SEMICONDUCTORE

S
Alejandro Rubio

Caractersticas
Se

sabe que estos elementos tienen una estructura ms

estable si comparten electrones, formando enlaces
covalentes, de forma que al compartir estos electrones con
tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho
electrones, situacin que es muy estable.

como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima
rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina
caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.

Loselectronesdelacapaexternaoelectrones
devalenciasonlosquedeterminanyforman
losenlacesylosqueensumomentopueden
determinarelcarcterconductivoonodel.

SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"

La fuerza que mantiene unidos a los

tomos entre s es el resultado del
hecho de que los electrones de
conduccin de cada uno de ellos, son
compartidos por los cuatro tomos
vecinos.

En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la

estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en
estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se
unen formando enlaces covalentes y no permiten que la
corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les
aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas
condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores
que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)],
o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)].
Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecosy sern
capaces de conducir la corriente elctrica.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"
Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como
son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto
electrn de este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra
un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama
electrones mayoritarios.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"
TipoP:En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3,
como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en el material,
queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la
estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son
portadores mayoritarios.

En los semiconductores intrnsecos como el silicio

y el germanio, el nivel de Fermi est
esencialmente a mitad de camino entre las bandas
de valencia y conduccin.

Aunque no ocurre conduccin a 0K,

temperaturas superiores un nmero finito
electrones pueden alcanzar la banda
conduccin y proporcionar algo de corriente. En
semiconductor dopado, se agregan niveles
energa extras.

a
de
de
un
de

El aumento de la conductividad con la

temperatura, se puede modelar en trminos de la
funcin Fermi, la cual, permite calcular la
poblacin de la banda de conduccin.

Funcin de Fermi f(E)

f(E) es la probabilidad de que un estado
de energa E est ocupado por un
electrn, en equilibrio

f(E) =

f(E)

(E-EF)/kT

1+e

1
T=0K

EF=nivel de Fermi
k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta

0,5
T=500K

T=300K

0
0

EF

Electrones
Estados
posibles

E
1-f(E)

gc(E)
Ec

EF
Ev
gv(E)

Huecosposibles
Estados

f(E)
0

0,5

El
El nivel
nivel de
de Fermi
Fermi
tiene
tiene que
que ser
ser tal
tal que
que
las
reas
que
las
reas
que
representan
representan huecos
huecos
yy electrones
electrones sean
sean
idnticas
(sem.
idnticas
(sem.
intrnseco)
intrnseco)

BANDASDECONDUCCINYDEVALENCIAPARA
MATERIALESSEMICONDUCTORESTIPONYTIPOP.

Si el material se halla dopado con impurezas, tendremos adems,

dentro de la brecha Eg, niveles de impurezas donadoras cerca del
fondo de la banda C y niveles de impurezas aceptoras cerca de la parte
superior de la bandaV.

Referencias
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/fermi.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/dsem.html
http://

sgpwe.izt.uam.mx/pages/cbi/mfg/laseres1/material_adicional/semi
conductor/DANIEL.html

http://

todoesquimica.blogia.com/2012/030504-semiconductores.php