PUT

Transistor Uniunin
Programable

Es un dispositivo semiconductor
de cuatro capas similar al SCR,
sin embargo, en este la
compuerta es con respecto al
nodo, en vez del ctodo.

 Al igual que el UJT, se utiliza como

oscilador y base de tiempos, pero es
ms flexible, ya que la puerta se conecta
a un divisor de tensin que permita
variar la frecuencia del oscilador sin
modificar la constante de tiempo RC, Se
le conoce como SCR complementado por
que en su configuracin, la puerta es la
base del transistor.

FUNCIONAMIENTO
Para pasar al modo activo desde el estado de
corte (donde la corriente entre A y K es muy
pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K,
hasta el valor de Vp y este voltaje va a depender
del valor del voltaje en la compuerta G.
Solo hasta que la tensin alcance el valor Vp, el
PUT entrara en conduccin (encendido) y se
mantendr en este estado hasta que la corriente
que atraviesa el PUT reduzca su valor. Esto se
logra reduciendo el voltaje entre A y K o
reduciendo el voltaje entre G y K.

 El arreglo normal para la polarizacin

del PUT puede verse en la figura 2. El
divisor de voltaje, R1 y R2 fija el voltaje
en la compuerta. Observe que R1 y R2
son externos al dispositivo y que por lo
tanto pueden elegirse para producir
cualquier valor deseado de VG.

Figura 2.

 La
Compuerta
suele
estar
polarizada
positivamente respecto al ctodo en cierta
cantidad VG. Cuando el voltaje de nodo es menor
que VG, la unin nodo-compuerta se polariza
inversamente y el dispositivo PNPN est en el
estado "apagado", actuando como un interruptor
abierto entre nodo y ctodo.
Cuando el voltaje de nodo excede a VG por
aproximadamente 0.5 V, la unin nodocompuerta conduce, causando que el dispositivo
NPN cambie a "encendido" en la misma forma en
que lo hace la unin compuerta-ctodo polarizada
directamente de un SCR. En el estado encendido,
el PUT acta como cualquier dispositivo PNPN
entre nodo y ctodo (baja resistencia y VAK = 1 V).

 ESTADO
ENCENDIDO
VG = R2 / (R1+R2) *
VGG
VP = VG + 0.5 V
Eent = VP

ESTADO APAGADO
Eent >= VP
VP cae a = 0.5 V
VAK carga = 1 V
IA = Eent / R

ANLISIS MATEMTICO PARA EL

DISPARO DEL PUT
Ejemplo: se desea disparar el PUT a 90
De modo que las condiciones de disparo son
VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB
Donde:
n = RB2 / (RB1 + RB2)
R1 = 2 K
Vp = 179.6V
U1= 127V

Aplicando el divisor de voltaje la incgnita a

obtener es el valor de R2, por que el voltaje
deseado para el disparo del PUT es de 1.5V
R1
.5V
* Vp
R1 R2
2k
.5V
*179.6V 1.5V
2k R2

sin(90) 1

Se tiene que obtener el valor inverso del voltaje pico, esto

con la finalidad de obtener el valor de la resistencia necesaria
El valor de en este caso es el necesario para obtener un
valor cercano a 1 en el divisor de voltaje y multiplicado con el
voltaje pico

1
Vp

1
5.5679 x10 3
179.6

2k
5.5679 x10 3
2k R 2

De esta ecuacin se podra despejar la variante R2 y saber que

valor es la resistencia R2 para el disparo en 90

2
R2
2
3
5.5679 x10

R 2 357.2k

De la formula original
R1
.5V
* Vp
R1 R2

2k
.5V
*127V 1.5
2k 357.20

El valor de la resistencia debe de ser

357.20kohms

DISPOSICIN DE CAPAS
(CONSTRUCCIN).
El nodo (A) y el ctodo (K) son los mismos
que para cualquier dispositivo PNPN.
La
compuerta (G) est conectada a la regin N
prxima al nodo. Por consiguiente, el nodo y
la compuerta constituyen una unin P-N.
nodo
P1

N1
P2
N2
Ctodo

Es esta unin la que controla los estados

encendido y apagado del PUT. Una tcnica
de fabricacin consiste en utilizar como
materia prima un material delgado de tipo n.
Se forman dos capas p simultneamente por
difusin slida utilizando como difndele galio
o aluminio. La unin de ctodo y los contactos
del nodo se forman por aleacin, utilizando
antimonio, conteniendo oro como impureza
tipo n, y aluminio, respectivamente.

ANLISIS DEL CIRCUITO

EQUIVALENTE
El
circuito
equivalente
esta
compuesto por dos transistores
bipolares, como lo muestra al figura.

MODELO GRFICO
En
las
siguiente
figura
aparecen
las
caractersticas del dispositivo. El estado de corte
(apagado) y el estado
de conduccin
(encendido), estn separados por la regin
inestable. Esto es el dispositivo no puede
permanecer
en
estado
inestable,
sino
simplemente pasar a los estados estables
apagado o encendido.

DISPOSITIVOS DE MAYOR Y
MENOR CAPACIDAD

MATRCULA Y
COSTO
APROXIMADO
2N6027
2N6028
Aproximadamen
te entre $20 $25

DISEO DE UNA
PRCTICA
#1
Objetivo: comprobar
el funcionamiento
del PUT en una
aplicacin de un circuito generador de rampa.

Marco terico:
La capacidad de programable del PUT le da una utilidad
especial en las aplicaciones de control industrial. En la
figura 1, se muestra el circuito generador de rampa. Las
rampas de salida siempre mantienen una pendiente
constante, pero la altura de las rampas puede ajustarse
programando el PUT por medio del voltaje de compuerta
VG. Tal circuito podra usarse para suministrar la seal de
entrada de un servomecanismo industrial que opere como
un vaivn: avanzando una herramienta, retrocedindola, y
luego avanzndola de nuevo, cada vez una poca mas que
el recorrido anterior. Con la rampa de voltaje proporcionado
el punto de referencia para el sistema de seguimiento, el
incremento de la altura de la rampa coincidir con el
incremento de la distancia de recorrido del mecanismo.

CTO. DE UN GENERADOR DE
RAMPA CON PUT.
VCC

RB1

RE

SALIDA

RG

RB2

VARIABLE (VG)
Rk

Material y equipo
RB1 = 20k
Q1= BC557
RB2 = 22k
PUT NTE 6402, 2N6028,
2N6027
RE = 560k
FUENTE VARIABLE DE CD
RG = 220k
OSCILOSCOPIO
RK = 100 MULTIMETRO
C = 1F

DESARROLLO:
1. Arme el circuito de la figura anterior .
2. Mida los voltajes entre A-K, A-K, K-G.
3. Con el osciloscopio mida el voltaje de
salida (V salida)

Simulaciones

VOLTAJE EN EL
CAPACITOR

Voltaje Ctodo

Voltaje en la Compuerta

CUESTIONARIO DEL (P.U.T)

PREGUNTAS

1.- Mencione por que recibe el nombre de programable el PUT (transistor de monounion
programable). ?

2.- Como se pasa al estado encendido desde el estado de corte?

3.- Como esta constituido el PUT?

4.- Cuando el PUT se encuentra encendido, Cunta resistencia y voltaje esta presente entre nodo y
ctodo?

5.- Con que otro nombre se le conoce al PUT y por que?

6.- Por que se dice que el (PUT) posee una regin de resistencia negativa?

7.- La unin de ctodo y los contactos del nodo se forman por aleacin Qu materiales son utilizados?
8.- Elabore el circuito equivalente del PUT

9.- cmo son las condiciones corriente pico y voltaje de valle del PUT, en comparacin con un UJT?

10.- Los estados encendidos y apagados estn separados por la regin inestable, el PUT no puede estar
en estado inestable. Describa que es lo que pasa?

BIBLIOGRAFA.

Autor: RJ TOCCI. (1995)

Titulo: Circuitos y Dispositivos electrnicos.
Editorial: Interamericana.
Edicin: 3ra. Edicin.
Lugar de impresin: Mxico
Captulo: 15
Paginas: 398-407
Referencia: 621.38135