FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

FC-UNI
Diciembre 2016

ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FÍSICA
 La Distribución Maxwell Boltzmann(*)
• Dado un sistema de N partículas como las moléculas de un gas en un
recipiente, el número de partículas en un nivel de energía Ei, con
degeneración gi es:

N i  A g i e - E i /K BT
donde A es una constante de normalización y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:

Número total de partículas N  A  e -E/KBT g(E) dE

E total  A  E e -E/KBT g(E) dE

Energía total del sistema de partículas
Es válida para N partículas distinguibles que no obedecen principio de exclusión de
Pauli

(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
 Estadística Fermi Dirac
• La probabilidad de que un estado de energía E sea ocupado por un
electrón a una temperatura T es:
1
f (E) 
e (E -μ)/K BT  1
donde μ es el potencial químico (depende de cada material) y KB la constante
universal de Boltzmann.

Si la densidad de estados es g(E), entonces:

Número total de partículas N  f(E) g(E) dE

Energía total del sistema de partículas E total   E f(E) g(E) dE

Es válida para N partículas indistinguibles que obedecen principio de exclusión de

Pauli
 Estadística Fermi Dirac

f (E)
 CONCEPTO DE HUECO

Ee Eh

kh
Eh (kh)
Ee(ke) Ke Kh
ke

kh   ke E h (k h )   E e (k e ) v h (k h )  ve (k e ) m*h (k h )   m*e k e 
 CONCEPTO DE HUECO

Ee Eh

ε kh

ke

dk h dk e
    eε  La carga eléctrica del hueco es positiva
dt dt
 Conductores, semicondutores y aislantes

BC
BC gap
gap

BV BV
BV

Conductores semicondutores aislantes

Conductores semicondutores y aislantes
Conductores semicondutores y aislantes

(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal

Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
 2k 2
E c (k )  E g 
2m*e

 2k 2
E v (k )  
2m*h

3/2
1  2me 
g e (E)  2  2 
2π   
E  E g
1/ 2

3/2
1  2m e 
g h (E)  2  2   E 1/ 2
2π   
 Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos

E C2
0
n  f (E) g(E) dE
E C1
p   f h (E) g h (E) dE
-
Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
3/2 

 E  E 
1  2m e  E F /K BT
n  2 2  e e  E/KBT dE
1/ 2
g
2π    Eg


 1/2
 e dx 
1/ 2  x
x
0
2

3/2
 m e k BT  E F /KBT E g /KBT
n  2 2 
e e
 2π 
 Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
0
p   f h (E) g h (E) dE
-

1 1
f h  1  f (E)  1 -   e  E F /KBT e E/KBT
e E -E F /KBT  1 e (E F  E)/KBT  1

3/2
1  2m e 
g h (E)     E 1/ 2
2π 2   2 

3/2
m k T
p  2  e B 2  e-E F /KBT
 2π 
 Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos

np

1 3  mh 
E F  E g  K BT Ln  
2 4  me 

1/T

3/2
 k BT 
ni  2  2 
me m h 
3/4
e
 E g /2KBT

2π 
 Estados de Impurezas

e2
V(r)  
4π ε r ε 0 r
1  me   - m0e 4 
E d  2   
me ε r  m0   2(4π ε 0) 2 
ε r  10 ,  0,2
m0
E d  0,01eV
 Estados de Impurezas

1  m h   - m0e 4 
E a  2   
ε r  m0   2(4π ε 0) 2 

Ordenes de magnitud:
E a  0,01 eV
 Concentración de portadores en
semiconductores extrínsecos
3
 k BT 
np  4 2 
 3/2  E g /K BT
me m h e
2π 

np  n 2
i
semiconductores extrínsecos tipo n

n i2
n  Nd  p
Nd

semiconductores extrínsecos tipo p

n i2
p  Na  n 
Na
Concentración de portadores en
semiconductores extrínsecos
DIFUSIÓN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

Difusión bajo diferentes circunstancias: (a) un pulso de concentración

n vs x en t = 0. Las flechas indican corrientes de partículas. (b) El
Ensanchamiento del pulso debido a la difusión en tres instantes sucesivos.
(c) Un pulso de electrones difundiéndose y trasladándose en un campo
eléctrico. (d) La desaparición del pulso debido a la recombinación.
DIFUSIÓN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Ley de Fick: Para una concentración no uniforme , la corriente de
partículas J´(número de partículas por unidad de área y por unidad de
tiempo) está dado por:
n
J´   D
x
donde D es llamada la constante de difusión. Esta ley establece que la
corriente es proporcional al gradiente de concentración.
En el caso de semiconductores el flujo por difusión de electrones y huecos
implica corrientes eléctricas:
p
n J h   eDh
J e  eDe x
x
 k BT
Usando mecánica estadística se puede demostrar que: D 
e
 La ecuación de difusión para un tipo de portador.
p 
J  e D  pe E
x

Por ecuación de continuidad:

 p 1 J 2 p   
    D 2   p E
  t  flujo e x x x 

No todos los portadores fluyen, algunos se recombinan:

 p p  p0
  
  t  recombinación ´
 p  p  p
     
 t   t  flujo   t  recombinación

p 2 p     p  p0
 D 2   p E Esta es la ecuación de difusión.
t x x  ´
 Solución en dos casos
1) Solución estacionaria para campo igual acero.
 2 p p  p0
D 2 0
x ´

p1  p - p0  Ae  x / LD
, LD  D ´
1/ 2

2) Solución estacionaria para campo diferente de cero.


 p1  E p1 p1
2
  2 0
x 2
D x LD

  x / LD ELD
p1  p - p 0  Ae ,   1  s  s, s 
2

2D
Grafico de las dos soluciones
 UNION p-n: Propiedad de rectificación

p n
p n

BC BC
Ed J nr0  J pr0 J nr0  J pr0

Ea
BV BV

J nr0  J ng0 J pr0  J pg0

Unión p-n
UNION p-n: Propiedad de rectificación

I n  e( J nr  J ng )  eJ ng 0 (eeV0 / K BT )

I n  e( J nr  J ng )  eJ ng 0 (eeV0 / K BT 1)

J ng  J ng0 I p  e( J pr  J pg )  eJ pg 0 (eeV0 / K BT 1)

I n  I n  I p  e ( J ng 0  J pg 0 ) (eeV0 / K BT 1)
J nr0  J nr0e eV0 / K BT
I  I 0 (e eV0 / K BT  1)
UNION p-n: Propiedad de rectificación

 eV0 / K BT
I  I 0 (1 - e )
UNION p-n: Propiedad de rectificación

I  I 0 (1 - e eV0 / K BT ) I  I 0 (e eV0 / K BT  1)

I  I 0 (1 - e eV0 / K BT )

 eV0 / K BT
I  I 0 (1 - e ) I  I 0 (e eV0 / K BT
 1)
Unión p-n: Cálculo de I0: corriente de saturación
I 0   e J ng0  J pg0 
- El campo eléctrico está concentrado
en la unión misma.

- Discutimos primero la polarización positiva.

La barrera de potencial es reducida por eV0.
Huecos son inyectados desde región p donde
son mayoritarios a región n donde son
minoritarios.
- El exceso de concentración de huecos en
la región está dado por:

pn1(x)  pn (x) - pn0  pn1 x0 e

 x / Lp
, x0

p n0 es el valor de la concentración en equilibrio.

 Unión p-n: Cálculo de I0
La corriente es debida a la inyección y subsecuente difusión de portadores minoritarios
La barrera de potencial es reducida por eV0:

 pn x0  pn 0 e eV0 / k BT

 pn1 x0  
pn 0 e eV0 / k BT  1 

pn1 x  pn0 eeV0 / kBT 1 e   x / Lp
, x0

 pn  pn1
J pn   Dp   Dp
x x
Unión p-n: Cálculo de I0

I 
pn x  0 
e D p pn 0
Lp
e eV0 / k BT

1 e
 x / Lp

 e D p p n0 e Dn n p 0 
I x0  e    e eV0 / k BT  1 e  x / L p
 L Ln 
 p 

 Dn n p 0 D p pn 0 
I 0   e J ng0  J pg0   e   
 L L 
 n p 

 Dn Dp 
I 0  e n (T ) 
2
 
L p
i
L n 
 n p0 p n0 
Unión p-n: Cálculo del potencial de contacto
3/2
 m e k BT  E F /KBT E g /KBT
n  2 2 
e e
 2π 

n n0  U c e  E cn  E F /KBT

 
 E cp  E F /K BT
EF n p0  U c e
n n0
 e e 0 / K B T
n p0

k BT  n n0 p p 0  k BT  N d N a 
0  Ln  2
 0  Ln  2 
e  ni  e  ni 

0  0,3V Para germanio con Nd = Na = 1016 cm-3

EL ANCHO DE LA UNIÓN Y EL CAMPO ELÉCTRICO
d 2  ( x)
 
dx 2 
 x   e  px   N d x   nx   N a x 

Aproximación: No hay portadores

d 2n eN d
  , 0  x  wn
dx 2

d 2 p eN a
 , - wp  x  0
dx 2

(1) El campo es cero fuera de la unión
(2) El campo es continuo en el punto x = 0 (el centro de la unión)
(3) El potencial es continuo en x = 0 y lo escogemos igual a cero.
(4) La deiferencia de potencial entre los bordes de la unión es 0
EL ANCHO DE LA UNIÓN Y EL CAMPO ELÉCTRICO

wn N d  w p N a

wn  2  0 Na / Nd Nd  Na  e
1/ 2

wp  2  0 N d / N a N d  N a  e
1/ 2

1/ 2
 2  0  1 1  
w  wn  w p      
 e  Na Nd  

El campo en x = 0


20
E ( 0) 
w
El transistor