Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N, y los pozos

drenador y fuente son de tipo P.

Ahora los portadores de corriente son huecos
En los P-MOS de deplexión, previamente existe un canal de
conducción de tipo P.
 En los P-MOS de deplexión, Vt esencialmente positiva
Tensión umbral: vt esencialmente positiva
IDSS= corriente de drenador para VGS=0 (en zona activa)
Expresiones y zona límites idénticas a los PMOS de enriquecimiento
En la Figura 14.13a, la corriente de saturación de
drenador en este circuito es:

y la tensión de corte de drenador es VDD. La Figura 14.13b

muestra la recta de carga en continua entre una corriente
de saturación ID(sat) y una tensión de corte VDD.
Cuando V 0, el punto Q se encuentra en el extremo inferior
GS

de la recta de carga en continua.

Cuando V =V , el punto Q se encuentra en el extremo
GS GS(on)

superior de la recta de carga.

Cuando el punto Q se encuentra por debajo del punto de
prueba Q , como se muestra, el dispositivo está polarizado
prueba

en la región óhmica.
Dicho de otra manera, un E-MOSFET está polarizado en la
región óhmica cuando se satisface la
siguiente condición:
Cuanto mas negativa es la tensión inversa de polarización de una
unión PN, mas ancha se hace la zona de deplexión (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,
decimos que ocurre un fenómeno llamado de estrangulamiento.
La tensión de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la
tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor