Energias Renováveis - Solar Fotovoltaica - Timóteo

Energias Renovveis: Energia Solar Fotovoltaica
No concordo com o acordo ortogrfico
05/07/2017 Por : Lus Timteo 1

Energia Solar
Introduo: Mudanas climticas
A estabilizao das concentraes de gases com efeito de estufa na atmosfera a um nvel
que evite uma interferncia antropognica perigosa humana induzida com o sistema
climtico. Tal nvel deveria ser atingido durante um espao de tempo suficiente que permita
aos ecossistemas adaptarem-se naturalmente mudana do clima, para garantir que a
produo de alimentos no seja ameaada e que permita ao desenvolvimento econmico
prosseguir de maneira sustentvel
1997 Protocolo de Quioto
Objectivos: a reduo total das emisses de gases com efeito de estufa em pelo
menos 5% em relao aos nveis de 1990 no perodo de 2008-2012.
Entrada em vigor a 16 de Fevereiro de 2005:
2015: 191 Estados membros e uma organizao regional.
Limites do Protocolo de Quioto:
Expira em 2020 (originalmente aspirava em 2012).
No ratificado pelos Estados Unidos, Canad denunciou
No vinculativo para estados emergentes ainda grandes poluidores (China,
ndia, ...).

Energia Solar
Introduo: Mudanas climticas
2015 : COP21 - Paris

Objectivos: Devemos desinvestir nos combustveis fsseis e investir em energias
renovveis com uma meta de:
100% de energia limpa at 2050.
Globalmente, quatro quintos dos combustveis fsseis conhecidos devem
permanecer no solo, para manter as temperaturas globais em um nvel seguro
(abaixo de 2oC de aquecimento global em 2100). At parece que vai ser verdade
e vo deixar o rctico tal como est!...
Mobilizar 100.000 Milhes USD por ano dos pases desenvolvidos a partir de
2020 para apoiar a adaptao s alteraes climticas nos pases em
desenvolvimento
Entrada em vigor 2020.
Bl!.. Bl !.. Bl!... Bl!... Bl!... Bl !..

Energia Solar
Introduo
A gerao de energia solar "economicamente vivel" continua a ser um objectivo remoto e
indescritvel para os cpticos de energia solar porque o custo da energia solar no subsidiado parece
ser muito maior do que o custo da energia de gerao convencional. Na verdade, hoje, ela no tem
um fluxo de receitas por kWh suficiente para justificar um investimento empresarial de pequena ou
mdia dimenso na gerao de energia elctrica solar. Mesmo as grandes instalaes solares
centralizadas esto abaixo de uma gama de equilbrio de retorno financeiro sem incentivos.
A combinao de incentivos europeus e estatais, baseados em iseno de impostos reduzidos, pode

fazer um investimento em energia solar atraente, em alguns pases da UE; tarifrios feed-in (FITs) tm
sido particularmente eficazes em alguns pases da Europa e na sia. Sem incentivos, no entanto, o
fluxo de receita necessrio para gerao de energia solar ainda consideravelmente maior do que a
maneira menos onerosa para gerar electricidade usada hoje, ou seja, via no regulamentada, a
gerao base de carvo (China). Esta assimetria de preos, pode dificultar o dilogo construtivo com
os principais decisores e constitui um poderoso argumento para enfraquecer o apoio poltico para os
incentivos energia solar solares, especialmente durante tempos oramentais apertados como foi o
caso de Portugal entre 2011-2015 em que os investimentos anteriormente realizados nesta rea foram
completamente descorados e at abandonados... Devido ao abaixamento recente dos preos do
petrleo!...e opes polticas contrrias ao meio ambiente...

Energia Solar
Potencial Total reservas
Carvo
Solar : 23.000 TW/ano
Renovveis /ano Consumo Mundial
2012 - 16 TW/ano
Mars: 0.3 TW
Total 900 TW
Ondas: 0.3-2 TW 2050 - 28 TW/ano
Geotrmica: 0.3-2 TW Urnio

Total : 90 -300 TW
Hidro : 3-4 TW
Biomassa: 2-6 TW Petrleo

240 TW
Elica 25-70 TW Gs
Natural 215 TW
The image comes from a report written by Richard Perez, ASRC, University at Albany, Ken Zweibel, GW Solar Institute, George Washington University and Thomas E. Hoff. Clean Power Research.

Energia Solar
Potencial
Em primeiro lugar, os recursos potenciais da energia solar so muito grandes quando
comparados com o consumo anual actual de energia no mundo, ou com as reservas
planetrias conhecidas de energia fssil finita e recursos nucleares, e para o potencial
anual das alternativas renovveis. O volume de cada esfera representa a quantidade total
de energia recupervel a partir das reservas finitas e o potencial anual de fontes
renovveis.
Embora os recursos fsseis e recursos nucleares sejam muito grandes, em particular o

carvo, eles no so infinitos e durariam, no mximo, algumas geraes, no obstante o
impacto ambiental que resultar da sua explorao completa, sendo incerto que as
tecnologias de captura de carbono se materializem por completo.
A energia nuclear pode no ser a soluo livre de carbono reivindicado por alguns: pondo
de lado as incgnitas e os riscos ambientais associados com este recurso, e da sua
proliferao, no haveria combustvel nuclear suficiente para assumir o papel dos
combustveis fsseis.
Energia Solar
Potencial
As fontes renovveis no so todas equivalentes. O recursos solares so mais de 200 vezes
maiores do que todos os outros combinados. A energia elica provavelmente poderia
suprir todas as necessidades energticas do planeta se uma parcela considervel de seu
potencial fosse explorado. No entanto, nenhum dos outros - a maioria dos quais so
derivados de primeira e segunda ordem dos recursos solares - poderia, por si s, satisfazer
a procura.
A Biomassa, em particular, no poderia substituir a corrente de base fssil: o aumento do
custo dos alimentos e a procura por biocombustveis sintomtico dessa realidade
subjacente. Por outro lado, explorando apenas uma pequena fraco do potencial da
energia solar da Terra, poderia atender s necessidades de energia com considervel
espao para crescimento. Assim, deixando a argumentao da relao custo / valor de
lado, por agora, a lgica por si s nos diz, em vista dos potenciais disponveis, que o futuro
energtico planetrio ser baseado na energia solar.
A energia solar o nico recurso global que grande o suficiente e aceitvel o

suficiente, para resolver o problema energtico do planeta Terra, para todo o futuro.

Energia Solar
Mtodos de converso
Trs mtodos para converter a luz solar directamente em
energia utilizvel.
CO2 Fuels Electricidade & Fuels Electricidade
O2 H2 e
e
Acar
H2O
O2
Fotossntese Junes semicondutor/ Fotovoltaicos
Lquido
Energia Solar
Mtodos de converso
Energia Solar
Energia Solar Trmica Energia Solar Fotovoltaica
Termoelctrica
Os painis solares A energia solar A Energia Solar

trmicos transformam a termoelctrica Fotovoltaica a energia
radiao solar concentra a luz solar obtida atravs da
directamente em num lquido que atinge converso direta da luz
energia trmica para o o ponto de ebulio, e o em eletricidade (Efeito
aquecimento de guas vapor usado para Fotovoltaico).
ou outros fins. accionar uma turbina
que gera electricidade.

Energia Solar
Vantagens

Energia Solar
Desvantagens

Energia Solar Fotovoltaica
Neste estudo vamo-nos focar no processo de transformao da energia solar em

energia elctrica pelo mtodo fotovoltaico.

Energia Solar fotovoltaica

Histria
Vamos dar uma rpida olhada na histria e desenvolvimento dos sistemas de energia solar, em
especial os fotovoltaicos, desde a primeira observao do efeito fotovoltaico at os dias de hoje. Este
artigo de uma revista dos EUA, por isso o enfoque no mercado americano.
1839: O efeito fotovoltaico observado pela primeira vez (registado) pelo fsico francs Alexandre
Edmond Becquerel.
1883: Charles Fritts constri a primeira clula solar, com apenas 1% de eficincia.
1887: O fsico russo Aleksandre Stoletov constri a primeira clula solar baseada no efeito fotoelctrico
externo.
1900: Inicia-se o uso de Sistemas de Aquecimento Solar (SAS) em residncias nos Estados Unidos, que
utilizavam reservatrios pintados de preto sobre os telhados.
1905: Albert Einstein explica a fsica do efeito fotoelctrico.
1920: Sistemas de Aquecimento Solar, utilizando colectores solares planos, so instalados em casas e
prdios de apartamentos na Flrida e sul da Califrnia.
1921: Albert Einstein recebe o Prmio Nobel, pela sua explicao do efeito fotoelctrico em 1905.
1946: Russel Ohl patenteia a moderna clula fotovoltaica de juno-PN;
1950: A Bell Labs produz as primeiras clulas fotovoltaicas para uso espacial.
1954: Bell Labs anuncia o desenvolvimento da primeira clula fotovoltaica de silcio, com eficincia em
torno de 6%.


Histria
1954: O jornal americano The New York Times noticia que as clulas solares levaro o mundo a uma
fonte de energia ilimitada, vinda do Sol.
1955: Western Electric licencia a tecnologia comercial para a fabricao de clulas fotovoltaicas.
1955: A diviso de semicondutores da Hoffman Eletronics cria clula fotovoltaica comercial com 2% de
eficincia, vendida por US$ 25, ou US$ 1,785.00 por Watt-pico (isso sim, era caro!)
1957: Hoffman Electronics produz clulas fotovoltaicas com 8% de eficincia (qual teria sido o preo..?)
1958: Vanguard I,o primeiro satlite artificial alimentado por energia solar, lanado com um painel
solar de 100 cm, com 0,1 Wp de potncia (uma calculadora..?)
1959: Hoffman Electronics desenvolve clula fotovoltaica comercial com 10% de eficincia, que utiliza a
grade de contactos (utilizada at hoje, para captar os electres livres), que reduz a resistncia das
clulas.
1961: Acontece a conferncia: Solar Energy in the Developing World, promovida pelas Naes Unidas.
1962: O satlite de comunicaes Telstar alimentado por energia solar fotovoltaica.
1963: A Sharp Corporation, do Japo, produz um mdulo fotovoltaico de silcio cristalino
economicamente vivel (dava pra comprar).
1967: O Soyuz 1 a primeira nave espacial tripulada, alimentada com energia solar fotovoltaica.
1971: A primeira estao espacial russa (e de qualquer nacionalidade): Salyut 1, alimentada por
energia solar fotovoltaica.

Histria
1973: O Skylab (USA) alimentado por energia solar fotovoltaica.
1974: O avio no tripulado AstroFlight Sunrise realiza o primeiro voo utilizando energia solar
fotovoltaica. Esse o primeiro avio-solar.
1975: Na Inglaterra, construdo o primeiro barco solar (utilizvel na prtica).
1977: O presidente americano Jimmy Carter manda instalar painis fotovoltaicos na Casa Branca,
promovendo incentivos para os sistemas de energia solar.
1977: A produo mundial de clulas fotovoltaicas ultrapassa os 500 kW.
1978: A primeira Tarifa Feed-In (tarifa prmio para energia fotovoltaica) introduzida pelo presidente
americano Jimmy Carter, durante a crise energtica americana.
1979: construdo o primeiro veculo areo tripulado e controlado, e alimentado por energia solar
fotovoltaica. Produzido pela Solar Rizer, parecia um ultra-leve.
1980: O Instituto de Converso de Energia da Universidade de Delaware desenvolve a primeira clula
fotovoltaica de pelcula-fina com eficincia de 10%.
1981: O planador-solar Solar Challenger cruza o Canal da Mancha em Julho.
1983: A produo mundial de energia fotovoltaica ultrapassa 21.3 Megawatts.
1985: O Centro de Engenharia Fotovoltaica da Universidade de New South Wales desenvolve uma clula
fotovoltaica com 20% de eficincia.

Histria
1987: fundado o World Solar Challenge, uma competio bienal de carros solares. Nessa competio,
equipas formadas por universidades e empresas competem numa corrida de 3.021 km, que cruza o centro
da Austrlia, de Darwin at Adelaide.
1989: Primeira vez a se usar concentradores reflexivos em clulas fotovoltaicas.
1990: Alemanha introduz sua Tarifa Feed-In, para estimular o uso de energias renovveis.
1992: A Universidade de South Florida fabrica uma clula fotovoltaica de pelcula-fina com 15,89% de
eficincia.
1998: A Universidade de New South Wales exibe on-line, entre Setembro e Outubro, o Advanced
Photovoltaics. (no est mais disponvel).
1999: O total de sistemas fotovoltaicos instalados no mundo alcana 1.000 MegaWatts.
2000: O presidente americano George W. Bush instala um sistema fotovoltaico integrado arquitectura
de 9 kW no sector do National Parks Service da Casa Branca.
2000: A lei da Feed In Tariff na Alemanha sofre grande remodelao. Provou ser a poltica mais eficaz
do mundo para acelerar a implantao de tecnologias de energias renovveis
2004: Arnold Schwarzenegger, ento governador da Califrnia, prope o Solar Roofs Initiative, que
incentiva a instalao de um milho de telhados fotovoltaicos at 2017.
2006: O uso de silcio na industria fotovoltaica excede, pela primeira vez, o uso de silcio em qualquer
outra rea.

Histria
2007: O Vaticano anuncia a instalao de sistemas fotovoltaicos nos seus edifcios, para a conservao
dos recursos da Terra: Um extenso projecto energtico que se pagar em alguns anos.
2007: A China produz 1.700 MW de mdulos fotovoltaicos, metade da produo mundial, que foi de
3.800 MW.
2008: A Austrlia implementa o sistema de Tarifa "Feed-in", incentivando a gerao de energia solar
fotovoltaica.
2009: A produo mundial de mdulos fotovoltaicos alcana a marca de 9.340 MW.
2010: O maior estado australiano, New South Wales, introduz a mais generosa Tarifa Feed-In da
Austrlia.
2011: Queda vertiginosa de preos de dispositivos fotovoltaicos. Queda de vendas de sistemas
fotovoltaicos na Europa devido crise financeira. Empresas visam o Brasil, e fazem forte lobby para a
insero dos sistemas fotovoltaicos na Amrica latina...
A Energia Solar Fotovoltaica a energia obtida atravs da converso directa da luz em electricidade
(Efeito Fotovoltaico). O efeito fotovoltaico, relatado por Edmond Becquerel, em 1839, o
aparecimento de uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material
semicondutor, produzida pela absoro da luz. A clula fotovoltaica a unidade fundamental no
processo de converso.
Futuro: A Energia fotovoltaica gerada em desertos supre grande percentagem das necessidades no
velho continente.

Fsica: -Semicondutores
Cristalografia elementar
Materiais
Slidos
Amorfos
Cristalino Policristalino
(Non-cristalino
Cristal
simples
Cristal simples, policristalinos e amorfos, so os trs tipos gerais de slidos.

Clulas Fotovoltaicas
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a
distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por
estrutura cristalina.
tomo de silcio
Slido cristalino a forma de uma substncia slida em que os
tomos ou molculas so dispostas num padro definido, com
repetio em trs dimenses.
O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina

cbica como mostrado na seguinte figura

Policristal um material constitudo por um agregado de muitos pequenos cristais

simples (tambm chamados de cristalitos ou gros). Material policristalino tem um
elevado grau de ordem ao longo de muitas dimenses atmicas ou moleculares.
Policristalino
forma de pirite
(Gros)
Estrutura cristal

Amorfo-Slido (no cristalino) constitudo por tomos orientados

aleatoriamente, ies, ou molculas que no formam padres definidos ou
estruturas reticulares. Os materiais amorfos tm ordem apenas em poucas
dimenses atmicas ou moleculares. Os materiais amorfos no tm qualquer
ordem de longo alcance, mas eles tm diferentes graus de ordem de curto
alcance. Exemplos para os materiais amorfos incluem silcio amorfo, plsticos e
vidros. O silcio amorfo pode ser usado em clulas solares e nos transistores de
pelcula fina.

Um elemento comporta-se como condutor ou como isolante, dependendo do campo
elctrico em que se encontra. Os elementos qumicos semicondutores da tabela peridica,
indicam-se na tabela seguinte. Elemento Grupo Electres na
ltima camada
Cd 12 (II A) 2 e-
Al, Ga, B, In 13 (III A) 3 e-
Si, Ge 14 (IV A) 4 e-
P, As, Sb 15 (V A) 5 e-
Se, Te, (S) 16 (VI A) 6 e-
6eV
Orbitais
SEMICONDUTOR ISOLANTE CONDUTOR
Distncia interatmica Banda de Conduo Banda de Valncia

Electres VS Lacunas (buracos):
Embora os electres sejam utilizados na banda de valncia em que "quase todos os
estados de energia da banda de valncia so preenchidos com electres", devemos supor
que o termo geralmente significa electres da banda de conduo. Lacunas ou Buracos
so os vazios de electres na banda de valncia. Electres e buracos transportam carga
negativa e positiva ( q), respectivamente. O mnimo de energia de electres da Banda de
conduo Ec. Qualquer energia acima de Ec a energia cintica de electres.
Os Electres podem ganhar energia por acelerao atravs de um campo eltrico e perder
energia atravs de colises com as imperfeies no cristal.
Na localizao inferior no diagrama de energia encontra-se Banda de valncia
o nvel mais elevado de energia para as lacunas ou buracos -
Buracos
chamada banda de valncia e, requerida energia para
Electres
mover um buraco "para baixo", porque que equivalente a
mover um electro para cima. Ev a energia mnima
buraco.
Ambos os electres e buracos (ou lacunas) tendem a Banda de valncia
ocupar posies de mais baixa de energia.
Termos
Fermi level EF: Limite entre os estados de energia ocupados e no-ocupados

temperatura de T = 00 K (zero absoluto).
Banda de Valncia BV: Banda de energia completamente ocupada, logo abaixo do nvel
de Fermi com T = 0 oK, onde os electres esto "fixos" (fortemente ligados) no interior da
sua estrutura atmica.
Banda de Conduo BC: Banda de energia logo acima da banda de valncia, onde os
electres podem se mover "livremente.
BandGap ou Zona Proibida EG: distncia entre a banda de valncia e a banda de

conduo.

Energia do Electro:
temperatura de T = 00K (zero absoluto) os electres ocupam os nveis de energia mais
baixos possveis . Eles podem ganhar energia de duas formas:
Energia trmica: kT (k = Constante de Boltzmanns, 1.381x10-23 J / K, T = temperatura

absoluta, em Kelvin).
Absoro quantum da luz: h (h = Constante de Plancks, h = 6.626x10-34 Js,
= frequncia quantum da luz em s-1).
Se a energia absorvida pelo electro, excede o da banda proibida, eles podem deixar a banda de
valncia e entrar na banda de conduo.
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres no

interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor).
Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material
semicondutor.

Diagrama de Bandas:
Banda de Banda de Banda de

conduo conduo conduo
Nvel de Fermi
Eg Nvel de Fermi Eg Nvel de Fermi
Banda de valncia Banda de valncia Banda de valncia
Isolante Semicondutor Condutor

Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No h Eg
A 0K, tanto os isolantes como os semicondutores no conduzem, j que nenhum
electro tem energia suficiente para passar da banda de valncia para a banda de
conduo. A 300K, alguns electres dos semiconductores alcanam esse nvel. Ao
aumento da temperatura, aumenta a conduo nos semicondutores (ao contrrio
que nos metais).
Semicondutor Intrnseco:
Os Semicondutores tm uma resistividade/resistncia entre a dos condutores e os
isoladores.
Os seus electres da ltima camada ( electres de valncia), no so livres para se mover,
mas um pouco de energia vai libert-los para a conduo
O semicondutor mais comuns o silcio
O silcio tem uma valncia de quatro ou seja,

quatro electres na sua camada externa.
Cada tomo de silcio, partilha os seus quatro

electres externos, com os quatro tomos
vizinhos!...
Estes electres compartilhados de ligao - so

mostrados como linhas horizontais e verticais entre os
tomos (ligaes covalentes).
Semicondutor Intrnseco: Emisso e Absoro de Energia
Vista de Bandas de energia
Banda de Conduo
Energia do Electro
- -
EF h
h
+ +
Gerao Recombinao
Banda de Valncia

Semicondutor Intrnseco: Estados de energia Propriedades fsicas
Ponto de vista trmico: Quanto maior a banda proibida (Bandgap), menor

a condutividade. O aumento da temperatura reduz a resistncia elctrica (NTC, negativo
temperatura coeficiente de resistncia).
Ponto de vista ptico: quanto maior for a banda proibida, menor a

absoro quntica de luz. Aumentando a irradiao de luz diminui a resistncia elctrica
(LDR).

Fsica: -Semicondutores: - O Silcio
Silcio : Si - Descobridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ano : 1823
No estado puro, tem propriedades Fsicas e Qumicas parecidas com as do Diamante.
Sob a forma de Dixido de silcio (slica) [SiO2] encontrado na natureza numa
variedade de formas: quartzo, gata, jaspe, nix, esqueletos de animais marinhos.
A sua estrutura cristalina d-lhe propriedades semicondutoras. No estado muito puro e

com pequenas quantidades (dopagem) de elementos tais como o boro, o fsforo e o
arsnio o material de base para a construo de chips da actual electrnica . E no s
Silcio

Fsica: -Semicondutores: - O Silcio
As clulas fotovoltaicas so fabricadas base se semicondutores de silcio.

Quando purificado, o silcio cinza-escuro. Para a produo de transstores e circuitos
integrados ou clulas fotovoltaicas, em geral, o silcio no extrado de nenhum mineral.
Ele produzido artificialmente, em equipamentos de alta presso chamados autoclaves.
Ele produzido em lingotes circulares, que so posteriormente "fatiados".
A fabricao de componentes exige uma pureza de 99,9999999%; isto significa um tomo
estranho presente em cada 1000 milhes de tomos de silcio. (Pureza de 1 em 109)
( Cadinho -Vaso para fundir metais)
Fsica: -Semicondutores: - O Silcio - Purificao
Tcnica de Czocharlski : Purificao do Silcio
Girando um ponteiro com um cristal semente mergulhado
lentamente em silcio fundido.
Puxando para cima lentamente, permite ao

silcio se cristalizar na camada semente.
Silcio fundido
Uma vez que tenha o tamanho desejado, o

cristal puxado mais rpido para manter o
dimetro necessrio.

Fsica: -Semicondutores- A Dopagem
Na prtica, contudo, necessitamos de um semicondutor em que o nmero de electres
livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou onde o nmero de lacunas seja bem
superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas
especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos
de impurezas.
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a
denominar-se por semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos:
impurezas ou tomos dadores (Pentavalentes - Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb),
e impurezas ou tomos aceitadores (Trivalentes - ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou
Alumnio (Al).
P B
A finalidade dotar os semicondutores de propriedades de semiconduo controlada

especfica (presena maioritria de portadores de carga do tipo P, as lacunas, ou do tipo
N, os electres, para aplicao em circuitos fotovoltaicos e em dispositivos electrnicos..
A fim de evitar a recombinao de cargas foto-induzidas, e "extrair" sua energia para um
dispositivo elctrico, precisamos de um tipo de barreira interna. Isto pode ser conseguido
por dopagem de semicondutores:
IIIB IVB VB
"Dopagem", neste caso, significa a substituio de tomos B

do material semicondutor original (por exemplo, Si) por 14 15
outros diferentes (com uma configurao de electres Si P

ligeiramente diferente). Semicondutores como o Silcio, tm
quatro electres covalentes, a dopagem feita, por exemplo
com Boro (B) ou fsforo(P).

Dopagem N Impurezas do grupo V da tabela peridica: P
Fsforo
Si Si Si necessria muito pouca
energia para ionizar o tomo de
P.
Si Si
P Si temperatura ambiente todos
+ os tomos de impurezas se
+ encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos pentavalentes (como o Fosforo) num semicondutor puro (intrnseco) faz com
que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao
cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal
de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N
de negativo, referindo-se carga do electro).
Dopagem N Impurezas grupo V
+P +P +P
+P
Lacunas livres +P +P
Carga mvel +P +P
+P +P 300K
+P
+P +P
+P +P +P
Electres livres tomos de impurezas

Carga mvel Ionizados Carga esttica
Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo N so os electres livres.

Actuam como portadores de carga negativa.
A energia necessria para ionizar um tomo doador (isto , para libertar o electro m0 q 4
adicional e deixar para trs um io positivo), pode ser estimada atravs da Eion 8 2 h 2
0
modificao da teoria de energia de ionizao de um tomo de hidrognio.
A modificao consiste em substituir 0 com 120 (onde 12 o permissividade relativa de silcio) e recolocar m0 com a massa efectiva do electro, mn

Dopagem N
Vista do Cristal Vista de Bandas de energia
Banda de Conduo
Si Si Si Transportadores
-
- - - - - - maioritrio
P+ P+ P+ P+ P+
Si Si
P + Si EF
Nvel do dador
Si Si Si
n-Silcio semicondutor
Banda de Valncia
Dopagem P Impurezas do grupo III da tabela peridica: Boro (B)
Si Si Si necessria muito pouca

energia para ionizar o tomo de
B.
Si Si
B Si temperatura ambiente todos
+ - os tomos de impurezas se
encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos trivalentes (como o de Boro) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que
apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) electres eles so
denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo,
referindo-se falta da carga negativa do electro).
Dopagem P
b- B- B-
B-
B- B-
B-
Impurezas grupo III
B-
B- B-
B-
B-
B- B-
300oK
B- B-
Lacunas livres tomos de impurezas ionizados

Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo P so Lacunas. Actuam como
portadores de carga positiva.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por

portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria
e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica.

Dopagem P
Vista de Bandas de energia
Vista do Cristal Banda de Conduo
Si Si +
Si
Si B-
Si + Si EF Nvel do aceitador
B- B- B- B- B-
+ + + + + Transportadores
Si Si Si maioritrio
p-Silcio semicondutor Banda de Valencia

Fsica: -Semicondutores- A Juno P-N
Uma Clula solar uma juno PN ou um diodo, de grande rea : os electres podem fluir numa
direco, mas no na outra (geralmente)
P N
P parte positiva N parte negativa
Sentido convencional da corrente No h corrente elctrica

Uma "vlvula de reteno" elctrica
Criada por uma variao de portadores de carga em funo da sua posio.

Os Portadores (electres e lacunas ou buracos) so criados por material dopante.
N: grupo V (Fsforo) adiciona (electro extra Negativo).
P: Grupo III (Boro) subtrai (falta de electro Positivo)
Fsica: -Semicondutores- Criao da Juno P-N
Alta concentrao de electres no lado N.
Alta concentrao de lacunas ou buracos no lado P.
Os electres difundem-se do lado N para o lado P.
Os electres recombinam-se com lacunas ou buracos (enchimento dos estados da banda

de valncia).
Os tomos dopantes neutros (P - fosforo), no lado N, cedem um electro e tornam-se ies

positivos.
Os tomos dopantes neutros (B - Boro), no lado P, capturam um electro e tornam-se ies

negativos.
Fsica: -Semicondutores- Criao da Juno P-N
Si
B Si Si Si
B Si P Si
Si Si
B Si Si Si
P Si Si
P
Si Si Si
B Si Si P Si
Si
B Si Si Si
B Si
P Si Si
P
Si Si
B Si Si Si P+ Si
+ + +
Carga + + +
- - - -
05/07/2017 - - - Timteo
Por : Lus 43
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Criao do Campo elctrico
Os campos elctricos so produzidos pela distribuio de cargas.
O fluxo dos Campos flui das cargas positivas (protes, ies positivos, buracos) em
direco s cargas negativas (electres, ies negativos).
Movimento das Cargas livres em campos elctricos:
Positivo no sentido dos campos (lacunas ou buracos).
Negativo, oposto ao campo elctrico (electres)
Criao da Zona de deplexo
Os ies dopantes locais deixados para trs, perto da juno, criam uma rea de campo
elctrico chamada regio de deplexo.
Qualquer portador livre ser varrido para fora da regio de deplexo pelas foras criadas
pelo campo elctrico (empobrecido de portadores livres).
A rea de deplexo cresce, at alcanar um equilbrio em que o campo elctrico criado

pra, a difuso de electres.
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Criao dum potencial
As mudanas no campo elctrico criam uma barreira potencial que pra a difuso de
electres a partir do lado N para o lado P.
A juno pn tem incorporado um potencial (voltagem) que uma funo das
concentraes de dopagem das duas reas.
p:NA Juno P-N: em equilbrio Trmico n:ND
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
Ec
EFn
Ei
EFp
EV
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Equilbrio Trmico
p:NA n:ND
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
Ec
EFn
Ei
EFp
EV
qVbi

Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Equilbrio Trmico
p:NA n:ND
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
dp dn
r +qND
-qNA
V Voltagem Built-in

Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento
Quando a luz solar absorvida pela clula, ela desequilibra o equilbrio atravs da criao de pares de
electres-lacunas excessivos.
O campo interno separa os electres das lacunas ou buracos.
A luz solar produz uma tenso superior, opondo-se ao campo elctrico na regio de deplexo interna,
no que resulta num fluxo de electres nos condutores do circuito externo.
Efeito Fotovoltaico
Separao de lacunas e electres
pelo Campo Elctrico Voltagem
(V)
Criao de
Absoro de pares electro
luz lacuna extra
Power = V x I
(EHP)
Excitao de electres
Corrente
(I)
Movimento de cargas pelo
Campo Elctrico
No silcio, os electres precisam superar a barreira de potencial de 0,5 - 0,6 volts quaisquer
electres produzidos (electricidade), sero produzidos a esta tenso.

Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento em equilbrio
DRIFT = DIFUSO
Lado P:
Muitas lacunas
Poucos electres Regio de Banda de Conduo
Deplexo Lado N:
Banda de Valncia
Muitos Electres
Poucas lacunas
A Barreira de potencial impede que a maioria dos portadores de saiam desta rea.
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento c/polarizao directa
Lado P:
Muitas lacunas
Poucos electres Banda de Conduo
Regio de
Deplexo
Lado N:
Banda de Valncia
Muitos Electres
Poucas lacunas
Reduz a barreira de potencial.

Permite grande corrente de difuso.
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento c/polarizao inversa
Lado P:
Muitas lacunas
Poucos electres
Regio de Banda de Conduo
Banda de Valncia Deplexo
Lado N:
Muitos Electres
Poucas lacunas
Aumenta a barreira de potencial.

Muito pouca corrente de difuso.
Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento caractersticas I/V
qV
I I 0 e 1
kT
Corrente
Crescimento exponencial
Voltagem
Polarizao
Inversa Polarizao Directa

Fsica: -Semicondutores- Juno P-N: Funcionamento
Comportamento do diodo em No equilbrio gerao EHP
Lado P:
Muitas lacunas
Poucos electres
Regio de Banda de Conduo
Banda de Valncia Deplexo Lado N:
Muitos Electres
Poucas lacunas
EHP so gerados ao longo do dispositivo quebrando o equilbrio causando fluxo de corrente .

Fsica: -Clula Fotovoltaica- Caracterstica I-V
Corrente qV
I I 0 e 1 I L
kT
Escuro

Voltagem
Corrente da Absoro de fotes de luz
2 vezes mais luz = dobro da Corrente

Fsica: -Clula Fotovoltaica- Regio Activa
Regio N
neutra
Regio de Regio-P neutra

Deplexo
Onda
Longa Base tipo -P
Onda
Mdia
Deriva Difuso
Onda
Lh
Curta Le
Campo- E
Difuso Deriva Regio Active = Lh + W + Le

Emissor
tipo -N I L qAGLe W Lh
Fsica: -Clula Fotovoltaica

Separao de portadores de cargas na Juno P / N
Difuso:
Das zonas de elevada concentrao de portadores, para zonas de baixa concentrao de
portadores (na sequncia de um gradiente de potencial electroqumico).
Deriva:
Accionada por um campo electrosttico estabelecido atravs do dispositivo.

Intensidade da corrente
Proporcional a:
rea da clula (A)
Clulas maiores
Taxa de gerao de pares Electro-Lacuna (G)
Intensidade da luz
rea Activa (Le + W + Lh)
Maior comprimento de difuso (materiais muito puros)
I L qAGLe W Lh

Fsica: -Clula Fotovoltaica- Circuito equivalente
iph id RS I
Fonte de
Corrente RP Voc
VD
e(V IRS ) e(V IRS ) (V IRS )

I I 01 (exp 1) I 02 (exp 1) I ph
n1kT n2 kT RP
iph: Fotocorrente da clula solar.

id /VD: Corrente e voltagem interna da juno p-n do diodo.
RP: Resistncia shunt devido heterogeneidade da superfcie e perda de corrente
nas extremidades de clulas solares.
RS: Resistncia em srie devido resistncia do material de silcio e material de
contacto.
VOC: Voltagem da clula solar em circuito aberto.
iph iD RS I
Fonte de
Corrente RP Voc
VD
eU
I I 0 (e nkT
1) I ph
Isc = -Iph para V = 0
I0 Corrente de saturao.
nk I I ph n Factor ideal.
V T ln 1 k Constante de Boltzmann.
e I0
Isc Corrente em curto circuito.
nkT I sc Voc Voltagem em circuito aberto.
Voc ln para I = 0
e I0
Fsica: -Clula Fotovoltaica- Caractersticas
Fill factor
iD RS I MPVMP
FF
VOC V I scVoc
RP Performance da clula solar
Smbolo
Parmetros Importantes I-Corrente

ISC: Corrente em curto-circuito. P-potncia
VOC: Tenso em circuito aberto.
Imp: Corrente mxima potncia.
Vmp: Tenso mxima potncia.
PMP: Potncia mxima = Imp.Vmp.
FF: Fill factor- Factor de forma = PPMP/(ISC.VOCV-Voltagem
).
VOC
Tenso em circuito aberto
Ponto de Mxima potncia (PMP) FF
Depende de: Ponto de Potncia mxima
Temperatura.
Irradincia. IscImp
Caracteristicas da clula Solar Corrente de curto circuito Vmp

Escuro
Iluminada
Caractersticas Circuito Equivalente Simplificado
A eficincia de converso de energia: [V

FF . I SC . VOC I V FF I V
sc oc 100FF MP MP PPMP
Pin PSolar FF
I scVoc I SC . VOC
PMP VOC
ID RS
ISC
RP V VOC Onde:
Smbolo 1.)VOC Voltagem em circuito aberto
2.) ISC (Foto) corrente em curtocircuito
circuito equivalente de uma clula solar diz-nos 3.) FF Factor de forma (Fill Factor).
para mantermos: 4.) PMP Ponto de Mxima Potncia.
-A resistncia RP paralelo, to grande quanto possvel. 5.) VMP Voltagem no PMP.
- A resistncia em srie RS to pequena quanto possvel. 6.) IMP Fotocorrente no ponto PMP.
N de electres atravs do circuito externo

IPCE
N de fotes inciden tes
[1240 eV nm][Densidade de fotocorrente ( A cm 2 )]

[Comp.Onda (nm)][irradincia (mW cm 2 )]

Fsica: -Clula Fotovoltaica-
Caractersticas
Corrente em curto circuito ISC , I0 ou IK:
Principalmente proporcional irradiao
Aumenta em 0,07% por grau Kelvin.
Voltagem em circuito aberto V0, ou VOC: AkT I L
VOC ln 1
Esta a tenso interna do diodo. q IO
Aumenta rapidamente com irradiao inicial.
Tpico para Silcio : 0,5...0,9V.
Diminui em 0,4% por grau Kelvin.
Potncia (MPP, Ponto de Mxima Potncia )
VMPP (0,75 ... 0,9) VOC
IMPP (0,85 ... 0,95) ISC
Potncia diminui em 0,4% por grau Kelvin.
A potncia nominal de uma clula medida em condies de teste definidos internacionalmente:
(I0 = 1000 W/m2, Tcell = 25C, AM 1,5) em WP (Watt pico).
Fsica: -Clula Fotovoltaica- Efeito Fotoelctrico
A Energia Solar Fotovoltaica a energia obtida atravs da converso directa da luz em electricidade
(Efeito Fotovoltaico). O efeito fotovoltaico, relatado por Edmond Becquerel, em 1839, o
aparecimento de uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material
semicondutor, produzida pela absoro da luz. A clula fotovoltaica a unidade fundamental do
processo de converso.
h As clulas fotovoltaica so dispositivos semicondutores de silcio, similares em muitas
maneiras aos diodos e transistores electrnicos baseados no efeito fotoelctrico.
1. Absorbo de luz.
+
2. Gerao de cargas livres.
-
3. Efectiva separao das cargas.
Resultado: Produo de energia elctrica por absoro da luz.

Fsica: -Clula Fotovoltaica- Estrutura e Funcionamento
As clulas fotovoltaica so dispositivos semicondutores de silcio, similares em muitas maneiras aos
diodos e transistores electrnicos baseados no efeito fotoelctrico.
Fitas metlicas
condutoras
Radiao Solar i
Fluxo de Electres
Aprox.
Lente de vidro
0.58V DC
Silcio tipo-N
Camada de deplexo
Electres -ve
Substrato base
Silcio tipo-P
Lacunas +ve
Smbolo do clula
fotovoltaica (PV)

Fsica: -Clula Fotovoltaica- Funcionamento
Contacto traseiro
N P
Revestimento
antireflexo A absoro do foto cria
um par electro/lacuna. Se
eles esto dentro do
comprimento de onda de
difuso da regio de
deplexo, o campo
elctrico separa-os.
Os electres, depois de
passarem atravs da
Contacto Frontal carga recombinam-se
com as lacunas,
- + completando o circuito.
Carga Externa

O Silcio -Fabrico de Clulas fotovoltaicas
Silcio matria-prima Lingote Crescido Fatiamento
Sistema fotovoltaico Encapsulamento de Mdulos Fabrico de clulas

Tipos de Clulas solares Eficincia de
Converso do Mdulo
Monocristalino 10 - 17%
Cristalino
Silicon Policristalino 10 - 13%
Semiconductor
Non-cristalino Amorfos 7 - 10%
Clula Semicondutor
Solar Composto
Gallium Arsenide (GaAs) 18 - 30%
Dye-sensitized Type 7 - 8%
Semicondutor
Orgnico Organic Thin Layer Type 2 - 3%
Energia elctrica de sada

Eficincia de converso ()= x 100%
Energia de insolao na clula

Factos solares
Factos solares:
A Terra recebe mais energia do sol em apenas uma hora do que o mundo usa em um ano inteiro.
1% das terras utilizadas hoje para cultivos e pastagens poderia suprir o consumo total de energia do mundo.
O Sol fornece 1000 Watts / m de potncia de pico no nvel do mar, uma clula com eficincia 10% produz ~ 100W/m2.
As clulas fotovoltaica so dispositivos semicondutores de silcio similares em muitas maneiras aos

diodos e transistores electrnicos. Produzem electricidade atravs da converso da energia solar
gerada a partir do sol, sob a forma de luz visvel ou ultravioleta (UV) ou radiao infravermelha (IR),
numa corrente DC, utilizando a aco da clula fotovoltaica, sem o uso de partes mveis.
A luz solar limpa, fcil de aproveitar e est disponvel gratuitamente em todo o mundo, com o nico
custo envolvido estar no custo do prprio painel solar, fazendo com que a energia solar seja uma
escolha ideal para a gerao de electricidade para consumo local (microgerao).
A Energia solar tambm muito amiga do ambiente, uma vez que no produz poluio ou resduos
subprodutos, nenhuma poluio do ar ou da gua, e completamente silenciosa, o que a torna ideal
para um futuro mais verde. Um dos tipos mais comuns de clula solar fotovoltaica feito de
semicondutores de silcio, especialmente tratadas, e, por conseguinte, conhecida como uma clula
solar de silcio fotovoltaico.
Energia Solar: Vrios tipos de clulas fotovoltaicas

Em constante evoluoPrimeira Gerao
Single Junction Silicon Cells

Produo: 86%
38.3% Si Monocristalino.
47.7% Si Multicristalino.
Eficincia limite 31%

Si Monocristalino- 16-19% eficincia.
Si Multicristalino-- 14-15% eficincia.
Melhor eficincia SunPower Inc 22%. Vidro
Contactos
Si- tipo- N
Si- tipo- P
Contacto

Clulas Monocristalinas
A clula solar fotovoltaica um bloco de construo individual de um

painel solar. Imagine-a como um elemento pequeno, e o painel uma
rede de energia em miniatura, combinando 60 clulas.
Estas foram as primeiras fotoclulas a serem elaboradas a partir de um bloco de silcio

cristalizado num nico cristal. Apresentam-se sob a forma de placas redondas, quadradas
ou pseudo quadradas.
O seu rendimento de 16% a 28%. Contudo, apresentam dois inconvenientes:

Preo elevado.
Elevado perodo de retorno do investimento.
Linhas metlicas, tambm conhecidas como dedos e barramentos, so impressas na

superfcie da clula para colectar a electricidade e aliment-la atravs de um painel e
por meio de um circuito, ligar o painel os painis rede de energia elctrica ou dentro de
um sistema solar privado para uso independente ...

Clulas solares Monocristalinas
Uma clula PV tem aproximadamente 150
milmetros de dimetro.
Com luz solar, cada clula produz uma
tenso DC de cerca de 0,4V DC.
Um mdulo um conjunto de cerca de 30
clulas (12 VDC.)
As clulas podem ser ligadas entre si em
srie/paralelo, para produzirem a tenso
desejada.
Tm o melhor rendimento elctrico (aproximadamente 16%, podendo subir at cerca de
28% em laboratrio), mas as tcnicas utilizadas na sua produo so complexas e caras.
Por outro lado, necessria uma grande quantidade de energia na sua fabricao, devido
exigncia de utilizar materiais em estado muito puro e com uma estrutura de cristal.
Esperana de vida de cerca de 25 anos.

Custo varia entre 300 - 600/ m2.
Clulas solares Policristalinas
As clulas de silcio Policristalino so mais baratas que as de silcio monocristalina por

exigirem um processo de preparao das clulas menos rigoroso. A eficincia, no entanto,
cai um pouco em comparao as clulas de silcio monocristalino.
O processo de pureza do silcio utilizada na produo das clulas de silcio policristalino

similar ao processo do Si monocristalino, o que permite obteno de nveis de eficincia
compatveis. Basicamente, as tcnicas de fabricao de clulas policristalinas so as
mesmas na fabricao das clulas monocristalinas.
Podem ser preparadas pelo corte de um lingote, de fitas ou depositando um filme num
substrato, tanto por transporte de vapor como por imerso. Nestes dois ltimos casos s o
silcio policristalino pode ser obtido.
Cada tcnica produz cristais com caractersticas especficas, incluindo tamanho,

morfologia e concentrao de impurezas. Ao longo dos anos, o processo de fabricao tem
alcanado eficincia mxima de 13% em escalas industriais.

Estas clulas so produzidas a partir de blocos de silcio obtidos por fuso de bocados de
silcio puro em moldes especiais. Uma vez nos moldes, o silcio arrefece lentamente e
solidifica-se. Neste processo, os tomos no se organizam num nico cristal. Forma-se
uma estrutura policristalina com superfcies de separao entre os cristais.
Elctrodo de Alumnio
(Prateado)
O seu rendimento da ordem de Muito finos para evitar
11 a 13% e possuem um custo de sombreamento.
produo menos elevado do que

as monocristalinas.
Superfcie frontal
(Tipo-n) Pelcula antireflexo (Azul)
A Superfcie traseira do tipo P. Toda a superfcie traseira um elctrodo de alumnio com plena
reflexo.
As clulas policristalinas tm um custo de produo inferior por necessitarem de menos

energia no sua fabricao , mas apresentam um rendimento elctrico inferior (entre 11% e
13%, obtendo-se at 18% em laboratrio). Esta reduo de rendimento causada pela
imperfeio do cristal, devido ao sistema de fabricao.
No entanto, tendo em conta a relao eficincia/preo, so talvez as mais utilizadas na
produo de energia fotovoltaica

Clulas solares de Silcio
Na primeira gerao existem dois tipos de clulas solares de

silcio :
Monocristalino;
Multicristalino ou
Policristalino
Silcio monocristalino tem a mais alta eficincia de cerca de 28% actualmente, mas que
o mais caro.
Multicristalinas ou Policristalinas de silcio tm uma eficincia inferior, cerca de 21%, mas
um pouco menos dispendioso para produzir.
O Silcio multicristalino, o mais largamente utilizado comercialmente, devido sua relao

eficincia/Custo.

Composio das Clulas de Silcio
Contacto Frontal (-)

h -
Revestimento Regio - N
antireflexo
Regio - P
~0,2m + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - -
~300m +
Zona de Deplexo
Contacto posterior (+)

Funcionamento das Clulas de Silcio
fotes
Tipo-P
Tipo-N
Electro Carga
Lacuna

Funcionamento das Clulas de Silcio
Luz Solar
Corrente elctrica
Juno PN
Tipo-N
Tipo-P
Fotes Electres
Tipo-N
Tipo-P
Lacunas

Em constante evoluo
Existem muitas maneiras de fabricar as clulas fotovoltaicas, mas os especialistas no
concordam sobre qual a melhor!....
20x-100x 500x Cu(In,Ga)Se2 ~ 1-2 um c-Si ~ 180 um

Em constante evoluo
Nas clulas fotovoltaicas da primeira gerao: Uma nica juno p-n; placas de silcio
mono ou policristalino; tecnologia comercial dominante. Desafios:
Clulas mais finas.
Purificao simples de Si.
Maior eficincia de converso.
Clulas fotovoltaicas da Segunda gerao: Uso de pelculas finas: silcio amorfo, silcio
policristalino ou microcristalino, telureto de cdmio; mais baratas mas menos eficientes.
Tecnologias de pelcula fina:
Silcio:. Amorfos, microcristalino, policristalino
Calcogenetos (policristalinos) :. CIS, CIGS [Cu (In,Ga) (Se,S)2], CdTe, sensibilizados a
corantes, orgnicos
Vantagens: materiais de baixo custo, possibilidade de produo em larga escala,
mdulos totalmente integrados, esttica, robustez.
Terceira gerao:
*Juno p-n depende do semicondutor:
*Clulas fotoelectroqumicas (corantes) e clulas de nanocristais.
*Clulas multijuno: Vrias camadas de semicondutores diferentes, com diferentes
junes p-n, absorvendo largo espectro de frequncias.
Flexible Thin-Film Photovoltaic

Em constante evoluoSegunda Gerao
Thin Film Cells
Produo:
6.4% CdTe.
5.1 a-Si
1.5 Si Ribbon
1% CIGS.
Novos materiais e processos para melhorar a eficincia e

reduzir custos.
ZnO:Al -Contacto
As clulas de pelcula fina utilizam cerca de 1% dos ZnO
semicondutores caros em comparao com as clulas da CdS
primeira gerao. Cu(In,Ga,)Se2
Mo - Contacto
Eficincia:
CdTe 8 11% (18% demonstrada).
CIGS 7-11% (20% demonstrada). Vidro/pelcula

Clulas solares de 2 Gerao- Thin Film Cells :
As clulas solares de pelcula fina, surgiram devido aos seus baixos custos de produo e
consumo mnimo de material, o que faz com que estas clulas sejam atraentes para a
indstria. Existem trs tipos de clulas pelcula fina :
Amorphous Si
CdTe
CIGS (CuInGaSe2)
De silcio amorfo; disseleneto cobre, ndio, glio (CuInxGa1-xSe2, CIGS) e telureto de cdmio
(CdTe). O silcio amorfo a mais utilizado comercialmente destes, devido ao facto de
usarem a tecnologia de clulas solares de silcio existente para a fabricao, mas estas
clulas tm um par de desvantagens.
Uma desvantagem que no absorvem a luz to eficientemente como outras clulas

solares de silcio, e o outro o de que estas clulas se degradam ao longo do tempo. Devido
a estas desvantagens, as clulas de pelcula fina CIGS e CdTe foram desenvolvidas devido
sua estabilidade e eficincia. Estas clulas tambm so muito menos caras de produzir do
que as clulas de pelcula fina de silcio amorfo

Clulas solares de 2 Gerao- Thin Film Cells :
Clulas solares de pelcula fina esto finalmente se tornando competitivas. A eficincia das
clulas solares de CdTe atingiu mais de 15%, e as clulas solares CIGS atingiram eficincia
superiores a 20%.
Existem algumas diferenas fundamentais entre as clulas solares de segunda gerao e
clulas solares da primeira gerao.
A diferena mais notvel o material semicondutor usado na clula, tem um Gap de
banda directa, em oposio ao Gap indirecto do silcio, embora estas clulas continuem
com uma concepo de juno p-n.
Estas clulas de pelcula fina, tm uma camada no topo, chamada camada de janela, feita
de um material de Gap de banda larga, que absorve os fotes de energia mais elevados e
uma camada inferior, chamada a camada de absoro feita de um material de Gap de
banda menor, que absorve os fotes de energia mais baixa, que no so absorvidos por a
camada de janela. Este design permite uma eficincia inerentemente melhor.
AS Clulas CIGS tm a mais alta eficincia de clulas de pelcula fina de cerca de 20%; As
Clulas de CdTe tem uma eficincia de cerca de 17%, e as de silcio amorfo tem uma
eficincia de 16%.
2 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Silcio Amorfo (a-Si)
As clulas solares de pelcula fina ( Thin film solar cells), so normalmente classificadas
com clulas solares da segunda gerao. As da primeira gerao, referem-se a clulas
solares baseadas no silcio cristalino. A produo de clulas solares de silcio de pelcula
fina, ( silcio amorfo) requer menos material de silcio, uma vez que bastante caro, o que
significas que a estas clulas e o seu processo de produo muito mais barato
Nas clulas de silcio amorfo, introduzido hidrognio, para que seja possvel o silcio seja
dopado com Boro e Fsforo.
O silcio amorfo (a-Si) uma forma alotrpica no-cristalina de silcio e a tecnologia
pelcula fina mais bem desenvolvida actualmente.
Feito por evaporao de silcio sobre uma base de vidro.
Orientao mais aleatria do que cristalino.
Mais electres no ligados aos tomos de Si.
Electres no ligados atraem impurezas e degradam o desempenho elctrico da clula.
O hidrognio geralmente adicionado ao material a desactivar as ligaes pendentes ou
oscilantes.
Existem vrios tipos de clulas de Silcio Amorfo: a-Si; Amorfo Hidrogenado: a-Si:H;
microcristalino: c-Si; Nanocristalino: nc-Si; Nanocristalino hidrogenado: nc-Si:H.....
2 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Silcio Amorfo: (a-Si)
Arranjo menos regular de tomos que leva a ligaes errticas e passivao por
hidrognio.
Passivao por Hidrognio
Ligao pendente
(Dangling Bond)
Dangling Bond: ligao pendente uma valncia insatisfeita num tomo imobilizado a fim
de ganhar electres suficientes para preencher os nveis de valncia.
As primeiras clulas solares de pelcula fina foram baseados no silcio amorfo. A
tecnologia mais usada em dispositivos que requerem muito pouca energia (por exemplo,
calculadoras de bolso) devido s baixas taxas de eficincia.
Uma clula de silcio amorfo difere das demais estruturas cristalinas por
apresentar alto grau de desordem na estrutura dos tomos. A
utilizao de silcio amorfo para uso em fotoclulas tem mostrado
grandes vantagens tanto nas propriedades elctricas quanto no
processo de fabricao.
Por apresentar uma absoro da radiao solar na faixa do visvel e podendo ser
fabricada mediante deposio de diversos tipos de substratos, o silcio amorfo vem
se mostrando uma forte tecnologia para sistemas fotovoltaicos de baixo custo.
Estas clulas so compostas por um suporte de vidro ou de uma outra matria sinttica flexvel ou no,
na qual deposta uma fina camada de silcio amorfo(a organizao dos tomos j no regular como
num cristal). O rendimento deste tipo de clulas da ordem de 5 a 10% mais baixo do que nas clulas
cristalinas mas, mesmo assim, a corrente produzida razovel.
O uso de silcio amorfo apresenta duas desvantagens: a primeira a baixa eficincia de converso
comparada s clulas mono e policristalinas de silcio; em segundo, as clulas so afectadas por um
processo de degradao logo nos primeiros meses de operao, reduzindo assim a eficincia ao
longo da vida til.
A sua gama de aplicaes so os pequenos produtos de consumo como relgios, calculadoras, mas
podem tambm ser utilizadas em instalaes solares.

As clulas so construdas em sequncia de baixo para cima: Contacto de base (metal), TCO, Camada-
n, Camada intrnseca, Camada-p, contacto transparente (TCO), substrato de vidro.
Estas clulas sofrem uma queda na eficincia, quando expostas luz solar, sendo este efeito criado na
camada intrnseca. O efeito pode ser minimizado usando varias camadas mais finas em vez de uma
somente. Vidro (2-5 mm)
TCO (0.5 mm)

p+ a-Si:H (0.02 mm)
i a-Si:H (0.5 mm)
n+ a-Si:H (0.02 m)
TCO (0.5 mm)
Metal (0.5 m)
(TCO) Transparent Conducting Oxide

Alguns fabricantes esto desenvolvendo vrias formas de silcio amorfo de modo a
aumentar a sua eficincia e diminuir o preo.
Juno Simples Juno Dupla Juno Tripla
Amorfo (a-Si:H) Microamorfo e.g. a-Si:H/a-SiGe:H/ c-Si:H
Microcristalino (c-Si:H) a-Si:H/c-Si:H)
P
I
N
Eficincia confirmada:
9,5% (a-Si) Un. Neuchatel
10.1% (-Si) Kaneka 11.7% (a-Si/ pc-Si) Kaneka
12.4% (a-Si/a-SiGe) USSC 13.0% (Si/SiGe/SiGe) USSC*

Clulas solares Thin Film (pelcula amorfa)
Vantagens Desvantagens
Absorve a luz de baixa e alta Menor eficincia (menor grau de Si).
intensidade. Degradao a longo prazo do
necessrio menos Semiconductor material sob a luz solar.
menor Custo. Produo requer uso de gases
As altas temperaturas no perigosos.
reduzem significativamente o
desempenho.
Trs Principais tipos de pelculas finas (Thin Films)
Amorphous Silicon (a-Si).
Cadmium Telluride (CdTe).
Copper Indium Gallium Diselenide (CIGS)
O silcio amorfo em pelcula tem uma eficincia muito inferior, cerca 16%, mas muito
menos caro de produzir.
2 Gerao- Thin Film Cells : CdTe/CdS Solar CellsLuz Incidente
substrato de vidro
Uma pelcula fina de semicondutor

depositada por meio de mtodos de xido condutor
baixo custo. Menos material utilizado. transparente
CdS
As clulas podem ser flexveis e (100 nm)
integradas directamente no material de
cobertura de telhados habitacionais.
CdTe Sada de
(10 m) Corrente
Produzido a partir de materiais policristalinos mais baratos e vidro. Contacto

(ouro)
Altos coeficientes de absoro ptica.
Gap de Banda adequado para o espectro solar.
CdTe : Bandgap 1.5 eV; coeficiente de absoro 10 vezes maior do q Si.
CdS : Bandgap 2.5 eV; Actua como uma camada de janela.
Limitaes:
Contacto de m qualidade com p-CdTe (~ 0.1 Wcm2).

Luz Incidente
2 Gerao- Thin Film Cells : CdTe/CdS Solar Cells
Front Contact: Anode

~1000 m Glass Superstrate
0.05 m
Transparent Conducting Oxide
Window Layer
0.1 m N-type CdS
Absorber layer
3~8 m P-type CdTe
Back Contact: Cathode
Metal
A clula solar de CdTe tem uma estrutura semelhante clula CIGS. Um elctrodo
feito a partir de uma camada de pasta de carbono infundido com o cobre, o outro a
partir de xido de estanho (SnO2), ou estanato de cdmio (Cd2SnO4). O semicondutor
, neste caso, o telureto de cdmio (CdTe), que, juntamente com sulfeto de cdmio
(CdS), criam as camadas do tipo-n e do tipo-p necessrias para a clula fotovoltaica
funcionar.
CdS: tende a ser do tipo-n, maior Gap(2.42eV)
2 Gerao- Thin Film Cells : Estruturas das Clulas CIGS e CdTe
CdTe
CIGS CTO/ZTO,SnO2
0.2-0.5 m
Glass
ZnO, ITO
2500
CdS 600-2000
CdS
700
CdTe
CIGS 2-8 m
1-2.5 m
C-Paste
with Cu,
Mo or Metals
0.5-1 m
ZnTe:Cu
Glass, Ti
Metal Foil, CTO/ZTO = Cd2SnO4/ZnSnOx
Plastics

2 Gerao- Thin Film Cells : Diagrama de Bandas das clulas CdTe/CdS

2 Gerao- Thin Film Cells : Clulas CdTe/CdS
Cadmium Telluride (CdTe)
H, no entanto, as questes ambientais com os produtos que dependem do cdmio - um
metal pesado e potencial cancergeno que pode se acumular nos tecidos vegetais e animal.
No entanto, o risco mnimo enquanto o composto estiver contido no interior do painel
solar, a eliminao e/ou reciclagem pode ser perigosa e dispendiosa.
A heterojuno da clula solar de CdS / CdTe tipicamente formada usando uma

tcnica de banho qumico para depositar os CdS e sublimao perto do vcuo, para
depositar o CdTe.
Toxicidade do Cd entendida como um problema a minimizar
Melhor eficincia em laboratrio = 16,5%.
Eficincia terica: ~ 30%.
Eficincia de Mdulo: ~ 10%.
Estabilidade: Boa.
Retorno de investimento: 16 meses para instal. 10MW.
Problemas : Toxidade do Cd, e disponibilidade de Te.
Tecnologias de Produo: Empirical & Temperamental.

Semicondutor Tipo-p feito de Cdmio e de Telluride de cobre (?)
Semicondutor Tipo-n feito de Sulfeto cdmio.
Vantagens:
Eficincia elevada em comparao com a-Si( 16%).
Desvantagens:
Requer altas temperaturas de processamento.
CdTe instvel e degrada- se.
O cdmio txico e caro de reciclar.
Sensvel entrada de gua e degradao celular.
2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS (Copper Indium Gallium Diselenide)
Clulas solares Inorgnicas de pelcula fina amorphous Si
CdTe
CIGS (CuInGaSe2)
Disseleneto Cobre ndio Glio:

Extremamente boa absoro da luz (99% de luz absorvida no primeiro mcron).
um material ideal e eficaz em PV.
A adio de glio aumenta a faixa de absoro do espectro da luz solar.
Tem aproximadamente 1 centsimo da espessura das clulas solares convencionais de
silcio.
Sem degradao do desempenho ao longo do tempo.
Eficincias muito mais elevadas do que as outras pelculas finas (20%?)
Tipicamente, requer processamento a temperatura relativamente elevada (> 500 0C).

Glio e ndio so materiais escassos, e Cdmio perigoso.

H preocupaes de sade com a utilizao de cdmio em clulas solares de pelcula fina.
O cdmio uma substncia altamente txica que, como o mercrio, podem se acumular
nas cadeias alimentares. Esta uma mancha em qualquer tecnologia que se imagina
parte da revoluo verde. O Laboratrio Nacional de Energia Renovvel e vrias outras
agncias e empresas esto investigando pelculas finas de clulas solares livre de cdmio.
A mais nova gerao de clulas solares de pelcula fina utiliza finas camadas de telureto
de cdmio (CdTe) ou, em seu lugar, disseleneto cobre, ndio e glio (CIGS).
Note-se que existem duas configuraes bsicas da clula solar CIGS. A clula de CIGS em
vidro requer uma camada de molibdnio para criar um elctrodo eficaz. Esta camada extra
no necessrio na clula de CIGS em folha porque o metal de folha funciona como
elctrodo.
Uma camada de xido de zinco (ZnO), desempenha a funo do outro elctrodo na clula
CIGS. Mais duas camadas - o material semicondutor e sulfeto de cdmio (CdS). Estas duas
camadas agem como materiais do tipo-n e do tipo-p, que so os materiais necessrios para
criar uma corrente de electres.
Os Dispositivos CIGS so sensveis ao vapor de gua; pois alteram as propriedades do
ZnO pelo que necessita de melhoria no encapsulamentos em mdulos
2000
Solar spectrum AM 1.5
O que a CIGS:
Power density [W/m ]

2
1500
Anacronismo para Copper Indium Gallium Diselenide.
CuGaSe2; a-Si
(Disseleneto de Cobre, ndio e Glio).
1000 CuInS2
Clula Solar Fotovoltaica policristalina de pelcula fina,
com base no Sistema de materiais de disseleneto de
cobre, ndio e glio (CIGS). 500 CuInSe2; c-Si
Estrutura tpica:
0
Molibdnio / CIGS /Sulfeto de Cdmio / ITO: Indium Tin Oxide 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
(Estanho com xido de ndio). [m]
Substratos:
Molibdnio / CIGS /Sulfeto de Cdmio / ITO: Indium Tin Oxide
(Estanho com xido de ndio). 1.8m
Vidro . 0.5 1.5m

0.03 0.08m
n-type ZnO/ITO window
n-type CdS buffer
Ao inoxidvel 1.5 2.5m p-type CIGS absorber
Mo back contact
Polmero
0.5 1.5m
SLG or SS substrate
05/07/2017 Por : Lus Timteo 100

Estrutura cristalina:
Estrutura calcopirita tetragonal.
Derivado de Zinco com estrutura blenda ou esfalerita.
Tetraedricamente coordenada. Mais eficiente Mais barato
Semicondutor de gap directo

Band gap: 1.04eV 1.68eV
Extremamente alta absortividade.
Comprimento de adsoro:> 1 m. Mais difcil
Vida de portadores minoritrios: vrias ns.

Comprimento de difuso do electro: poucos m.
mobilidade dos electres: 1000 cm2 V -1 s-1 (nico cristal).
05/07/2017 Por : Lus Timteo 101
2 Gerao- Thin Film Cells : Estrutura do dispositivo CIGS. Evoluo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 102

2 Gerao- Thin Film Cells : Estrutura do dispositivo CIGS. Tecnologia
50nm
CdS or
ZnSe
1-2
m
Sputtering
Chemical Bath deposition

Vacuum method
Co-evaporation
Sputteiing + selenization
Non-Vacuum method
Electro-deposition + selenization
Printing+ selenization
Sputtering
05/07/2017 Por : Lus Timteo 103

Diagrama de Bandas
ZnO CdS CIGS EC MoSe2 Mo
1.2eV
3.4eV EF
EV
2.4eV SCR QNR
SCR space charge region

QNR quasi-neutral region
05/07/2017 Por : Lus Timteo 104

2 Gerao- Thin Film Cells : Estrutura do dispositivo CIGS
Em 2013, cientistas da Empa, no Laboratrio Federal suo de Cincia de Materiais e Tecnologia ,
criaram com sucesso clulas solares CIGS em folhas de polmeros flexveis com um novo recorde de
eficincia de 20,4%. Isso faz com que os painis solares baseadas em CIGS de pelcula fina de mais
alto desempenho at o momento. Tambm vale a pena mencionar que tem menos do material
txico (cdmio)em comparao com as clulas solares CdTe.
ZnO, ITO
2500
CdS
700
Cu(InGaSe2)
CIGS
1-2.5 m
Mo
0.5-1 m
Vidro,
Folha metlica, Plstico
05/07/2017 Por : Lus Timteo 105

2 Gerao- Thin Film Cells :Flexible CIGS solar cells-Estrutura do dispositivo CIGS
Fabricao Rol-to-Rol?
05/07/2017 Por : Lus Timteo 106
2 Gerao- Thin Film Cells : Flexible CIGS solar cells
Eficincia: 20%
Processo: configurao do substrato. Co-evaporao de CIGS em poliimida coberto por molibdnio.

Outros parmetros: VOC = 712 mV, ISC = 34.8 mA/cm2, FF = 75.7%, rea = 0.582 cm2
05/07/2017 Por : Lus Timteo 107

2 Gerao- Thin Film Cells : Estrutura e funcionamento do dispositivo Flexible
CIGS
Clulas solares de pelcula fina de glio ndio disseleneto de cobre (CIGS).
As Clulas de pelcula fina podem ser
to finas quanto 1 micro.
plstico moldado
1A luz solar contm pacotes de energia
chamados fotes. 5mm 5000 micros
Elctrodo de xido de Zinco

( ZnO)
Semicondutor camada negativa
2 Quando a luz solar incide na Sulfureto de Cdmio
camada negativa, os fotes ( CdS)
Semicondutor camada Positiva
colidem com alguns dos Disseleneto de cobre, ndio e glio
electres neste material, (Cu(In,Ga,)Se2)
fazendo com que eles se movam plstico moldado Elctrodo de Molibdnio
provocando pares
electro/lacuna.
3 Os electres se movem para a camada negativa. As

lacunas par a camada positiva.
4 A recombinao d-se atravs da corrente

elctrica no circuito exterior.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 108

2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS Substratos flexveis
Em folha de poliamida, eficincia 20.4% EMPA (Sua)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 109

RTP
Nanoparticles layer Semiconductor Top Electrode

Bottom Electrode
RTP - Rapid Termal Processing
Roll of CIGS Foil in Nanosolar
05/07/2017 Por : Lus Timteo 110

Processamento Roll-to-Roll de 1500750200mm Web
CIGS impresso :Nanopartculas Tinta+ RTP
Elctrodo Topo, impresso (fino)
Folha como elctrodo

Thin Film Solar Cell
Top Electrode
Semiconductor
Bottom Electrode
Elctrodo posterior, com revestimento metlico Nanosolar
05/07/2017 Por : Lus Timteo 111

As Tecnologias solares de pelculas finas (Thin Film Cells) utilizam
camadas de materiais semicondutores apenas com a espessura de
alguns mcrons, podendo estes materiais serem depositados sobre
substratos leves e/ou flexveis.
Benefcios das CIGS
Os benefcios de mdulos CIGS so:
Substrato
Clulas solares CIGS possuem um factor de forma ideal para substratos rgidos e flexveis.
Podem ser fabricados em substrato de vidro de baixo custo, que permite o acesso aos maiores
mercados PV.
Permite o uso de sistemas de montagem existentes, pois compatvel com a infra-estrutura de
sistemas fotovoltaicos existentes, e tem a capacidade de dominar o mercado de fotovoltaicos na
construo integrada (BIPV building integrated photovoltaics) no futuro.
Tm a maior eficincia entre todas as tecnologias solares de pelcula fina; ele pode absorver mais de 99
por cento do espectro de raios de sol e tm maior densidade de corrente.
CIGS esto em primeiro lugar em termos de eficincia de converso de amostras de laboratrio, entre
todas as outras tecnologias solares de pelcula fina.
Os Mdulos CIGS demonstraram ter um desempenho fivel e estvel por quase 20 anos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 112
2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS impressas VS Silcio amorfo (a-Si)
As clulas solares de silcio amorfo foram a primeira tecnologia de pelcula fina a ser comercializada no
incio dos anos 1980s.
Esta tecnologia adaptvel a substratos flexveis, resistente humidade, e no negativamente
afectada por ambientes de alta temperatura para o mesmo grau, que outras tecnologias PV.
Apesar destas caractersticas, as clulas solares a-Si so limitadas pela pobre eficincia de converso, a
instabilidade inerente, e os elevados custos dos equipamentos. Como resultado, os esforos recentes
para escalar a-Si para a produo de grandes volumes, tem tido dificuldades para mostrar meios de
produo sustentveis e competitivos.
Factos rpidos: Silcio amorfo (a-Si)
Baixa eficincia, exige mais rea por sistema, para produzir uma potncia desejada levando a um
aumento do custo de balanceamento de sistemas (BOS).
A instabilidade do dispositivo leva degradao do desempenho ao longo do tempo.
Apesar de uma construo de dupla e tripla juno, a eficincia do mdulo de permanece
relativamente baixa.
O processamento de clulas multijuno requer processamento adicional em cmaras, (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) aumentando ainda mais o custo de capital e
investimento.
Potencial de reduo dos custos de produo limitado.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 113
2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS impressos VS Silcio amorfo (a-Si)
Factos rpidos: CIGS impressos
A eficincia do mdulo mostrou ser maior do que a melhor dos mdulos de a-Si.
Maior eficincia reduz a rea exigida no balanceamento dos custos de sistemas (BOS) .
Desempenho estvel por mais de 20 anos, com aumentos de desempenho iniciais da luz solar.
As despesas de capital em mtodos de deposio nos CIGS impressos, so muito mais baixas do
que as utilizadas para PECVD nos a-Si.
A utilizao de materiais aditivos conduz a menores custos dos materiais.
Materiais de desempenho superior com muito espao para novas melhorias da eficincia e
menores custos de produo.
As clulas solares de a-Si tm uma eficincia de converso mais fraca a um custo que se esfora
para competir com todas as outras tecnologias fotovoltaicos comercializadas. Os CIGS impressos
proporcionam maior desempenho a um custo menor.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 114

2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS impressos VS Cadmium Telluride (CdTe)
As clulas solares de Telluride de Cdmio demonstraram com sucesso a viabilidade comercial e
escalabilidade de sistemas fotovoltaicos de pelcula fina. Os custos de produo para a tecnologia CdTe
foram reduzidos, embora com uma contribuio marginal de melhorias de eficincia. O potencial de
crescimento a longo prazo para a tecnologia limitado pelas dificuldades de melhorar a eficincia
Factos rpidos: Telluride de Cdmio
No adaptvel para substratos flexveis.
De manuseamento sensvel, necessrio um plano de reciclagem para cada mdulo no final da
vida til, devido ao material Cd ser potencialmente perigoso.
Potencial limitado para melhorias prticas de eficincia.
O curto processo de sublimao, faz utilizao relativamente baixa de materiais.
Dados de desempenho para a vida a longo prazo ainda no esto disponveis para a tecnologia
CdTe.
Utilizao de materiais aditivos conduz a menores custos dos materiais.
Melhoria contnua na eficincia de converso, vai levar a novas redues de custos.
Os custos dos equipamentos de capital mais baixos para deposio absorvente.
Apenas utiliza uma pequena quantidade de material de Cd, com substituio pendente da sua
utilizao por materiais no-perigosos.
Adaptvel a substratos flexveis. Atinge melhor desempenho do que CdTe a um custo competitivo
sem a utilizao de grandes quantidades de Cd.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 115
2 Gerao- Thin Film Cells : CIGS impressos VS CIGS de alto vcuo
Os absorvedores de luz das CIGS tem claras vantagens de desempenho em relao a outras
pelculas finas disponveis. No entanto, a maioria dos fabricantes utilizam tecnologias caras de alto
vcuo, como co-evaporao ou Sputtering para depositar os absorventes, o que impede mostrar o
potencial baixo custo total da CIGS.
Factos rpidos: CIGS de alto vcuo
Investimento de capital elevado necessrio para as cmaras de deposio.
O equipamento de vcuo para escalonamento para o formato de grande-reas, requer despesas de
capital proporcionalmente elevadas.
Metais caros como o ndio e glio so depositados nas paredes das cmaras de vcuo, e a
reciclagem destes materiais muito cara.
M utilizao de metais em grandes volumes, diminui os benefcios de economias de escala.
Alto custo de produo impede custo competitivo, a menos que seja compensado com o aumento em
escala, exigindo grandes quantidades de capital de investimento.
Os materiais activos na tinta, so precisamente aplicados onde iro ser convertidos em clulas
solares funcionais, resultando numa utilizao dos materiais, superiores a 95%.
Uso de tecnologias de impresso econmicas que esto vocacionadas para alto volume de
produo. Custos extremamente baixos de fabricao permitem a competitividade no mercado em
cada fase do desenvolvimento da capacidade de produo.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 116
2 Gerao- Thin Film Cells : Problemas com a tecnologia CIGS
1. Incompatibilidade nos processos de deposio entre CIGS e CdS.

2. Processos de deposio e controlos complexos.
3. Sntese do CIGS :
Faixa de estequiometria estreita,
Polimorfismo,
Binrios Mltiplos,
Inmeros defeitos estruturais,
Nonuniforidade,
Desorganizao Electrnica.
Sem estequiometria / condutividade depender de parmetros da deposio.
4. Microestrutura e Morfologia do CdS muito sensvel ao processo de deposio.
5. Adeso & Tenso no interface Mo/CIGS.
6. Interface TCO/CdS (?)
7. Funo de sdio(?)
8. Incompatibilidade cell-to-cell.
9. Encapsulamento .
05/07/2017 Por : Lus Timteo 117

Clulas Fotovoltaicas: Vrios tipos de clulas fotovoltaicas

2 Gerao- Thin Film Cells
05/07/2017 Por : Lus Timteo 118


2 Gerao- Thin Film Cells : Aplicaes - CIGS solar cells
(Electric Power Generation photovoltaic (EAPV)
Auto Vehicle photovoltaic (AVPV)
(Vessel integrated photovoltaics (VIPV)
Building applied photovoltaic (BAPV)
Portable Outdoor photovoltaic (POPV)

Building-integrated photovoltaics (BIPV)
Enables Electronics Integrated Photovoltaic (EIPV)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 119


2 Gerao- Thin Film Cells : Clulas Cdte, Si amorfous, CIGS, GaAs
Pros:
Espessura da pelcula: 100 nm a 10m.
SnO2 Temperatura de processamento mais baixa.
CdS
Peso leve, flexvel.
CdTe
Cos:
Elementos menos abundantes.
ZnTe:Cu Estrutura mais complicada.
Ti Processamento em vcuo.
Menor eficincia.
As clulas fotovoltaicas de pelcula fina tambm so caras.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 120


Situao Industrial:
Mdia dos custos de fabrico

2006: $1.40/watt
2007: $1.23/watt
2008: $1.08/watt
2009: $0.87/watt
2010: $0.77/watt
2011: $0.74/watt
2012: $0.64/watt
2013: $0.53/watt
05/07/2017 Por : Lus Timteo 121


3 Gerao- Multi-junction Cells:
Future Generation: Printable Cells
Solution Processible Semiconductor

Organic Cell
Nanostructured Cell
05/07/2017 Por : Lus Timteo 122


Em constante evoluoTerceira Gerao
Multi-junction Cells
Melhorar o pobre desempenho elctrico, mantendo custos produo muito baixos.

A pesquisa actual tem como meta a eficincia de converso de 30-60%, mantendo materiais e
tcnicas de fabricao de baixo custo.
Clulas de Junes Mltiplas com eficincias de 30% (40-44.7% demonstrada).
Bastante caras
05/07/2017 Por : Lus Timteo 123

Em constante evoluo 3 Gerao- Thin Film Cells
Clulas Orgnicas, de Corantes, de Multi-junes (Tadem cells)
Devido ao alto custo das clulas solares da primeira gerao e toxicidade e pouca
disponibilidade de materiais para clulas solares da segunda gerao, surgiu uma nova
gerao de clulas solares.
As clulas solares da terceira gerao so inerentemente diferentes das duas geraes
anteriores, porque no so baseadas na juno p-n das anteriores.
H um par de modelos populares para as clulas de terceira gerao, que incluem clulas
solares sensibilizadas por corantes (DSSC) e clulas solares orgnicas ou polmeros. As
clulas solares sensibilizadas por corante tambm so frequentemente chamadas de
clulas Grtzel o nome do seu desenvolvedor.
AS Clulas solares orgnicas ou de polmeros, foram desenvolvidas para fazer uma clula
solar mais flexvel. As DSSCs no so consideradas orgnicas porque usam corantes
organometlicos e semicondutores inorgnicos.
As clulas orgnicas ou de polmeros, so classificadas como tal, porque as camadas
activas da clula so feitos de materiais completamente orgnicos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 124


3 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Multijunes: Tandem cells
As clulas Tandem ou de multijunes, por definio, so constitudas pelo menos por duas junes
p-n com clulas compostas de materiais que absorvem fotes de diferentes energias . A clula
superior vai absorver as energias mais elevadas, enquanto a parte inferior da clula ir absorver as
energias mais baixas que no foram absorvidas pelas clulas superiores.
Estas clulas tm ento uma maior eficincia, uma vez que podem absorver mais fotes do espectro
solar para converso de energia. Esta tecnologia j est sendo colocada em uso em clulas solares
no espao. Clulas solares Tandem ou de multijunes, so normalmente feitas de compostos de
elementos da tabela peridica, grupos III e V.
Exemplos destes compostos so: o arsenieto de glio

(GaAs), o fosforeto de ndio (InP), antimoneto de glio
(GaSb), glio fosfeto de ndio (GaInP), arsenieto de glio
e ndio (GaInAs). Estas clulas solares tm a maior
eficincia relatada de 43% , quando se utiliza uma
clula solar de trs clulas, mas usam metais raros e so
extremamente caras de fabricar, por isso elas no so
prticas para uso generalizada em terra a no ser em
clulas concentradas.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 125


3 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Multijunes: Tandem cells
LOW CONCENTRATOR PHOTOVOLTAICS (LCPV)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 126


3 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Multijunes (GaAs)
O arsenieto de glio bastante melhor a absorver (40%) a radiao solar que o silcio, o
material normalmente usado na maioria das clulas solares, mas tambm mais
dispendioso.
Para alm disso e apesar de utilizarem uma menor quantidade de material
semicondutor os mdulos requerem sistemas pticos tipo concentrao de luz, de
refrigerao, e de sistemas de seguimento (que os mantm sempre virados para o Sol)
com um custo elevado.
Mas estas clulas so inerentemente mais eficazes a dissipar calor,

tornando-as por isso mais baratas. Os mdulos tm outra
vantagem: Enquanto as clulas feitas base de silcio apenas
absorvem de forma eficiente uma banda estreita do esperto solar,
as novas clulas so constitudas por trs camadas de arsenieto de
glio, todas elas alteradas para converter uma parte diferente do
espectro em energia elctrica.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 127


3 Gerao- Thin Film Cells : Clulas de Multijunes (GaInP )
A tcnica de multijunes atenua o problema da perda de energia quando um foto de energia maior
do que a energia do semicondutor absorvido pela clula solar de monojuno. Nas clulas solares
de uma juno, esse excesso uma perda de energia convertida em calor e diminui a eficincia da
clula solar. Nas clulas solares de mltiplas junes tem-se cada juno como uma janela, que
absorve parte do espectro, e deixa passar as restantes para a outra juno. Desta maneira, esse
espectro mais bem aproveitado.
(a) (b) IMM (Inverted Metamorphic Solar Cell)
Duas configuraes de clulas solares de 3 junes, numa subclula de GaInAs com uma estrutura
altamente-incompatvel, invertida de 1 eV:
(a) o crescimento em dois lados de um substrato de GaAs transparente;
(B) Crescimento na inferior de um substratos de GaAs ou Ge que removido aps o fabrico da clula.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 128


Spectrolabs Triple-Junction Solar Cell

As clulas Multijuno so muito caras.
GaInP2 GaAs Ge
Spectrolab relatou uma eficincia de converso de 40,7%, com esta

estrutura de clula solar operando em ~ 250 sis.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 129

Multijunes: O caminho para altas eficincias
A maior eficincia das clulas MJ, exigem novos materiais que dividem o espectro solar, para
fornecerem a corrente correspondente. O Germnio (Ge) fornece a estrutura, mas o bandgap muito
pequeno. Clula Solar MJ Nova Clula
Convencional Solar MJ
GaInP GaInP
1,8 eV 1,8 eV
Indium
gallium
GaAs GaAs solar cell
1,4eV 1,4eV
Ge GaInNAs
0,7eV 0,7eV
Gallium arsenide solar cell

4 5 6 7 8 9 2 3 4
1
Energia (eV)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 130

A tecnologia fotovoltaica concentrada
Pesquisadores alemes, do Instituto

Fraunhofer para Sistemas de Energia Solar,
desenvolveu uma clula solar que converte
44,7 % da energia solara o que um novo
recorde. constituda por uma lente que
concentra a luz solar em quatro subclulas
empilhadas, cada uma concebida para
absorver uma poro distinta do espectro.
A equipa estima que vai levar mais dois ou

trs anos para ampliar o prottipo de 5,2
milmetros para uso em instalaes de
energia solar concentrada.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 131


A tecnologia fotovoltaica concentrada (CPV - Concentrated photovoltaic) usa ptica:
como lentes ou espelhos curvos para concentrar uma grande quantidade de luz solar
numa pequena rea de clulas solares fotovoltaicos (PV) para gerar electricidade.
Em comparao com sistemas fotovoltaicos no-concentrados, as CPV podem
economizar dinheiro no custo das clulas solares, uma vez que necessrio uma menor
rea de material fotovoltaico, que sendo menor, pode utilizar CPVs, material mais caro,
mas de muito alta eficincia.
Este sistema consiste de milhares de pequenas lentes, cada uma focando a

luz solar com a intensidade de ~500 X mais alta, numa pequena clula
fotovoltaica de alta eficincia de multijunes
WORLDS FIRST CPV INSTALLATIONS, PUERTALLANO, SPAIN

05/07/2017 Por : Lus Timteo 132

A tecnologia fotovoltaica concentrada
Popular Science issue April 2014.
A luz solar passa atravs de uma lente multifacetada conhecido como um Fresnel. A lente foca a luz
solar directa, fornecendo o equivalente a 297 sis de energia para a clula solar abaixo.
A primeira subclula, feita a partir de fosfeto de ndio glio, captura fotes de comprimentos de onda
mais curtos da luz. As subclulas abaixo dela, contm elementos capazes de captar comprimentos de
onda progressivamente mais longos.
Cada subclula consiste de vrias camadas de semicondutores, que criam um campo elctrico. Quando
os fotes so absorvidos, eles excitam os electres, libertando-os da subclula.
Uma vez que os electres livres, chegam ao topo, um contacto de metal encaminha-os em direco a
um terminal de sada como uma corrente contnua.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 133

3 Gerao- Thin Film Cells : Tecnologias de concentrao(CPV)
PARABOLIC DISH LOW CONCENTRATOR PHOTOVOLTAICS (LCPV)
LENS CONCENTRATORS
FRESNEL REFLECTOR
CENTRAL RECEIVER
05/07/2017 Por : Lus Timteo 134


Clula de 4 junes com eficincia de 44.7 % fabricada a partir de compostos
semicondutores III-V, para uso em concentradores fotovoltaicos 297
Sois.(Concentrados) sendo at ao momento a maior eficincia alcanada.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 135

Flexibility Amorphous Silicon

Clulas de Tripla juno (InGaP/GaAs/Ge
CIGS (Copper Indium Gallium diSelenide)
GaAs Solar Cells Clulas fotovoltaicas orgnicas
05/07/2017 Por : Lus Timteo 136


Tecnologias
GaAs: Eficincias acima dos 40%, mas muito caro, principalmente adequado para
aplicaes espaciais, uma vez que As txico.
CdTe: Cd txico, cobrir grandes reas de superfcie com material txico no desejvel.
CIGS: A disponibilidade de In de 0,08 ppm, o custo pode aumentar com o aumento da

procura
a-Si: De baixo custo, mas de baixa eficincia estvel.
C-Si: Matria prima abundante (227000 ppm) de alta eficincia, a eficincia estvel, a
tecnologia de pelculas finas (Thin films) fornece potencial para reduzir o custo das clulas,
opo muito atraente para explorar.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 137

Tecnologias
Silcio Monocristalino
Estas foram as primeiras clulas a serem elaboradas a partir de um bloco de silcio cristalizado num
nico cristal. Apresentam-se sob a forma de placas redondas, quadradas ou pseudo quadradas.
O seu rendimento de 12 a 16% . Contudo, apresentam dois inconvenientes:
Preo elevado.
Elevado perodo de retorno do investimento.
Silcio Multicristalino
So fabricadas a partir de um bloco de silcio cristalizado em mltiplos cristais e, portanto, com diversas
orientaes. O seu rendimento da ordem de 11 a 13% e possuem um custo de produo menos
elevado do que as monocristalinas.
Silcio Amorfo
Estas clulas so compostas por um suporte de vidro ou de uma outra matria sinttica, na qual
deposta uma fina camada de silcio (a organizao dos tomos j no regular como num cristal). O
rendimento deste tipo de clulas da ordem de 5 a 10% mais baixo do que nas clulas cristalinas mas,
mesmo assim, a corrente produzida razovel. A sua gama de aplicaes so os pequenos produtos de
consumo como relgios, calculadoras, mas podem tambm ser utilizadas em instalaes solares.
Apresentam como vantagem o facto de reagirem melhor luz difusa e luz fluorescente e, portanto,
apresentarem melhores desempenhos a temperaturas elevadas
05/07/2017 Por : Lus Timteo 138

Energia Solar: Vrios tipos de clulas fotovoltaicas

Tecnologias
As tecnologias CdTe, CIS e CIGS esto em fase de desenvolvimento e industrializao.
Com efeito:
As clulas de CdTe tm por base o telrio de cdmio, material interessante por

apresentar uma elevada absoro. No entanto, o seu desenvolvimento fica
comprometido atendendo toxicidade do cdmio.
As clulas de CIS (CuInSe2) tm por base o cobre, o ndio e o selnio. Este material
apresenta a particularidade de ser estvel quando sujeito a incidncia luminosa.
Apresentam excelentes propriedades de absoro.
As clulas de CIGS so constitudas pelos mesmos elementos das CIS mas com a
particularidade de o ndio formar uma liga com o glio o que permite obter melhores
desempenhos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 139


Tecnologias
1 Gerao 2 Gerao 3 Gerao

Pastilha de Silcio Pelcula sobre vidro Pelcula sobre plstico
Espessura: 250m. Espessura: 3m. Espessura: 3m.
rea limitada pelo tamanho da Grande rea de exposio. Possibilidade de grandes reas.
pastilha.
Construo rgida. Construo flexvel.
Construo rgida.
Integrao modular monoltica. Fcil integrao modular .
Integrao modular complexa.
Potencialmente barata. Potencialmente barata.
CARA.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 140


Tecnologias de pelcula fina
Area VOC JSC FF Efficiency

Material Comments
(cm2) (V) (mA/cm2) (%) (%)
CIGSe/CdS/Cell
CIGSe 0.410 0.697 35.1 79.52 19.5 NREL, 3-stage process
CIGSe/ZnS (O,OH)
CIGSe 0.402 0.67 35.1 78.78 18.5 NREL, Nakada et al
Cu(In,Ga)S2/CdS
CIGS 0.409 0.83 20.9 69.13 12.0
Dhere, FSEC
Cu(In,Al)Se2/CdS
CIAS - 0.621 36.0 75.50 16.9
IEC, Eg = 1.15eV
CTO/ZTO/CdS/CdTe
CdTe 1.03 0.845 25.9 75.51 16.5 NREL, CSS
SnO2/Ga2O3/CdS/CdTe
CdTe - 0.840 24.4 65.00 13.3 IEC, VTD
ZnO/CdS/CdTe/Metal
CdTe 0.16 0.814 23.56 73.25 14.0
U. of Toledo, sputtered
05/07/2017 Por : Lus Timteo 141


Tecnologias: Aplicaes
Space Terrestrial
application applications
Bulk c-Si Thin Films
GaAs c-Si
Mono c- Multi c- CIGS CdTe Poly c-Si TF Si Organic
Si Si a-Si:H
~12 % lab ~ 19% lab ~ 16% lab ~ 16% lab ~ 13% lab ~ 11%
~24 % ~18 % ~ 15-17% ~ 13-15% ind ~ 12% ind ~ 9% ind ~ 9% ind ~ 9%
GaAs (Gallium Arsenide)

CIGS (Copper Indium Gallium Diselenide)
CdTe (Cadmium Telluride)
a-Si:H (Hydrogenated amorphous silicon)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 142

Tecnologias de pelcula fina
2014 Solar PV Module Production by Technology
05/07/2017 Por : Lus Timteo 143


Summary Comparison of PV Technologies
Efficiency
Key Materials
PV technology Module Materials Substrate Types
Supply issues
(Avg %) (Utilization)
Polysilicon
13%- 14% Poor
Crystalline Silicon Currently Rigid OnIy
(22%) (Subtractve)
Abundant
6%-7% Silane Gas Poor
Amorphous Silicon (13%) AvailabiIity/Cost (Subtractve)
Rigid & Flexible
9% - 11% Tellurium Medium

Cadmium Telluride (16,5%) Availability (Subtractive)
Rigid OnIy
CIGS by Vacuum 10% - 12% Poor Usage of Poor

Rigid & Flexible
Process (20%) Indium (Subtractve)
Low Requirement,
10%-12% High
ISETs Printed CIGS (16%)
Efficient Usage of
(Additive)
Rigid & Flexible
lndium
Solar cell Highest reported efficiency (%)

Silicon (single crystal, single cell) 27.6 1.0 Dye-sensitized (single cell) 11.2 0.3
CIGS (thin film, single cell) 20.3 0.6 Organic polymer (single cell) 8.3 0.3
CdTe (thin film, single cell) 16.7 0.5 InGaP/GaAs/InGaAs (tandem cell) 42.3 2.5
05/07/2017 Por : Lus Timteo 144

Summary Comparison of PV Technologies prices
2006 2010 2015

Cell Technology
(Cost/Price US$) (Cost/Price US$) (Cost/Price US$)
Crystalline Silicon
Monocrystalline Silicon 2.50 / 3.75 2.00 / 2.50 1.40/2.20
Multicrystalline Silicon Cast Ingot 2.40 / 3.55 1.75 / 2.20 1.20/2.00
Crystalline Based Silicon

Ribbon sheet Silicon 2.20 / 3.35 1.60 / 2.20 1.00/1.70
Concentrators Silicon Cell 3.00 / 5.00 1.50 / 2.50 1.00/1.70
Non-Crystalline Silicon
Amorphous Silicon (a-Si) 1.50 / 2.50 1.25 / 1.75 0.90/1.40
Non-Silicon
Copper Indium (G) Deselenide (CIS/CIGS) 1.50 / 2.50 1.00 / 1.75 0.80/1.33
Cadmium Telluride (CdTe) 1.50 / 2.50 0.80 / 1.50 0.65/1.25
Factory profitable price 2.50 / 3.75 1.50 / 2.50 1.25/2.20
05/07/2017 Por : Lus Timteo 145

Clulas Fotovoltaicas: Novas tecnologias em desenvolvimento

3 Gerao- Clulas Orgnicas: (OPV Organic Photovoltaic)
Ao longo dos ltimos 40 anos, a tecnologia de clulas solares inorgnicas com base em silcio e
pelculas finas de seus derivados, tem sido posicionada como uma alternativa para a energia do
petrleo, uma vez que utilizam uma fonte de energia livre e virtualmente inesgotvel, ter eficincias
altas de converso de energia radiante e a sua produo feita a uma escala industrial, sem mas os
seus altos custos de produo, os efeitos negativos de alguns componentes no ambiente, e a escassez
de matrias-prima na terra, so apresentadas como graves restries ao aumento da sua aplicao a
nvel mundial.
As clulas solares base de polmeros semicondutores apresentam-se como uma alternativa, uma vez
que as matrias-primas e os processos de fabrico so menos dispendiosos. No entanto, importante
notar que a nvel local, os materiais ainda tm altos custos (para transporte e impostos de
importao), aumentando muito o preo da fabricao do dispositivo.
As clulas orgnicas base de polmeros, que alcanaram eficincias at de 8,3%; mas o rendimento
terico foi encontrado para ser semelhantes aos semicondutores tradicionais, o que sugere que a
relao futura eficincia/custo seja maior do que para outros tipos de clulas
Recentemente, tm vindo a desenvolver-se outras clulas baseadas em pelculas finas de
semicondutores com multijunes; essa evoluo surgiu a fim de evitar o uso de grandes quantidades
de materiais txicos
Na ltima dcada, desenvolveram clulas solares com base em novos materiais fotovoltaicos, entre as
quais as clulas sensibilizadas corantes DSSC tambm conhecidas por clulas electroqumicas
05/07/2017 Por : Lus Timteo 146

Semiconductores Orgnicos
Os semicondutores orgnicos tm suscitado grande interesse em todo o mundo, pois eles
mantm a promessa de ultra baixo custo e alto desempenho, juntamente com uma srie
de novas propriedades que desbloqueiam novas e excitantes oportunidades de produtos
em electrnica, iluminao e energia fotovoltaica.
As clulas Fotovoltaicas orgnicas oferecem uma srie de vantagens que vo desde a

fabricao de rpida, e de baixo custo, extremamente finas, leves, e factores forma
flexveis, que oferecem oportunidades para avanos revolucionrios na aceitao e
implantao de energia solar. No h nenhuma restrio quanto ao tamanho e forma dos
dispositivos OPV, e todos os seus aspectos e formas concebveis podem ser previstos, tendo
apenas a capacidade sinttica humana como factor limitativo.
Os dispositivos podem ser na forma de fibras, telas, dobrada ou enrolada, como pelculas
sobre a superfcie curva. A natureza quase bidimensional da OPV, vai apresentar uma
mudana substancial de paradigma e vai demorar algum tempo antes de ser aceite pelo
mercado global.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 147

Semiconductores Orgnicos
Os Semicondutores orgnicos so compostos ricos em carbono com uma estrutura
adaptada para optimizar uma funo especial, tal como a capacidade de resposta a uma
gama de luz visvel especial.
Porque semicondutores orgnicos tm diferentes sistemas de ligao em relao aos

semicondutores convencionais inorgnicos, pois operam de uma forma fundamentalmente
diferente. Os semicondutores convencionais so mantidos juntos por ligaes covalentes
fortes que se estendem de forma tridimensional, resultando em bandas electrnicas que
deram origem s suas propriedades semicondutoras.
Os materiais orgnicos tm ligaes covalentes intramolecular semelhantes, mas so

mantidos juntos apenas por fracas interaces intramoleculares de van der Waals. A
funo de onda electrnica, est assim, fortemente localizada em molculas individuais, e
as fracas interaces intermoleculares instigam a uma largura de banda electrnica
estreita formada em slidos moleculares.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 148


Estas clulas podem ter uma estrutura de camada dupla ou uma estrutura Bulk de heterojunes,
mas o mecanismo de ambas as estruturas, o mesmo.
A camada activa das clulas solares orgnicas composta por um material doador e um receptor, para
separao e transporte das cargas elctricas.
A camada activa pode ser feita de alguns materiais diferentes: pequenas molculas orgnicas,
polmeros conjugados, ou combinaes de molculas e polmeros.
A clula constituda por um elctrodo de alumnio e de vidro condutor (ITO), com a camada activa
entre os dois materiais, com buffers para melhorar o transporte de cargas.
Os fotes so geralmente absorvidos pelo material dador para produzir excites singletos. Estes
excites migram em direco ao material aceitador, separando-se em electres e lacunas na interface.
Os electres e lacunas difundem-se atravs dos materiais aceitadores e doadores, respectivamente, at
atingirem os elctrodos.
Os materiais tpicos para estas clulas so: ftalocianinas, fulereno (C60), oligotiofenos ou polmeros.
Independentemente do desenho da clula solar orgnica, a eficincia no comea a ser competitiva
com qualquer uma das outras opes de concepo das clulas solares. A maior eficincia relatado
para clulas de sntese de 12% (Heliatek Jan2013). So muito baratas de produzir, o que uma
vantagem, mas os ganhos de eficincia ainda so relativamente baixos para fazer clulas solares
competitivas num mercado comercial, pelo que a investigaes continua na busca desse objectivo.
http://cnx.org/content/m41217/latest/#id1170058534148
05/07/2017 Por : Lus Timteo 149

Alguns polmeros comportam-se de maneira que se forme uma estrutura de bandas,
similar observada nos semicondutores inorgnicos do estado slido, que geram uma
banda proibida (Eg) entre a banda de valncia chamada HOMO (High Occupied
Molecular Orbital) e a banda de conduo chamada de LUMO (Low Unoccupied
Molecular Orbital), o que permite que se comportem como os semiconductores clssicos.
Este tipo de clulas tm uma camada activa de pelcula fina (aproximadamente de 100
nm.), que consiste numa mistura homognea de um dador (semicondutor polmero
altamente conjugado) e um aceitador de electres (usualmente um derivado de fulereno)
e em qualquer ponto da pelcula h uma mistura de doadores / aceitador, resolvendo o
inconveniente das clulas com heterojunes como redes interpenetrantes aumentam as
interfaces entre os dois materiais, diminuindo a distncia entre eles, favorecendo o
processo de dissociao e excitao diminuindo processos de recombinao, aumentando
assim a eficincia de clulas solares orgnicos.
Uma clula solar orgnica constituda por uma srie muito fina de vapores ou solues
orgnicas, depositadas em camadas prensadas entre dois elctrodos. O mecanismo bsico
da gerao foto corrente nas clulas OPV, pode ser ilustrado com dois materiais orgnicos,
um Dador (D) de electres e o outro um Aceitador (A).
05/07/2017 Por : Lus Timteo 150

Semiconductores Orgnicos: Sistema Roll-to- Roll
O mtodo ideal de fabricao seria depositar elctrodos

estampados e semicondutores em rolos de plstico ou metal,
em mquinas de rolo-a-rolo com revestimento, semelhante
aos utilizados para fazer o filme fotogrfico ou jornais. As
Clulas solares feitas desta forma seriam no s mais baratas,
mas poderiam, portanto, ser incorporadas em materiais de
construo directamente, reduzindo assim os custos de
instalao. Semicondutores orgnicos podem ser dissolvidos
em solventes comuns e pulverizados ou impressos no
substrato, so candidatos promissores para esta aplicao.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 151


3 Gerao- Clulas Orgnicas: (OPV Organic Photovoltaic)- Materiais usados
Os polmeros semicondutores com propriedades fotovoltaicas de tipo doador de electres,
devem ter as seguintes propriedades:
Alta condutividade (maior que 1,000 S cm1).
Altas mobilidades das lacunas geradas (0.05 0.1 cm2, V1,S1).
No apresentar processos radiactivos.
Uma diferena energtica entre HOMO e LUMO, banda proibida (Eg) ptima que permita a maior
absoro de radiao possvel. (<2eV).
Um coeficiente de absoro alto (>105cm1).
Alta solubilidade em solventes volteis, para facilitar a formao de pelcula, por meio de tcnicas
diferentes, para qualquer tipo de impresso spin coating Roll to Roll ou Doctor Blade, etc
O polmero mais utilizado em clulas solares orgnicos o P3HT (dador de electres e

transportador de buracos) graas sua estrutura em conformidade com as propriedades
acima referidas, no entanto, as investigaes tm como objectivo a obteno de materiais
em que os aumentos de solubilidade, e a melhoria da absoro de luz, e a facilidade do
uso de tcnicas de fabrico (spin coating, R-T-R, etc).
05/07/2017 Por : Lus Timteo 152

3 Gerao- Clulas Orgnicas: (OPV Organic Photovoltaic)- Materiais usados
Aceitadores de Electres. A Camada activa tem uma mistura de material dador de
electres (P3HT) com um material que aceita esses electres, a fim de abrir caminho para a
gerao de corrente. Como vimos anteriormente o P3HT serve para absorver a quantidade
mxima de radiao do sol, nesta fase os electres esto excitados; no entanto, a
converso de radiao solar em energia elctrica necessita de um passo adicional, a
transferncia de electres, para a qual necessrio fazer uso de um material aceitador de
electres que evita perdas em processos radiactivos, nomeadamente para evitar a
recombinao do excito.
Actualmente o PCBM, um derivado de fulereno tem uma alta condutividade elctrica e os
nveis de HOMO e LUMO de energia em conformidade com a P3HT; alm disso, este
derivado mais solvel do que o fulereno, o que permite obter uma maior uniformidade na
mistura, que tambm uma propriedades de transporte elctrico, e que adequadamente
misturado com o material aceitador.
Poly(3-hexylthiophene) [6,6]-phenylC61-butyric acid methyl ester

05/07/2017 Por : Lus Timteo 153

A distncia entre P3HT e PCBM crucial para alcanar a corrente.
usado um compsito de P3HT e PCBM para criar uma heterojuno Bulk.
Os dois componentes segregantes de fase, permitem vias de transporte entre os elctrodos
Heterojuno Planar
Heterojuno Bulk
Heterojuno Bulk Invertida
Dador (Polmero)
Aceitador (PCBM)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 154

Clulas Heterojuno Bulk de Polmero-Fulereno
PEDOT:PSS
Polmero dador (P3HT) absorve luz,

gerando um excito (um par
electro/lacuna). Ca/Al
~200 nm espessura
O Excito tem que se difundir para o
interface Dador/Aceitador (PCBM), para
se separar.
Os Electres vo para o elctrodo
traseiro.
As lacunas vo para o elctrodo frontal.
Os fulerenos so uma forma alotrpica do PEDOT
Carbono, a terceira mais estvel aps o
diamante e o grafite. xido Condutor Transparente (ITO?)
PEDOT (poli(3,4-etilenodioxitiofeno)) o um polmero condutor de poli(estireno sulfonato) .

05/07/2017 Por : Lus Timteo 155

Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk
record = 4,8%
PCBM
FMF, ISE = 3,7%
Alumnio (Ctodo)
P3HT
Absorber
nodo - Polmero
Aceitador
ITO
Substrato
Dador
05/07/2017 Por : Lus Timteo 156


Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk- Funcionamento
nodo Ctodo

4,7 eV Dador Aceitador
5 eV
nodo
Polmero/PCBM
Polmero
PCBM
Lacuna
Electro
Excito
Radiao incidente
Difuso do Excito
Dissociao do Excito
Migrao de cargas
Ctodo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 157

Incidncia da luz
A luz solar atravessa o substrato transparente
usado para a construo da clula por exemplo,
um plstico PET (polmero).
Separao de Cargas
As cargas positivas so recolhidas no elctrodo
transparente, feito de xido de ndio e estanho (ITO).
Carga
Negativa
125 m
Carga
Positiva
Transferncia de Cargas Corrente Elctrica

Os fotes so absorvidos pelo material semicondutor.
Ao interagir com ele, ocorre a gerao de um parAs cargas negativas so encaminhadas para o elctrodo metlico,
electro/lacuna, libertando uma carga negativa e outra de alumnio. A circulao de cargas o que gera a corrente
positiva no material. elctrica na clula.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 158

Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk- Composio
Contacto Elctrico
Camada de Contacto
Alumnio
Compsito de Materiais PEDOT-PSS
orgnicos ITO
Pelcula de Plstico
Camada de Contacto
Material Flexvel de Suporte
Dador
Polmero conjugado Aceitador

TT
Nanopartculas Fulereno C60

semicondutoras
05/07/2017 Por : Lus Timteo 159


Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk- Funcionamento
05/07/2017 Por : Lus Timteo 160


Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk- Processamento
ITO
.4 mm
.7 mm
.2 mm 2.5 mm
05/07/2017 Por : Lus Timteo 161


PEDOT ~100nm
Contacto de Al ~600
05/07/2017 Por : Lus Timteo 162


Camada Activa
05/07/2017 Por : Lus Timteo 163


LiF ~ 20
Contactos de Al
05/07/2017 Por : Lus Timteo 164


= fulereno receptor de electres.
= Polmero dador de electres
Foto
Elctrodo superior Reflector
Camada activa orgnica - dador-aceitador
Substrato transparente Vidro/Plstico
xido condutor transparente
05/07/2017 Por : Lus Timteo 165


Clula Solar Orgnica: Heterojuno Bulk- Produto Final
05/07/2017 Por : Lus Timteo 166


Constituio de uma Clula Real Uma clula solar fotovoltaica orgnica (OPV), uma
Barrier
clula de pelcula fina base de polmero. As clulas
solares OPV, tem sido o foco de muita pesquisa, pois
adhesive so leves, flexveis, de baixo custo, altamente
Carbon sintonizveis e potencialmente descartveis.
Ag
HC PEDOT:PSS
HTC PEDOT:PSS
PFN
MH306 : PCBM
ZnO
HTL PEDOT:PSS
PFN
MH301 : PCBM
ZnO
HC PEDOT:PSS
Ag
Substrate/Barrier
So Tambm inigualveis no nmeros de vezes que

reproduzem a energia gasta para a sua produo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 167
Clulas Solares sensibilizadas por
corantes

3 Gerao- Clulas Solares Sensibilizadas por corantes
Clula solar de Grtzel
Em 1991, um grupo de pesquisa coordenado pelo professor Michael Grtzel, da Universidade de
Lousane, na Sua, desenvolveu uma clula fotoelectroqumica a partir de TiO2 monocristalino
(anatase), de rea superficial bastante alta.
- Uma pelcula transparente de 10m de espessura de nanopartculas de TiO2 ;
- Esse filme transparente foi depositado sobre um substrato de vidro condutor;
- O substrato de vidro condutor com a pelcula transparente de TiO2 nanoestruturado foi sinterizado;
Depois do processo de sinterizao, o substrato de vidro condutor com o TiO2, foi recoberto
com uma camada do corante de Rutnio, RuL2(-(CN)Ru(CN)L2)2 (L = 2,2bipiridina-4,4-cido
dicarboxlico; L= 2,2-bipiridina);
Utilizou como contra-elctrodo uma pelcula de platina;
Como electrlito, utilizou-se uma mistura de carbonato de etileno com acetonitrila, contendo 0,5
M de iodeto de tetrabutil amnio e 0,04M de iodo.
O dispositivo mostrou eficincia de converso de luz solar em electricidade de 7,9%, utilizando
um simulador solar, e 12% em luz difusa, fotocorrente na ordem de 12mA/cm2 e estabilidade
de 5 milhes de ciclos sem decomposio.
Mas as clulas solares orgnicas tm um problema: os corantes usados so essencialmente lquidos,
e lquidos muito corrosivos, que eventualmente vazam e destroem a clula solar.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 169

3 Gerao- Clulas Solares Sensibilizadas por corantes: (DSSC Dye Sensitized Solar Cell
gua + Luz = Energia Qumica
A fotossntese
Os cloroplastos capturam
Dye Sensitized Solar Cell a energia solar.
A ideia das Clulas Solares gua entra na folha.

Sensibilizadas por corantes,
tambm conhecidas por clulas Luz solar
solares electroqumicas, ou
clulas de Grtzel, deriva da
funo fotossntese, executada
pelas folhas das plantes em que
h um converso da energia
solar em energia qumica.
A folha liberta acar.
CO2 entra na
folha atravs dos
estmatos.
Energia Qumica + Dixido de Carbono = Acar
05/07/2017 Por : Lus Timteo 170

O que acontece na fotossntese? A fotossntese nada mais do que a transformao de
energia solar em energia qumica. A energia solar utilizada para fomentar a
transformao de dixido de carbono (CO2) e a gua (H2O) em oxignio (O2) e glucose
(acar).
Na clula fotovoltaica, pretende-se a transformao da energia solar directamente em
energia elctrica. A clula fotovoltaica de Grtzel constituda principalmente por
molculas de um corante (dye), um semicondutor nanocristalino de estrutura
nanoporosa (TiO2, dixido de titnio), um electrlito (soluo de Iodo (I-/I3-), ), dois
elctrodos de vidro com uma camada condutora e transparente (SnO2) e um catalisador
(grafite ou platina.
O corante (dye) recebe do electrlito um electro, (reaco III, abaixo). As molculas do
electrlito (soluo de iodo) so reduzidas no elctrodo positivo (recebem um electro
atravs do elctrodo). Para facilitar a reduo das molculas na superfcie do elctrodo
depositado uma camada fina de grafite. Para haver um fluxo da corrente elctrica
necessrio ligar os dois elctrodos a uma resistncia de carga.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 171

As clulas solares sensibilizadas por corante (DSSC - sigla do ingls dye sensitized solar cell) so
pertencentes ao grupo de clulas solares hbridas, pois so formadas por materiais orgnicos e
inorgnicos.
O seu sistema de funcionamento formado por um nodo foto-sensibilizado, baseado num material
semicondutor, um electrlito e um ctodo foto-electroqumico. Este tipo de clula solar foi
primeiramente proposto por Michael Grtzel e Brian ORegan na cole Polytechnique Fderale de
Lausanne em 1991, e por isso so tambm conhecidas como clulas solares de Grtzel.
Estes dispositivos so atractivos devido ao fato de combinarem a

vantagem dos materiais orgnicos e inorgnicos, ou seja, so
mecanicamente resistentes, fabricados com material de baixo custo
e possuem grande facilidade de processamento se comparados s
clulas solares de silcio que so comercializadas actualmente.
Podem ainda ter a sua aplicao ampliada pois so mais leves e
podem ser produzidas sob substratos flexveis que e ainda podem
ser coloridas de acordo com o corante utilizado.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 172


A DSSC original desenvolvida por Grtzel consiste
em trs partes principais: o nodo, a pelcula fina
de TiO2 e o ctodo. Sobre o nodo, constitudo por
um substrato de vidro recoberto com uma pelcula
de um xido semicondutor transparente (como o
FTO xido de ndio dopado com flor)
depositado dixido de titnio (TiO2), que deve ser
constitudo de nanopartculas a fim de ter uma
grande porosidade e alta rea superficial.
Este nodo (elctrodo) ento imerso numa soluo saturada de corante (geralmente um complexo de
Ru) at que as molculas do corante fiquem covalentemente ligadas na superfcie do TiO2.
O outro elctrodo, o ctodo, constitudo pelo mesmo substrato de vidro recoberto com FTO recoberto
com uma camada de Pt que tem o papel de catalisador na clula. Os elctrodos devem ser unidos
(sanduichados), e entre eles depositado um electrlito, que geralmente constitudo por uma soluo
de iodo. A clula deve ser selada para que no haja vazamentos e o electrlito no seja drenado.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 173


05/07/2017 Por : Lus Timteo 174


SnO2 Electrlito Pelcula de Pt
(I1-I3)
Vidro/plstico
Corrente
Carga
Corante
Nanopartculas Vidro/Plstico
a) Structural formula, and b) molecular structure of a red ruthenium dye.
TiO2
Quando o corante absorve luz, bombeia electres para o dixido de titnio. No entanto, a nossa "folha artificial"
precisa de algum 'seiva' para evitar que as molculas de corante se branqueiem depois de terem perdido os seus
electres. A 'seiva' fornecido por um lquido que contm molculas para transportar os electres de volta para o
corante, depois de terem concludo a sua viagem atravs do circuito externo. Estas clulas ainda no so to
eficientes como as suas irms de silcio, mas que so mais baratas de produzir e podem ser feitas em plstico flexvel,
bem em vidro.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 175

Estrutura da Clula solar de Grtzel
05/07/2017 Por : Lus Timteo 176


Professor M. Grztel
Em 2010 Grztel foi laureado com o prmio Millennium Technology Prize

05/07/2017 Por : Lus Timteo 177

TiO2 e Corantes
Materiais como o TiO2, so conhecidos como semicondutores com alta separao de bandas
(banda de valncia (BV) e banda de conduo (BC)). Em geral, a separao energtica entre o
nvel Electrnico ocupado (BV- estado fundamental) e o nvel vazio (BC estado excitado)
bem grande, da ordem de 3,0 eV, correspondendo regio prxima ao ultravioleta.
No entanto, para efeitos de produo ou converso de energia, o uso directo do TiO2 no

justificvel, visto que a maior parte da radiao visvel no aproveitada. Para ampliar a faixa
de comprimento de onda, possvel usar corantes adequados, capazes de absorver a luz
visvel e, no estado excitado, transferir electres para o nvel vazio, banda de conduo do
semicondutor TiO2, compatvel com o nvel LUMO dos complexos de Rutnio com ligantes
bipiridnicos.
No txico, abundante, e permite a produo de pelculas finas com relativa facilidade. A sua
funo consiste em servir de suporte s molculas de corante, bem como meio de transporte
para electres (bom transportador de carga devido sua elevada constante dieltrica (= 80));
O TiO2 deve ser muito poroso para melhorar o contacto com o electrlito e ter o pigmento
nanoparticulado.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 178

TiO2 e Corantes
Entre os semicondutores, o TiO2 face s suas propriedades de tenacidade, leveza, resistncia
corroso, opacidade, inrcia qumica, possui elevado ponto de fuso, brancura, alto ndice de
refraco, alta capacidade de disperso, foto estabilidade e estabilidade qumica numa ampla faixa de
pH2, 5 a pH8, O; As pelculas de xido de titnio so duras, resistentes ao ataque qumico de cidos e
bases fortes. So transparentes nas regies do visvel e do infravermelho prximo, dos espectro
electromagntico.
Formas alotrpicas do Ti02
Estrutura tetragonal Estrutura Ortorrmbica
Estrutura tetragonal
Rutilo
Brookita Anotase
05/07/2017 Por : Lus Timteo 179

Corantes
O corante representa o elemento chave da clula. Ele deve ser capaz de:
- Absorver luz numa ampla faixa espectral;
-Injectar electres na banda de conduo do semicondutor a partir do seu estado excitado;
-Mostrar excelente estabilidade, que permita a realizao de vrios ciclos de oxi-reduo,
gerando o maior tempo de vida operacional possvel.
No caso especfico de DSSC, o TiO2 um semicondutor nanoporoso adsorvido facilmente por

corante. Essa superfcie semicondutora possui o nvel de energia de Fermi prximo da Banda de
Valncia (BV), caracterizando um semicondutor tipo-n, mantendo contacto com um electrlito
com potencial redox-positivo.
Os Electres fluem do semicondutor para a soluo de forma anloga ao que ocorre numa juno
p-n ao formar a camada de deplexo. Aps o equilbrio inicial, a camada de deplexo passa a ser
designada, de interface semicondutor/electrlito, como sendo as camadas de deplexo de
Helmholtz e/ou de Gouy Chapman.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 180


Corantes
Trs Molculas de corantes
Red: Fe
Yellow: C
Grey: N
catechol Fe(CN)64- Cyanidin

05/07/2017 Por : Lus Timteo 181

Electrlito
Electrlito uma substncia que, quando dissolvida num dado solvente, produz uma soluo
com uma condutividade elctrica maior que a condutividade do solvente empregado.
O electrlito tem ampla aplicao nos processos do elctrodo e, a princpio, deve possuir propriedades,
tais como:
Elevada solubilidade, e elevado grau de ionizao, estabilidade qumica e electroqumica.
Com relao s suas aplicaes, verifica-se que so bastante amplas:
- Mantm os coeficientes de actividade praticamente constantes;
- O nmero de transporte da espcie eletroactiva praticamente igual a zero;
- Diminui a espessura da dupla camada elctrica;
- Mantm a viscosidade;
-O coeficiente de difuso e o nmero mdio de ligantes constantes, alm de incrementar a
condutividade em meios de solventes polares, tanto orgnicos quanto inorgnicos.
Triiodeto de (I3-) uma das espcies inicas castanhas, que se formam quando o iodo elementar (I2)
dissolvido em gua contendo iodeto (I-). I I I
2 3
05/07/2017 Por : Lus Timteo 182


Interface TiO2- Electrlito
Quando um semicondutor colocado em contacto com o electrlito, uma situao de equilbrio

eletrosttico estabelecida no sistema. Ocorre o nivelamento das energias de Fermi do
semicondutor com o par redox, e dessa forma, tambm estabelecido um equilbrio no
potencial qumico, ou seja, o resultado final para o nvel de Fermi do semicondutor tal que EF= E0
(potencial qumico do par redox).
O sentido do fluxo de cargas depende do tipo de semicondutor utilizado, logo. Depende da

posio relativa de EF em relao a E0. Trata-se de um modelo parecido com junes p-n. Nas
clulas fotoelectroqumicas, pelo menos um tipo de portadores de carga colectado por
espcies redox (Ox/Red) do electrlito.
Nas clulas fotoelectroqumicas de TiO2 os contactos metlicos ocorrem no plo negativo (TiO2-
SnO2:F pode-se adicionar prata como contacto metlico no vidro condutor transparente de
SnO2:F) e no contra-electrodo (Pt). Essas junes no participam activamente no processo
fotovoltaico, sendo que o contra-electrodo funciona como catalisador que devolve eficientemente
os electres ao electrlito no final do ciclo. Estes contactos so caracterizados como hmicos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 183


Funcionamento
Cargas livres
Excito
Interface
Separao de cargas por meio de Separao de cargas por meio de
campo elctrico entre os materiais competio cintica como na
semicondutores dopado de p e n fotossntese.
( Si II-VI, a-Si:H).
A Formao de pares electro-lacuna. A incidncia de luz com energia maior que a
BG, provoca acelerao e separao de cargas onde o campo diferente de zero,
produzindo uma corrente atravs da juno. Surge, ento, uma diferena de
potencial, que o efeito fotovoltaico.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 184

Diagrama de energias
05/07/2017 Por : Lus Timteo 185


Funcionamento
O corante o material fotoactivo da DSSC, e pode produzir energia elctrica, logo que seja
sensibilizado pela luz.
O corante capta os fotes da luz de entrada (luz solar,
artificial ou ambiente) e usa a sua energia para excitar
os electres, comportando-se como a clorofila na
fotossntese.
O corante injecta esses electres animados no Elctrodo Transparente
Dixido de Titnio (um pigmento branco
normalmente encontrado na tinta branca).
Os electres so conduzidos pelo dixido de
Titnio nanocristalino (a forma cristalizada em
nano-escala do dixido de Titnio) para o
elctrodo transparente.
Depois do circuito externo ser fechado dando
origem corrente elctrica para o contra
elctrodo, um electrlito qumico devolve o
electres regenerando o corante.
Contra -Elctrodo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 186


Funcionamento
1. Os electres do corante ficam excitados pela Red=I-

absoro da energia solar. Ox =I3-
dye + luz (energia solar)dye*
2. So injectados na Banda de conduo do
TiO2. Ionic Liquid- [bmim]+ I
dye* + TiO2e- (TiO2) + dye oxidado.
3. Chegam ao contra-elctrodo (Ctodo) atravs
do circuito externo.
4. Regenerao Redox no contra-elctrodo
(oxidao) I 3- 2e 3I -
dye oxidado + 3/2| dye (neutro) + 3/2|3 :
5. Reaco de regenerao do corante
(reduo). 3I - I 3- 2e
3/ 3 + e-(elctrodo) 3/2|.
2|
Vext EF Vredox
6. Potencial usado no circuito externo:
05/07/2017 Por : Lus Timteo 187

Funcionamento
Para o bom funcionamento de uma DSSC a luz solar deve passar atravs do substrato de vidro, da
pelcula FTO e atingir o corante adsorvido na superfcie da molcula de TiO2. O TiO2 absorve apenas
uma pequena fraco de fotes provenientes da luz solar. Os fotes que atingirem o corante e tiverem
energia suficiente para serem absorvidos, criam um estado excitado no corante, de onde um electro
pode ser ejectado e ir directamente para a banda de conduo do TiO2. O electro ento se difunde
atravs do TiO2 at o ctodo. Devido perda do electro, a molcula de corante decompe-se, mas em
seguida regenerada por um electro proveniente do electrlito de iodo, que oxidado ao io
triiodeto (I3-). Esta reaco ocorre muito rpido se comparado ao tempo que leva para o electro que
foi ejectado voltar molcula que foi oxidada. Esta diferena no tempo de reaco evita a
recombinao, que poderia provocar um curto-circuito na Clula. Por sua vez, o io triiodeto recupera
seu electro perdido atravs de difuso at ao ctodo, onde o contra elctrodo (Pt) reintroduz o
electro aps este fluir atravs do circuito externo.
Teoricamente, um bom corante dever absorver o mximo possvel em todo espectro solar, ligar-se
fortemente superfcie semicondutora, ter um potencial redox adequado e ser estvel por vrios anos
de exposio solar. Dentre os tipos de corantes utilizados recentemente na produo de DSSC podem-
se destacar os complexos de metais de transio. Tambm podem ser utilizados corantes naturais,
extrados de folhas e frutos que possuem principalmente antocianinas, como a jabuticaba, mirtilo,
amora, entre outros.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 188

Funcionamento
TCO TiO2 Corante Electrlito Ctodo

nodo
-1.0
1. Absoro da luz.
2 e- S*
-0.5 3
2. Injeco no semicondutor
Energia do Electro
(eV vs. NHE)
3. Percolao.
0 1
h h+ 4. Regenerao do corante
Red h+ Ox oxidado.
0.5
5 5. Regenerao de espcies
eh-+ 4 oxidadas.
1.0
S/S+
Semicondutor de Carga Externa
-
Gap elevado e h+
Operao que consiste na passagem de um lquido por uma substncia (com poros) para fazer com que seja retirado o
que se pode dissolver;
05/07/2017 Por : Lus Timteo 189

Eficincia
Muitas medidas so utilizadas na caracterizao das DSSC, porm a mais importante a medida da
energia elctrica produzida por quantidade de energia solar incidida na clula. Esta medida
expressa em percentagem e conhecida como eficincia de converso solar.
A potncia o produto da tenso e corrente, ento os valores mximos dessa medida importante,
assim como a Isc (densidade de corrente de curto circuito) e Voc (tenso de circuito aberto). Ainda, a
eficincia quntica pode ser usada para comparar a probabilidade que um foto (com uma certa
energia) ir promover um electro.
Devido ao fato das nanopartculas de TiO2 estarem recobertas com o corante, logo, uma grande rea
superficial, existe uma grande probabilidade de que o foto incidente promova um electro, assim em
termos de eficincia quntica, as DSSC so muito eficientes.
Teoricamente, a tenso mxima gerada por cada clula a diferena entre o (quasi-)Fermi level do
TiO2 e o potencial redox do electrlito, em torno de 0,7 V sob iluminao (Voc). Isto , uma DSSC
iluminada conectada a um voltmetro em circuito aberto deve ser lida a tenso de 0,7 V. Embora o
corante seja altamente eficaz na converso dos fotes absorvidos em electres livres no TiO2, apenas
os fotes absorvidos pelo corante iro produzir corrente.
A taxa de absoro de fotes depende do espectro de absoro da camada de TiO2 sensibilizadas pelo
corante, sobre o espectro de fluxo solar. A sobreposio dos dois espectros determina a possibilidade
mxima de fotocorrente.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 190

Eficincia
Os corantes tipicamente utilizados tm baixa absoro na parte vermelha do espectro se comparados
ao silcio, o que significa que um menor nmero de fotes so utilizados para a gerao de corrente.
Estes factores limitam a corrente gerada por uma DSSC, para comparao, uma clula de silcio solar
tradicional proporciona cerca de 35 mA/cm2, e as DSSCs atuais geram cerca de 20 mA/cm2.
Degradao
As DSSCs degradam-se quando expostas radiao ultravioleta. Por isso o elctrodo pode ser
constitudo de estabilizadores de UV e/ou UV cromforos luminescentes (que absorvem a radiao
solar e emitem em comprimentos de onda mais longos) e antioxidantes, que protegem e aumentam a
vida til da clula.
Desvantagens
A principal desvantagem nas DSSCs , o uso do electrlito lquido, que apresenta problemas em
relao estabilidade e temperatura. A baixas temperaturas, o electrlito pode congelar,
interrompendo o processo da clula. A altas temperaturas o lquido pode expandir-se, e vazar do
dispositivo se este no estiver com uma vedao perfeita. Ainda, o electrlito possui compostos
orgnicos volteis (solventes), que devem ser cuidadosamente vedados, pois podem ser prejudiciais
sade humana e ao ambiente. Estas desvantagens, junto ao facto dos solventes permearem
substratos polimricos, tm impedido sua aplicao em larga escala ao ar livre, assim como sua
integrao em estruturas flexveis
05/07/2017 Por : Lus Timteo 191

Electrlito no estado slido
As Clulas solares sensibilizadas por corante (DSSCs) tm muitas vantagens sobre as suas homlogas
base de silcio. Oferecem transparncia, baixo custo e eficincia de converso de alta potncia em
condies de luz fraca e artificiais.
Actualmente, o recorde de eficincia alcanada em clulas de nanopartculas de TiO2 usando
electrlito lquido de 11%, sob radiao AM 1,5 (luz directa).
No entanto, at agora a sua eficcia global tem sido menor do que as clulas solares base de silcio,
principalmente por causa da perda de tenso inerente regenerao do corante sensibilizante , alm
do facto dos corantes usados serem essencialmente lquidos, e lquidos muito corrosivos, que
eventualmente vazam e destroem a clula solar...
Numa publicao Nature, os cientistas da EPFL desenvolveram uma verso do estado slido da DSSC
que fabricada por um novo processo de duas etapas, aumentando a sua eficincia at ao record de
15% , sem sacrificar a estabilidade
A nova forma de realizao da DSSC no estado slido, utiliza um material de perovskita como um
colector de luz e um material de transporte orgnico de lacunas para substituir electrlito da clula.
Fabricao tpica desta nova DSSC envolve a deposio do material de perovskita directamente sobre
uma pelcula de xido metlico. O problema que a adio de todo o material em conjunto, muitas
vezes provoca grande variao na morfologia e na eficincia da clula solar resultante, o que torna
difcil utiliz-las em aplicaes mais prticas.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 192

Em 2006, pesquisadores do Japo usaram uma mistura de materiais orgnicos e inorgnicos para
criar a primeira clula solar de perovskita do mundo, com uma eficincia de 2,2%. Estas clulas
solares iniciais utilizavam materiais lquidos e eram muito semelhantes na estrutura s clulas
sensibilizadas por corantes DSSCs - uma tecnologia de PV, que at agora, no tinha conseguido o nvel
comercialmente, mas que tem sido bem estudada ao longo dos anos.
Para tornar o material de perovskita numa clula solar, o material simplesmente depositadas no
topo de uma camada de xido de estanho, que assenta sobre um substrato de vidro. Um material
adicional (chamado meio de transporte lacunas ou buracos) adicionado no topo da perovskita
antes da adio de um contacto metlico (geralmente de ouro ou de prata). Esta estrutura resulta
simplesmente semelhante estrutura celular das anteriores DSSCs
Luz
Vidro
FTO- Fluorine-doped Tin Oxide
Perovskita
TiO2 compacto
Perovskita
HTM- hole transport medium
Au
Au/Ag
[Structure of a Perovskite solar cell] Image Credit: Martin Green et al / Nature Photonics
05/07/2017 Por : Lus Timteo 193


Os Corantes no absorvem toda a luz incidente, reduzindo a eficincia DSSC.
Em 2009, Miyasaka (Toin U. de Yokohama, Japo) usou a perovskita como possvel substituto do
corante e alcanou 3,8% de eficincia.
Problema: O electrlito lquido dissolvia a perovskita em minutos.
Ouro
0.15 M LiI e 0.075 M em metoxiacetonitrilo
Perovskita Hibrida Electrlito lquido
TiO2
TiO2
FTO
Vidro
05/07/2017 Por : Lus Timteo 194


Electrlito no estado slido: Substituindo o electrlito lquido por uma camada slida de
transporte de lacunas (HTL- Hole Transporting Layer).
2012, Nam-Gyu Park (Sungkyunkwan U., Coreia do Sul) em equipa com M. Grtzel, obtm
uma eficincia superior a 9%...
Ouro
Perovskita Hibrida Hole Transporting Layer
TiO2
TiO2
FTO HTL layer: spiro-OMeTAD
Vidro
05/07/2017 Por : Lus Timteo 195


3 Gerao- Clulas Solares de Perovskitas (PSCs)
Perovskita (xido de Clcio e Titnio, CaTiO3),
A equipa de Michael Grtzel na EPFL, resolveu o problema com uma
abordagem em duas fases: em primeiro lugar, uma parte da de
perovskita depositada nos poros sobre o xido-metal. Em segundo
lugar, a parte depositada exposta a uma soluo que contm o
outro componente da de perovskita.
Quando as duas partes entram em contacto, elas reagem
instantaneamente convertendo o pigmento completamente sensvel
luz, permitindo um controlo muito melhor sobre a morfologia da
clula solar.
Professor M. Grztel e a sua nova clula
O novo mtodo eleva o poder de converso e eficincia das DSSCs at um recorde de 15%, superando
os ganhos de eficincia de converso de energia das clulas solares convencionais, base de silcio
amorfo. Os autores acreditam que ele vai abrir uma nova era de desenvolvimento das DSSCs, com
estabilidade e eficincia que igualam, ou at mesmo superam melhores dispositivos fotovoltaicos de
pelcula fina de hoje.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 196


3 Gerao- Situao
Recentemente, pesquisadores conseguiram construir uma clula de Gratzel inteiramente de estado
slido, eliminando de vez o problema dos vazamentos e da durabilidade das clulas. A nova soluo
vem pelas mos da equipa de Robert Chang e Mercouri Kanatzidis, da Universidade Northwestern, nos
Estados Unidos.
O electrlito lquido das clulas originais de Gratzel foi substitudo por um composto de csio, estanho
e iodo (CsSnI3).
Ao contrrio do conceito original, a nova clula solar orgnica de estado slido usa semicondutores
tanto do tipo p (positivo) quanto do tipo n (negativo), conectados por uma camada de molculas de
corante.
Nanopartculas de dixido de titnio, quase esfricas, fazem o papel de semicondutor do tipo n. O
novo material (CsSnI3) faz o papel de um semicondutor solvel do tipo p depois de aplicado, o
solvente evapora e a clula solar fica inteiramente slida.
O prottipo apresentou uma eficincia excepcional para as clulas solares orgnicas: 10,2%. A grande
eficincia foi alcanada por que o prprio material slido agora desenvolvido um absorvedor de luz,
um papel que no desempenhado pelo electrlito lquido original. Essa dupla personalidade do
semicondutor faz com que a nova clula solar no possa ser rigorosamente descrita como sendo uma
clula de Gratzel uma variante desta.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 197


3 Gerao- Situao
Elas no so ainda to eficientes quanto a clula solar mais eficiente do mundo, mas tm outras
vantagens. O novo dispositivo pertence a uma categoria emergente de clulas solares cristalinas feitas
com uma classe de semicondutores chamados perovskitas. A sua grande vantagem que, a exemplo
das clulas solares orgnicas - tipo DSC -, as clulas solares de perovskita so construdas sobre
substratos plsticos, o que lhes d flexibilidade e um bom nvel de transparncia - com a grande
vantagem de que so totalmente de estado slido.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 198


Electrlito no estado slido: Perovskita
As Perovskitas tomaram o mundo da pesquisa das clulas fotovoltaicas, numa tempestade nos
ltimos anos, graas a um crescimento sem precedentes em termos de eficincia no material. A
eficincia de clulas solares de perovskita passaram de uns insignificantes 2,2% para uns
impressionantes 19,3% de significado comercial, em menos de 7 anos - uma taxa de desenvolvimento
simplesmente inigualvel por outras tecnologias de clulas fotovoltaicas.
O que so perovskitas?
Embora o material em si, seja bastante banal, o arranjo dos tomos dentro de seu cristal que est
criando todo este frenesim. O mineral de perovskita consiste de um cristal em que trs tomos (de
clcio, de titnio e de oxignio) so dispostos numa ordem especfica, que se repete. Hoje, as
perovskitas referem-se a qualquer material que possui essa estrutura cristalina especial (mostrado a
seguir).
Os cientistas descobriram que, ao escolher os materiais certos para os

componentes A, B e X na figura ao lado, possvel criar um material
estvel com uma habilidade incrvel para converter luz em electricidade.
(XIIA2+VIB4+X23) CaTiO3
05/07/2017 Por : Lus Timteo 199


Electrlito no estado slido: Materiais de Perovskita
Perovskita
Sistema cristalino
(AMX3)
xido inorgnico de Halogneos de

Perovskita Perovskita
(AMO3) (AMX3) X=F,CL,Br,I
Halognios Organo-
Perovskita intrnseca Perovskita Dopada Halognios alcalinos metlicos de
(AMO3para sistemas de Perovskita Perovskita
mais complicados) (AxB1-X MyN1-y OzP3-Z) (Estrutura 3D por
camadas)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 200


As Perovskitas tm uma ampla gama de aplicaes em tecnologias, especialmente nos
inicos de estado slido. As Perovskitas so actualmente utilizadas em sensores,
dispositivos de memria (RAM), amplificadores, clulas de combustvel, dispositivos
supercondutores e electrptica.
As Perovskitas esto abrindo um campo totalmente novo de aplicaes, que esto
mudando o nosso mundo actual.
Estrutura Cbica
A estrutura de perovskita qualquer material com uma
estrutura de cristalogrfica como o xido Clcio Titnio
(CaTiO3). A forma geral para os compostos de perovskita
ABX3. Onde A e B so dois caties de tamanhos
muito diferentes, e X um anio que se liga a ambos. A
estrutura ideal da perovskita descrita como cbica. Os
tomos A formam os cantos das clulas cubicas. Os
tomos B esto no centro, e os tomos de oxignio Estrutura de perovskitas com a
esto situados no centro das faces , como mostra a figura. frmula qumica ABX3.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 201


A Perovskita (xido de clcio e titnio, CaTiO3), um mineral relativamente raro ocorrendo na forma
de cristais ortorrmbicos (pseudocbicos).
A perovskita encontra-se nas rochas metamrficas e associada a intruses mficas, a sienitos
nefelnicos e raramente a carbonatitos. A perovskita foi descoberta nos montes Urais na Rssia, por
Gustav Rose em 1839, e foi nomeada em homenagem ao mineralogista russo Lev A. Perovski (1792-
1856).
Estrutura da Perovskita.
As esferas vermelhas so de tomos de oxignio,

a azul-escuro caties menores de metal, e a
verde/azul so caties maiores de metal.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 202


Halognios Organo-metlicos de perovskitas
Perovskita
CH3NH3+ Pb2+ I- I-,cl-
ABX3 (CaTiO3) CH3NH3PbI3 CH3NH3PbI3-xClx

Processamento solvel. Alta absoro.
A Baixa temperatura. Baixo nvel de energia de excitao.
Elemento abundante. Excelente mobilidade de cargas.
J. Phys.Chem.Lett., 2013, 4(15), pp 2423-2429
05/07/2017 Por : Lus Timteo 203


O que faz as perovskitas to fascinantes?
As Perovskitas tm uma srie de caractersticas nicas que as tornam um ptimo material
para clulas solares. As perovskitas absorvem mais luz do que os materiais convencionais,
tais como clulas solares de silcio e, assim, tm um limite superior terico de corrente que
pode ser extrado a partir do material.
E contrariamente ao que o silcio, o espectro de luz absorvida pelas perovskitas realmente

aumenta com a temperatura - ideal para uso ao ar livre. Alm disso, uma vez que a luz
absorvida gera electres dentro da Perovskita, menos desses electres so perdidos
devido aos mecanismos de recombinao excepcionalmente baixos, no interior do
material. Isto tem um impacto no aumento tanto da corrente como na tenso extraveis a
partir do dispositivo - importante para atingir alta eficincia.
As clulas solares de Perovskitas esto apenas a alguns anos da comercializao. A Oxford

PV, espera refinar e adaptar a tcnica de deposio de baixo custo para criar mdulos de
perovskita comerciais at 2016 com eficincias prximas dos 20%...
05/07/2017 Por : Lus Timteo 204

Electrlito no estado slido: Camada nica de Al2O3 granulado
Ouro 2012, Henry Snaith (Oxford U.): O TiO2 granulado
Perovskita Hibrida Hole Transporting Layer essencial para a alta eficincia?
TiO2
Al2O3 Usando granulado de Al2O3 isolante, esperava ver uma
diminuio da eficincia. Surpreendentemente, o
TiO2 dispositivo com Al2O3 tem uma eficincia mais elevada
FTO do que com TiO2 (11% versus 7,6%).
Vidro
Deposio a Vcuo
Se o granulado de Al2O3 faz isso, e se a 2013 15 %
gente se livrasse dele tambm? No precisa de interfaces artificiais

para eficiente a separao de cargas.
Pelcula de camada nica (thin film device )
Estes dois resultados so notveis,
Ouro
Camada de transporte de Lacunas CH3NH3I PbI2 em que provam que as perovskitas
funcionam como semicondutores
Perovskita Hibrida convencionais (Si, GaAs, etc).
+Soluo
TiO2 de Soluo Science. 2012, 338, 643.
FTO Perovkita 2013 11 % Nature. 2013, 501, 395.
Vidro Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 151
05/07/2017 Por : Lus Timteo 205


Electrlito no estado slido: Camada nica de Al2O3 granulado
CH3NH3I PbI2
spin coat
TiO2 (CH3NH3)PbI3
fluorine-doped O E
tin oxide substrate O
Ti O Perovskite (eV)
O LUMO
Precursor
CB
Solution -3.9
(CH3NH3)PbI3 -4.0
then anneal
hv
-5.1
-5.2
spin coat spin coat -5.4 HOMO
spiro-OMeTAD perovskite HOMO

then
anneal
spiro-OMeTAD Au
leave in air to
dope via oxidation
Image Credit: M.B. JohnstonPerovskite Solar Cells 2014, Wenchun Feng
05/07/2017 Por : Lus Timteo 206


Sequential Deposition
2013, Grtzel sticks with the TiO2 structure and tinkered with the deposition steps.
mesoporous TiO2
PbI2
CH3NH3I
perovskite
Nature. 2013, 499, 316 Efficiency: 15%

05/07/2017 Por : Lus Timteo 207

Perovskite solar cells
Sensitized Perovskite Solar Cell
Esquema de uma clula solar sensibilizada por perovskita,
em que a camada activa constituda por uma camada de
TiO2 de porosidade intermdia, que revestida com
perovskita como absorvedor de luz. A camada activa
posta em contacto com um material do tipo n, para a
extraco de electres e um material do tipo p para a
extraco de buracos ou lacunas (h+).
Gerao e extraco de cargas na arquitectura

h+ sensitizada. Aps a absoro de luz no absorvedor de
perovskita, o electro fotogerado injectado no TiO2 de
e- porosidade intermdia, atravs do qual extrado. A
lacuna concomitantemente gerada transferida para o
material do tipo-p.
Contacto tipo-p
05/07/2017 Por : Lus Timteo 208


Como clulas solares terceira gerao, as clulas solares sensitizadas por perovskita (PSCs) tm alta eficincia de
converso de energia,. Os mecanismos fundamentais de gerao de carga e transporte para as PSSCs so semelhantes
aos das clulas solares sensitizadas por corantes. Os materiais de perovskita so carregados no TiO2 mesoporoso para
absorver a luz e gerar electres. Os electres so ento injectados no TiO2 e acumulado por nanofitas de dixido de
estanho dopado com flor, SnO2 (FTO). Aps o trabalho no circuito externo, esses electres so ento recebidos pelo
contra elctrodo e entregues inteiramente por materiais de transporte para regenerar a perovskita.
Mesoporous (DSC) vs Planar (thin film PV)
Ag
Au
HTM Spiro-OMeTAD
TiO2/CH3NH3PbI3 Perovskita
Compact TiO2
FTO
FTO
Glass Glass
Desafios:
Estruturas dos dispositivos.
Histereses.
O problema chumbo (Pb) .
Estabilidade
05/07/2017 Por : Lus Timteo 209

Thin film Perovskite Solar Cell
Esquema de uma clula solar de pelcula fina de

perovskita. Nesta arquitectura, apenas uma camada
lisa de perovskita imprensa entre os contactos
selectivos.
Gerao de cargas e extraco na arquitectura de

pelcula fina (thin-film). Aps a absoro da luz tanto de
h+
gerao de carga, como a sua extraco, ocorrem na
e-
camada de perovskita.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 210


Como parte da busca contnua de novos materiais adequados para transporte de electres nas
intercamadas das PSCs, onde a superfcie das nanopartculas de TiO2 (TiO2NPs) que foram
modificadas e introduzidas entre as camadas activas e elctrodos nesta PSC. A camada intercalar de
nanopartculas de TiO2 (mTiO2NP) de superfcie modificada, melhora a interface metal-orgnico nas
clulas solares BHJ de P3HT: PCBM sem a necessidade de surfactantes (agentes de actividade
superficial), e as suas superfcies pelcula-ar ficam mais suaves, sem rugosidades ou lacunas. Esta
camada intermdia desempenha um papel crucial como uma camada de colheita de electres nas
clulas solares BHJ de P3HT: PCBM e bloqueia as lacunas ou buracos da interface metal-orgnico.
Alm disso, mTiO2NPs tambm Al

desempenha um papel adicional como mTiO2NPs
uma camada de difraco e fornece
uma maneira eficiente de alcanar a P3HT:PCBM
luz nas light trapps das PSCs. A PDOT:PSS
deposio da intercamada de
mTiO2NPs relativamente simples e ITO
conveniente e pode ser processada
atravs de spin-coating.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 211


Perovskite solar cells: The triple-layer perovskite junction
Novo design da clula de perovskita (2014), remove a camada condutora de lacunas,
diminui custos e melhora a estabilidade!...
Num estgio inicial de desenvolvimento, obtiveram-se
at 17% de eficincia, usando materiais abundantes, e s
exigem mtodos de soluo a baixa temperatura para
criar e manter a promessa de grande reduo de custos.
A perovskita central utilizada, at agora, o haleto de
chumbo metilamio (MAPbX3, em que X um halogneo,
frequentemente iodo). A estrutura cristalina parece-se
com isto:
A onde A o metilamio, e M o chumbo, o qual rodeado pelo halogneo (X). Estes tipos de clulas solares s foram
estudado recentemente- que ao comparar s dcadas de pesquisas das clula solar de silcio, e a eficincia e os
custos so certamente para melhorar. Tambm tm uma elevada estabilidade, dando-lhes uma vantagem sobre as
clulas solares orgnicas (pelo menos por agora), grandes coeficientes de absoro (mais luz absorvida para excitar
os electres, o que significa mais energia), e alta mobilidade de transportador (o quo rpido os electres / lacunas
se podem mover atravs do material a ser extrado para fazer o trabalho), todas as principais qualidades para um
bom clula solar. Isso coisa emocionante! E agora h uma nova pesquisa da Cincia mostrando eficincia como o
desempenho mais de 10% pode ser alcanado ao remover a parte mais cara do celular! Veja como ...
05/07/2017 Por : Lus Timteo 212


Perovskite solar cells:The triple-layer perovskite junction
Normalmente, uma clula solar de perovskita ter uma camada condutora de lacunas, que um
material que atrai lacunas ou buracos, mas no electres. Isso ajuda a separao electro-lacuna que
necessria quando a luz que atinge a clula e excita um electro. De seguida, as lacunas difundem-
se para a camada condutora de lacunas, que as move para um contacto de ouro altamente condutor
para extrai-las para fazer o trabalho pelo circuito externo (os electres fazem algo semelhante no
sentido oposto).
Em clulas solares de perovskita, esta camada condutora de

lacunas tipicamente feito de arilamina espiro - OMeTAD! Esta ,
basicamente, um composto orgnico feito dum grupo de carbonos
aromticos ligados a tomos de nitrognio e oxignio. Parecidos
com isto:
Imagine um grupo destas molculas misturadas em conjunto para formar uma camada fina sobre a
clula solar. O ponto chave aqui que, sendo orgnica, esta camada condutora de lacunas, limita a
estabilidade da clula (materiais orgnicos degradam-se muito rapidamente) e tambm a parte
mais cara! Ento, se nos livrarmos dessa camada condutora de lacunas, seria melhorar a
estabilidade e diminuir os custos. E isso exactamente o que Mei et al, fez
05/07/2017 Por : Lus Timteo 213


Esta uma representao esquemtica do novo
design da clula solar de perovskita usada. Em vez
de usar espiro - OmeTAD como uma camada
condutora de lacunas para bloquear os electres,
habilmente foi utilizado um design de trs camadas
que tira proveito das diferenas de deslocamentos
de energia na banda de conduo entre a camada
de TiO2 (titnio) e a camada de ZrO2 (zircnio).
Isto tem um pouco de fsica do estado slido para se entender, mas vamos apenas focar-nos nas
camadas de TiO2 e ZrO2 para mostrar como funciona a clula:
O vermelho na figura indica a perovskita - comea como uma soluo que misturada com o TiO2
mesoporoso e a camada de ZrO2. A Luz recebida excita electres na perovskita, que tem o intervalo de
banda electrnico correcto para absorver de forma ptima a luz, que em seguida, sero rapidamente
transferidos para o TiO2. Neste momento, os electres e buracos podem se movimentar, e ns
queremos t-los a moverem-se em direces opostas para eles no se recombinarem - Nesse ponto,
ns perdemos nossa carga excitada e no pode ganhar qualquer energia. Mei et al descobriu que esta
interface ZrO2-TiO2 intrinsecamente permite que os electres e buracos se possam separar.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 214


Tem um pouco de fsica do estado slido para

entender os detalhes, mas a ideia bsica que os
electres precisariam de ainda mais energia para
se moverem para o ZrO2, enquanto buracos
passariam naturalmente para o ZrO2 durante o
seu processo de difuso.
Assim, a interface ZrO2-TiO2 cria uma barreira natural contra os electres, mas aceita abertamente
buracos. Assim, a interface desempenha apenas o papel que a camada de espiro-OMeTAD estava
fazendo antes, mas agora utilizando, um material estvel barato (ZrO2)! Electres e lacunas ou
buracos so separados e extrados a partir da juno de TiO2-ZrO2 para percorrerem um circuito
externo
Pode parecer um conceito simples, mas interfaces entre materiais podem ser uma regio difcil, de
fsica misteriosa, e ns nem sempre sabemos como os electres e lacunas iro responder. Com este
design de clula, Mei et al alcanou uma eficincia de 12,8% e estabilidade superior a 1000 horas!
Tambm descobriram que a remoo da camada de ZrO2 reduz severamente o desempenho da clula
para eficincia de 4,18%, indicando o seu papel crucial no bloqueio de transporte de electres. Este
um grande passo em frente na reduo do custo deste novo tipo promissor de clulas solares.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 215

Evoluo das clulas solares de Perovskita
2011 Eficincia =5% 2014Eficincia =17%

Processamento 5000C. Processamento 1500C.
Instvel a Uvs. Estvel a Uvs.
http://www.oxfordpv.com/sites/www.oxfordpv.com/files/media-downloads/general/oxford-pv-introduction-152.pdf.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 216


Evoluo das clulas solaresSituao
Em 2013, tanto a arquitectura planar como a sensibilizada por corantes viu um nmero
de desenvolvimentos. Foi demonstrada uma tcnica de deposio para a arquitectura das
sensibilizadas, com eficincia superior a 15% por uma soluo de processamento em dois
passos, a um tempo semelhante, mostrando que era possvel fabricar clulas solares
planares por evaporao trmica, e tambm alcanar eficincias superiores a 15%.
Tambm foi mostrado que era possvel fabricar clulas solares de perovskita na
arquitectura tpica 'clulas solares orgnicas DSSC ", numa configurao" invertida "com
o transportador de lacunas em abaixo, e o colector de electres acima da pelcula planar
de perovskita.
Novas tcnicas de deposio e eficincias ainda mais elevadas foram registadas em 2014.
Uma eficincia de 19,3% foi conseguida usando a arquitectura thin-film planar na
configurao invertida em Novembro de 2014, e um dispositivo por pesquisadores da
KRICT atingiu um novo recorde com a certificao de uma eficincia no estabilizada de
20,1%, tambm em Novembro de 2014. Na 6 Conferncia Mundial sobre Converso de
Energia fotovoltaica em Kyoto, Japo, foi mencionada, sem detalhes, a realizao de uma
clula solar com uma nica juno de perovskita com uma eficincia de converso de
energia, de 24%.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 217

Estabilidade
Um grande desafio para clulas solares de perovskita o aspecto da estabilidade a curto e longo
prazo. A solubilidade na gua do componente orgnico do material absorvedor, torna os dispositivos
altamente propensos a uma rpida degradao em ambientes hmidos. O encapsulamento do
absorvedor de perovskita, com um composto de nanotubos de carbono e uma matriz de polmero
inerte, tem demonstrado prevenir com sucesso a degradao imediata do material quando exposto
ao ar ambiente hmido a temperaturas elevadas. No entanto, no h estudos a longo termo e
tcnicas de encapsulamento completas ainda no foram demonstradas para clulas solares de
perovskita. Alm da instabilidade com a humidade, tambm tem sido demonstrado que a forma de
realizao dos dispositivos em que uma camada de TiO2 de porosidade intermdia sensibilizada pelo
absorvedor de perovskita apresentando uma instabilidade luz UV induzida. A causa para o declnio
do desempenho destas clulas solares est ligado interaco entre as lacunas fotogeradas no
interior do TiO2 e os radicais de oxignio sobre a superfcie de TiO2. A ultra baixa condutividade
trmica medida de 0,5 W / (Km) temperatura ambiente do CH3NH3PbI3 pode impedir a
propagao rpida do calor depositado pela luz, e manter a resistncia celular em tenses trmicas
que podem reduzir o seu tempo de vida
05/07/2017 Por : Lus Timteo 218


Comportamento da corrente / tenso: - histereses
Outro grande desafio para clulas solares de perovskita a observao de que as varreduras atuais
de valores de tenso e eficincia serem ambguas. A eficincia na converso em potncia de uma
clula solar geralmente determinada pelo comportamento da caracterstica corrente/tenso (IV)
sob iluminao solar simulada. Em contraste com outras clulas solares, no entanto, tem-se
observado que as curvas IV das clulas solares de perovskita mostram um comportamento
histertico: dependendo das condies de varrimento - tais como direco de varrimento, velocidade
de varrimento, imerso luz, polarizao - existe uma discrepncia entre o varrimento de polarizao
directa/curto-circuito (FB-SC) e o varrimento de curto-circuito/Polarizao directa (SC-FB). Vrias
causas tm sido propostas tais como o movimento de ies, a polarizao, os efeitos ferroelctricos,
preenchimento de trap states, no entanto, a origem exacta para o comportamento histertico ainda
est para ser determinada. Mas parece que a determinao da eficincia da clula solar a partir das
curvas - IV podem produzir valores inflacionados se os parmetros de varrimento excederem a escala
de tempo que o sistema perovskita exige, a fim de chegar a um estado electrnico estacionrio. As
observaes das caractersticas histerticas da corrente-tenso, tm sido, at agora, largamente
subestimadas. Apenas uma pequena fraco de publicaes reconhece o comportamento histertico
dos dispositivos descritos, ainda menos artigos mostram as curvas IV no histerticos lentas ou
sadas de alimentao estabilizadas. Eficincias relatadas, com base em medies rpidas de IV, tm que ser
consideradas bastante incertas e torna-se actualmente difcil de avaliar os progressos genunos neste campo..
05/07/2017 Por : Lus Timteo 219


Clulas Bio-fotovoltaicas
Scheme of a typical bio-photovoltaic cell based on natural pigments containing anthocyanins, betalains and some chlorophyll derivatives as
sensitizer.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 220


European union seventh framework programme (FP7/2007-2013)
Programa de investigao universitria financiado pela EU.
Plant based Ultra-high nano- Applications developed Future applications enabled

nanomaterials structured thin films during the project by the technology
Natural plant Bio-sourced

resources copolymer Bio-sourced block Self-assembled
copolymer BCP thin-film Next generation
nanolithography Bio-membrane
SERS bio-sensor
Bio-sourced
high added-
Transparent CNF value films
CNF film
Lighting & display
Photovoltaics Smart-paper
Nano-patterned &
CNC conductive CNF
Technical films for Anti-reflective Anti-counterfeiting

printed electronics & decorating
05/07/2017 Por : Lus Timteo 221


European union seventh framework programme (FP7/2007-2013)
Programa de investigao universitria financiado pela EU.
https://www.youtube.com/watch?v=efcgdFxIuqU
05/07/2017 Por : Lus Timteo 222


Clulas fotovoltaicas e o Grafeno
Engenharia Thin-film
Molecular
Sntese Grafeno
Hbridos
O grafeno e um material composto por tomos de
carbono densamente alinhados numa rede cristalina
com forma de colmeia de abelhas (hexagonal) e de um
tomo de espessura. O grafeno flexvel, 200 vezes
mais resistente que o ao, com alta condutividade
trmica e elctrica.
Aplicaes Analticas Aplicaes Energticas
A possibilidade de combinar com outras substancias qumicas o outorgam um grande potencial de
desenvolvimento. Os electres do grafeno podem mover-se com maior liberdade (se comportam como
quase partculas sem massa), em relao a outros materiais.
Consome menos electricidade que o silcio Aquece muito menos por efeito Joule Suporta a radiao
ionizante quase completamente transparente e to denso que nem os tomos de hlio (que so
menores) podem trespassa-lo.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 223

Clulas fotovoltaicas e o Grafeno
o o o o
S N S Pesquisadores da Universidade da Flrida em
CF3 CF3
Gainesville conseguiram fabricar clulas
H
solares base de grafeno, mais eficientes,
adicionando um dopante orgnico camada
de grafeno nos dispositivos. A eficincia de
converso de energia das novas clulas
solares atinge cerca de 9%, em comparao
com pouco menos de 2% para as clulas que
usam o grafeno no dopado.
Em aplicaes mais prticas, o Grafeno est tentando substituir ITO em clulas solares
orgnicas. Elctrodos de malha de grafeno (Graphene mesh electrodes -GMEs), com boa
condutividade e transparncia foram fabricados por fotolitografia industrial padro e
processo de corroso por plasma de O2, usando solues de grafeno
05/07/2017 Por : Lus Timteo 224

Energia Solar: Mdulos Fotovoltaicos
05/07/2017 Por : Lus Timteo 225

Energia Solar: Mdulo Fotovoltaico

Especificaes dos Mdulos Fotovoltaicos
Tipo
c:Si, a-Si:H, CdTe, CIGS.
Potncia nominal Max: Pmax (Wp)
Corrente nominal: IMPP (A)
Voltagem nominal: VMPP (V)
Corrente e curto-circuito: ISC (A)
Voltagem em circuito aberto: VOC (V)
Configurao (V)
Clulas por Mdulo (#)
Dimenses (cm x cm)
Garantia (anos)
05/07/2017 Por : Lus Timteo 226

Estrutura de um mdulo:
Vidro
EVA
Clulas solares
EVA
Tedlar
05/07/2017 Por : Lus Timteo 227


Esquema dos componentes de um mdulo fotovoltaico com clulas de silcio cristalino.
Vidro temperado de alta transparncia

EVA
Clulas solares
EVA
Pelcula posterior
Estrutura de alumnio
EVA: acetato de etilvinila (EVA, do ingls Ethylene-vinyl acetate)

05/07/2017 Por : Lus Timteo 228

Diversos tipos de Mdulos Fotovoltaicos
O mdulo fotovoltaico composto por

clulas individuais ligadas em srie. Este
tipo de ligao permite adicionar tenses.
A tenso nominal do mdulo igual ao produto do nmero de clulas que o compem

pela tenso de cada clula (aprox. 0,42 a 0,6 volts). Geralmente produzem-se mdulos
formados por 30, 32, 33 e 36 clulas em srie. Procura-se dar ao mdulo rigidez na sua
estrutura, isolamento elctrico e resistncia aos factores climticos. Por isso, as clulas em
srie so encapsuladas num plstico elstico (Etilvinilacelato) que faz tambm o papel de
isolante elctrico, um vidro temperado com baixo contedo de ferro, na face voltada para
o sol, e uma lamina plstica multi-camada (Polister) na face posterior.
Em alguns casos o vidro substitudo por uma lmina de material plstico transparente.
O mdulo tem uma moldura composta de alumnio ou poliuretano e caixas de ligaes s
quais chegam os terminais positivo e negativo da srie de clulas. Nos terminais das
caixas ligam os cabos que ligam o mdulo ao painel fotovoltaico.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 229

- between two glass sheets
- sealing compound application

- laminate foil application
- hind side from non-transparent material
05/07/2017 Por : Lus Timteo 230


Adesivo
Clulas fotovoltaicas
Incapsulante
Incapsulante
Liga laminada
Laminado traseiro
Condutores: fitas
adesivas, soldas
Caixa de Juno
Chapas de identificao Gesto de cablagem
O Mdulo fotovoltaico de silcio contm muitas matrias-primas comoditizadas incluindo
silcio, vidro e alumnio. O desafio ser o de reduzir os custos ou utilizao desses materiais,
melhorando a eficincia do mdulo.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 231
Energia Solar: Painel Fotovoltaico
O painel solar fotovoltaico ou

colector solar fotovoltaico ou
mdulo fotovoltaico constitudo
por vrios mdulos ligados em
paralelo e em srie
O Mdulo fotovoltaica (PV) um
dos elementos importantes de
energia renovvel, microrede,
smartgrid, etc. Ele converte a
energia da radiao solar em
corrente contnua utilizando
semicondutores e depois energia
elctrica de corrente alternada
atravs inversores.
O Mdulo ou painel fotovoltaico usado para ligar painis individuais ligados em srie e
combinaes paralelas, rede electrica atravs de um inversor de rede, que analisa, simula
e trata a ligao de parques solares fotovoltaicos rede elctrica nacional.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 232


Dimensionamento de Sistemas Fotovoltaicos
As especificaes tcnicas dos inversores fornecem informao muito importante para o
dimensionamento e a instalao dos sistemas fotovoltaicos. A configurao do sistema FV
determina o nmero, o nvel de tenso e a classe de potncia dos inversores.
Atendendo a que os inversores so fabricados para vrios nveis de potncia e que a

potncia total do sistema fotovoltaico determinada pela rea til disponvel, utilizado
uma razo entre as potncias do gerador fotovoltaico e do inversor de 1:1. Qualquer
eventual desvio dever ser considerado com base nesta razo, e definido para o seguinte
intervalo de potncia.
Exemplo do esquema geral da instalao de um sistema FV.

05/07/2017 Por : Lus Timteo 233
Energia Solar: Parque Fotovoltaico
Luz Solar
Parque Fotovoltaico
Fotes
Corrente electrica
Juno PN
Copyright 2008 Pearson Education, Inc., publishing as Pearson Benjamin Cummings
05/07/2017 Por : Lus Timteo 234

Energia Solar: clulas fotovoltaicas

Especificaes dos Painis Solares
A Tenso mxima numa nica clula PV, de aprox. 0.4V (DC).

A Corrente depende da intensidade da luz do Sol.
Max. corrente por mdulo cerca de 2.5A
Tenso mdia de um mdulo de 20V (DC).
Performance dos Painis Solares

Vrios factores afectam a potncia fornecida pelos
painis PVs:
Sombra ou Nuvens.
Posio ou ngulo do painel.
Painis activos podem acompanhar o sol.
Variaes de temperatura e de irradiao solar.
Arejamento necessrio para o refrigerao.
Sombreamento parcial ir reduzir o desempenho e
pode causar danos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 235
Energia Solar: Sistema fotovoltaico autnomo 12V

Mdulo ou Painel Fotovoltaico
05/07/2017 Por : Lus Timteo 236

Energia Solar: Sistema fotovoltaico autnomo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 237

Energia Solar: Microgerao

Painis solares
Rede elctrica de distribuio
Contador de venda
Contador de compra
Inversor
05/07/2017 Por : Lus Timteo 238

Energia Solar: Parque solar fotovoltaico Arquitectura de controlo
LAN 2
Local
Automation
LAN 1
Solar Tracker
OPERATOR
WORKPLACE
DCS
Inverters
MV an LV Internet
Swicthgears eMail
Remote Access
Transformers
Remote Office
05/07/2017 Por : Lus Timteo 239


Outras aplicaes
05/07/2017 Por : Lus Timteo 240


Outras aplicaes
05/07/2017 Por : Lus Timteo 241


Outras aplicaes
05/07/2017 Por : Lus Timteo 242

Energia Solar: Fotovoltaica

Microgerao
05/07/2017 Por : Lus Timteo 243


Microgerao
Objectivos do produtor de energia fotovoltaica
Equipar com as solues mais

avanadas tecnologicamente e
mais eficientes as instalaes
industriais.
Dotar os edifcios com solues
de produo de energia de
forma a rentabilizar locais at
hoje desaproveitados.
Propor solues que sejam

capaz de ir em encontro
legislao (em vigor e futura)
e aos interesses de cada
cliente; Melhorar a eficincia energtica
das instalaes.
Notabilizar o nome e a sua

preocupao com o meio ambiente,
assumindo juntamente com o pas uma
posio de vanguarda ambiental.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 244


Microgerao
Condies para um sistema com minigerao Fotovoltaica com tarifa bonificada
A legislao que enquadra a instalao de

sistemas fotovoltaicos ligados rede o
decreto-lei 312/2001, que regula a produo em
regime especial.
Licenciamento atribudo a
instalaes para injectar
A tarifa mdia para projectos em BT e MT.
desta dimenso 320 /MWh
durante 15 anos.
A dimenso ao nvel da potncia

dos sistemas de minigerao
entre 5kW e 500 kW.
O licenciamento obtido atravs de

vrias entidades, nomeadamente a
DGEG, EDP, Cmaras.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 245


Microgerao
Estrutura de custos do Investimento (Universidade de Aveiro 200 kW).
Sistema de
Monitorizao 0,45% Projecto de Detalhe
4,72%
Trabalhos de
construo civil
11,85%
Transportes 1,21%
Mdulos
Inversor Fotovoltaicos
6,92% 53,53%
Cablagem Elctrica
5,02%
Estruturas de
Suporte 16,29%
Devemos escolher a melhor relao preo-qualidade na escolha do

equipamentos, em especial nos mdulos.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 246


Produo de Clulas fotovoltaicas
05/07/2017 Por : Lus Timteo 247


Em Portugal
Portugal um dos pases da Europa, com maior disponibilidade...
Mdias Anuais Horas de Sol anuais
Energia solar fotovoltaica

A Energia Solar Fotovoltaica a energia obtida atravs da converso directa da luz solar em electricidade (Efeito
Fotovoltaico).O efeito fotovoltaico, relatado por Edmond Becquerel, em 1839, o aparecimento de uma diferena
de potencial nos extremos de uma estrutura de material semicondutor, produzida pela absoro da luz.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 248


Em Portugal
A potncia fotovoltaica instalada em Portugal , actualmente, de um pouco mais de 70
MW em instalaes ligadas rede e algumas microgeraes.
No sector domstico (sistemas isolados da rede).
Nos servios (sistemas SOS, emissores das redes de telemvel, parqumetros e outros).
Tectos de instalaes.
O pas, devido s suas condies climticas, possui excelentes condies para a converso
fotovoltaica com ndices de produo entre os 1000 e os 1500 kWh por ano, por cada kW
instalado.
Portugal um pas com escassos recursos energticos prprios, nomeadamente, aqueles
que asseguram a generalidade das necessidades energticas (petrleo, carvo e gs
natural).
Tal situao de escassez conduz a uma elevada dependncia energtica do exterior sendo
totalmente dependente das importaes de fontes primrias de origem fssil.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 249


Em Portugal
Vantagens:
A energia do Sol pode ser aproveitada recorrendo a painis solares e
completamente limpa. O funcionamento dos equipamentos no tem
emisses indesejveis e renovvel, muito devido natureza inesgotvel
da energia Solar.
Curiosidade:
Uma das maiores e mais relevantes aplicaes de painis solares foto
voltaicos foi nos satlites espaciais. Os painis solares fornecem a
energia necessria ao satlite, energia essa que captada
directamente do Sol.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 250

Energia Solar Fotovoltaica: Centrais em Portugal

Central Solar Fotovoltaica de Amareleja
Com 2.520 seguidores solares azimutais, equipados com 104 painis solares cada um, numa rea de
250 hectares, a central uma das maiores do mundo, em potncia total instalada e capacidade de
produo, situada no concelho de Moura, no baixo Alentejo, com 11 MW de potncia instalada at 46
MW e que comeou a produzir energia em pleno no final de Maro de 2007, produzindo o suficiente
para abastecer 30 mil habitaes, num investimento que rondou os 61,5 milhes de euros.
Sua instalao foi concluda no final de 2008 e conta com 62.080 mdulos fotovoltaicos, produzindo
93 milhes de kWh e evitando a emisso de 89.383 toneladas anuais de CO2.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 251


Centrais Fotovoltaicas na Madeira
Canial 6 MW Central Fotovoltaica no Canial-Madeira
A funcionar desde 2011, com um investimento de

20 M, produz electricidade o para
abastecimento anual correspondente a 3.200
habitaes Instalao de 28.800 painis
fotovoltaicos abrangendo uma rea de
100.000m2.
Porto Santo
2 MW Central Fotovoltaica no Porto Santo
A funcionar desde 2010, com um investimento de
9 M, produz electricidade o para abastecimento
na ordem de 3506 MW/H 50% do consumo
Instalao de 11.136 painis fotovoltaicos
abrangendo uma rea de 60.000m2.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 252


Edifcio Solar XXI
A Fachada Sul do Edifcio Solar XXI, inaugurado em 2006, no INETI, com uma potncia pico de cerca
de 12 kW, constituda por mdulos de silcio multicristalino, e a outra estrutura de sombreamento no
parque de estacionamento do mesmo edifcio, com uma potncia pico de 6 kW, constituda por
mdulos de silcio amorfo. O edifcio Solar XXI, um edifcio energeticamente eficiente, onde se
optimizaram a orientao e a iluminao natural e que integra ainda solues tcnicas de energia
solar trmica activas e passivas.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 253


Central Fotovoltaica de 6MW no MARL em Loures
A maior central Fotovoltaica do mundo em zona urbana, localizada nos terrenos e telhados do
Mercado Abastecedor da Regio de Lisboa, em Loures num investimento estimado de cerca de 24
milhes de euros, foi inaugurado em 2008.
A MARL ENERGIA produz mais de 6 MW de energia que injecta na rede da EDP. suficiente para
abastecer 3 mil habitaes, sustentando as necessidades anuais de mais de 12 mil pessoas.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 254

Central Fotovoltaica de 200 KW na Universidade de Aveiro
Inserido no programa "Eficincia Energtica na Universidade de Aveiro, inaugurado em 2009,
envolveu um investimento de nove milhes de euros, dos quais 6,5 M foram financiados pelo Governo.
Constituio do sistema fotovoltaica:

Localizao: Aveiro
Implantao: em telhado
Potncia instalada: 200 kWp
Potncia nominal: 180 kW
Injeco na rede: Rede em Baixa tenso
05/07/2017 Por : Lus Timteo 255

Energia Solar Fotovoltaica: Centrais em PortugalLigadas Rede

Ano
Nome Distrito Concelho Freguesia Potncia[MW]
funcionamento
Valadas Santarm Ferreira do Zzere Ferreira do Zzere 0,4 -/2006
Corte de Po e gua Beja Mrtola lugar Corte de Po e gua- 0,6 -6/2007
Serpa Beja Serpa Lugar Serpa 11 -/2007
Olva Beja Mrtola Lugar Olva 2,2 -4/2008
Amareleja Beja Mora Amareleja 45.8 -12/2008
Interior Alentejano Beja Almodvar Rosrio- 2,2 -/2008
MARL Energia Lisboa Loures So Julio do Tojal 6 -8/2009
Monte da Vinha Beja Ferreira Alentejo Ferreira Alentejo 0,4 -/2009
Porto Santo- R.A. Madeira Porto Santo Porto Santo 2 - /2010
Canial R.A. Madeira Machico Canial 6,6 - /2010
Porteirinhos Beja Almodvar Lugar Poo do Duro 6 12/2010
Palmela Setbal Palmela Quinta do Anjo 1,6 -/2011
Malhada Velha 2 Beja Ferreira Alentejo Figueira dos Cavaleiros 9 -6/2012
Avalades Faro Silves Lugar Avalades 14 -9/2012
Ferreiras Faro Albufeira Ferreiras 6 -9/2012
Quinta do Louseiro vora vora So Manos 1,1 - 10/2012
Fonte: http://e2p.inegi.up.pt/index.asp Potncia Instalada (2012) 70 MW
05/07/2017 Por : Lus Timteo 256

Energia Solar Fotovoltaica: No Mundo

Investigao e desenvolvimento (I&D)
http://en.wikipedia.org/wiki/Cadmium_telluride_photovoltaics#mediaviewer/File:Best_Research-Cell_Efficiencies.png
05/07/2017 Por : Lus Timteo 257

Energias Solar: Fotovoltaica

Previsibilidade a longo prazo
Evoluo Previsvel do consumo de Energias at 2100

Outras energias renovveis
Previso do Conselho Consultivo do Governo Federal alemo
Utilizao anual de energia primria
Energia Solar Trmica
Energia solar
(fotovoltaica e solar trmica)
Elica
Biomassa
Hidroelctrica
Nuclear
Gs Natural
Carvo
Petrleo
05/07/2017 Por : Lus Timteo 258

Energia Solar Fotovoltaica: No Mundo

Concluses
O Silcio convencional lidera a corrida nas clulas solares, mas no nos vai levar
at onde precisamos de ir
Vrias tecnologias podem evoluir e assumir-se nos prximos 10 anos.
Ns ainda estamos na fase de descobrir novos materiais com propriedades
substancialmente melhores
Acho que as clulas solares de multijunes sero finas, leves, e baratas, com
eficincias > 30% .. Num futuro que esperamos que seja breve
Pois temos que resolver o problema de energia assim no podemos continuar!
Qualquer tecnologia que tenha um potencial para reduzir as emisses de
carbono em > 10% precisa de ser explorada de forma agressiva.
Os pesquisadores no se devem sentir intimidados, pelas lutas de supremacia
existentes entre algumas empresas
Algum precisa de investir no escalonamento de tecnologias de clulas solares
de tecnologias promissoras.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 259
Energia Solar: Trmica outra alternativa
05/07/2017 Por : Lus Timteo 260

Dvidas?
05/07/2017 Por : Lus Timteo 261

05/07/2017 Por : Lus Timteo 262

Bibliografias
http://www.energiasrenovaveis.com/AreaGeral.asp?ID_area=14&
http://www.profelectro.info/?p=1294
http://www.pveducation.org/
isbn=1447146492 Weather Modeling and Forecasting of PV Systems Operation Marius Paulescu, Eugenia Paulescu
Clemson Summer School 2007 - Dr. Karl Molter / FH Trier / molter@fh-trier.de
www.coe.montana.edu - /ee/tjkaiser/ee580/Notes/
http://www.isetinc.com/wp-content/uploads/2012/03/tech_white_paper4.pdf
http://sibgece.ica.ele.puc-rio.br/pages/getfile/cursos/Jacqueline.Alves_PUC-Rio.pdf.
Montana State University: Solar Cells Lecture 5: P-N Junction
Perovskite Solar Cells: Wenchun Feng- Garfunkel Group - Department of Chemistry and Chemical Biology- Rutgers University 3/7/2014
https://en.wikipedia.org/wiki/Perovskite_solar_cell
http://actu.epfl.ch/news/dye-sensitized-solar-cells-rival-conventional-cell/
http://www.geni.org/globalenergy/research/review-and-comparison-of-solar-technologies/Review-and-Comparison-of-Different-Solar-
Technologies.pdf.
http://www.coe.montana.edu/ee/tjkaiser/ee580/notes/MSUEE580Solar-05pnJunction.ppt.
http://www.asrc.cestm.albany.edu/perez/2011/solval.pdf.
https://www.bnl.gov/education/static/VFP/colloquium/xu_colloquium2015.pdf.
05/07/2017 Por : Lus Timteo 263

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SEMICONDUTOR ISOLANTE CONDUTOR

Distncia interatmica Banda de Conduo Banda de Valncia

Fermi level EF: Limite entre os estados de energia ocupados e no-ocupados

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Energia trmica: kT (k = Constante de Boltzmanns, 1.381x10-23 J / K, T = temperatura

H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres no

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Banda de Banda de Banda de

Banda de valncia Banda de valncia Banda de valncia

Isolante Semicondutor Condutor

O silcio tem uma valncia de quatro ou seja,

Cada tomo de silcio, partilha os seus quatro

Estes electres compartilhados de ligao - so

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Ponto de vista trmico: Quanto maior a banda proibida (Bandgap), menor

Ponto de vista ptico: quanto maior for a banda proibida, menor a

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A sua estrutura cristalina d-lhe propriedades semicondutoras. No estado muito puro e

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As clulas fotovoltaicas so fabricadas base se semicondutores de silcio.

Puxando para cima lentamente, permite ao

Uma vez que tenha o tamanho desejado, o

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A finalidade dotar os semicondutores de propriedades de semiconduo controlada

"Dopagem", neste caso, significa a substituio de tomos B

outros diferentes (com uma configurao de electres Si P