5.

4 Propiedades de los conductores y

condiciones de frontera
Los conductores presentan resistencia al paso de la corriente, lo que
provoca cada de tensin y prdida de energa en forma de calor a lo
largo de la lnea.
Por otra parte los conductores presentan reactancia inductiva, lo que
tambin contribuye a la cada de tensin a lo largo de la lnea.
La corriente elctrica es causada debido a al movimiento de cargas, la corriente a travs de una zona determinada es la carga elctrica que pasa a travs de superficie por
unidad de tiempo. Es decir,

\[I=dQdt\]

As, en una carga de corriente de un amperio, se transfiere una taza de un columb por segundo. Ahora introducimos el concepto de densidad de corriente J. si una corriente I
fluye a travs de una superficie S, como la densidad de corriente es

\[Jn=IS\]

\[I=JnS\]

Asumiendo que la densidad de corriente es perpendicular a la superficie. Si la densidad de corriente no es normal a la superficie,

\[I=JS\]

As, la corriente total a travs de una superficie S es

\[I=SJds\]

Segn como se produzca I, existen diferentes tipos de densidad de corriente: densidad de corriente de conveccin, densidad de de corriente de conduccin y densidad de
corriente de desplazamiento.
5.5 El mtodo de las imgenes
El mtodo de las imgenes implica la conversin de un campo elctrico
en otro equivalente ms fcil de calcular. En ciertos casos es posible
sustituir un conductor por una o ms cargas puntuales, de modo que
las superficies conductoras se sustituyen por superficies
equipotenciales a los mismos potenciales.
El objetivo es calcular el campo electrosttico en el espacio
considerando la presencia de un conductor, que est expuesto a la
presencia de una distribucin de carga cuyo efecto en el conductor es
una polarizacin de las cargas, es decir, las cargas de signo opuesto se
disponen mas cerca que las cargas del mismo signo que las de la
distribucin de carga que ponemos cerca del conductor. Sin embargo a
un tenemos que el campo elctrico en el conductor es cero
Estas condiciones son ms sencillas en el caso del potencial
electrosttico, dado que este es derivable, entonces debe ser continuo
al pasar de un medio a otro. En el caso de un conductor esto puede
expresarse como:
Como se ha visto el campo elctrico, no es otra cosa que la solucin a la
ecuacin de Gauss, equivalentemente a la ecuacin de Poisson en
trminos del potencial. Dado que la solucin a la ecuacin de Poisson
es nica, si obtenemos una solucin V() por cualquier medio (incluso
adivinando), este potencial ser el que buscamos. Si la densidad
superficial de carga inducida en la superficie del conductor es y el
potencial surgido de la densidad de carga que se sita cerca del
conductor (y que indujo la densidad en l) es V1(), entonces el
potencial en el exterior del conductor (puesto que en el interior es
constante) es:
5.6 Semiconductores
Es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo
el germanio, aunque de idntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los
grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S
Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La
caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes.
Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una

estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano
por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio.
Semiconductor tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus
electrones
 Semiconductor tipo P: Se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor
para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.