DIODO

SEMICONDUCT
OR
Ingeniera Electromecnica

EL DIODO SEMICONDUCTOR
Diodo ideal
Es el mas simple de los dispositivos semiconductores,
pero fundamental en la construccin de sistemas
electrnicos.
El diodo ideal es un dispositivo no lineal con caractersticas
similares a las de un interruptor, solo que permite la
conduccin de corriente en un solo sentido.
Curva caracterstica del
diodo ideal

Parmetros importantes del diodo ideal:

Resistencia en el punto o regin de operacin:
(circuito cerrado)
: Resistencia Directa

: Voltaje de polarizacin Directa sobre el diodo

: Corriente a travs del diodo

Resistencia en la regin de no conduccin:

(circuito abierto)

El diodo ideal se comporta como un corto circuito en la regin de

conduccin, y como un circuito abierto en la regin de no
conduccin.

Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo

ideal.

Diodo Prctico
El diodo es la unin de un semiconductor tipo p con uno tipo n, al que
se le adicionan dos terminales, uno en la parte p y otro en la parte n,
para acoplar a un circuito.

En las proximidades de la unin aparecer una zona donde no

existirn cargas libres. Esta zona se denomina regin de carga
espacial, de agotamiento, zona de deplexin, zona de
vaciado.

En la zona de vaciado aparece un campo elctrico dado por los

dipolos formados, que se opone al movimiento de h+ y e-

Barrera de potencial: El campo elctrico entre los iones es

equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de
potencial. A 25 C la barrera de potencial es aproximadamente de
0,3 V para diodos de germanio y de 0,7 V para diodos de silicio.

POLARIZACION DEL DIODO

SEMICONDUCTOR
Sin polarizacin

voltaje entre los

terminales del diodo

Corriente de difusin, la
direccin va de p a n
En
ausencia de un
voltaje
de
polarizacin
aplicado, el flujo
neto de carga en
cualquier direccin
para
un
diodo
semiconductor es
cero

Electrnica: Dispositivos elctricos y

 Polarizacin Inversa
Se aumenta el rea de la regin
de agotamiento, estableciendo
una barrera que detiene el paso
de portadores mayoritarios.

corriente que se forma bajo una saturacin de polarizacin

La
inversa se denomina corriente de saturacin inversa y se
representa . Esta corriente depende de la temperatura y no de la
tensin inversa aplicada.

 Polarizacin Directa
Presiona
a
los
portadores
mayoritarios (huecos en la zona p
y electrones en la zona n), a
recombinarse con
los
iones
cercanos a la zona de carga,
haciendo que esta se reduzca.
= Voltaje de umbral

Superada la barrera de potencial, se crea una corriente grande y

continua (debida a los portadores mayoritarios) en el sentido de la
zona p hacia la zona n.

CARACTERISTICA DEL DIODO

SEMICONDUCTOR

que
La relacin que existe entre la tensin directa aplicada
soporta la unin, y la corriente que fluye de la zona p a la zona
n viene dada por la siguiente expresin:

Ecuacin Schokley
de diodo

: Intensidad
de corriente que atraviesa el diodo (A)

: Corriente de saturacin (A)

: Diferencia de tensin en los extremo del diodo (V)
: Coeficiente de Correccin
: Voltaje Trmico

para
temperatura ambiente (T = 300 K)
= 0,026 V = 26 mV.

: constante de Boltzman = 8,62 E-5 eV/K

: Temperatura en Kelvin
: carga del electrn en Culombios = 1,6
E-19 C

Curva caracterstica del diodo

semiconductor

EFECTOS DE LA TEMPERATURA
La temperatura de la unin es la temperatura dentro del diodo,
exactamente en la unin pn. La temperatura ambiente es la
temperatura del aire fuera del diodo, el aire circundante al diodo.
Cuando la temperatura de la unin se incrementa, la zona de
deplexin se hace mas estrecha y la barrera de potencial
decrece.
A medida que aumenta la temperatura, disminuye la tensin de
encendido . Por otra parte, si la temperatura desciende, provoca
un incremento en .

Diseo electrnico circuitos y sistemas.

C J. Savant

Dependencia de respecto a la
temperatura

Diseo electrnico circuitos y sistemas.

C J. Savant

La corriente de saturacin , es otro parmetro que depende de

la temperatura. Aumenta aproximadamente 7.2%/C para

diodos de silicio y de germanio.

Para valores de tensin inferiores a la corriente es muy

pequea (an en polarizacin directa). El diodo no

conduce bien hasta que la tensin aplicada sobrepasa la
barrera de potencial.
Para tensiones superiores a la tensin umbral, pequeos
aumentos de tensin producen grandes aumentos de
corriente .

CONCEPTOS

Corriente
pico (IF): Es la mxima corriente que puede soportar el
diodo en polarizacin directa sin quemarse.
Tensin de rupturan (VR): Es la tensin inversa mxima que el
diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Si esto
ocurre, el diodo termina por destruirse debido a dos efectos:
Efecto Avalancha (Diodos Poco Dopados): Al mismo tiempo que
la tensin a travs del diodo se incrementa en la regin de
polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios
(responsables de ) tambin se incrementa.
Efecto Zener ( Diodos muy Dopados): Se basa en la aplicacin
de tensiones inversas que originan fuertes campos elctricos que
producen la ruptura de los enlaces covalentes dejando as
electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere
la aceleracin de un portador de carga (huecos o electrones) debido
al campo.

Curva caracterstica real del diodo

Resistencias del Diodos: Cuando el punto de operacin de un diodo

se mueve desde una regin a otra, la resistencia del diodo tambin
cambia, debido a la forma no lineal de la curva caracterstica.
Dependiendo del tipo de seal (continua o alterna), se pueden definir
tres tipos de resistencias:
Resistencia Esttica: Se obtiene al aplicar voltaje directo, el
punto de operacin no cambia con el tiempo.

En
la zona de polarizacin inversa es del
orden de los M.
En la zona entre 0 y es del orden de las
centenas de .
En la zona de conduccin (), es del
orden de las decenas o unidades de .

 Resistencia ac dinmica: Esta definida por la pendiente de la

curva en el punto de funcionamiento.

Esta
resistencia se puede definir tericamente a partir de la
ecuacin de la curva caracterstica I-V.
Grficamente, la resistencia dinmica , se puede determinar por
la medicin de la pendiente de la tangente a la curva
caracterstica I-V en el punto de operacin.
Experimentalmente como: la razn de una pequea variacin del
voltaje y de la variacin correspondiente de la intensidad

Resistencia dinmica y Variacin

del punto Q

 Resistencia de AC promedio: Es la resistencia determinada por

una lnea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas
por los valores mnimos y mximos el voltaje de entrada.

Determinacin
de
la
resistencia ac promedio entre
los limites indicados

Tabla Niveles de
resistencia

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad, N. octava edicin

Modelos o Aproximaciones del Diodo

Modelo Ideal
Modelo de cada de voltaje constante
Modelo Lineal por tramos

Representacin Simblica del Diodo

nodo: terminal
positivo
Ctodo: Terminal
negativo

 Modelo Ideal: Describe al diodo como un vlvula unidireccional, es

decir, como un conductor perfecto cuando es polarizado
directamente, y como un aislador perfecto cuando es polarizado
negativamente.

Curva I-V, modelo ideal

Cuando
es positiva, es cero, y se dice que el diodo est en estado
ON (encendido).
Cuando es negativo, es cero, y se dice que el diodo est en
estado OFF (apagado).

 Modelo de cada de voltaje constante o segunda

aproximacin: Se sigue considerando el diodo en posicin ON
u OFF, pero adems se le agrega una fuente de tensin en
serie al diodo ideal, el valor de la fuente es la tensin umbral
del diodo .

Curva I-V, modelo cada Representacin de su circuito equivalente

Circuito equivalente para diodo de S
de tensin constante

hay corriente hasta que se supera el voltaje umbral En este

No
punto el diodo se activa, y de ah en adelante solo aparece ,
independiente del valor de la corriente.


Modelo
Lineal por Tramos o tercera aproximacin: Se incluye la
resistencia interna . Despus de que el diodo comienza a conducir, la
tensin aumenta lineal o proporcionalmente con los incrementos de la
corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensin, al tener
que incluirse la cada de tensin en la resistencia interna a la tensin
total del diodo.

Circuito equivalente para diodo de Si

Curva I-V, modelo cada
Representacin de su circuito equivalente
de tensin constante

Liliana Fernndez Samac- Control Automtico- Especializacin en Automatizacin Industrial

Parmetros y Especificaciones Elctricas

De Los Diodos
construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que
La
es capaz de manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la
tensin inversa pico que puede soportar sin daarse. Incluyen:
1. El voltaje directo (para una corriente y temperatura definida)
2. La corriente directa mxima (para una temperatura definida)
3. La corriente de saturacin inversa (para un voltaje y temperatura
definida)
4. El nivel de voltaje inverso pico (PIV, PRV o ) (para una temperatura
definida), Este valor es igual al mximo valor que el diodo puede
tolerar cuando se polariza en inversa.
5. Nivel de disipacin para la mxima potencia en una temperatura
particular
6. Niveles de capacitancia
7. El tiempo de recuperacin inverso
8. El rango de temperatura de operacin
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad, N. octava edicin

Capacitancia de transicin y de
difusin

Despreciable
para
bajas
frecuencias
(reactancias altas)
Considerables en altas frecuencias (reactancias
bajas)
inversa, se presenta la capacitancia
En la regin de polarizacin
de transicin () o de regin de agotamiento, mientras que para la
regin de polarizacin directa se tiene la capacitancia de difusin
() o de almacenamiento.

Inclusin del efecto de las

capacitancias
de
transicin o difusin en el
diodo semiconductor
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad, N. octava edicin

Tiempo de conmutacin en el
diodo

el instante t = 0 la tensin aplicada pasa sbitamente de Vf a

En
Vr mantenindose a este nivel para t > 0. Si suponemos que Vf y RL
son mucho mayores que y respectivamente, la intensidad que
circula por el diodo ser:

Tiempo

de recuperacin en inverso +

TIPOS DE DIODOS

PRUEBA DE UN DIODO

1) un medidor de pantalla
digital (DDM, por sus siglas en
ingls)

2) La seccin
multmetro

hmetro

de

un