DIFUSIN

Ing. Ciro Zenteno Cuba

Direccin de Calidad Educativa

 PROPOSITO
Al finalizar la unidad, el estudiante ser capaz de
relacionar las estructuras y propiedades de los
materiales, demostrando dominio terico y
pertinencia.

IRD-DR-GR-PW1
ALGUNA VEZ SE PREGUNTO?

..Por que el aluminio se oxida con mas facilidad que el hierro y, sin embargo,
decimos que normalmente el aluminio no se oxida?

.. Como se endurecen las superficies de algunos aceros ?

.. Que es el acero galvanizado ?

..Quien invento el primer lente de contacto ?

 Difusin

Difusin: mecanismo por el que los tomos se transportan a travs de

la materia.

El movimiento de los tomos es necesario para muchos de los

tratamientos llevados a cabo sobre los materiales.

Tratamiento trmico de metales

Manufactura de cermicos
Solidificacin de los metales
Fabricacin de celdas solares, etc.
 Difusin de permanganato de potasio en agua

En una disolucin, las partculas de lquido chocan y empujan al slido en todas direcciones
Los slidos, como el permanganato de potasio, se difunden debido al movimiento de las
partculas de agua, que chocan y empujan a las partculas del slido en todas direcciones.

La difusin en el estado slido es mucho ms lenta que en el estado lquido o gaseoso.

 Tratamiento Trmico.- Conjunto de operaciones de calentamiento y enfriamiento, bajo
condiciones controladas de temperatura, tiempo de permanencia, velocidad, presin, etc.

Cementacin de aceros
 Difusin:
proceso mediante el cual los tomos se mueven de
una regin de alta concentracin a una de baja a
travs del cristal semiconductor. En el proceso de
manufactura la difusin es un mtodo mediante el
cual se introducen tomos de impurezas en el Silicio
para cambiar su resistividad; por lo tanto, para
acelerar el proceso de difusin de impurezas se
realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto
para obtener el perfil de dopaje deseado. Las
impurezas ms comunes utilizadas como
contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo
n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la
impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida
tambin puede utilizarse como conductor.
 Representacin de un transistor MOSFET canal N.
Dopantes
Defectos puntuales, que consisten en tomos de impurezas que sustituyen a un tomo de la red
cristalina, ocupando su misma posicin, y que suelen tener un electrn ms (donadores) o un
electrn menos (aceptores), modificando de esta forma la conductividad intrnseca del cristal al
aadir portadores de carga: electrones en el caso de impurezas donadoras, y huecos en el caso
de impurezas aceptadoras.
Diagrama de conexin para dos transistores en paralelo.
 MATERIALES MAGNETICOS PARA DISCOS DUROS
Se agrega Cr con propiedades magnticas que previamente ha pasado por
un tratamiento trmico de recocido que implica calentar la pelcula
depositada a altas temperaturas durante un tiempo largo para permitir la
difusin de los tomos de Cr desde el interior de los granos hasta los lmites
de grano. Estas pelculas son delgadas con depsitos de Co, Pt, Ta y Cr
Se colocan imanes en el estator (S
verde; N rojo) El rotor puede girar.
Cuando se acerca, existe fuerza de
atraccin. Cuando se alcanza la
posicin de mxima atraccin, se
conmuta la alimentacin a la bobina
adecuada para que siga existiendo
atraccin (par motor) y contine el
movimiento.
erial/MOTORPRINTUT.html Motor DC
convencional (con imanes en el
estator) OPCIONAL
RECUBRIMIENTOS ELECTROLTICOS
Para que el proceso de galvanizado sea efectivo,
el recubrimiento que se consiga no debe ser una
mera deposicin superficial de zinc, sino que debe
constituirse una verdadera aleacin metalrgica
superficial, con al menos 3 capas de aleaciones
Fe-Zn y una cuarta y ltima capa ms externa que
se constituya de zinc puro. Las aleaciones de las
capas intermedias de Fe-Zn que se forman son
ms duras que el acero base, lo que significa que
resistirn muy bien a golpes o rozaduras sin
desprenderse.
A
B

Solucin slida Intersticial

tomo de la aleacin en
intersticio
1.- Autodifusin
En los materiales puros, los
tomos se mueven o saltan de
una posicin a otra en la red (se
detecta mediante trazadores
radioactivos).

La autodifusin ocurre de manera

continua en todos los materiales

No se aprecia su efecto sobre el

comportamiento del material
Numero de vacantes
 Movimiento de los tomos en los materiales: Difusin

Difusin: mecanismo por el cual la los tomos, molculas se transporta a

travs de la materia

Gases

Difusin Lquidos

Slidos
 - Autodifusin
Mecanismos de difusin: - Difusin por vacancias
- Difusin intersticial

(c)

(a y b) Difusin por vacancias en cristales FCC

(c) Difusin intersticial en la red FCC
 Mecanismo de la
difusin

Difusin de tomos de
cobre en nquel

Tambin existe la difusin de tomos distintos en los materiales y se puede dar por:
Difusin de vacancia
Difusin intersticial
 Energa de activacin para la difusin:

Un tomo que se difunde debe moverse entre los tomos circundantes para ocupar su
nueva posicin.
El tomo debe atravesar una barrera de energa potencial que requiere una energa de
activacin Q. El calor proporciona al tomo la energa para vencer esta barrera.
Normalmente se necesita menos energa para forzar un tomo intersticial a que pase
entre los tomos circundantes; en consecuencia, la energa de activacin es menor en la
difusin intersticial que en la difusin por vacancias
Los tomos son forzados o deformados al pasar entre otros tomos durante la
difusin. Se requiere de una energa de activacin para este proceso.
 La energa de activacin y el mecanismo de difusin:

La energa de activacin es usualmente menor en tomos que difunden a travs

de estructuras cristalinas abiertas, en comparacin con tomos que difunden en
estructuras cristalinas compactas.

La energa de activacin es menor para la difusin de tomos en los materiales que

tienen bajas temperaturas de fusin

La energa de activacin es menor para tomos sustitucionales pequeos

comparados con tomos de mayor tamao.
 Ecuacin de Flujo

Adolf Fick (1829-1901): Mdico alemn que en 1855 deriv la ley

de difusin , que se refiere a la difusin y osmosis de un gas a
travs de una membrana.

dC1
J1 D1
dZ

Los tomos se mueven de manera ordenada, tendiendo a eliminar las diferencias de

concentracin y producir una composicin homognea en el material.
Ecuacin de flujo (Primera ley de Fick)
La velocidad a la cual los tomos se difunden en un material se mide por la densidad
de flujo (J), la cual se define como el nmero de tomos que pasa a travs de un
plano de rea unitaria por unidad de tiempo.

dC1
J1 D1
dZ
Donde:
J = Flujo
D = Difusividad o
coeficiente de difusin
dc/dx = Gradiente de
concentracin
Unidades
Gradiente de concentracin
EJERCICIO 1
Una placa de hierro se expone a una atmosfera de cementacin
(rica en carbono) por un lado, y a una atmosfera descarburante
(carbono deficiente) por el otro lado, a 700 C. Si existe una
condicin de estado estacionario, Calcular la difusin de carbono
a travs de la placa si las concentraciones de carbono en las
posiciones de 5 y 10 mm debajo de la superficie de cementacin
son: 1.2 y 0.8 Kg/m3 respectivamente. Asuma un coeficiente de
difusin de 3X10-11 m2/s a esta temperatura.
 D
0expR
Q
T
Factores que afectan la difusin

Temperatura y el coeficiente de difusin, La cintica del proceso de difusin depende

fuertemente de la temperatura. El coeficiente D se relaciona con la temperatura, de
acuerdo a la ecuacin de Arrhenius.

Donde:
Q : energa de activacin (cal/mol)
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol K)
T : temperatura absoluta (K).
Do : constante para un sistema de difusin dado.
 Coeficiente de difusin D

Tipo de mecanismo de difusin; intersticial (C en Fe) o sustitucional

(Cu en Al)
Temperatura

Estructura cristalina del disolvente; C en Fe BCC o FCC (factor de

empaquetamiento 0,68 o 0,74)
Tipo de defectos cristalinos (bordes de grano, vacancias)
Concentracin de las especies que difunden
EJERCICIO 2

D Q
0expRT
Calcular la capacidad de difusin D en m2/s, para la difusin del nquel
en hierro FCC a 1100 C. Utilice los valores de:
Do=7.7x10-5 m2/s,
Q=280 KJ/mol,
R=8.314 J/(molK)
SOLUCIN
Coeficiente de difusin
D en funcin de la
inversa de la
temperatura
de diversos metales
Ejercicio: Una capa de 0,05 cm de MgO se deposita entre capas de
Niquel y tantalio para que funcione como una barrera contra la difusin que
impida reacciones entre los dos metales. A 1400C se crean iones de
Nquel que se difunden a travs del material cermico MgO para llegar al
Tantalio. Determine el nmero de iones de Nquel que pasan atravs del
MgO por segundo. El coeficiente de difusin del Nquel en el MgO es de 9
x 10-12 cm2/s, y el parmetro de red del nquel a 1400C es de 3,6 A,
considere flujo estacionario.

Cual es la tasa de disminucin de la pelcula de Ni?

Respuesta:
a).- J = 1,54 x 1013 tomos
Ni/cm2 s
b).- 1,8 x 10-10 cm/s
Ejercicio: La purificacin del gas hidrgeno se realiza por difusin a
travs de una lamina de paladio. Calcular el nmero de kilogramos de
hidrgeno que pasa en una hora a travs de una lamina de 0,25 m 2 de
rea y 6 mm de espesor a 600 C. Suponer que el coeficiente de difusin
del hidrgeno es de 1,7 x 10-8 m2/s, que las concentraciones de
hidrgeno son de 2,0 y 0,4 kg de hidrgeno por metro cbico de paladio
y que se ha alcanzado el estado estacionario.

Respuesta:
J=4,077 x 10-3 KgH/h
 Aplicaciones industriales de los procesos de difusin

Ej. Endurecimiento del acero por

gas carburizante

Objetivo: superficie dura,

interior resistente
Material base: acero 0,10 0,25
% de C
Atmosfera: CH4 o hidrocarburos
gaseosos
Temperatura 927 C
 Difusin en estado no estacionario
Para tratar casos mas generales, donde un estado estacionario no es
alcanzado, una nueva ecuacin se necesita, la cual describa como la
concentracin vara con la posicin y el tiempo .

Segunda Ley de Fick

En muchos fenmenos
estudiados, la
difusin ocurre en
rgimen transitorio.
En este caso, tanto el
flujo como la
concentracin varan
con el tiempo
 Soluciones para la segunda ley de FicK

Sistema infinitos: cementacin

CS : concentracin superficial del

elemento del gas que difunde en la
superficie.
Co : concentracin inicial uniforme del
elemento en el slido.
Cx : concentracin del elemento a la
distancia x de la superficie en el tiempo t.
x : distancia desde la superficie.
D : coeficiente de difusin.
t : tiempo.
 Difusin en defectos cristalinos

A travs de vacancias o intersticios

Dislocaciones
Difusin
Bordes de grano

Superficies libres

El movimiento de tomos por los defectos cristalinos es mucho ms rpida que

por el volumen
En algunos casos, la contribucin del flujo de tomos a travs de los defectos
cristalinos es insignificante (la seccin transversal de las reas es muy pequea
comparada con el interior del material)
 Difusin en borde de grano
Ocurre a una velocidad mayor que la difusin a travs del volumen

Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en volumen,
el difundente penetra mucho ms profundamente por el borde que por cualquier
otra regin. Se genera entonces un gradiente de concentracin en la direccin
perpendicular al borde por lo que el material comienza a filtrarse hacia el interior de
los cristales adyacentes.
Difusin y el procesamiento de los materiales:
Los procesos a base de difusin son muy importantes cuando
se utilizan o procesan materiales a temperaturas elevadas.
Crecimiento de grano

Soldadura por difusin

Sinterizacin
 Crecimiento de grano

El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos se difundan a travs

del borde de grano de un grano a otro
 Soldadura por difusin: mtodo para unir materiales

Pasos en la soldadura por difusin (a) unin del material a soldar (b) aplicacin de
presin para deformar la superficie (c) difusin en bordes de grano (d) la eliminacin
de huecos requiere difusin volumtrica.
Sinterizacin: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que
pequeas partculas se unan y se reduzca el volumen del espacio de los
poros entre ellas (componentes cermicos, metalurgia de polvos,
materiales compuestos)

Los tomos difunden

hacia los puntos de
contacto, creando
puentes y reduciendo
el tamao de los
poros.