TRANSISTORES

RICHARD BAQUERO
WILSON BARBOSA
ALEXANDER GOMEZ
TRANSISTORES

Los transistores son unos Antes de aparecer los

elementos que han transistores, los aparatos a
facilitado, en gran vlvulas tenan que trabajar
con tensiones bastante altas,
medida, el diseo de tardaban ms de 30 segundos
circuitos electrnicos de en empezar a funcionar, y en
reducido tamao, gran ningn caso podan funcionar
versatilidad y facilidad de a pilas, debido al gran
consumo que tenan.
control.
Los transistores tienen
multitud de aplicaciones,
entre las que se encuentran:
Amplificacin de todo tipo
(radio, televisin,
instrumentacin)
Generacin de seal
(osciladores, generadores de
ondas, emisin de
radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de
interruptores (control de
rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de
lmparas, modulacin por
anchura de impulsos PWM)
Los transistores de unin
(uno de los tipos ms
bsicos) tienen 3
terminales llamados
Base, Colector y Emisor,
que dependiendo del
encapsulado que tenga el
transistor pueden estar
distribuidos de varias
formas.
Por otro lado, los Transistores
de Efecto de Campo (FET)
tienen tambin 3 terminales,
que son Puerta (Gate),
Drenador (Drain) y Sumidero
(Sink), que igualmente
dependiendo del encapsulado
que tenga el transistor pueden
estar distribuidos de varias
formas.
ENCAPSULADO DE TRANSISTORES

Estn encapsulados de
diferentes formas y
tamaos, dependiendo de
la funcin que vayan a
desempear. Hay varios
encapsulados estndar y
cada encapsulado tiene
una asignacin de
terminales que puede
consultarse en un catlogo
general de transistores.
Cpsula TO-3. Se utiliza para
transistores de gran potencia,
que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que ayuda
a disipar la potencia que se
genera en l.

A la derecha vemos la forma

de colocarlo sobre un
radiador, con sus tornillos y la
mica aislante.
Cpsula TO-220. Se utiliza
para transistores de
menos potencia, para
reguladores de tensin en
fuentes de alimentacin y
para tiristores y triacs de
baja potencia.
Cpsula TO-126. Se utiliza en
transistores de potencia
reducida, a los que no resulta
generalmente necesario
colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la
asignacin de terminales de
un transistor BJT y de un
Tiristor.
Cpsula TO-92. Es muy utilizada en
transistores de pequea seal
Cpsula TO-18. Se utiliza
en transistores de
pequea seal. Su cuerpo
est formado por una
carcasa metlica que
tiene un saliente que
indica el terminal del
Emisor.
Cpsula miniatura. Se
utiliza en transistores
de pequea seal. Al
igual que el anterior,
tienen un tamao
bastante pequeo.
CLASIFICACIN GENERAL
Los transistores se clasifican por:
Material semiconductor:
germanio, el silicio, arseniuro de
galio, el carburo de silicio, etc.
Estructura: BJT, JFET, IGFET
(MOSFET), IGBT, "otros tipos".
Polaridad: NPN, PNP en los
BJTs; N-canal, P-canal en los
FETs.
Potencia mxima calificacin:
bajo, medio, alto.
Frecuencia mxima de
funcionamiento: bajo, medio, alto, la
frecuencia de radio (RF), de
microondas, etc.
Aplicacin: cambiar, de propsito
general, audio, de alta tensin,
sper-beta, par.
Fsica embalaje: a travs de
agujeros de metal, a travs de
agujeros de plstico, montaje en
superficie, la bola de la red matriz,
mdulos de potencia.
Factor de amplificacin Hfe.
ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORES
BJT
El transistor de unin bipolar
(del ingls Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de
estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar
el paso de la corriente a travs
de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan
generalmente en electrnica
analgica.
JFET
El JFET (Junction Field-Effect
Transistor, en espaol
transistor de efecto de campo
de unin) es un circuito que,
segn unos valores elctricos
de entrada, reacciona dando
unos valores de salida.
En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de
campo elctrico, estos
valores de entrada son las
tensiones elctricas, en
concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G
(puerta)
IGFET
Transistor de efecto de campo
con electrodo de control
aislado o "Insulated Gate FET"
(IGFET), se caracteriza por
tener el gate aislado del canal
por una capa de oxido de
silicio.
MOSFET o "MOS" ("Metal
Oxide Semiconductor FET"),
cuyo nombre deriva de los tres
materiales que aparecen al
realizar un corte vertical en su
estructura, segn puede
observarse en la figura.

Hasta hace poco los trminos

IGFET y MOS eran sinnimos.
SILICON GATE FET, difiere de
MOS en que el gate es de
silicio poli-cristalino, en lugar
de ser metlico.

Se consigue as controlar la
conductividad del canal a partir
de tensiones de gate mas
bajas.
DMOS (MOS de Doble
Difusin), que presenta
un canal de corta longitud
para permitir muy altas
velocidades de
conmutacin, gracias al
breve tiempo de transito
de los portadores por el
citado canal.
Una segunda clasificacin tiene en cuenta la conductancia del
canal cuando al gate no se le aplica ninguna tensin. As se tiene:

FET de Canal Normalmente

Conductor o de "vaciamiento"
("Depletion FET"), que permite en
las condiciones mencionadas el
pasaje de corriente entre los
extremos drain y source del canal,
cuando entre los mismos se aplica
tensin. Los JFET solo admiten
este tipo de funcionamiento, que
tambin puede darse en los IGFET.
Se representa este FET por una
lnea llena entre los terminales D y
S que simboliza la continuidad
citada.
Por ltimo, por la naturaleza del canal conductor, los transistores
de efecto de campo pueden ser de dos tipos:

FET de Canal P: Los

FET de Canal N: Los
portadores mayoritarios que
portadores que circulan por el
circulan por el canal son
canal son electrones.
lagunas.

Un MOS de canal P o PMOS se indica con una flecha dirigida

hacia el sustrato, sealando que el mismo es de tipo N, aunque el
canal ser de tipo P. Del mismo modo un MOS tipo N o NMOS
se indica con una flecha saliendo del sustrato
POLARIDAD DE LOS TRANSISTORES

NPN es uno de los dos tipos de

transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en
da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que
la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de
operacin.
PNP
El otro tipo de transistor
bipolar de juntura es el PNP
con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.
MATERIALES DE FABRICACIN

Materiales semiconductores

Las primeras BJTs fueron hechas de germanio (Ge) y algunos tipos

de alta potencia todava estn hechos con este material, otros
tipos son de Silicio (Si), pero actualmente predominan ciertos
materiales avanzados de microondas de alto rendimiento y las
versiones ahora emplean el compuesto material semiconductor de
arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin de semiconductores de
silicio y germanio (SiGe). Siendo estos materiales elementales para
fabricacin de semiconductores (Ge y Si).
NOMENCLATURA

Todos los semiconductores PROELECTRON (Europea).

tienen seri-grafiados nmeros JEDEC (Joint Electronic
y letras que especifican y
describen de que tipo de Devices Engineering Council)
dispositivo se trata. Existen
(Estados Unidos).
varias nomenclaturas o
cdigos que pretenden darnos
esta preciada informacin. De JIS (Japanese Industrial
todas destacan tres: Standards) (Japon).
JEDEC Esta nomenclatura consta de
En Estados Unidos se utiliza la un nmero, una letra y un
nomenclatura de la JEDEC nmero de serie (este ltimo
(Joint Electronic Devices sin significado tcnico). El
Engineering Council) regulado significado de los nmeros y
por la EIA (Electronic letras es el siguiente:
Industries Association), fue
creado en 1960 para trabajar 1N Diodo o rectificador
junto con la EIA y NEMA, para
2N Transistor o tiristor
proteger la estandarizacin de
3N Transistor de Efecto de
dispositivos semiconductores
Campo FET o MOSFET
y luego expandido en 1970
para incluir circuitos
integrados.
 Numero Primera Letra
JIS Segunda Letra.
Los fabricantes 0 Foto transistor S
japoneses utilizan el Semiconductor A Transistor
PNP de A.F.
cdigo regulado por la
1 Diodo, rectificador o varicap
JIS (Japanese Industrial B Transistor PNP de B.F.
Standards), que consta de 2 Transistor, tiristor C
un nmero, dos letras y Transistor NPN de A.F.
nmero de serie (este 3 Semiconductor con dos
puertas D Transistor NPN de
ltimo sin ningn
B.F.
significado tcnico). El F Tiristor de puerta P
nmero y letras tienen el G Tiristor de puerta N
siguiente significado: J FET de canal P
K FET de canal N
Simbologa de transistores
Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de

Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de

Metal-xido-Semiconductor
(MOSFET)

Fototransistor