CURSO: CIRCUITOS ELECTRNICOS II

PROFESOR : ING. PONCE

INTEGRANTES : VELSQUEZ LIZA ARTURO
ESTRADA QUINTANA ANDR
GASPAR SENZ CLEYTON
LUQUE CISNEROS MIGUEL
PREZ MONTERO JERALD
CICLO: 2017-II
La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores est fijada por los condensadores
internos y las constantes de tiempo asociadas.
La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de ste dependa de la
frecuencia. Los condensadores de acoplo y desacoplo limitan su respuesta a baja frecuencia, y
los parmetros de pequea seal de los transistores que dependen de la frecuencia, as como las
capacidades parsitas asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia.
Adems, un incremento en el nmero de etapas amplificadoras conectadas en cascada tambin
limita a su vez la respuesta a bajas y altas frecuencias.
En la figura anterior se muestra la ganancia de un amplificador en funcin de la frecuencia. Claramente se
identifican tres zonas: frecuencias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. A frecuencias bajas, el
efecto de los condensadores de acoplo y desacoplo es importante. A frecuencias medias, esos
condensadores presentan una impedancia nula pudindose ser sustituidos por un cortocircuito. A
frecuencias altas, las limitaciones en frecuencia de los dispositivos activos condicionan la frecuencia
mxima de operacin del amplificador. Esas zonas estn definidas por dos parmetros: frecuencia de corte
inferior o L y frecuencia de corte superior o H. Ambos parmetros se definen como la frecuencia a la cual
la ganancia del amplificador decae en 1/ 2 o 0.707 con respecto a la ganancia del amplificador a
frecuencias medias.
El ancho de banda del amplificador o bandwidth (BW) se define como :

=
En la siguiente figura se muestra una red RC con frecuencia de corte superior. Esta red a frecuencias
bajas transmite la seal de salida a la entrada (figura b) y a frecuencias altas el condensador se sustituye
por un cortocircuito (figura c) resultando que Vo=0. El diagrama de Bode de la figura 3.8.d indica que el
circuito tiene una frecuencia de corte superior, H, a partir de la cual la pendiente es de 20dB por
dcada. Fcilmente se comprueba que la relacin entre la tensin de salida y entrada de este circuito es
El diagrama de Bode de la figura indica que el circuito tiene una frecuencia de corte superior, H, a partir
de la cual la pendiente es de 20dB por dcada. Fcilmente se comprueba que la relacin entre la tensin
de salida y entrada de este circuito es
La determinacin de la H en amplificadores bsicos puede simplificarse si se hace la siguiente
aproximacin: las reactancias de cada uno de los condensadores de un amplificador que delimitan H es
muy alta, prcticamente un circuito abierto, en comparacin con las impedancias del resto del circuito.
Es decir, el efecto de las reactancias de los condensadores a la frecuencia H todava no es muy
importante. Esto permite aplicar el principio de superposicin estudiando la aportacin individual de cada
unos de los condensadores a la frecuencia de corte superior. Si se extiende la ecuacin 3.16 a una red
con mltiples condensadores se obtiene la siguiente expresin

Donde Ci es un condensador interno y Ri1 la resistencia vista a travs de los terminales de este
condensador, supuesto el resto de condensadores externos en circuito abierto. Por consiguiente, la H
se define como
MODELO EQUIVALENTE DE CA
DE TRANSISTOR DE ALTA
FRECUENCIA.
 MODELO HBRIDO

Este modelo incluye parmetros que no aparecen en otros modelos, ante todo
para proporcionar un modelo ms preciso de los efectos de alta frecuencia. Para
frecuencias ms bajas pueden efectuarse las aproximaciones con los resultados del
modelo re.
El modelo hbrido aparece en la siguiente figura con todos los parmetros
necesarios para un anlisis completo en frecuencia.
Como el uso del modelo depende totalmente de la determinacin de valores de los parmetros
para la red equivalente, es importante conocer las siguientes relaciones para extraer los valores
de los parmetros de los datos tpicamente provistos:

La equivalencia entre las dos fuentes de la figura se demuestra

en la figura utilizando las
ecuaciones:
En la regin de alta frecuencia, la red RC de inters tiene la configuracin que aparece en la figura 9.52. A
medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud de la reactancia XC se reduce, con el resultado de un
efecto de cortocircuito a travs de la salida y una reduccin de la ganancia. La derivacin que conduce a la
frecuencia de corte de esta configuracin RC sigue lneas semejantes a las encontradas para la regin de
baja frecuencia. La diferencia ms significativa radica en la siguiente forma general de Av:
En la figura 9.54 se incluyen las diversas capacitancias parsitas (Cbe, Cbc, Cce) del transistor junto con las
capacitancias de alambrado introducidas durante la construccin.
El modelo equivalente de alta frecuencia de la red de la figura 9.54 aparece en la figura 9.55. Cabe resaltar
que faltan los capacitores Cs, CC y CE los cuales se supone que se encuentran en estado de cortocircuito
en estas frecuencias. La capacitancia Ci incluye la capacitancia de alambrado de entrada , la capacitancia
de transicin Cbe y la capacitancia Miller . La capacitancia Co incluye la capacitancia de alambrado de
salida , la capacitancia parsita Cce y la capacitancia de efecto Miller de salida . En general, la
capacitancia Cbe es la ms grande de las capacitancias parsitas, con Cce como la ms pequea. En
realidad, la mayora de las hojas de especificaciones simplemente dan los niveles de Cbe y Cbc y no
incluyen Cce a menos que afecte la respuesta de un tipo particular de transistor en un rea de aplicacin
especfica.
Al determinar el circuito equivalente de Thvenin de las redes de entrada y salida de la figura 9.55
obtenemos las configuraciones de la figura 9.56. Para la red de entrada, la frecuencia de -3 dB se define
como
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las capacidades interterminales
asociadas a los dispositivos activos. En amplificadores monoetapa inversores cuya ganancia est desfasada
180 (Av es negativa) la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la salida influye de una
manera significativa sobre la frecuencia de corte superior y limita su ancho de banda. Este fenmeno se
denomina efecto Miller.
En la figura se muestra grficamente la aplicacin del teorema de Miller sobre la capacidad C. Esta capacidad
de realimentacin se puede descomponer en dos, C1 y C2, resultando el circuito equivalente de la derecha. A la
capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un amplificador inversor la capacidad
de entrada se incrementa en un trmino que depende de la ganancia del amplificador y de la capacidad
conectada entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo. Obsrvese que si Av>>1, entonces C1
AvC y C2C.
Luego, por el efecto Miller, tenemos:

Ci=Cwi+Cbe+CMi
Ci=Cwi+Cbe+(1-Av)Cbc

Co=Cwo+Cce+CMo
Co=Coi+Cce+(1-1/Av)Cbc
El FET a altas frecuencias se puede describir en trminos del circuito equivalente hibrido en (pi)
representado en la figura 9.4-1.
Los fabricantes de transistores caracterizan la capacidad de entrada(Ciss), de salida(Coss), inversa(Crss) en
las hojas de caractersticas. Ciss se defina como la capacidad entre puerta y fuente con el drenaje
cortocircuitada a la fuente. Coss se defina como la capacidad entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada ala fuente. Crss tiene la misma definicin que Cgd. La relaciones entre Cgs y Cgd y las dadas
en la hoja de datos, junto con sus variaciones en funcin de la tensin de drenaje , se muestra en la figura
9.4-c1.
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las capacidades inter-terminales
asociadas a los dispositivos activos. En amplificadores monoetapa inversores cuya ganancia est desfasada
180 (Av es negativa) la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la salida influye de una
manera significativa sobre la frecuencia de corte superior y limita su ancho de banda. Este fenmeno se
denomina efecto Miller. En la figura 3.7 se muestra grficamente la aplicacin del teorema de Miller sobre la
capacidad C. Esta capacidad de realimentacin se puede descomponer en dos, C1 y C2, resultando el
circuito equivalente de la derecha. A la capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que
en un amplificador inversor la capacidad de entrada se incrementa en un trmino que depende de la ganancia
del amplificador y de la capacidad conectada entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo.
Obsrvese que si Av>>1, entonces C1AvC y C2C.
En el circuito equivalente de alta frecuencia del FET representado en la figura 9.4-1b. Hallamos la
capacidad Miller.
Este resultado es valido para frecuencias tales que:
Utilizando las anteriores aproximaciones obtenemos el circuito equivalente de alta frecuencia
representado en la figura siguiente.
La ganancia de tensin del amplificador es

La frecuencia de corte es
El amplificador FET representado en la figura 9.4-1a tiene los siguientes valores de los componentes:
Rd=10k, rds=15k, gm=3ms,Cgs=50pF y Cgd=5pF. Hallar ri para asegurar un ancho de banda de 3 dB
de , por lo menos100kHz.
COMPORTAMIENTO DE LAS
RESISTENCIAS Y
CONDENSADORES A ALTA
FRECUENCIA