Universidade Federal de Itajubá

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informação

Engenharia da Computação

ELT303 – Eletrônica Analógica I

Diodos Semicondutores

Prof. Paulo C. Crepaldi Prof. Leonardo B. Zoccal

 Universidade Federal de Itajubá
Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informação
Engenharia da Computação

Atenção
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides são utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domínio público.
 Dispositivos de Estado Sólido: Diodo Semicondutor
Os dispositivos semicondutores substituíram as válvulas termiônicas (Adendo 1)
em praticamente todas as aplicações eletro-eletrônicas. Chamados de dispositivos de
estado sólido, representaram e, ainda hoje representam, uma grande revolução
tecnológica permitindo o surgimento do que se denomina de alta tecnologia.
Lee De Forest patenteou a válvula triodo
em 1907 permitindo, na época, um grande
avanço no campo das telecomunicações.
Para iniciar o estudo dos dispositivos de
estado sólido, será considerado o Diodo
Semicondutor.

Lee De Forest (1873 – 1961)

Exemplo de um amplificador
Válvula Termiônica valvulado para guitarras.
3
 Diodo Semicondutor: Aspectos Construtivos
O Diodo Semicondutor nada mais é do que uma junção PN acrescida de dois cristais
fortemente dopados (N+ e P+) e de dois terminais de um material metálico
(geralmente alumínio).

Os cristais N+ e P+ são necessários para formar o que se denomina de Contato

Ôhmico. Este tipo de contato segue a lei de Ohm, ou seja, pode ser representado por
uma resistência de baixo valor. Ao se colocar um metal em contato com um cristal
com dopagem típica, forma-se outro tipo de contato (contato Schottky) que será
abordado posteriormente.
Para estudar este dispositivo será feito um levantamento de suas características
elétricas. Observar que, em uma primeira aproximação, a inserção dos itens
mencionados não afetam a junção PN.
4
 Diodo Semicondutor: Polarização Direta e Reversa
Para caracterizar o diodo semicondutor é preciso tirá-lo da sua condição de
equilíbrio. O equilíbrio térmico será mantido, ou seja, os resultados apresentados
são obtidos para uma temperatura ambiente constante (normalmente 300K).
O desequilíbrio será proporcionado pela presença de uma fonte de tensão externa e,
ao aplicá-la, está se polarizando o diodo. Existem, então, duas possibilidades de
polarização:
Direta, quando o cristal P recebe o terminal positivo da fonte e Reversa quando o
cristal P recebe o terminal negativo da fonte.
Tomando por base as polarizações Direta e Reversa é possível construir uma
conjunto de curvas características. Estas representam, graficamente, o
comportamento elétrico do dispositivo.
Na prática, ao se acoplar uma fonte ao diodo deve-se sempre utilizar um resistor
série para limitar a corrente. O dispositivo pode ser destruído se dissipar uma
potência acima do valor máximo para ele permitido.
WO é a largura da região de depleção estando o diodo sem polarização.

5
 Diodo Semicondutor: Polarização Direta

Na polarização direta, a fonte VD faz surgir na região de depleção um campo elétrico

que tem sentido oposto ao campo elétrico resultante dos dipolos. O campo elétrico
resultante é reduzido (e também a largura: WD<WO) favorecendo a difusão de
portadores majoritários. Se o campo elétrico externo for grande o suficiente para
anular o campo elétrico interno haverá um fluxo de corrente (I D) de portadores
majoritários através do diodo, limitado apenas pelas resistências intrínsecas dos
cristais N e P e dos contatos ôhmicos. Estas resistências são de pequenos valores o
que leva a uma aproximação de uma chave fechada para o diodo quando polarizado
diretamente e quando vencida completamente a sua barreira de potencial. 6
 Diodo Semicondutor: Polarização Direta
 O terminal para onde fluem as cargas negativas (elétrons) é chamado de Anodo e
para onde fluem as cargas positivas (lacunas) é chamado de Catodo.
 O valor de VD, para um diodo de Si, que “vence” completamente a barreira é de
aproximadamente 0,7V. Para um diodo de Ge de 0,3V;
 As resistências dos cristais N e P são chamadas de Resistências de Corpo;
 Os tipos de diodos semicondutores mais comuns são: os Diodos de Sinal que
operam em baixa potência (tipicamente na faixa de mW) e com freqüências mais
elevadas, os Diodos Retificadores manipulam maiores potências (tipicamente
acima de 1W) e trabalham em freqüências industriais (60H z) e os Diodos
Emissores de Luz (LEDs) e Zener que serão abordados posteriormente;
 Não é necessário contabilizar os portadores minoritários na polarização direta;
 O símbolo do diodo representa uma seta que indica o sentido convencional do
fluxo de corrente (ID) quando polarizado diretamente:

7
 Diodo Semicondutor: Polarização Reversa

Na polarização reversa, a fonte VD será invertida. Agora, o campo elétrico externo

está no mesmo sentido do campo elétrico dos dipolos fazendo com que os
portadores majoritários sejam afastados da região da junção.
Conseqüentemente, a região de depleção será alargada (WR > WO). Em uma
primeira aproximação, verifica-se que não existe a possibilidade de fluxo de
corrente através do diodo uma vez que existe um “isolante” (região de depleção)
entre os terminais do anodo e do catodo. Para esta situação o dispositivo pode ser
modelado como uma chave aberta.
8
 Diodo Semicondutor: Polarização Reversa
Em uma segunda aproximação, é necessário contabilizar a presença dos
portadores minoritários dos cristais N e P. Para eles, o campo elétrico resultante
na região de depleção age no sentido de acelerá-los, de forma que elétrons
caminhem em direção ao catodo e lacunas caminhem em direção ao anodo.
Este fluxo de portadores estabelece uma corrente, dita reversa (IR) , porém, de
pequena amplitude uma vez que é constituída de portadores minoritários.
Esta corrente também é referenciada como sendo uma Corrente de Saturação
Reversa (IS) porque o seu valor se satura para uma determinada temperatura.
Lembrar que os portadores minoritários estão presentes nos cristais pela geração
térmica de pares elétron-lacuna. Observar que a intensidade desta corrente reversa
não depende (primeira aproximação) da intensidade da tensão reversa aplicada.
A dependência de IS com a temperatura é expressa, aproximadamente, por: IS dobra
a cada aumento de 100C na temperatura.
Para diodos de sinal IS situa-se na faixa de nA e para diodos retificadores pode
chegar até a faixa de mA.
Informação Interessante: Sensores de temperatura são baseados em uma junção PN
polarizada diretamente e sensores de radiação luminosa (e fotodiodos) em uma
junção PN polarizada reversamente.
9
 Diodo Semicondutor: Limites
Na polarização direta o diodo apresenta um limite de operação que é a potência
dissipada pela circulação da corrente ID. Normalmente, o fabricante apresenta um
valor máximo para esta corrente direta. Na polarização reversa é necessário
investigar um limite de operação chamado de Ruptura.
Diodo Semicondutor: Ruptura
Na polarização reversa, a princípio, não existe a preocupação de uma dissipação
elevada de potência em função do baixo valor de I S. Entretanto, é preciso verificar
os fenômenos que acontecem quando a tensão reversa começa a ficar muito
elevada.
Existem dois mecanismos que vão “forçar” a presença de um alto valor de corrente
reversa podendo levar o dispositivo a uma situação de alta dissipação de potência.
Estes mecanismos são o a Multiplicação por Avalanche e o Efeito Zener. A
princípio, uma vez alcançados, atinge-se uma situação de ruptura do dispositivo e a
sua conseqüente perda.
Por estarem diretamente relacionados com o valor da tensão reversa aplicada, o
fabricante estabelece um valor limite para esta tensão. É apresentada como PIV
(Peak Inverse Voltage), BV (Breakdown Voltage) ou VRRM (Repetitive Peak
Reverse Voltage). 10
 Diodo Semicondutor: Ruptura por Avalanche
Embora coexistam (podendo haver o predomínio de um deles), os mecanismos de
ruptura podem ser analisados separadamente. Dependem da temperatura e do
nível de dopagem dos cristais N e P.
A multiplicação por avalanche ocorre da seguinte forma: a geração de pares elétron-
lacuna é constante e estes portadores são aceleradores pelo campo elétrico
formando a corrente reversa. Se a tensão reversa aumenta, aumenta também a
intensidade do campo elétrico. Esta maior intensidade de campo, permite aos
portadores minoritários em fluxo adquirir uma maior energia cinética. Caso um
destes portadores se choque com a estrutura cristalina ele pode liberar energia
suficiente para romper uma ligação covalente e gerar um par elétron-lacuna
adicional. Estes portadores adicionais também são acelerados pelo campo e podem
gerar outros portadores adicionais. O processo é regenerativo criando cada vez
mais portadores e levando o diodo a uma situação de condução de corrente reversa
de alto valor e sua destruição por dissipação de potencia excessiva.
Por ser um processo regenerativo semelhante ao que ocorre em encostas de
montanhas, recebeu o nome de Multiplicação por Avalanche ou simplesmente
Avalanche.

11
 Diodo Semicondutor: Ruptura Zener
O efeito Zener foi descoberto por Clarence M. Zener e
estabelece que o próprio campo elétrico, na região de
depleção, é capaz de gerar pares elétron-lacuna. Isto
devido a alta intensidade que estes campos assumem.
A largura da região de depleção é na faixa de mm e a
presença de uma tensão reversa externa na faixa de V
pode gerar campos da ordem de milhões de Volt por
metro. Clarence Melvin Zener (1905 – 1993)

O valor da tensão reversa de ruptura pode ser tão pequena quanto algumas
unidades de Volt e tão grande quanto algumas centenas de Volt. O seu coeficiente
térmico depende de qual efeito é predominante (Avalanche ou Zener).
Um valor de referência é algo em torno de 5 a 6V (algumas literaturas colocam 5,6V).
Para tensões acima destes valores o coeficiente térmico da tensão de ruptura é
positivo e para valores inferiores é negativo.
Para tensões inferiores a 5,6V predomina a Avalanche e para tensões superiores
predomina o efeito Zener.
Existe um diodo especializado para operar na região de ruptura que recebe o nome de
Diodo Zener. 12
 Diodo Semicondutor: Encapsulamentos
Alguns fabricantes identificam o diodo através do seu símbolo, outros, colocam
uma tarja no terminal referente ao anodo.

Tipos de Encapsulamentos (diodos de sinal e retificadores): Vidro, Cerâmico, Resina e Metálico

13
 Diodo Semicondutor: Curva Característica
Uma imagem vale mais do mil palavras! A curva característica do diodo
semicondutor representa a função ID = f(VD) @ T e, através dela, pode-se
reconhecer todos os aspectos de operação descritos até o momento.
O primeiro quadrante representa a
condição de polarização direta.
Observar que vencida a barreira (VT) o
diodo conduz corrente até um limite
máximo de dissipação imposto por
IDmax. No terceiro quadrante, tem-se a
condição de polarização reversa com o
diodo conduzindo apenas uma pequena
VT também é chamada de
corrente reversa (IS). Uma vez atingida
“Tensão de Joelho”. a ruptura (BV) ele passa a conduzir
IS também é chamada de uma corrente reversa forçada.
Corrente de Fuga.
Como um todo, o comportamento
elétrico do diodo semicondutor é
altamente não linear.
14
 Diodo Semicondutor: Equação de Shockley
Verifica-se que quando o diodo está conduzindo
corrente na polarização direta, o comportamento entre
tensão (VD) e corrente (ID) é não linear. Mais
precisamente um comportamento exponencial.
Shockley usando conceitos da física do estado sólido
deduziu uma equação para modelar este
comportamento: William Bradford Shockley (1910-1989)

Esta equação é válida (com um bom grau de

 VηvD 
I D  I S e  1
 t precisão), na realidade, para o diodo operando
 
  abaixo da ruptura até valores de corrente direta que
vt  U T  φt não representem fenômenos de alta injeção.
1 η  2 Cuidado: Não confundir a tensão de joelho (VT)
K  1,38.10  23 [J/K] com a tensão equivalente de temperatura v t. Por
q  1,6.10 19 [C] esta razão que algumas literaturas usam UT ou ft.
KT Em termos práticos, considerar que h=1 para
UT   25,87[mV] @ 300K
q diodos difundidos em circuitos integrados e h=2
para diodos discretos.
15
 Equação de Shockley: Plotando ID com Eixo LOG
Plotando-se a equação de Shockley com
o eixo das correntes comprimido por uma
escala LOG, obtém-se, a princípio, uma
reta. Nos diodos reais, existem efeitos de
Alta injeção
segunda ordem que fazem este
comportamento linear desviar-se tanto
para correntes muito pequenas quanto
para correntes muito elevadas.
ln  I S  Na região de correntes “médias”, tem-se:

1 VD
ηU T ID  ISe ηU T

  VD   ηU
VD

ln  I D   ln  I S  e ηv t
  ln  I   ln  e T 
   S
 
  
V
ln  I D   D  ln  I S 
ηU T
y  ax  b

16
 Diodo Semicondutor: Níveis de Resistência
Embora altamente não linear, a curva característica do diodo por ser linearizada por
partes. Isto significa que é possível aproximar certos trechos da curva por
segmentos de reta e, desta forma, tornar válida a lei de Ohm (V=R.I). Assim, é
possível estabelecer alguns níveis de resistência para o diodo semicondutor. Estes
níveis são definidos para o diodo polarizado diretamente. São eles:
Resistência Estática ou Resistência DC representada por RD;
Resistência Dinâmica Incremental ou Resistência AC Incremental (ou ainda
resistência incremental) representada por r d;
Resistência Dinâmica Média ou Resistência AC média representada por r AV.
Para o diodo na condição de polarização reversa, antes da ruptura, será considerado
um nível de resistência muito elevado (idealmente uma chave aberta) em função
da pequena corrente reversa de saturação.
Na prática, é importante notar que a relação entre a corrente direta (acima do
joelho) e a corrente reversa obedece uma relação de pelo menos 1000:1, ou seja, a
intensidade de ID é mil vezes maior que a intensidade de IS

17
 Diodo Semicondutor: Resistência Estática (RD)
Por definição a resistência estática é a relação entre os valores DC de tensão e
corrente presentes no diodo. Portanto, trata-se de uma resistência avaliada em
um ponto específico da curva característica e pode assumir valores diferentes
dependendo do local em que é avaliada. Será maior para regiões próximas ou
abaixo do joelho da curva característica. Esta resistência não depende do
formato da curva.

O ponto que caracteriza esta condição estática de

tensão e corrente é denominado:
VDQ Ponto de Operação ou Ponto Quiescente
RD 
I DQ (Q-Point).

Veremos, no decorrer do nosso curso, que o

conceito de ponto quiescente é um dos mais
importantes. Principalmente, quando estivermos
analisando circuitos transistorizados.

18
 Resistência Estática: Exemplo
793,9mV
RD(Q1)   26,5  Ω 
30mA

685,5mV
RD(Q2)   135  Ω 
5,08mA

605,1mV
RD(Q3)   600  Ω 
1,01mA

Na medida em que se aproxima o ponto Q do

joelho da curva (algo em torno de 600 a
700mV) observa-se um aumento na
resistência estática. Para valores menores
desta tensão teríamos uma resistência muito
elevada caracterizando um modelo de chave
aberta.

Curva Característica ID=f(VD)@T=300K - Diodo 1N4148 (sinal)

19
 Diodo Semicondutor: Resistência Incremental (rd)
A resistência AC Incremental prevê a
movimentação do ponto Q pela presença
de um sinal variante no tempo superposto
aos níveis DC. Desde que estas variações
sejam pequenas (operação a pequeno
sinal ou sinais incrementais), a curva se
confunde com a reta tangente no ponto
(derivada). Esta resistência depende do
formato da curva.

ΔV D dVD A consideração de operação em

rd  
ΔI D dI D Q
pequenos sinais pode ser satisfeita
se as variações no entorno do
  VD 
d  I S e  1 
 ηU T ponto Q representarem
1   
 1
VD
1 aproximadamente 10% do valor
  I S e ηU T   ID  IS  quiescente da corrente.
rd dI D UT ηU T
se I D  I S Ao lado a dedução desta
1 I ηU T
resistência a partir da equação de
 D  rd  Shockley.
rd ηU T I DQ 20
 Diodo Semicondutor: Resistência Incremental (rd)
Esta resistência foi deduzida a partir da equação de Shockley que modela apenas
o comportamento no entorno da junção PN. As resistências de corpo dos
materiais semicondutores das regiões do Anodo e do Catodo e as resistências dos
contatos ôhmicos (idealmente deveriam ser zero) não fazem parte desta
formulação. Pode-se utilizar, então, as fórmulas alternativas:

r' d  rd  rB rB  2rcontato  rN  rP

Na equação acima, rB representa as contribuições adicionais citadas e pode

variar de 0,1 a 2 ohm dependendo do tipo de dispositivo. Diodos de sinal, maior
rB e diodos de potência, menor rB.

P+ Cristal P Cristal N N+

rcontato rP rD=f(ID) rN rcontato

21
 Resistência Incremental: Exemplo
Usando o mesmo diodo do exemplo anterior, calcular (graficamente e pela
equação de Shockley) as resistências incrementais para os valores de I DQ de 5mA e
de 25mA. Então, os “DID” (10%) serão, respectivamente, ±0,25mA e ±1,25mA.

ηU T 2x25mV
rd    10  Ω 
I DQ 5mA

ΔV D 687,38mV  682,12mV 5,26mV

rd     10,5  Ω 
ΔI D 5,253mA  4,751mA 0,502mA

Detalhe da Curva Característica (1N4148) no entorno de I D=5mA 22

 Resistência Incremental: Exemplo
ηU T 2x25mV ΔVD 784,04mV  776,92mV 7,12mV
rd    2  Ω rd     2,85  Ω 
I DQ 25mA ΔI D 26,23mA  23,73mA 2,5mA

Observar que acima do joelho a

reta tangente apresenta uma
maior inclinação que se
traduziu em uma menor
resistência incremental.
Os valores calculados pela
fórmula e pelas variações de
tensão e corrente indicam a
validade da formulação de
Shockley e a presença de
componentes adicionais
representadas pelas resistências
de corpo dos cristais e dos
contatos ôhmicos.

Detalhe da Curva Característica (1N4148) no entorno de I D=25mA

23
 Resistência Incremental: Exemplo

Plotando rd (calculada pela equação de Shockley) em função da corrente I D verifica-

se que à medida que se caminha para o joelho da curva (ID diminuindo) a resistência
incremental aumenta uma vez que a reta tangente se aproxima de uma reta
horizontal. Acima do joelho, a reta tangente se confunde com a própria curva e,
estando mais inclinada (tendendo para uma reta vertical), representa uma resistência
incremental de baixo valor.
Está análise vem ao encontro da consideração de que o diodo é uma chave aberta
(alta resistência) antes de vencer a barreira e uma chave fechada (baixa resistência)
depois de vencer a barreira.

24
 Diodo Semicondutor: Resistência AC Média (rAV)
Se o sinal variante no tempo provocar deslocamentos
muito grandes no entorno do ponto de operação, é
necessário definir uma resistência AC média. Este valor
de resistência é calculado tomando-se uma linha reta que
une os dois pontos extremos das variações do sinal e
fazendo-se a relação entre a tensão e a corrente.Um
exemplo de aplicação, que utiliza o conceito desta
resistência, são os circuitos retificadores.

ΔVD 793,9mV  605,1mV

rAV  
ΔV D ΔI D 30,0mA  1,01mA
rAV  188,8mV
ΔI D ponto a ponto rAV   6,5  Ω 
28,99mA
O valor da barreira a ser
usado é o cruzamento com o
eixo x. 25
 Diodo Semicondutor: Circuitos Equivalentes (Modelos)

A análise gráfica através da reta de carga pode ser comprometida se o projetista

não tiver em mãos a curva característica do dispositivo. Uma forma alternativa
emprega o uso de circuitos equivalentes. Circuitos equivalentes são uma
combinação de elementos de circuito (resistores, capacitores, fontes de tensão,
etc.) propriamente escolhidos, para representar, com um certo grau de precisão,
as características globais (ou em um determinado ponto de operação), um
dispositivo ou um sistema.
Um sinônimo para circuito equivalente é Modelo e o seu uso implica em
aproximar o comportamento do dispositivo ou sistema para uma operação linear.
O uso de modelos tende a simplificar a análise de um circuito que contenha
componentes altamente não lineares.
Para o diodo semicondutor serão apresentados inicialmente os 3 modelos
clássicos que são: O Modelo Ideal, o Modelo Simplificado e o Modelo Linear
por Partes. Isto não quer dizer que não existam outros modelos. Dependendo da
aplicação (por exemplo, uma análise no domínio da freqüência) é necessário
incluir outros componentes no modelamento para incorporar os fenômenos
elétricos observados na prática.
26
 Circuitos Equivalentes: Modelo Ideal

Idealmente, o diodo é modelado como uma

chave fechada (polarização direta) e como
uma chave aberta (polarização reversa).
Também chamado de primeira aproximação.

Circuitos Equivalentes: Modelo Simplificado

O diodo se torna uma chave fechada depois de

vencido o joelho da curva (consegue
manipular valores expressivos de corrente).
Também chamado de segunda aproximação.
O valor de VT é considerado como sendo 0,7V
para diodos de sinal e 1V para retificadores.

27
 Circuitos Equivalentes: Modelo Linear por Partes

Incorpora o valor da resistência dinâmica média

(rAV) estando vencida a barreira de potencial.
Chamado de terceira aproximação. Atenção: o
valor de VT a ser usado corresponde ao
cruzamento da reta com o eixo x. Pode não ser
exatamente 0,7V.

Neste ponto, pode surgir a dúvida sobre qual dos modelos utilizar.
Normalmente, o modelo simplificado atende a maioria das análises de
circuitos com diodos. Contudo, sempre que possível, deve-se avaliar os
valores das tensões aplicadas e das outras resistências presentes no
circuito que contém o diodo. Se estes valores forem muito superiores aos
valores de VT e de rAV (pelo menos dez vezes maior) o modelo ideal levará a
resultados com um grau de imprecisão de no entorno de 10%. Quando as
tensões aplicadas e outras resistências forem da mesma ordem de grandeza
de VT e rAV torna-se obrigatório o uso do modelo linear por partes
28
 Diodo Semicondutor: Efeitos Capacitivos

Estando o diodo submetido a um regime de operação em que existe

um sinal dinâmico, ou seja, com uma dada freqüência, é necessário
incluir os fenômenos de armazenamento de cargas. Este
armazenamento se traduz na presença de um efeito capacitivo tanto
na polarização direta quanto na reversa. São dois efeitos que, embora
coexistindo, podem ser separados para facilidade de análise. Na
polarização direta predomina um efeito capacitivo chamado de
CTOTAL  C J  C D Capacitância de Difusão (CD) e na polarização reversa predomina
a Capacitância de Transição ou de Junção (CJ). Ambas são
modeladas como capacitores em paralelo com a junção PN.
Observar que, em altas freqüências, o comportamento elétrico do diodo pode ser
modificado pela presença de uma reatância capacitiva muito baixa. Portanto, o
dispositivo pode se tornar um “curto-circuito” nestas freqüências.

29
 Efeitos Capacitivos: Capacitância de Junção
Isolante A capacitância de Junção, que predomina na
polarização reversa, pode ser modelada como
uma capacitor de placas paralelas. O valor
desta capacitância é influenciado pela tensão
reversa aplicada (VR) , pois a espessura do
dielétrico (região de depleção) aumenta ou
diminui em função da maior ou menor
Junção PN polarizada reversamente
intensidade desta tensão.
m No seu equacionamento, CJO é um valor desta
 V 
C J  C J0  1  R  capacitância avaliado para polarização zero
 Vbi 
(valor fornecido pelo fabricante). Em uma
primeira aproximação, Vbi (tensão embutida)
pode ser substituída, por exemplo em um diodo
de sinal, pelo valor de 0,7V.
O coeficiente m está relacionado com os perfis de dopagem dos cristais N e P e vale
entre 1/3 e 1/2. Existe um diodo de finalidade específica, denominado de Varicap,
que é otimizado para operar como um capacitor variável e é muito utilizado em
circuitos de sintonia em telecomunicações.
30
 Efeitos Capacitivos: Capacitância de Difusão
Na polarização direta, a difusão dos portadores ocorre com uma velocidade
limitada o que significa dizer que durante um determinado período de tempo eles
estão “armazenados” em um determinado nível de energia.
Este armazenamento é modelo através de um efeito capacitivo e por estar
relacionado com a difusão de portadores através da junção recebeu o nome de
Capacitância de Difusão.
Esta capacitância está diretamente associada a corrente direta do diodo uma vez
que quanto maior o seu valor, maior a quantidade de cargas armazenadas. Pode ser
expressa pela fórmula a seguir:
t 
C D  I D  t 
 VT 

O valor tt representa o tempo de trânsito dos portadores.

Tanto CJ quanto CD apresentam uma ordem de grandeza que pode variar,
tipicamente, de algumas unidades de pF a algumas dezenas de pF.

31
 Efeitos Capacitivos: Tempos de Recuperação
A presença de efeitos capacitivos no diodo indica que ele não pode responder
instantaneamente a mudanças bruscas nas tensões de polarização (por exemplo,
um sinal de onda quadrada). O diodo levará um tempo finito para se recuperar dos
efeitos transitórios e assumir o regime permanente de operação.
Existem, portanto, dois tempos de recuperação: o tempo de recuperação direto (t rd)
e o tempo de recuperação reverso (trr). Na prática, o trr sempre será o de maior
valor (dominante) impondo, assim, um limite de freqüência para o funcionamento
adequado do diodo. O circuito ilustrado a seguir permite avaliar estes tempos:
D 1

D1N4148 Neste caso, o sinal Vin(t) é uma onda

quadrada e, para avaliar os tempos, será
monitorado o comportamento da corrente
V in (t) ID(t) R L
1[K  ]
ID(t). Observar que o diodo é de sinal e
responde a freqüências mais elevadas
comparativamente a um diodo retificador.

Circuito para avaliar trr

32
 Efeitos Capacitivos: Tempos de Recuperação
V in (t) [V]
Em t=10nS tem-se um
10ns 30ns
10
comando para “desligar” o
5
t
diodo e em t=30ns uma
comando para “ligá-lo”.
0
20ns

-5

-10 Para que não haja

descontinuidade na tensão VD,
a corrente ID responde com
“impulsos” nestes respectivos
tempos.
O trr medido é de
aproximadamente 12nS o que
limitaria a sua freqüência de
operação em 1/12.10-9 ≈
V D [V]

2 10ns 30ns
80MHZ.
0
-2
20ns t Diodos retificadores
-4 apresentam trr na faixa de
-6
-8 unidades a dezenas de mS.
-10
33
 Diodos Semicondutores: Folhas de Dados
As Folhas de Dados (de modo geral para todos dispositivos semicondutores)
apresentam para o projetista, basicamente, dois tipos de informação:
 Absolute Maximum Ratings (Limiting Values) (Valores Máximos Absolutos
ou Valores Limites): Valores que, se excedidos, provocam a destruição do
dispositivo ou a degeneração de seu comportamento elétrico, diminuindo,
assim, a sua confiabilidade e a sua vida útil.
 Electrical Characteristics (Características Elétricas): Tabelas com Valores
Típicos e suas dispersões, Curvas, Circuitos Típicos, etc. que auxiliam o
desenvolvimento de um projeto.
Um dos itens mais importantes na atividade do profissional da eletrônica é saber se comunicar. Isso é válido tanto quando
se trata de redigir ou entender um documento técnico em português como em inglês. A Allegro Microsystems possui um
excelente artigo em que explica exatamente como devem ser escritos os “datasheets” e quais são os principais erros que se
constatam, comprometendo muitas vezes o uso de um produto e com isso o nome do fabricante. Um dos pontos mais
importantes, ao se redigir uma folha de dados ou “datasheet” para um componente, é levar em conta que esse documento
pode significar um elo entre pessoas e empresas que têm necessidades opostas. Para quem lê uma folha de dados, ela
reflete a empresa que o redige. Normalmente erros menores não são muito comentados, no entanto erros de redação ou
mesmo de concordância e principalmente erros técnicos refletem diretamente a credibilidade e o próprio desempenho do
componente, e conseqüentemente da empresa. Outro ponto de extrema importância a ser analisado é que uma folha de
dados de um componente também é considerada pelo cliente como um documento legal de garantia da performance de um
produto. Tudo isso significa que escrever uma folha de dados é uma arte, e saber interpretar seu conteúdo também.

Newton C. Braga 34
Folhas de Dados: Exemplo (diodo de sinal 1N4148)
Informações Gerais, Aplicações, Descrição do Dispositivo, etc.

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Folhas de Dados: Exemplo (diodo de sinal 1N4148)
Valores Máximos Absolutos (Valores Limites)

International Standards
and other publications
IEC TCs/SCs (Technical Committees and
Subcommittees) develop International
Standards and other types of publications
for a specific area of electrotechnology.
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Folhas de Dados: Exemplo (diodo de sinal 1N4148)
Características Elétricas e Circuitos de Teste

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Folhas de Dados: Exemplo (diodo de sinal 1N4148)
Curvas Características (Dados Gráficos)
Informações Mecânicas (Encapsulamento)

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 Diodo Semicondutor: Avaliação com o Multímetro
Os multímetros digitais apresentam, dentro de sua
seção ohmímetro, uma função especial
(normalmente identificada pelo símbolo de um
diodo) que permite avaliar a condição de junções PN.
Nesta função, o multímetro injeta uma corrente
constante no diodo sob teste e processa o resultado
de forma a apresentar o valor da barreira de
potencial equivalente quando polarizado
diretamente. Esta corrente situa-se, tipicamente, na
faixa de umas poucas unidades de [mA].
Quando polarizado reversamente, a indicação é tal
que representa a impossibilidade de circular corrente
Multímetro Digital destacando a
função de avaliação de junções PN
pelo diodo (lembrar que nesta situação ele é,
idealmente, uma chave aberta).
Com base nestas indicações é possível identificar
claramente as condições: diodo em bom estado,
diodo em curto e diodo aberto.
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Diodo Semicondutor: Avaliação com o Multímetro

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 Adendo 1: Válvulas Termiônicas retornar

Ultrapassadas, obsoletas, volumosas, consumidoras de energia. Tudo isso pode qualificar as válvulas
termiônicas (também chamadas válvulas eletrônicas), mas elas ainda resistem em aplicações específicas.
No uso doméstico, estão presentes em fornos de micro-ondas (magnétron) e em televisores e monitores
de vídeo (tubo de imagem). Mas este último está sendo substituído pelas telas de cristal líquido (e de
outros tipos) e a velocidade dessa troca é apenas uma questão de preços. Também são usadas em
equipamentos industriais, radares, transmissores de potência. Alguns entusiastas de áudio preferem
amplificadores com válvulas, pois dizem que o som é mais puro. De qualquer forma, para quem só viveu
a era dos semicondutores, pode ser interessante conhecer um pouco deste componente que foi a base
para o desenvolvimento da tecnologia eletrônica.

O efeito termiônico (emissão de elétrons por um metal aquecido) foi

descoberto por Edson em 1883. Na Figura (1) ao lado, um filamento
(1) metálico F e um anodo também metálico A estão em uma ampola sob
vácuo (a presença de ar impede a emissão de elétrons).A fonte de tensão B1
aquece o filamento e a fonte B polariza o anodo positivamente. Nessa
condição, os elétrons emitidos pelo filamento são atraídos pelo potencial
positivo do anodo, fazendo circular uma corrente I pelo circuito. Se a
polaridade da fonte B for invertida conforme Figura (2), o anodo terá um
(2) potencial negativo, repelindo os elétrons emitidos pelo filamento e não
haverá corrente no circuito. Esse arranjo é, na prática, um diodo
retificador, isto é, um componente que só permite a passagem da corrente
elétrica em uma direção. O anodo da válvula é usualmente chamado de
placa e o filamento, catodo. Assim, a tensão da fonte B que polariza a
placa é dita tensão de placa e a corrente I, corrente de placa. 41
Adendo 1: Válvulas Termiônicas retornar

A variação da corrente de placa com a tensão se dá de forma parecida com

o gráfico ao lado. Ela varia linearmente com a tensão até certo valor e
depois a curva se achata com tendência a um limite, isto é, uma tensão de
saturação (acima desta última, não há aumento da corrente de placa). A
característica de linearidade das válvulas é superior à dos semicondutores.

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