal.
 Podem envolver uma irregularidade:
 na posição dos átomos
 no tipo de átomos

O tipo e o número de defeitos dependem do

material, do meio ambiente, e das circunstâncias
sob as quais o cristal é processado.
 Imperfeições

Introdução Controle de
Arranjo
seletiva quantidade

Permite desenhar e criar novos materiais com a combinação de

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propriedades desejada
 classificação
Defeito do cristal: imperfeição do reticulado cristalino

Classificação geométrica dos defeitos cristalinos:

Defeitos puntiformes (associados com uma ou duas posições

atômicas): lacunas e átomos instersticiais.

Defeitos de linha (unidimensionais): discordâncias

Defeitos bidimensionais (fronteira entre duas regiões com

diferentes estruturas cristalinas ou diferentes orientações
cristalográfica): contorno de grão, superfícies livres, contornos
de macla, defeitos de empilhamento.

Defeitos volumétricos (tridimensionais): poros, trincas e

inclusões
 Ausência de um átomo em
um ponto do reticulado
cristalino.

 São formados durante a

solidificação do cristal ou
como resultado das vibrações
atômicas (os átomos
deslocam-se de suas
posições normais)

 Em média para os metais 1

sítio vazio para cada 10.000
• Um átomo do cristal se encontra comprimido em um sítio
intersticial que sob condições normais não é ocupado
• Causam grandes distorções no reticulado cristalino a sua volta

Átomo intersticial grande

Átomo intersticial pequeno Gera maior distorção na rede
Ânion – q (-)
Cátion – q (+)
Defeitos pontuais: (a) lacuna, (b) átomo intersticial, (c) átomo substitucional
pequeno, (d) átomo substitucional grande, (e) defeito de Frenkel, (f) defeito de
Schottky. Todos estes defeitos perturbam o “perfeito”arranjo atômico dos átomos
vizinhos.
 É impossível existir um metal consistindo de um só
tipo de átomo (metal puro).

 As impurezas (chamadas elementos de liga) são

adicionadas intencionalmente com a finalidade:

 Aumentar a resistência mecânica.

 Aumentar a resistência à corrosão.
 Aumentar a condutividade elétrica.
 Soluções sólidas < limite de solubilidade
 Segunda fase> limite de solubilidade
A solubilidade depende :
• Temperatura
• Tipo de impureza
• Concentração da impureza
FATORES QUE INFLUEM NA FORMAÇÃO DE SOLUÇÕES SÓLIDAS
SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY

• Raio atômico deve ter uma diferença de no

máximo 15%, caso contrário pode promover
distorções na rede e assim formação de nova fase

• Estrutura cristalina mesma

• Eletronegatividade próximas

• Valência mesma ou maior que a do

hospedeiro
 Exemplo: cobre e níquel – totalmente solúveis

Cu Ni

Raio atômico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

Valência +1 (as vezes +2) +2

• Os átomos de impurezas ocupam os espaços vazios
(interstícios) existentes entre os átomos do hospedeiro
• Como os materiais metálicos tem geralmente fator de
empacotamento elevado, as posições intersticiais são
relativamente pequenas.
• O diâmetro atômico da impureza intersticial deve ser menor do
que o diâmetro dos átomos hospedeiros!
• Geralmente, a concentração máxima permissível para os
átomos de impurezas intersticial é baixa (< 10%)

Ferro

Carbono
 Exemplo: C no Fe

 O carbono forma uma solução sólida intersticial quando adicionado ao

ferro (para temperaturas acima de 912 oC)

 Temperaturas abaixo de 912 oC, o ferro tem estrutura CCC

 Temperaturas abaixo de > 912 oC, o ferro tem estrutura CFC -

presença de interstício no centro da célula unitária

 A solubilidade máxima do C no Fe é de 2,14% para T > 912 oC (Fe

CFC)
 Em termos de raio atômico temos:
RC = 0,071 nm = 0,71 Å
Rfe = 0,124 nm = 1,24 Å
• Discordância – Um defeito linear em um material cristalino.

• Discordância aresta/linha (“edge dislocation”) – promove

uma ligeira curvatura dos planos verticais de átomos – se
curvam ao redor do plano extra – representação T

• Discordância espiral/hélice (“screw dislocation”) – Uma

discordância produzida pela distorção (torção) de um cristal,
de modo que um plano atômico produza uma rampa ao redor
da discordância (caminho para a discordância).

• Discordância mista (“mixed dislocation”) – Uma

discordância que contém componentes de discordâncias
aresta e espiral.
O cristal perfeito (a) é cortado e cisalhado em um espaçamento
interatômico, (b) e (c). A linha ao longo da qual ocorre o
cisalhamento é uma discordância espiral. Um vetor de Burgers
b é requerido para fechar o circuito de igual espaçamento
interatômico ao redor da discordância.
Discordância espiral na superfície de um monocristal de SiC –
as linhas escuras são degraus de escorregamento superficiais
Quando uma tensão de cisalhamento é aplicada à uma discordância em
(a), os átomos são deslocados, fazendo com que a discordância se
movimente de um vetor de Burgers na direção de escorregamento (b). O
movimento contínuo da discordância eventualmente cria um degrau (c),
e o cristal é deformado. O movimento da lagarta (d) é análogo ao de
uma discordância.
Interface: contorno entre duas fases diferentes.

Contornos de grão: contornos entre dois cristais sólidos de

mesma fase.

Superfície externa: superfície entre o cristal e o meio que o

circunda.

Contorno de macla: tipo especial de contorno de grão que

separa duas regiões com uma simetria do tipo “espelho”.

Defeitos de empilhamento: ocorre nos materiais quando há uma

interrupção na sequência de empilhamento, por exemplo, na
sequência ABCABCABC... Dos planos dos cristais CFC.
Grãos mais finos
promovem
aumento da
dureza e
resistência
mecânica –
menor
probabilidade de
difusão das
discordâncias
• Um tipo especial de contorno de grão através do qual existe uma
simetria espelhada específica – os átomos em um dos lados do
contorno estão localizados em posições de imagem em espelho em
relação aos átomos no outro lado do contorno.
• A região de material entre os contornos é chamada de macla.
• São resultantes de deslocamentos atômicos produzidos por meio de
forças mecânicas de cizalhamento e tratamentos térmicos.
• São introduzidos no processamento do material e/ou
na fabricação do componente

- Inclusões Impurezas estranhas

- Precipitados são aglomerados de partículas
cuja composição difere da matriz
- Porosidades originam-se devido a presença ou
formação de gases
- Fases devido à presença de impurezas (ocorre
quando o limite de solubilidade é ultrapassado)
Inclusão
Segunda fase - perlita
COMPACTADO DE PÓ DE FERRO APÓS SINTERIZAÇÃO
Precipitados
A 1150oC, POR 120min EM ATMOSFERA DE HIDROGÊNIO35
COMPACTADO DE PÓ DE FERRO APÓS SINTERIZAÇÃO
Porosidades
A 1150oC, POR 120min EM ATMOSFERA DE HIDROGÊNIO36
COMPACTADO DE PÓ DE FERRO APÓS SINTERIZAÇÃO
A 1150oC, POR 120min EM ATMOSFERA DE HIDROGÊNIO37