Circuitos Eletrnicos I

(ELE 0511)

Transistores bipolares
de juno - 1
 histria da eletrnica
1894 Guglielmo Marconi, expandiu os
experimentos de Hertz para transmisso
de informao sem fios (telegrafia). Em
1901 Marconi estabeleceu sua empresa
de telegrafia sem fio. Em 1901 realizou a
primeira transmisso de rdio atravs do
Atlntico.

1948 William Bradford Shockley, John Bardeen e

Walter Houser Brattain inventaram o transistor no
Bell Labs. Em 1956 receberam o Premio Nobel.
 Transistor bipolar de juno TBJ
(BJT Bipolar Junction Transistor)

O TBJ foi inventado em 1948 nos laboratrios da Bell (Bell Labs)

Multiplicidade de aplicaes: amplificao, chaveamento de cargas,

circuitos lgicos.
I
I proporcional a Vent
ou I proporcional a ient
ient
Vent
Modos de operao do TBJ

Modo JEB JCB

Corte (no conduz) Reversa Reversa

Ativo Direta Reversa

Ativo reverso Reversa Direta

Saturao (conduo mxima) Direta Direta

 Transistor bipolar de juno (TBJ)
BJT Bipolar Junction Transistor
Juno BE Juno BC
polarizao direta polarizao reversa

Transistor NPN
 Juno BE Juno BC
polarizao direta polarizao reversa

Transistor PNP
Configurao fsica do transistor NPN
Curvas caractersticas do transistor TBJ
 Resumo das caractersticas corrente-tenso
do transistor TBJ
NPN PNP

VBE > VBEon 0,5V

1) JBE Tpico VBE = 0,7V

2) JBC Polarizado reversamente Na saturao VCE = 0,3V
3) Relaes corrente tenso iC
iB iC iB

iC iS e v BE / VT
iE
iC
iC iE iE iC iB

iE iC iB



1 1
Modelo equivalente para grandes sinais
(incluindo o efeito Early) transistor NPN

IS v BE / VT
iB e

v BE / VT vCE
iC I S e 1
VA
VA
rO v BE / VT
IS e
Modelo equivalente para grandes sinais
(incluindo o efeito Early) transistor PNP

IS v EB / VT
iB e

v EB / VT vEC
iC I S e 1
VA
VA
rO v EB / VT
IS e
 Modelo de Ebers-Moll

NPN PNP

iDE I SE (e v BE /VT
-1) iDE I SE (e v EB /VT
-1)
iDC I SC (e vBC /VT -1) iDC I SC (e vCB /VT
-1)
F I SE R I SC I S
I SC F rea JCB

I SE R rea JEB
 Operao no modo de saturao

1. JBE diretamente polarizada

NPN PNP
vBE VBEon ;VBCon 0,5V vEB VEBon ;VEBon 0,5V
Tpicamente vBE 0,7 0,8V Tpicamente VEB 0,7 0,8V

1. JBC reversamente polarizada

NPN PNP
vBC VBCon ;VBCon 0,4V vCB VCBon ;VCBon 0,4V
Tpicamente vBC 0,5 0,6V Tpicamente VCB 0,5 0,6V
vCE VCEsat 0,1 0,2V vEC VECsat 0,1 0,2V
I Csat forado I B
F
forado F fator forado
forado
Transistor TBJ como chave

SATURAO

CORTE
Transistor TBJ como amplificador
Transistor TBJ como amplificador
caracterstica de transferncia vO = vCE = VCC-iCRC
p/ 0 vi 0,5V

Ic = 0 vO = VCC

p/ vi > 0,5V
iC I S e vBE /VT I S e vi /VT
v O VCC - R C I S e vi /VT

Na regio de saturao

vCE cai para 0,1 a 0,2V

Transistor TBJ como amplificador Anlise
grfica
 Transistor TBJ em Corrente Continua (CC)

Consideraes simplificadas:

|VBE| = 0,7V

|VCE|saturao = 0,2V

Na saturao o transistor pode ser forado a trabalhar

com qualquer desejado, chamado forado.

F
forado F fator forado
forado
Para o circuito abaixo, determinar todas as tenses
nodais e nos ramos. Considerando =100 para o
transistor (determine o modo de operao do
transistor: ativo, corte ou saturao)
Para o circuito abaixo, determinar todas as tenses
nodais e nos ramos. Considerando =100 para o
transistor (determine o modo de operao do
transistor: ativo, corte ou saturao)
Para o circuito abaixo, determinar todas as tenses
nodais e nos ramos. Considerando =100 para o
transistor (determine o modo de operao do
transistor: ativo, corte ou saturao)
Exercicio: Para o circuito abaixo, determinar todas
as tenses nodais e nos ramos. Considerando
=100 para o transistor. Refaa os clculos para
10% maior.
Para o circuito abaixo, determinar todas as tenses
nodais e nos ramos. Considerando =100 para o
transistor. Refaa os clculos para =50