UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS

ARMADAS ESPE-L
CARRERA MECATRÓNICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
DIODO PIN
• Es una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y
las externas, una de tipo y la otra tipo N.
• Empieza a conducir la corriente una vez que los electrones y los huecos
inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el número de electrones es
igual al número de agujeros en la región intrínseca
CARACTERÍSTICAS
• Hay una gran cantidad de carga almacenada en la región intrínseca.
• La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia
baja polarizado inversamente.
 SIMULACIÓN

• El modelo propuesto es
estructuralmente simple y
simultáneamente simula el
comportamiento del diodo
con la máxima precisión.
Este modelo se analiza a
partir se sub-modelos que
describen la dinámica de la
conmutación de los diodos
de potencia, en el transitorio
de encendido y apagado y
en el fenómeno de
Circuito de polarización de un diodo recuperación inversa. El sub-modelo eléctrico propuesto del
PIN diodo PIN
MODELAMIENTO DEL DIODO

• Modelamiento dinámico
• El modelo de diodo PIN. Cuando el diodo está polarizado inversamente
• Durante el primer paso de la fase de recuperación inversa [𝑡𝑖 , 𝑡0 ], el diodo permanece en estado de
conducción así también, hay la presencia de una gran cantidad de cargas almacenadas en el diodo

• La corriente aumenta para alcanzar su estado estable con la tasa de pendiente, mientras tanto la tensión
del diodo comienza a disminuir y alcanza su valor pico 𝑉𝑅𝑀 . Como se observa, el voltaje de diodo está sujeto
a oscilaciones, debido a la respuesta de las inductancias parásitas del circuito.
• La corriente inversa
𝑑𝐼𝐹 𝑑𝐼𝐹
• 𝑖𝐴−𝐾 𝑡 = − 𝑡 + 𝑡 Donde 𝑡0 es cero
𝑑𝑡 𝑑𝑡 0
𝑡−𝑡1
𝐿∗𝑡1
• 𝑖𝐴−𝐾 𝑡 = −𝐼𝑅𝑅𝑀 𝑒 𝜏𝐿 𝜏𝐿 =
𝑅𝐿

2 𝑑𝐼𝐹
• 𝐼𝑅𝑅𝑀 = ∗ 𝑄𝑅𝑅 ∗ s es el factor de suavidad
𝑠+1 𝑑𝑡

1 2𝑠 2 𝑄𝑅𝑅
• 𝜏𝐿 = ∗ 𝑑𝐼𝐹
𝐼𝑛(10) 𝑠+1
𝑑𝑡

1 2 𝑄𝑅𝑅
• 𝐺= ∗ 𝑑𝐼𝐹 conductancia transferida de la fuente de
𝐿 𝑠+1
𝑑𝑡

corriente controlada por voltaje

• Sub-modelo de sobretensión de polarización directa
• El voltaje pico de VFP se expresa mediante la siguiente ecuación
1
𝑑𝐼𝐹ൗ 2

𝑉𝐹𝑃 = 2 ∗ 𝑇𝑛0 ∗ 𝜑𝑡 ∗ 1 + 𝑏 ∗ 𝑑𝑡 + 𝑉
𝑇𝐻
𝑄𝑏
• 𝑇𝑛0 es el tiempo de tránsito de los electrones.
𝐷𝑃
• 𝜑𝑡 es igual a
𝜇𝑛

• 𝑏 es el coeficiente de la movilidad de los electrones y los agujeros.

• 𝑄𝑏 representa la carga de iones en la zona N.

𝛽
𝑑𝐼𝐹
𝑉𝐹𝑃 = 𝐾𝐹𝑃 ∗ + 𝑉𝐽
𝑑𝑡
MODELO TÉRMICO
• La técnica de elementos finitos 1D (FE) se ha utilizado en para evaluar el circuito
equivalente térmico.
1 1 1
𝑍𝑡ℎ 𝑠 = + +. . +
1+𝑅𝑡ℎ1 ∗𝐶𝑡ℎ1 1+𝑅𝑡ℎ2 ∗𝐶𝑡ℎ2 1+𝑅𝑡ℎ𝑛 ∗𝐶𝑡ℎ𝑛

1
𝑍𝑡ℎ 𝑡 = ෍ 𝑛 𝑅𝑡ℎ 1 − 𝑒 𝑅𝑡ℎ𝑛 ∗𝐶𝑡ℎ𝑛

Efecto térmico en la corriente de recuperación inversa

𝐼𝑅𝑅𝑀 𝑇𝐽 = 𝐼𝑅𝑅𝑀 𝑇0 ∗ (𝐴 ∗ 𝑇𝐽 + 𝐵)
EFECTO DINÁMICO EN LA CORRIENTE

Estado de polarizado del diodo en directa

“Hace que los portadores libres comiencen a fluir
rompiendo la barrera de estrechamiento”
 Efecto inversor
La disminución de la corriente es forzada respecto
a dIf/dt”
Efecto de recuperación en relación a la carga almenada.
“En la estabilización la corriente aumenta a razón de
dIR/dt hasta alcanzar el cero"
EFECTO DINÁMICO EN EL VOLTAJE

Efecto en el estado de recuperación inversa

“ Donde la tensión del diodo comienza a disminuir originando
una sobretensión que además alcanza su valor VRM”
REFERENCIAS
DIODO BYT 30 PI 1000

El pico de VFP tiene un valor significativo cuando aumenta la velocidad de conmutación, a su vez la
velocidad de subida de la corriente ascendente en este caso es adecuada para diferentes valores de
dIF / dt.

Diferentes velocidades de conmutación (1): dIF/dt = 100 A/μs; (2) dIF/dt = 60 A/μ; (3): dIF/dt = 30A/μs
 DIODO BYT 30 PI 1000

El efecto de temperatura aumenta la dureza del fenómeno de recuperación inversa.

Para diferentes temperaturas de unión: (1): TJ = 150 ° C; (2) TJ = 100 ° C; (3): TJ = 25 ° C a

BYT30PI1000, la forma de onda de la corriente de recuperación inversa IAK (t)
 CONCLUSIONES

• Durante la fase de conmutación se puede producir varias

oscilaciones de corriente y voltaje .
• El efecto de cableado es uno de estos mecanismos que aumentan el
máximo de la corriente de recuperación inversa.
• “La importancia en la conmutación de diodos viene dada en el paso
de ON – OFF, debido a que en este caso se producen las corrientes
inversas lo que da como efecto las pérdidas de potencia y sobre
tensiones negativas”