Optoelettronica

QW in MC
Assorbimento, Emissione: joint DOS
Elettrone e lacuna si attraggono e possono formare un eccitone

Nel piano l’eccitone

è libero di muoversi

Eccitone
-e
-e
+e

+e
Dipendenza dallo spessore del pozzo
Sommario eccitone in QW -e
+e Spin intero

Picco di assorbimento
ben separato dal
continuo e-h

1. Stato isolato nel gap

2. Transizione tunabile
3. Statistica bosonica
4. Moto libero nel piano (k//)
5. DOS a scalini
Pompaggio elettrico molto efficiente
Sistema che ammette inversione di popolazione
Guadagno g ( E )  A ( E ) f ( E )
Bulk QW

2 D ( E)
3 D ( E )
g (E )
g (E ) f (E )

f (E )
0,0 0,2 0,4 0,0 0,2 0,4
Energy (eV) Energy (eV)

Massimo g su stato eccitato Massimo g su stato fd

frequenza emissione che varia frequenza emissione che varia
Soglia

Laser a QW molto più efficiente del laser bulk

Azione della cavità
 Grande divergenza
Laser a giunzione standard Fascio ellittico

60°
Quantum well in MC
 Situazione usuale RT

Cavità verticale con Q elevato (poche perdite, riduzione soglia)

1,0

0,8
QW
Intensity

0,6

0,4

0,2 MC

0,0
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Energy
 In LED effetto filtro
Situazione usuale RT
1,0 QW
MC
0,8 QW in MC

Intensity
0,6

1,0 0,4

0,2
0,8
QW
0,0
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Intensity

0,6 Energy

0,4 Emission
Narrowing
0,2 MC

0,0
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Energy
Dipendenza angolare
2
 ( )   (0)   (0) 
2
sin 2 
  (0)   (0)
70

 (0)  1.5eV
60
2

Shift in energia (meV)

50

ck sin 2 
  (0)  
40
 30
n 2 20

 ck //2  2 k //2 10
  (0)    ( 0 )  0
2 nk 2 m ph 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Angolo Interno (gradi)

nk n 2 m ph 1.5 eV
m ph   2    3 10 6
c c mel 0.5 MeV
Apertura angolare cavità
70
60
Minor divergenza
Fascio circolare 50

Shift in energia (meV)

(miglior accoppiamento in fibra) 40
30
20 int
10
2 0 FWHM
 ( )   (0)   (0) -10
2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Angolo Interno (gradi)
FWHM 1 1
int    rad
 ( 0) Q 40
1
ext n  0.09 rad  5
Q
 Microcavità
Angular patter 1,0 330
0

30

0,8

0,6
300 60
0,4

0,2

 2 0,0
270 90

 ( )   (0)   (0)
0,0

Dipolo
0,2

2 0,4
240
0
120
0,6
1,0 330 30

FWHM 1 1
int   
0,8
0,8

rad 210 150

 ( 0)
1,0
0,6
300 60

Q 40 0,4
180

0,2

0,0
1
ext n  0.09 rad  5
270 90
0,0

Q
0,2

0,4
Isotropo
0
240 120
0,6
1,0 330 30
0,8
0,8

1,0 210 150

0,6
300 60
180
0,4

0,2

0,0
270 90
0,0

0,2
 Laser a cavità verticale

Minor divergenza
Fascio circolare (miglior accoppiamento in fibra)
Soglia inferiore
Miglior stabilità Vertical Cavity Semiconductor
Minore rumore (studio quantum noise) Emission Laser (VCSEL)
Test su wafer
5°

FP Cavity
VCSEL
Strong coupling
(teoria classica)
 Situazione ottimale a LT

1,0

0,8
Intensity

0,6

0,4

0,2 QW

MC
0,0
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Energy
Modello di Lorentz per l’eccitone

eE it
x  2x   x 
2
0 e Oscillatore armonico forzato
m
 it eE 1
x  x0 e  Soluzione stazionaria
2m0 (  0 )  i

 e 2 / 2m 00
p ( )  ex   0  res ( ) E   0 E Dipolo elettrico
(  0 )  i indotto

 res ( ) 
 e 2 / 2m 00

e2 (0   )  i  Polarizzabilità
(  0 )  i 2m 00 (  0 ) 2   2
Modello di Lorentz per l’eccitone
N N
P  p   0  res ( ) E Polarizzazione macroscopica
V V
 N 
D   0 E  P   0 1   res ( )  E   0 r E Costante dielettrica
 V 

~  N 
n   r  1   res ( )   1 
2 (0   )  i G
 V  (   0 ) 2
  2

(0   )G G (0   )
Re n~  1   1
(  0 )  
2 2
2 (  0 ) 2   2
~ G 
Im n  Indice di rifrazione complesso
2 (  0 ) 2   2
Modello di Lorentz per l’eccitone

(0   )G G (0   )
Re n~  1   1
(  0 )  
2 2
2 (  0 ) 2   2
~ 1 G
Im n 
2 (  0 ) 2   2

   
i n~z i Re( n~ ) z  Im( n~ ) z  z
E ( z )  Eeikz  Ee c
 Ee c
e c
 Ee e
ikz 2


n  Re( n~ )  2 Im( n~ )
c
Indice di rifrazione Coefficiente di assorbimento
Modello di Lorentz per l’eccitone
G (0   )  G
n  nB  
2 (  0 ) 2   2 c (  0 ) 2   2


Indice di
rifrazione di
background

Dispersione
anomala Dispersione
n usuale

-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0

Energy
Trasmissione FP con risonanza e assorbimento

 Tei 2t   / 2  
Et   E  tC Ei
i  2 r     i
1  R e 

 2n~  
   nB  nR   i 
2  c 2
 i 2t   / 2   2  
Et   Te e E  t E
1  R ei 2r   e   i C i
 
2  Assorbimento riduce
T e
TC  tC 
2
trasmissione e allarga le
i  2 r     2
1 R e e risonanze
Trasmissione FP con risonanza
T 2e  1
TC  tC 
2

1 R e i  2 r     2
e 1  F sin 2 ( r   / 2)
4R
F
1  R 2

Trascurando r la condizione di risonanza è

 2n 
   nB  nR 
2  c
 m
Posizione picco  r  nB  nR   m
 c 
Calcolo posizione risonanze
 2 nB  nR ( ) 
 
2 
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
R
 2 
Posizione picco  nB  nR ( )    m
  n B

nB  nR ( )   m
2
R 2
nB  m  R  nB Cavità ben accordata
2 m

nB  nR ( )   nB
R Metodo grafico
Metodo grafico, cavità vuota 1,0

0,8

nB  0  nB

Transmission
0,6

R 0,4

0,2

0,0

829 830 831 832 833 834

Lambda (nm)

R
 1,0
Metodo grafico, cavità con eccitone

0,8

Transmission
nB  nR ( )   nB 0,6

R 3 soluzioni 0,4

0,2

0,0
829 830 831 832 833 834
Lambda (nm)
 Spettri cavità con eccitone

T 2 e 
TC 
i  2 r     2
1 R e e

2 modi normali
Picco centrale
trova un forte
assorbimento e
Resta un non compare negli
piccolo spettri
assorbimento
sulle code
della banda
eccitonica
Se la cavità è fuori sintonia

eccitone
3,64 R
cavità vuota

3,62
n

3,60

3,58
829 830 831 832 833 834
Lambda (nm)
Al variare del tuning

 eccitone nudo

3,64

3,62
n

3,60

3,58
829 830 831 832 833 834
Lambda (nm)
Al variare del tuning

Transmission (a.u)

826 828 830 832 834

Lamba (nm)
 Anticrossing   (  0 ) 2  2 00G / nB  ( X   Ph ) 2

bare photon

bare exciton

0  2 00G / nB
0

Polariton
Half-photon, half-exciton
Al crescere della forza di oscillatore (ovvero del coupling)

3,66
G

3,64

3,62
n

3,60

3,58

3,56
829 830 831 832 833 834
Lambda (nm)
 Eccitone nudo

Al crescere della
forza di oscillatore
lo splitting aumenta

Modi normali
Al crescere dell’ allargamento

3,64

3,62


n

3,60

3,58
829 830 831 832 833 834
Lambda (nm)
 Eccitone nudo

Al crescere dello
allargamento lo
splitting diminuisce
fino a sparire
Modi normali
 Esistenza polaritone

Coupling regimes

Broadening
WC:VCSEL
distrugge
SC:Polariton Strong
coupling
Effetti quantistici
BEC polaritoni
 Bose-Einstein condensation (BEC) of an ideal Bose gas1

•The Bose-Einstein distribution function:

 
 1
f B k ,T ,   , 0


 E k  E 0   
exp   1
 k BT 

•In a d-dimensional system with a parabolic dispersion around k=0:

2 2 / d
)  nc (T )  Tc (n)  4 n (d / 2) 2 / d
2m
•In a 3D (d=3) system with a parabolic dispersion around k=0:
2
2 2/3
Tc  n
1.897mkb
1 S.N. Bose, Z. Phys. 26, 178 (1924), A. Einstein, Sitzber. Kgl. Preuss. Akad. Wiss (1924).
Phase diagram of exciton-polaritons

Weak coupling

Weak coupling

Strong coupling

Solid lines show the critical concentration Nc versus temperature of the polariton
KT phase transition. Dotted and dashed lines show the critical concentration Nc
for quasi condensation in 100 µm and 1 meter lateral size systems, respectively.
Phase diagrams of exciton-polaritons in different materials

Solid lines show the critical concentration Nc versus temperature of the polariton KT phase transition. Dotted and dashed lines
show the critical concentration Nc for quasi condensation in 100 µm and 1 meter lateral size systems, respectively.
CdTe T=5K