TEMAS SELECTOS DE LA

ENERGIA SOLAR
EXP. ING. JORGE HENRIQUEZ BLAS
ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA
La conversin directa de la energa solar en energa elctrica se debe a la
interaccin de la radiacin luminosa con los electrones en los materiales
semiconductores, fenmeno conocido como efecto fotovoltaico.
CONCEPTOS BASICOS
La materia esta constituida por tomos que tienen 2 partes bien definidas:
1. Ncleo: carga elctrica positiva
2. Electrones: carga elctrica negativa
Los electrones giran alrededor del ncleo en distintas bandas de energa y
compensan la carga positiva de esta.
Los electrones de la ultima capa se llaman electrones de valencia y se relacionan
con otros similares formando una red cristalina.
 Elctricamente hablando, existen 3 tipos de materiales:
Conductores: los electrones de valencia estn pocos ligados al ncleo y pueden moverse con
facilidad dentro de la red cristalina, con un pequeo agente externo.
Semiconductores: los electrones de valencia estn mal ligados al ncleo pero basta una pequea
cantidad de energa para que se comporten como conductores.
Aislantes: tienen una configuracin muy estable, con los electrones de valencia que estn muy
ligados al ncleo, la energa necesaria para separarlos de este debe de ser muy grande.
SEMICONDUCTOR
Se sabe que todos los materiales tienen un numero atmico y nos dice la
cantidad de electrones y protones que conforman un tomo.
El numero mximo de electrones que puede haber en cada capa de valencia esta
dada por la siguiente ecuacin:

Ne = 22

Ejemplo:
El cobre tiene Z 29; por lo tanto:
Capa 1: Ne = 2(1)2 = 2e
Capa 2: Ne = 2(2)2 = 8e
Capa 3: Ne = 2(3)2 = 18e
= 28e
Por lo tanto, en la capa 4 habr 1e.
Entonces los tomos de los materiales nicamente se simbolizan as, y se le
conoce como Diagrama Equivalente.

tomo de silicio tomo de germanio

Z = 14 Z = 32
 tomo de silicio tomo de germanio
Z = 14 Z = 32

Hay similitud entre el germanio y el silicio, y a pesar que el tomo de germanio

tiene una capa mas que el silicio, ambos son utilizados como materiales
semiconductores.
El silicio abunda mas en el planeta, por eso que es utilizado con mayor frecuencia
por los fabricantes.
 Cuando se aproximan los tomos de silicio, forman un cristal. Las capas de
valencia se juntan y comparten un electrn con los otros tomos vecinos.

Este tipo de semiconductor se le conoce como semiconductor puro, donde

todos y cada uno de sus tomos son del mismo elemento. Los semiconductores
puros reciben el nombre de semiconductores intrnsecos.
Denominacin de hueco: cuando un cristal de silicio se le excita mediante
energa externa, puede existir un electrn libre, la salida de este genera un
vaco en la capa y se llama hueco y se comporta como carga positiva y atraer
a cualquier electrn libre.
 Semiconductor extrnseco: para cambiar su composicin e incrementar su
conductividad, es necesario dopar el cristal de silicio con impurezas.
Se le agrega un pentavalente, es decir un tomo con 5 electrones en la ultima
capa (por ejemplo fosforo Z=13, arsnico Z= 33), esto har que haya mas
electrones libres por estas impurezas donadoras, a este tipo de semiconductor
se le conoce como semiconductor tipo N, por lo que aporta 1 carga negativa.
 Pero tambin se le puede agregar impurezas con estructura trivalente, es
decir con 3 electrones de valencia en la ultima capa como el boro Z=5,
aluminio Z=13; en este caso donara un hueco, por lo tanto se le llamara
impureza aceptadora, llamado semiconductor tipo P.
Unin tipo P-N
Para conseguir una unin tipo p-n, se pone en contacto una superficie de
semiconductor tipo N con la de un semiconductor tipo P.
 En el momento en que ambos tipos de impurezas entran en contacto en el
interior del semiconductor ocurre algo muy singular. Los electrones libres del
cristal tipo N se difunden (se dispersan) hacia el cristal tipo P atrados por
los huecos positivos de este, y comienzan a ocupar dichos huecos nada ms
entrar en el cristal.
 Tenemos que entender que cuando un electrn libre de la regin N penetra
en la regin P se convierte en un portador minoritario que de pronto se
encuentra rodeado de huecos por todos lados. Ese electrn no va a tardar
mucho en recombinarse con uno de esos huecos en la regin P.
Debido a esto aparecern mas iones positivos en la regin N, pero tambin
mas iones negativos en la regin P.
 Pero esta "fuga" de electrones va perdiendo intensidad, ya que los iones
creados en ambas partes del cristal establecen una diferencia de potencial
interna que poco a poco va imponiendo su ley, presentando una oposicin
creciente al proceso de difusin por efecto del campo elctrico generado.