TRANSISTOR IGBT

INTEGRANTES:
DUARTE OJEDA EDUARDO
DOMINGUEZ CRUZ ABRAHAM
MENDEZ ALFARO JUAN CARLOS
NOCHEBUENA RANGEL GERMAN

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Este dispositivo aparece en los aos 80
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensin y no por corriente

C
MOSFET

Bipolar

G
E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
No tiene diodo parsito

 El

Gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual

que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el
fenmeno de ruptura secundario como el BJT.

Generalmente
La

se aplica a circuitos de potencia

tensin de control de puerta es de unos 15V.

Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de

potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy
dbil en la puerta.

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

Multi-cell Structure of IGBT

IGBT = insulated gate bipolar transistor.
emitter
conductor

contact to source
diffusion

field
oxide

gate
oxide

N+

N+

NN+
P+

N+

N+

gate
width

buffer layer
(not essential)
collector
metallization

gate
conductor
6

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor
El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
A mayor temperatura, menor
cada de tensin
Conduce ms corriente
Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el

Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva
(no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd)

La corriente de cola se debe a la conmutacin ms

lenta del BJT, debido a la carga almacenada en
su base (huecos en la regin n-).

Provoca prdidas importantes (corriente relativamente

alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de
funcionamiento.

La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que

circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del
latch up dinmico. (Latch up: efecto de cebado del
tiristor parsito interno del IGBT)

Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo

la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros
de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms
prdidas en conduccin.

En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una

vida media corta y la n- con una vida media larga, as el
exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+ dnde
se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms
rpido la corriente.

rea de Operacin Segura (SOA) de un Transistor IGBT.

IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up.

VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor
bipolar.
trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.

a) SOA directamente Polarizada (FBSOA)

b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)

Encapsulados de IGBT
Mdulos de potencia
TO 220

TO 247

MTP

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin colector-emisor
en saturacin

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensin

Alta tensin

250 V

600 V

300 V

900 V

(Poco usuales)

1200 V

Caractersticas bsicas

C
En ocasiones, el encapsulado incorpora
internamente un diodo

G
E

Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS)

Caractersticas trmicas

Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no del accesible
La circuitera exterior no puede solucionar el
problema de la eliminacin de los minoritarios
de la base

Esto da lugar a la llamada

cola de corriente
(current tail)
Problema: aumento de
prdidas de conmutacin

Cola de corriente

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT
no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin
Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas
Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las prdidas
Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante

Circuito equivalente IGBT

drift region
resistance

gate

V
drift

J1

I R
C channel

circuito equivalente aproximado,

Conduction path resulting

in thyristor turn-on (IGBT
latchup) if current in this
path is too large

collector

gate

Principal
(desired)
path of
collector
current

Body region
spreading
resistance

emitter

trabajando bajo condiciones normales

V CE(on) = VJ 1 + V drift + IC Rchannel

23

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de

componentes de potencia para aplicaciones de media y alta
tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin
porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos
que generan son imperceptibles por el odo humano.

Otra aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para

activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de
nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o
centrales de conmutacin telefnica.

APLICACIONES GENERALES IGBT

Estos dispositivos semiconductores de potencia tambien se

utilizan en
convertidores CC/CA
en maquinaria
robots industriales
compresores de equipos de aire acondicionado
equipos de fabricacin de semiconductores
unidades de control de motores en automviles y vehculos
elctricos hbridos
equipos de soldadura.

El IGBT es interesante, implementando caractersticas de

los BJT y de los MOSFET, que generalmente se usan para
sistemas de potencia con capacidad de comulacin o
switcheo de 20Khz, y tambin dice que se puede aplicar en
grandes voltajes de mas de 1000V, cosa que nos pareci
realmente sorprendente. Es as que por sus caractersticas
reemplaz a los BJT y a los Mosfet en algunas aplicaciones
ya sea por que ocupaban mayor frecuencia de
conmutacin, necesitaban soportar mayor voltaje u
ocupaban soportar mayor potencia, y as progresar con el
desarrollo de la tecnologa.

CONCLUSIN

GRACIAS POR SU
ATENCIN