ESTRUCTURA Y ARREGLO

CRISTALINO,
IMPERFECCIONES Y MOVILIDAD DE
LOS TOMOS (DIFUSIN)
 ESTRUCTURA CRISTALINA
ES LA FORMA SLIDA DE CMO SE
ORDENAN Y EMPAQUETAN LOS
TOMOS, MOLCULAS, O IONES.
ESTOS SON EMPAQUETADOS DE
MANERA ORDENADA Y CON
PATRONES DE REPETICIN QUE SE
EXTIENDEN EN LAS TRES
DIMENSIONES DEL ESPACIO.
 SE DICE QUE EL MATERIAL ES CRISTALINO. SI LOS
TOMOS O IONES SE DISPONEN DE UN MODO
TOTALMENTE ALEATORIO, SIN SEGUIR NINGN TIPO DE
SECUENCIA DE ORDENAMIENTO, ESTARAMOS ANTE UN
MATERIAL NO CRISTALINO AMORFO.
 ESTRUCTURA CRISTALINA DE
LOS MATERIALES
LOS MATERIALES SLIDOS SE PUEDEN
CLASIFICAR DE ACUERDO A LA REGULARIDAD
CON QUE LOS TOMOS O IONES ESTN
ORDENADOS UNO CON RESPECTO AL OTRO. UN
MATERIAL CRISTALINO ES AQUEL EN QUE LOS
TOMOS SE ENCUENTRAN SITUADOS EN UN
ARREGLO REPETITIVO O PERIDICO DENTRO DE
GRANDES DISTANCIAS ATMICAS; TAL COMO LAS
ESTRUCTURAS SOLIDIFICADAS, LOS TOMOS SE
POSICIONARN DE UNA MANERA REPETITIVA
TRIDIMENSIONAL EN EL CUAL CADA TOMO EST
ENLAZADO AL TOMO VECINO MS CERCANO.
TODOS LOS METALES, MUCHOS CERMICOS Y
 CELDA UNITARIA
ES EL AGRUPAMIENTO MS PEQUEO DE TOMOS QUE
CONSERVA LA GEOMETRA DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA, Y QUE AL APILARSE EN UNIDADES
REPETITIVAS FORMA UN CRISTAL CON DICHA
ESTRUCTURA.

LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SLIDO DEPENDE

DEL TIPO DE ENLACE ATMICO, DEL TAMAO DE LOS
TOMOS (O IONES), Y LA CARGA ELCTRICA DE LOS
IONES EN SU CASO).
 EXISTEN SIETE SISTEMAS
CRISTALINOS LOS CUALES SE
DISTINGUEN ENTRE S POR LA
LONGITUD DE SUS ARISTAS DE LA
CELDA (LLAMADOS CONSTANTES
O PARMETROS DE LA CELDA) Y
LOS NGULOS ENTRE LOS BORDES
DE STA. ESTOS SISTEMAS SON:
CBICO, TETRAGONAL,
ORTORRMBICO, ROMBODRICA
(O TRIGONAL), HEXAGONAL,
MONOCLNICO Y TRICLNICO.
CELDAS CBICAS
CELDAS TETRAGONALES
CELDAS ORTORRMBICAS
ROMBODRICA
MONO CCLICO
TRICCLICO
HEXAGONAL
 IMPERFECCIONES
NADA EN NUESTRO MUNDO NO ES TAN PERFECTO, NO
EXISTE UN MATERIAL REAL EN INGENIERA QUE NO TENGA
POR LO MENOS UNOS POCOS DEFECTOS
ESTRUCTURALES, INCLUSO EN LA PERFECCIN
CRISTALINA ESTOS DEFECTOS ESTRUCTURALES ESTN
PRESENTES, ALGUNOS EN MAYOR CANTIDAD QUE OTROS.
LOS DEFECTOS PRIMORDIALES EN LOS MATERIALES DE
INGENIERA SON: LA IMPERFECCIN QUMICA, DEFECTOS
PUNTUALES, DEFECTOS LINEALES Y DEFECTOS PLANARES.
 IMPERFECCIN QUIMICA.
NO EXISTE UN MATERIAL SOLIDO QUE SEA PREPARADO
SIN CONTENER CONTAMINACION, ES DECIR NINGUN
MATERIAL PUEDE SER PREPARADO SIN TENER ALGUN
GRADO DE IMPUREZAS, LOS ATOMOS O IONES QUE
COMPONEN A LAS IMPUREZAS ALTERAN LA REGULARIDAD
ESTRUCTURAL DEL MATERIAL PURO IDEAL. LA
CONTAMINACION NORMAL DE UNA SUSTANCIA SOLIDA
(COMO EL CASO DE UN CRISTAL) CON IMPUREZAS SE LE
CONOCE COMO IMPERFECCION QUIMICA.
 DEFECTOS PUNTUALES - IMPERFECCIN
CERODIMENSIONALSON
IMPERFECCIONES ESTRUCTURALES QUE RESULTAN DE LA
AGITACIN TRMICA. EXISTEN EN LOS MATERIALES
INDEPENDIENTEMENTE DE LAS IMPUREZAS QUMICAS.
VACANCIA, LUGAR DESOCUPADO POR UN TOMO
DENTRO DE LA ESTRUCTURA DEL CRISTAL.
INTERSTICIALIDAD, UN TOMO OCUPA UN LUGAR
INTERSTICIAL QUE NO ES NORMALMENTE OCUPADO EN LA
ESTRUCTURA PERFECTA DEL CRISTAL.
 DEFECTOS PUNTUALES - IMPERFECCIN
CERODIMENSIONAL
EL DEFECTO DE SCHOTTKY, CONSISTE EN UNA
VACANTE QUE DEJA UN PAR DE IONES CON CARGAS
OPUESTAS, NECESARIO PARA MANTENER LOCALMENTE
LA NEUTRALIDAD DE CARGA DENTRO DE LA
ESTRUCTURA DEL CRISTAL.
EL DEFECTO DE FRENKEL, COMBINACIN VACANCIA-
INTERSTICIO, SE PRESENTA EN ESTRUCTURAS
RELATIVAMENTE ABIERTAS ACOMODAN IONES
INTERSTICIALES SIN GENERAR ESFUERZO EXCESIVO.
 DEFECTOS LINEALES O
DISLOCACIONES.
(IMPERFECCION
UNIDIMIMENCIONAL).
LA RED CRISTALINA SE DISTORSIONA ALREDEDOR DE UNA
LINEA. LAS IMPERFECCIONES UNIDIMENSIONALES ESTAN
ASOCIADAS CON DEFORMACIONES MECANICAS. EL
DEFECTO LINEAL GENERALMENTE ES DESIGNADO CON
UNA T INVERTIDA. LAS DISLOCACIONES PUEDEN SER DE
TIPO HELICOIDAL (DE TORNILLO) O DE BORDE, ASI COMO
COMBINACIONES MIXTAS DE AMBAS. SE CUANTIFICAN
POR MEDIO DEL VECTOR DE BURGERS B QUE INDICA LA
PRESENCIA DE UNA DISLOCACION EN EL CRISTAL.
 DISLOCACION DE BORDE: SE GENERA POR LA INSERCION DE
UN SEMIPLANO ADICIONAL DE ATOMOS. LA DISTANCIA DE
DESPLAZAMIENTO DE LOS ATOMOS ALREDEDOR DE UNA
DISLOCACION SE DENOMINA VECTOR B DE DESLIZAMIENTO
O DE BURGERS Y ES PERPENDICULAR A LA LINEA DE
DISLOCACION.

DISLOCACIN DE TORNILLO: SE GENERA EN UN PLANO QUE

SE SOMETE A UN ESFUERZO DE CORTE. SE PROVOCA UN
DESPLAZAMIENTO QUE GENERA UNA SUPERFICIE DE UN
PLANO EN FORMA DE ESPIRAL SEMEJANTE AL MOVIMIENTO
DE UN TORNILLO.

DATO: LAS DISLOCACIONES EN ALGUNOS MATERIALES

HACEN QUE EL MATERIAL SE ABLANDE Y MIENTRAS MS SE
VAYA USANDO EL MATERIAL SE HACE MAS BLANDO.
 DEFECTOS PLANARES
TAMBIN SE LES CONOCE COMO BORDES DE
GRANO. SON IMPERFECCIONES EN LA
SUPERFICIE QUE SEPARAN LOS GRANOS
(CRISTALES) DE DIFERENTES ORIENTACIONES
EN MATERIALES POLICRISTALINOS. ES UNA
REGIN DE TOMOS MAL DISTRIBUIDOS
ENTRE GRANOS ADYACENTES.
EN LOS METALES LOS LMITES DE GRANO SE
CREAN DURANTE LA SOLIDIFICACIN
CUANDO LOS CRISTALES FORMADOS A
PARTIR DE DIFERENTES NCLEOS CRECEN
SIMULTNEAMENTE Y SE ENCUENTRAN UNOS
 EL BORDE DE GRANO ES UNA REGIN ESTRECHA. EL
EMPAQUETAMIENTO ATMICO DE LOS BORDES DE
GRANO ES ALGO MENOR QUE DENTRO DE LOS GRANOS.
1.3 MOVILIDAD DE
LOS ATOMOS
(DIFUCION)
 CONSIDERACIONES SOBRE LA
DIFUSION EN SOLIDOS.
ES EL MOVIMIENTO DE LOS TOMOS, IONES O MOLCULAS, DENTRO DE UN
MATERIAL. ESTOS SE MUEVEN DE MANERA PREDECIBLE, TRATANDO DE
ELIMINAR DIFERENCIAS DE CONCENTRACIN Y PRODUCIR UNA
COMPOSICIN HOMOGNEA Y UNIFORME.
LA DIFUSIN PUEDE SER DEFINIDA COMO EL MECANISMO POR EL CUAL LA
MATERIA ES TRANSPORTADA POR LA MATERIA. EN LOS SOLIDOS, ESTOS
MOVIMIENTOS ATMICOS QUEDAN RESTRINGIDOS DEBIDO A LOS ENLACES
QUE MANTIENEN LOS TOMOS EN LAS POSICIONES DE EQUILIBRIO, POR EL
CUAL EL NICO MECANISMO DE TRANSPORTE DE MASA ES LA DIFUSIN.
LA PROBABILIDAD DE INTERCAMBIAR POSICIONES DEPENDE DE LA
TEMPERATURA.
 MECANISMOS DE DIFUSIN.
EXISTEN DOS MECANISMOS PRINCIPALES DE DIFUSIN EN
LOS TOMOS EN UNA ESTRUCTURA CRISTALINA:

1. MECANISMO DE VACANTES O SUSTITUCIONAL

2. EL MECANISMO INTERSTICIAL.
 1. MECANISMO DE DIFUSION
POR VACANTES O
SUSTITUCIONAL.
LOS TOMOS PUEDEN MOVERSE EN LAS REDES
CRISTALINAS DESDE UNA POSICIN A OTRA SI HAY
PRESENTE SUFICIENTE ENERGA DE ACTIVACIN
PROPORCIONADA ESTA POR LA VIBRACIN TRMICA EN LOS
TOMOS, SI HAY VACANTES U OTROS DEFECTOS
CRISTALINOS EN LA ESTRUCTURA PARA QUE ELLOS LOS
OCUPEN. LAS VACANTES EN LOS METALES SON DEFECTOS
EN EQUILIBRIO, Y POR ELLO ALGUNOS ESTN SIEMPRE
PRESENTES PARA FACILITAR QUE TENGAN LUGAR LA
DIFUSIN SUSTITUCIONAL DE LOS TOMOS. SEGN VA
AUMENTANDO LA TEMPERATURA DEL METAL SE
PRODUCIRN MAS VACANTES Y HABR MAS ENERGA
TRMICA DISPONIBLE, POR TANTO, EL GRADO DE DIFUSIN
ES MAYOR A TEMPERATURAS MAS ALTAS.
ENERGA DE ACTIVACIN: SUELE UTILIZARSE PARA
DENOMINAR LA ENERGA MNIMA NECESARIA PARA QUE SE
PRODUZCA UNA REACCIN DADA. PARA QUE OCURRA UNA
REACCIN ENTRE DOS MOLCULAS, ESTN DEBEN
COLISIONAR EN LA ORIENTACIN CORRECTA Y POSEER UNA
CANTIDAD DE ENERGA MNIMA.
 2. MECANISMO DE DIFUSION
INTERSTICIAL.
LA DIFUSIN INTERSTICIAL DE LOS TOMOS EN REDES CRISTALINAS TIENEN
LUGAR CUANDO LOS TOMOS SE TRASLADAN DE UN INTERSTICIO A OTRO
CONTINUO AL PRIMERO SIN DESPLAZAR PERMANENTEMENTE A NINGUNO DE
LOS TOMOS DE LA MATRIZ DE LA RED CRISTALINA. PARA QUE EL
MECANISMO INTERSTICIAL SE EFECTIVO , EL TAMAO DE LOS TOMOS QUE
SE DIFUNDEN DEBE SER RELATIVAMENTE PEQUEO COMPARADO CON EL DE
LOS TOMOS DE LA MATRIZ. LOS TOMOS PEQUEOS COMO LOS DE
HIDROGENO, CARBONO, OXIGENO Y NITRGENO, PUEDEN DIFUNDIRSE
INTERSTICIALMENTE EN ALGUNAS REDES CRISTALINAS METLICAS. POR
EJEMPLO EL CARBONO PUEDE DIFUNDIRSE INTERSTICIALMENTE EN EL
HIERRO ALFA BCC Y EL HIERRO GAMMA FCC. EN LA DIFUSIN INTERSTICIAL
DE CARBONO EN HIERRO, LOS TOMOS DE CARBONO DEBEN PASAR ENTRE
LOS TOMOS DE LA MATRIZ DE HIERRO.
 LOS VALORES DE LA DIFUSIVIDAD DEPENDEN DE MUCHAS VARIABLES, LAS MAS
IMPORTANTES SON LAS SIGUIENTES:
LA TEMPERATURA A LA CUAL OCURRE LA DIFUSIN: SI LA TEMPERATURA AUMENTA EN
EL SISTEMA LA DIFUSIVIDAD TAMBIN SE VE INCREMENTADA.
EL TIPO DE ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA RED MATRIZ: LA ESTRUCTURA
CRISTALINA BCC QUE POSEE UN FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO DE 0.68 AYUDA A
QUE LA DIFUSIVIDAD SEA MAYOR QUE EN UNA RED FCC QUE POSEE UN FACTOR DE
EMPAQUETAMIENTO DE 0.74. DE ESTA MANERA LOS TOMOS DE CARBONO SE
PUEDEN DIFUNDIR MAS FCILMENTE EN UNA RED DE HIERRO BCC QUE EN UNA RED
FCC.
EL TIPO DE IMPERFECCIONES CRISTALINAS: LA MAYORA DE ESTRUCTURAS ABIERTAS
PERMITEN UNA DIFUSIN MAS RPIDA DE LOS TOMOS. LAS VACANTES EN EXCESO
INCREMENTAN LAS VELOCIDADES DE DIFUSIN EN METALES Y ALEACIONES.
 DIFUSIN EN SLIDOS

LA DIFUSIN PUEDE SER DEFINIDA COMO EL MECANISMO POR

EL CUAL LA MATERIA ES TRANSPORTADA POR LA MATERIA.

MECANISMOS DE DIFUSIN

EXISTEN DOS MECANISMOS PRINCIPALES DE DIFUSIN EN

LOS TOMOS EN UNA ESTRUCTURA CRISTALINA: MECANISMO
DE VACANTES O SUSTITUCIONAL, Y EL MECANISMO
INTERSTICIAL.
 MECANISMO DE DIFUSIN
POR VACANTES O
SUSTITUCIONAL
LOS TOMOS PUEDEN MOVERSE EN LAS REDES CRISTALINAS DESDE
UNA POSICIN A OTRA SI HAY PRESENTE SUFICIENTE ENERGA DE
ACTIVACIN, PROPORCIONADA STA POR LA VIBRACIN TRMICA DE
LOS TOMOS, Y SI HAY VACANTES U OTROS DEFECTOS CRISTALINOS
EN LA ESTRUCTURA PARA QUE ELLOS LOS OCUPEN. LAS VACANTES EN
LOS METALES SON DEFECTOS EN EQUILIBRIO, Y POR ELLO ALGUNOS
ESTN SIEMPRE PRESENTES PARA FACILITAR QUE TENGA LUGAR LA
DIFUSIN SUSTITUCIONAL DE LOS TOMOS. SEGN VA AUMENTANDO
LA TEMPERATURA DEL METAL SE PRODUCIRN MS VACANTES Y
HABR MS ENERGA TRMICA DISPONIBLE, POR TANTO, EL GRADO
DE DIFUSIN ES MAYOR A TEMPERATURAS MS ALTAS.
LA ENERGA DE ACTIVACIN PARA LA DIFUSIN PROPIA ES IGUAL A LA
SUMA DE LA ENERGA DE ACTIVACIN NECESARIA PARA FORMAR LA
VACANTE Y LA ENERGA DE ACTIVACIN NECESARIA PARA MOVERLA.
 MECANISMO DE DIFUSIN
INTERSTICIAL
LA DIFUSIN INTERSTICIAL DE LOS TOMOS EN REDES CRISTALINAS
TIENE LUGAR CUANDO LOS TOMOS SE TRASLADAN DE UN
INTERSTICIO A OTRO CONTIGUO AL PRIMERO SIN DESPLAZAR
PERMANENTEMENTE A NINGUNO DE LOS TOMOS DE LA MATRIZ DE
LA RED CRISTALINA. PARA QUE EL MECANISMO INTERSTICIAL SEA
EFECTIVO, EL TAMAO DE LOS TOMOS QUE SE DIFUNDE DEBE SER
RELATIVAMENTE PEQUEO COMPARADO CON EL DE LOS TOMOS DE
LA MATRIZ. LOS TOMOS PEQUEOS COMO LOS DE HIDRGENO,
CARBONO, OXGENO Y NITRGENO, PUEDEN DIFUNDIRSE
INTERSTICIALMENTE EN ALGUNAS REDES CRISTALINAS METLICAS.