UNIVERSIDADE FEDERAL DO AMAZONAS

FACULDADE DE TECNOLOGIA
ENGENHARIA ELÉTRICA
MATERIAIS ELÉTRICOS

MANAUS
2015
 FOTOTRANSISTORES
TRANSISTORES
DÉCADA DE 50
REVOLUCIONAM
A ELETRONICA TRANSISTORES
TIPO FET
 FOTOTRANSISTOR
Sensores que trabalham com luz  muito mais rápidos
que sensores mecânicos
 FET
Transistores de efeito de campo  JFET e MOSFET

 Versar sobre fototransistores e transistores do tipo FET.

> Metodologia
 Revisão de Literatura (jan – fev)
-Descritores: materiais ferroelétricos, aplicações de
ferroelétricos e polímeros ferroelétricos
- Idiomas: Português e Inglês.
(CALLISTER, 2006; MALVINO, 2011)
  DISPOSITIVO ELETRÔNICO SEMICONDUTOR

 FENÔMENO DA FOTOCONDUTIVIDADE
Materiais com propriedades que as tornam condutores pela
ação da luz.

 CAPACIDADE DE DETECTAR A INCIDÊNCIA DE LUZ  FORNECER

UM GANHO DENTRO DE UM ÚNICO COMPONENTE.
TERMINAIS: EFEITO DE
Coletor AMPLIFICAÇÃO
Emissor EFEITO
Base (abertutra para a FOTOELÉTRICO
incidencia da luz)

(MALVINO, 2011)
 Com a incidência da luz: os fótons que atingem a base
Provocam o surgimento de buracos na vizinhança da
junção base-coletor.

 Esta tensão gerada conduzirá as lacunas para o emissor,

enquanto os elétrons passam do emissor para a base
Provocando um aumento da corrente de base

 Implicará numa variação da corrente de coletor beta vezes

maior
- Base desconectada

- A corrente dela -I base = 0

depende somente do -Fototransistor cortado
fluxo luminoso incidente -Tcoletor = Vcc
(GUNTER e STILES, 2007)
  Sujeitos à variações de temperatura.

 Aumento da temperatura  a corrente dobrará.

 A corrente terá um valor significativo em relação à corrente total.

 Compensação DO ERRO: dois fototransistores

O valor da corrente = em ambos dispositivos e anulados

 INTERRUPTORES COMO SENSORES E

DETECTORES DE MOVIMENTO

Quando algum objeto se aproxima do

sensor, a luz infravermelha é refletida
no objeto, "passa" para o outro lado e
(STROPA, 2009) ativa o transistor
 ACOPLADOR ÓPTICO

Este que é um componente capaz de isolar, com total segurança,

dois circuitos eletrônicos

Mantém uma comunicação ou controle entre ambos

Isolamento é garantido porque não ocorre o contato elétrico,
somente um sinal luminoso

LED aceso: Fototransistor entra em condução

LED apagado: Fototransistor entra em corte

VANTAGENS: baixo consumo, nenhuma parte mecânica, alta

velocidade de comutação eletrônica podendo trabalhar com sinais
de frequências elevadas e isolamento total
(MALVINO, 2011; STROPA, 2009)
  Transistor unipolar
Condução de corrente acontece por apenas um tipo de
portador (elétron ou lacuna)

 Canal n ou canal p

 EFEITO DE CAMPO: mecanismo de controle é baseado no campo

elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle

Sua principal função é controlar a corrente elétrica que passa

por ele

(MARTINEZ, 2006)
  Dispositivo semicondutor de 3 terminais não linear  a condução
entre dois de seus terminais é determinada pelo campo elétrico
estabelecido no terceiro.

 Utilizados em circuitos eletrônicos : alta resistência de entrada e

baixo ruído

Funcionamento parecido com TBJ

No TBJ: a corrente Ic é
uma função direta do nível
Ib.

No JFET: a corrente Id será

função direta da tensão
Vgs aplicada ao circuito de
entrada
(MARTINEZ, 2006)
  CARACTERÍSTICA : ALTA IMPEDÂNCIA DE ENTRADA.
 Para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário que se
produza uma polarização reversa das junções da porta  um estreitamento do
canal  baixas correntes de porta  alta impedância

 Transistores JFET < ganhos Transistores TBJ;

 Transistores JFET > estabilidade térmica Transistores TBJ;
 Transistores JFET < dimensões geométricas Transistores TBJ;

 Semicondutor tipo N com regiões tipo P difundidas em ambos os lados.

 A região N (barra de silício) é o canal e as regiões P

estão interligadas eletricamente e formam a porta (gate)

Fonte: fornece os elétrons livres

Dreno: drena os elétrons
Porta: controla a largura do canal, controlando o fluxo
dos elétrons entre a fonte e o dreno
(CALLISTER, 2006)
  Material semicondutor de tipo N: NMOSFET
 Material semicondutor de tipo P: PMOSFET

 Semicondutor: silício
Alguns fabricantes usam uma mistura de silício e germânio (SiGe)

 Semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício:

arsenieto de gálio  não formam bons óxidos nas comportas  não
adequados para os MOSFETs

 Funciona de forma semelhante ao JFET

Não necessita das junções entre porta (G) e canal, para conduzir a
corrente.
A porta (G) é apenas um contato metálico isolado do semicondutor,
proporcionando uma maior impedância de entrada em relação ao JFET

 Alta sensibilidade a eletricidade estática. FÁCIL DE DANIFICAR A CAMADA

ISOLATE DO OXIDO METALICO.
(CALLISTER, 2006)
 3 Materiais diferentes:
As camadas de Alumínio (AL) que formam os contatos
metálicos;
Camada de óxido de silício (SiO2) , que isola os contatos
metálicos entre si e o corpo do transistor, feito de material
semicondutor .

 FONTE DE CORRENTE:

O valor de RS e a curva do JFET determinam

a corrente Id
Amplificadores operacionais e CI's analógicos

(CALLISTER, 2006)
BERTOLI, R. A. Eletrônica. Departamento de Eletro-Eletrônica. Colégio Técnico de Campinas –
UNICAMP. 2011.

BOGART, T. F. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. V. 1. São Paulo: Pearson Maron Boos,

2001.

CALLISTER, W. D. Fundamentos da ciência e engenharia de materiais. 2. ed. Rio de Janeiro:

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CAVALCANTE M. A., TAVOLARO C. R. C. Ensino de Física – Oficina oferecida durante a 3a.

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2007.

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KALINOWSKI, H. J.; GARCIA, N. M. D. Uma alternativa econômica para rede de difração no

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MALVINO, A. P. Eletrônica. V. 1. 4ª Ed. Editora Pearson Education. 2011.

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