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Dispositivos de
Potencia
Regiones operativas de componentes
El Diodo de Potencia
Tcnicas para mejorar la VBD.
V1 V 2 V1 V2
da db
El Diodo de Potencia
Tensin inversa de trabajo, VRWM= mxima tensin inversa que puede soportar
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitiva, VRRM= mxima tensin inversa que puede
soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su
frecuencia de repeticin inferior a 100Hz.
Tensin inversa de pico nico, VRSM= mxima tensin inversa que puede
soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es
menor a 10ms.
Caractersticas Dinmicas
Prdidas en los diodos
Diodo Schottky de potencia
BJT de potencia
1 tr t f
PON OFF .V CC . I Cmx .
6 T
t
Pconduccin V CEsat .I C.
T
Circuitos de excitacin de transistores bipolares.
Vi VBE 5 1
I B1 1 A R1 4
R1 R1
V V 5 1
IB2 i BE 0,2 A R2 16
R1 R2 4 R2
R1.R2 4.16 20u
RE .C .C .C C 1,25uF
R1 R2 4 16 5
Simulacin del ejemplo
Potencias perdidas en ambos casos
Enclavador Baker
1csn
V
0
D
Mantiene al transistor en la regin de cuasi-saturacin.
Evita que VCE sea muy baja.
Las prdidas son mayores.
V
C
EV
B
En
.
VV
DD
s
Darlington
k W 2
zona de saturacin , V GS V T V DS i D . V GS V T
2 L
W V 2DS
zona hmica , VGS V T V DS , i D k . V GS V T .V DS
L 2
1
RDS ON
W
k. V GS V T
L
Diodos en antiparalelo asociados
Efecto de las capacidades
parsitas en VG
1 tr t f
PON OFF .V . I .
6 CC Dmx T
t
Pconduccin I 2D .r DS ON .
T
Circuitos de excitacin de MOSFET
RB
12V 4V 54 ; 50 normalizado
148mA
Simulacin.
Funcionamiento del SCR.
Caracterstica esttica del SCR
Mecanismo de cebado.
Curvas V e I del SCR durante
conmutacin.
Formas de provocar el disparo en
un SCR
Corriente de puerta.
Elevada tensin nodo-ctodo.
Aplicacin de Vak positiva antes de que el bloqueo haya
terminado.
Elevada deriva Vak.
Temperatura elevada.
Radiacin luminosa.
Autodisparo
Autodisparo
Disparo normal
TRIAC
TRIAC. Caracterstica esttica
Cuadrantes de disparo del TRIAC
Disparo de un triac.
Formas alternativas de disparo
Circuitos auxiliares
Ejemplo de V e I en una aplicacin
Circuito equivalente del IGBT
IGBT. Curva caracterstica
Caractersticas de conmutacin.
Valores lmites del IGBT
Capacidades parsitas en un
IGBT
Caracterstica esttica del GTO
Funcionamiento del GTO
IA 2
IG OFF
OFF 1 2 1
Formas de onda de IG
1
T RC ln
1
PUT.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo
tiristor con el smbolo de la figura. Un PUT se puede utilizar
como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra. El
voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin
mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina
el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado
por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar
al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el
voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta
VG, se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de
nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo VD,
se alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se activar.
La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de
la impedancia equivalente en la compuerta RG =
R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en Vs. En
general Rs est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R2
T RC ln 1
R1
Aplicacin con UJT
V BB V P
RT mx
IP RT mx RT RT mn
V BB V V
RT mn
IV
1 VP
T RT .CT . ln donde
1 V BB
r BB .V GK mn
R1 mx R2 100 a 300
V BB
DIAC
Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de
silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.
Optoacopladores
Optoacopladores
Circuito con optoacopladores
Acopladores Inductivos
Circuito Equivalente
Ejemplo de acoplo inductivo
Problemas generados por el calor
PR Vm.Im
Capacitores:
P
C0
,5
. .
C .
V .
sen
2
2
Mt
Inductores:
P
L0
,5..
LI2
M
. .
sen
2t
P
c
ore6
,51
.fn m
.B
m
x
Transferencia de calor
Transferencia de calor
qc = flujo de calor por conveccin desde la superficie.
L = longitud de conduccin.
r
q
. .
F1 .A
,2 T
1
4
2
4
T Constante de Stefan-Boltzmann
= rea de radiacin
T1 y T2 = diferencias de temperatura superficial
F1,2 = factor de diferencia entre las dos superficies de los diferentes
cuerpos
Conductividad trmica
Resistencias trmicas
Resistencias trmicas
T,2
1 P.R
Th
1,2
Impedancia trmica
Comportamiento dinmico
Disipadores
Transitorios en las lneas de alimentacin
Topologa de proteccin
Componentes para proteccin
Caractersticas
Circuitos de proteccin
IL
P
iv
Circuito de proteccin de transistor
ILs
D
C
v
v
v
i
P
Prdidas en funcin a C
Formulacin.
1 t I Lt I Lt 2
C 0 t dt 2Ct ..................................0 t t f
f f
1 t
VC t I L dt vc t f L t t f L f ....t f t tx
I I t
C C 2C
tf
VS ..................................................................t tx
Si la corriente del interruptor llega a cero antes El condensador se elige a veces de forma que
de que el condensador se cargue por completo la la tensin del interruptor alcance su valor
tensin del condensador se calcula a partir de la final al mismo tiempo que la corriente vale
primera ecuacin, saliendo: cero
I L .t f I L .t f
C C
2V f 2VS
Formulacin.
Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma
que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.
t
tON f 5RC , R ON
5C
1
W CVS2
2
1
CVS2 1
PR 2 CVS2 f
T 2
Formulacin.
Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La
primera frmula se refiere a las prdidas en el transistor sin circuito
de proteccin.
PQ I LVS t s t f f
1
2
tf I t I L2t 2f f
2
1 T t
PQ vQ iQ dt f L
L
I 1 dt
T 0 0 2Ct
f tf 24 C
Comparacin sin y con snubber.