Reflexes (J.S.

Nobre)

Seja alegremente um operrio do BEM.

H um princpio muito acertado que diz: Ningum to
pobre que no possa ajudar, nem to rico que no venha a
precisar.
Seja onde for, esteja onde estiver, voc ter oportunidade de
estender suas mos para ajudar algum. Haver sempre
algum, pelas esquinas da vida, espera de um favor seu.
Todo ato de bondade, feito com verdadeiro sentido de amor,
tem valor quase infinito.
s vezes, basta um simples sorriso seu para curar uma dor,
cicatrizar uma ferida, alegrar um corao.
Faa o BEM.

Eletrnica de Potncia

Diodos Semicondutores de Potncia;

Captulo 2, pginas 23 29;
Aula 4;
Professor: Fernando Soares dos Reis;

Sumrio

Captulo 2

2.1 Introduo;
2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos;
Exemplo;
2.3 Curvas Caractersticas da Recuperao Reversa;

2.1 Introduo

O diodo age como uma chave para realizar vrias

funes, tais como:
Chaves em Retificadores;
Comutao em Reguladores Chaveados;
Inverso de carga em capacitores;
Transferncia de energia entre componentes;
Isolao de tenso;
Realimentao de energia da carga para a fonte de
alimentao;
Recuperao de Energia armazenada;

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

O diodo de Potncia um dispositivo de juno PN

de dois terminais. Esta juno normalmente
formada por fuso, difuso e crescimento epitaxial.
Diz-se que o diodo est diretamente polarizado
quando... e reversamente quando...
nodo

+ v -

Ctodo

nodo

D1

+ v -

Ctodo

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

Quando ele esta reversamente polarizado flui uma

corrente de fuga (leakage current) na faixa de micro
e miliamperes;
Tenso de avalanche, ou tenso Zener, atingida.
nodo

i
Real
VBR
Corrente
reversa
de fuga

Ctodo

+ vD -

Equao do diodo Schockley

ID IS ( e

VD
nVT

1)

v
Ideal

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

ID = corrente atravs do diodo, em A;

VD = tenso do diodo;
Is = corrente de fuga (ou de saturao reversa) da ordem de
10-6 a 10-15 A;
n = constante emprica conhecida como coeficiente de
emisso ou fator de idealidade, cujo valor vria de 1 a 2;
VT = tenso trmica (thermal voltage);
i
Real
nodo
Ctodo
V
p

ID IS ( e

nVT

1)

+ vD -

VBR
Corrente
reversa
de fuga

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

kT
VT
q

VT = tenso trmica (thermal voltage);

q = carga do eltron: 1,6022 x 10-19 coulomb (C);
T = temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + oC)
k = constante de Boltzmann: 1,3806 x 10-23 J/K

Por exemplo, a 25 oC a tenso trmica, VT ser de:

kT 1,3806 x 10 23 x ( 273 25 )
VT

25,8 mV
19
q
1,6022 x 10

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

12

VT = 25,8 10-3
IS = 0,354
n = 7,819

10

ID IS ( e

IDi
4

VD
nVT

1)

i
Real
VBR

Corrente
reversa
de fuga

2
V( i)

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

Regio de polarizao direta

VD

0 ,1

I D 48,23 I S

com um erro de 2,1 %

I D I S ( e nVT 1 ) I S ( e nVT )
VD

VD

ID ser muito pequena se a tenso aplicada for menor que a

tenso de limiar (threshold voltage) ou tenso de corte (cutin voltage) ou tenso de ligamento (turn-on voltage). Assim,
a tenso de limiar aquela a partir da qual o diodo conduz
completamente;
Exemplo: Se VD = 0,1 V, n = 1 e VT=25,8 mV teremos:
I D I S ( e nVT 1 ) I S ( e 1x 0,0258 1 ) I S ( 48,23 1 )

nodo

Real
n

Ctodo

+ vD -

VBR
Corrente
reversa
de fuga

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

Regio de polarizao reversa

Ao aplicarmos tenses negativas ao semicondutor a corrente

de fuga se mantm praticamente constante. Para tenses VD
negativas e superiores em mdulo a tenso VT, podemos
dizer que ID constante e igual a corrente de fuga IS.
I D I S ( e nVT 1 ) I S
VD

nodo

+ vD -

Ctodo

i
Real
VBR
Corrente
reversa
de fuga

2.2 Curvas Caractersticas dos Diodos

Regio de ruptura reversa (breakdown region)

A partir do instante em que a tenso reversa aplica entre os

terminais de nodo e ctodo do diodo ultrapassam o valor da
tenso de ruptura reversa (breakdown voltage - VBR). A
corrente reversa aumenta rapidamente para uma pequena
variao na tenso reversa superior a VBR;
A operao dentro da regio de ruptura reversa no ser
destrutiva se a dissipao de potncia estiver dentro de um
i
nvel seguro.
Real
nodo
Ctodo
p

+ vAC -

VBR
Corrente
reversa
de fuga

2.3 Exemplo 2.1

A queda de tenso direta de um diodo de potncia VD =

1,2V a ID = 300 A. Supondo que n = 2 e VT = 25,8 mV,
encontrar a corrente de saturao IS.
i
IS = Corrente reversa de fuga

ID IS ( e

VD
nVT

1)

1, 2

300 I S ( e

2 x 25 ,8 10 3

1 ) 2,38371 x 10

2.3 Curvas Caractersticas da

Recuperao Reversa

A corrente na juno diretamente polarizada do diodo deve-se ao

efeito dos portadores majoritrios e minoritrios.
Com a reduo desta corrente a zero, o diodo continua conduzindo
devido aos portadores minoritrios que continuam armazenados na
juno PN e no material semicondutor propriamente dito.
Os portadores minoritrios requerem um certo tempo para se recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo
chamado tempo de recuperao reversa (reverse recovery time) trr.
Cparsito
IF
trr
nodo
Ctodo
O trr funo da tempep n
di ta
dt
ratura da juno, da ta0,25.IRR
xa de decaimento da
+ vAC tb
corrente direta e de If.
IRR

2.3 Curvas Caractersticas da Recuperao Reversa

trr medido a partir do cruzamento por zero da corrente do diodo

at 25 % da corrente reversa mxima (ou de pico) IRR.
ta deve-se ao armazenamento de cargas na regio de depleo da
juno. tb deve-se ao armazenamento de cargas no material semicondutor. A relao ta/tb conhecida como fator de suavidade
(softness factor - SF). trr = ta + tb
trr
di IF
IF
trr
I RR t a
di ta
ta
dt
dt
0,25.IRR

IRR

tb
Recuperao Suave
(soft-recovery)

IRR

tb

Recuperao Abrupta
(fast-recovery)

2.3 Curvas Caractersticas da Recuperao Reversa

A carga de recuperao reversa Qrr a quantidade de portadores de

cargas que fluem atravs do diodo no sentido reverso devido
mudana na condio de conduo direta para bloqueio reverso.
Seu valor determinado a partir da rea abrangida pelo caminho
de corrente de recuperao reverso.
trr
1
1
QRR I RR t a I RR tb
2
2
1
QRR I RR t rr
2
2 QRR
I RR
t rr

IF

di
dt

ta
QRR

IRR

tb

2.3 Curvas Caractersticas da Recuperao Reversa

Determinao de trr e IRR; Sabemos que:

I RR

di
ta
dt

t rr

2 QRR
di
dt

I RR

2 QRR
t rr t a
di
dt

IF

Se tb ta ; trr ta

IRR

I RR

di
dt

2 QRR

t rr

trr
ta
tb

2 QRR

di
dt

Exemplo 2.2

O tempo de recuperao reversa de um diodo trr = 3 s e a

taxa de decaimento da corrente de 30 A/s. Determinar a
carga armazenada QRR e a corrente reversa de pico IRR.
di trr
IF dt t
2 QRR
a
t
rr

QRR

di

dt

IRR

tb

di 2
1

t rr 0,5 x 30 A / s x (3 x 10 6 ) 2 135 C
2 dt

I RR

2 QRR

di
2 x 135 x 10 6 x 30 x 10 6 90 A
dt

Problema 2.1

O tempo de recuperao reversa de um diodo t rr = 5 s e a taxa de

decaimento da corrente de 80 A/s. Se o seu fator de suavidade SF = 0,5.
Determinar (a) a carga armazenada Q RR e (b) a corrente reversa de pico I RR.

trr
A relao SF = ta/tb conhecida
como fator de suavidade

IF

IRR

di
dt

ta

tb

Problema 2.2

Os valores abaixo foram obtidos de forma experimental em

um diodo temperatura de 25 oC.
trr
VD = 1,0 V a ID = 50 A

IF

di
dt

ta

VD = 1,5 V a ID = 600 A
IRR

tb

Determinar (a) o coeficiente de emisso n e

(b) a corrente de fuga Is .