TRANSISTOR

BIPOLAR
DE JUNO

Estrutura
TBJ NPN
estrutura
esquemtica

E
emisso
r

N
+

P-

N
+

smbolo
C
B
C
coletor

B
base

TBJ PNP
estrutura
esquemtica

E
emisso
r

P
+

N-

P
+

smbolo
C
C
coletor

B
base

B
E

Emissor e coletor:
dopadas do

regies fortemente
mesmo tipo

Base:
fracamente
tipo contrrio

regio estreita e
dopada do

estrutura real
B
C

Regimes de Operao
CORTE:

junes E-B e B-C reversamente

polarizadas
no h corrente significativa

N
+

+
B

N
+

+
B

junes E-B e B-C

polarizadas

SATURAO:
diretamente

O TBJ funciona como chave comutando entre

os regimes de corte e saturao

REGIO ATIVA: juno E-B diretamente

polarizada e juno B-C
reversamente
polarizada
P

+
B

O TBJ funciona como amplificador ou fonte

de corrente na regio ativa

Regio Ativa
Juno E-B
diretamente
polarizada

Juno B-C
reversamente
polarizada

P+

P+

N-

E
IC

IE

IE = IC + IB

IB
+

Corrente de emissor
P+
IE

P+

N-

ILE
IC

IEE
IB

B
ILE

corrente de lacunas em difuso do

emissor
para a base
IEE corrente de eltrons em difuso da base
para o emissor

IEE <<
ILE

IE ILE IEE ILE

Corrente de coletor
P+

P+

N-

IE

ILE
IEE

IC0
IB

IC

IE

B
IC0

corrente de saturao reversa da

juno B-C
IE frao da corrente de emissor que alcana
o
coletor

= 0,900 a
0,995

IC IE IC 0

P+

campo eltrico
C
+
N+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

da juno B-

P+

Corrente de base
N-

IEE
+

IB =

IE

ILE
IE

P+

IC0
IB

IEE - IC0 +IREC

IC

P+

B
= (1-)IE - IC0

IREC frao das lacunas do emissor que se

recombinam com os eltrons da base

corrente de recombinao

Juno E-B

N-

P+

lacuna
eltron
recombina
o

Juno B-C

IB

P+

terminal
de base

Modulao da Largura da Base

Efeito Early
Juno E-B

P+

P+

Nlargur
a
efetiv
a

P+

Juno B-C

Nlargur
a
efetiv
a

VBC1

P+
VBC2 >
VBC1

P+

N-

P+

largur
a
efetiv
a

VBC1

P+

N-

P+

largur
a
efetiv
a

VBC2 >
VBC1
VBC1
VBC2
x

p
VBC1
dp
dx V

CB2

dp
dx V

VBC2

CB1

x
Largura da regio de
transio
Mdulo de
VCB

Largura efetiva da base

Recombinao na base
Frao

IC

IB

IE IEL = -qDLdp/dx

Ganhos de corrente para grandes

sinais
Ganho

IC no
corte

IC IC 0

IE 0

Definio de
corte:
IE = 0

IE no
corte
Varia com:

IC = IC0
IB = -IC0

geometria
tecnologia
temperatura
ponto de polarizao (VCB e

IE)

Ganho
I I
C C0
IB IC 0

IC no
corte

IB no
corte

parcela de IE que alcana o

coletor

IE

1 IE 1

parcela de IE que no alcana o

coletor
Depende das mesmas variveis que

Ganho
I I
C C0
IB IC 0
menor e prximo a
1

IE

1 IE 1

da ordem de
centenas
depende das mesmas variveis que

Equaes das correntes na regio

ativa
IC
IB
Transistor PNP:
IE IE0eVEB t
IE

IC IE0eVEB t IC 0 ISeVEB t IC 0

IC IC 0
ISeVEB t
IB
IC 0
IC 0

Transistor NPN:
IE IE0eVBE t

IC

IB

IC IE0eVBE t IC 0 ISeVBE t IC 0

IE

IC IC 0
ISeVBE t
IB
IC 0
IC 0

IC = IB + (+1) IC0

IC = IB

Modelo de Ebers-Moll para Grandes

(vlido paraSinais
todos os
regimes)
IC
C
Transistor
PNP:
IDC
IB

IC

IE
IE0 RIC0

IDE

IB

RIDC

IDE
E

IE

C
Transistor
PNP:

IDC

IDE

IB

IDE IE0 eVEB t 1

IDC IC 0 eVCB t 1

RIDC

IDE
E

1 I e

IC IE0 eVEB t 1 IC 0 eVCB t 1
IE IE0 VEB t

IC

R C0

VCB t

IE

Transistor
NPN:

IB

IC

IDC
IC

IDE

IB
B

RIDC

IDE
IE
E

IE

C
Transistor
NPN:

IDC

IDE

IB

IDE IE0 eVBE t 1

IDC IC 0 eVBC

t 1

RIDC

IDE

1 I e

IC IE0 eVBE t 1 IC 0 eVBC t 1
IE IE0 VBE t

IC

R C0

VBC t

IE

Caractersticas do TBJ

Configurao BASE
COMUM
IE

IC
P

+ VEB -

IC
N

sada

entrada

IE

- VCB +

comum

entrada

N
sada

+ VEB -

- VCB +

comum

Entrada:

emissor

Sada:

coletor

Referncia: base

a)
Caractersticas de entrada em BASE
COMUM
Efeito Early:
IE

VCB3

dependncia
de IE com VCB

VCB2
VCB1

Corte (IE =
0)

VCB3 VCB2 VCB1

VEB (PNP)
VBE (NPN)

b)
Caractersticas de sada em BASE
COMUM
IC
IE3
Saturao

Regio ativa:

IE2

IC = IE + IC0
IE3
IE2

IE3 IE2 IE1

IE1
IE1
IC0

IE = 0
corte

VBC (PNP)
VCB (NPN)

Regio ativa:
Early

IE/VCB 0

Efeito

Configurao EMISSOR COMUM

IC

IC

+
VBE

entrada

VCE

IB
entrada +

VBE

- comum Entrada:

base

Sada:

coletor

Referncia: emissor

P
N

IB

+ sada

+ sada
VCE

- comum -

a)
Caractersticas de entrada em EMISSOR
COMUM
Efeito Early:
IB

VCE1

dependncia
de IB com VCE

VCE2
VCE3

VCE3 VCE2 VCE1

VEB (PNP)
VBE (NPN)

b)
Caractersticas de sada em EMISSOR
COMUM
IC

Regio ativa:

IC = IB + (+1)IC0
IB3

Saturao

IB2
IB1

IB3 IB2 IB1

IB = -IC0
VCESAT
corte

VEC (PNP)
VCE (NPN)

Regio ativa:
Early

IC/VCE 0

Efeito

Configurao COLETOR COMUM

IE

IE

+
VBC

entrada

VEC

IB
entrada +

VBC

- comum Entrada:

base

Sada:

emissor

Referncia: coletor

P
N

IB

+ sada

+ sada
VEC

- comum -

a)
Caractersticas de entrada em COLETOR
COMUM
IB

VEC3

VEC2
VEC1

VEC3 VEC2 VEC1

VBC (PNP)
VCB (NPN)

b)
Caractersticas de sada em COLETOR
COMUM
IE

Regio ativa:

IE = IC = IB + (+1
IB3

Saturao

IB2
IB1

IB3 IB2 IB1

IB = -IC0
VECSAT
corte: IE = 0

VEC (PNP)
VCE (NPN)

Limites de Operao

avalanche ou
punchthrough

IC

ICmx

Pmx

VECmx

VEC (PNP)

VCEmx

VCE (NPN)