TRANSITORES?

TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
FET: FIELD-EFFECT TRANSITOR
INGENIERA ELECTROMECNICA
UPTC
2015

TRANSISTOR:
CARACTERSTICA

Conduccin

BJT

FET

Bipolar: el nivel de
conduccin es una
funcin de dos
portadores de carga,
electrones y huecos.

Dispositivo unipolar.

TRANSISTOR:
CARACTERSTICA

Impedancia de entrada
Ganancias de voltaje de
ca tpicas para
amplificadores
Estabilidad a la
temperatura
Caractersticas de
construccin
Sensibles a
electroesttica

BJT

FET

Baja [1K]

Alta [1M]

Mayor

Menor

Menor

Mayor

Mas grandes

Menor tamao

No

Si

( ESD
Electrostatic Sensitive Devices

http://www.seguridadaerea.gob.es/media/3785423/modulo05_cap12.pdf

TRANSISTOR:
CARACTERSTICA

Terminales

BJT

FET

Base B
Colector C
Emisor E

Compuerta G (gate)
Drenaje D (drain)
Fuente S(source)

TRANSISTOR:
CARACTERSTICA
Control

Rango operacin de frecuencia

BJT

FET

Por corriente

Por voltaje

KHz

MHz
JFET canal n y canal p
MOSFET:
Decremental: canal n y canal p

Casificacin

Npn
Pnp

Incremental: canal n y canal p

CMOS
VMOS
MESFET

FET
JFET:
junction FET
Canal n

Canal p

MOSFET
Decremental,
empobrecimiento o
Deplection DMOSFET

Incremental,
enriquecimiento o
Enhancement EMOSFET

MESFET

VMOS

CMOS

Canal n

Canal n

Canal n

Canal n

Canal p

Canal p

Canal p

Canal p

1. TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET
CANAL N

CANAL P

JFET CANAL N:
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS=0, VDS0
b) VGS<0, VDS0
c) VGS>0, VDS0

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN JFET CANAL N
a) VGS=0, VDS0

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN JFET CANAL N
a) VGS=0, VDS0

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN JFET CANAL N
b) VGS<0, VDS0

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN JFET CANAL N
c) VGS>0, VDS0
IG puede ser 0
ID=0

X
X

NO ES UNICA CONDICIN
DE POLARIZACIN CORRECTA!!!

JFET CANAL N:
VGS > 0
NO PERMITIDO!

VGS = -Vp = -VGSoff

Vp V pinch- off

CONTROL DE CORRIENTE ID
JFET CANAL N

La ecuacin de Shockley:

HOJA DE ESPECIFICACIONES
JFET CANAL N

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N5457-D.PDF

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N5457-D.PDF

CIRCUITOS JFET
CANAL N:

REDES EN DC:
- POLARIZACIN FIJA
- AUTOPOLARIZACIN
- DIVISOR DE TENSIN
- REDES COMBINADAS

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN
FIJA
JFET CANAL N

CONFIGURACIN DE
AUTOPOLARIZACIN
JFET CANAL N

CONFIGURACIN DIVISOR DE VOLTAJE

JFET CANAL N

REDES
COMBINADAS:

JFET CANAL P:
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0
c) VGS < 0, VDS 0

TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET CANAL P
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0

VDS

TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET CANAL
VGS < 0
NO PERMITIDO!

CIRCUITO JFET CANAL P:

FET
JFET:
junction FET
Canal n

Canal p

MOSFET
Decremental,
empobrecimiento o
Deplection DMOSFET

Incremental,
enriquecimiento o
Enhancement EMOSFET

MESFET

VMOS

CMOS

Canal n

Canal n

Canal n

Canal n

Canal p

Canal p

Canal p

Canal p

TRANSISTOR MOSFET:
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
SEMICONDUCTOR DE OXIDO METLICO
METALOXIDESEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
DE EMPOBRECIMIENTO

TRANSISTOR MOSFET:
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
SEMICONDUCTOR DE OXIDO METLICO
METALOXIDESEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
DE ENRIQUECIMIENTO:

MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO CANAL N
Decremental
Empobrecimiento
Deplection D-MOSFET

POLARIZACIN D-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0
c) VGS > 0, VDS 0

POLARIZACIN D-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0

POLARIZACIN D-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
b) VGS < 0, VDS 0

POLARIZACIN D-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
c) VGS > 0, VDS 0

CONTROL DE CORRIENTE ID
D-MOSFET CANAL N

La ecuacin de Shockley:

MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO CANAL P
Decremental
Empobrecimiento
Deplection D-MOSFET

CONTROL DE CORRIENTE ID
D-MOSFET CANAL N

CIRCUITOS D-MOSFET
CANAL N:

ID puede ser IDss

REDES EN DC:
- POLARIZACIN FIJA
- AUTOPOLARIZACIN
- DIVISOR DE TENSIN
- REDES COMBINADAS

REDES:

MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO CANAL N
Incremental
Enriquecimiento
Enhancement E-MOSFET

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0
c) VGS < 0, VDS 0

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0

ID=0

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
b) VGS > 0, VDS 0

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
Condiciones de operacin:
c) VGS < 0, VDS 0

NO ES UNICA CONDICIN
DE POLARIZACIN CORRECTA!!!

CONTROL DE CORRIENTE ID
D-MOSFET CANAL N
NO APLICA la ecuacin de Shockley
Ahora se considera la relacin:
VT voltaje umbral

CONTROL DE CORRIENTE ID
D-MOSFET CANAL N
NO APLICA la ecuacin de Shockley
Ahora se considera la relacin:
VT voltaje umbral

CIRCUITOS D-MOSFET
CANAL N:

REDES EN DC:
- POR REALIMENTACIN
- DIVISOR DE VOLTAJE

CONFIGURACIN DE REALIMENTACIN
E-MOSFET CANAL N

CONFIGURACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

E-MOSFET CANAL N

MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO CANAL N
Incremental
Enriquecimiento
Enhancement E-MOSFET

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL P :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0
c) VGS > 0, VDS 0

POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL P :
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0

REFERENCIAS:
Boylestad (2009). Electrnica: teora de circuitos y dispositivos
Electrnicos. 10 edicin.
Cap. 6. Transistores de efecto de campo. 10 edicin.
Cap. 7. Polarizacin de los FET
Malvino (2000). Principios de Electrnica. 6 edicin.
Cap. 13. JFET
Cap. 14 MOSFET