Circuitos recortadores

Aplicaciones de los
diodos.
Recortadores.
Los recortadores recortan una parte de la

seal de entrada, sin variar la parte

restante de la forma de onda.
Hay dos categoras: En serie y en paralelo.
En serie: la tensin de salida se mide en la
resistencia de carga.
En paralelo: la tensin de salida se toma
en la rama del diodo.

Recortadores en serie.
vi

Nota: diodos
ideales

a)

vi

b)

vi

c)+
v
v
Con
Con
fuente
fuente
d)
+ v
El
diodo
v
conduce
El diodo no conduce
i

vo

vo

vo

vo

v
o0

o0

v
0
o

t
t

vo
0

Recortadores en serie.
a) vi > 0V

D conduce, vo=vi
D no conduce, vo=0v

vi< 0V
vi
a)
t

vi

vo

v
o0

Recortadores en paralelo.
vi

Nota: diodos
ideales

a)
b)

vo

+
-

vi

t
c)
Con
Con
fuente
fuente

+
-

vi

+
v
-

vo

El
diodo d) +
conduce
El diodo no vconduce

vo

vo

v
o0

v
o0

vo

v
V

o
0

Recortadores en paralelo.
c) vi > V
vi < V
vi

D conduce, vo=V
D no conduce, vo = vi
c)

+
v
i

-v
-vi i+
+ vvoo =
= 00

vo

vo

Con
Con
fuente
fuente
vvoo =
= VV

+
v
-

t
+

v
vi
vi <
<

vo

EL TRANSISTOR DE
UNION BIPOLAR (BJT)

INTRODUCCION
La palabra transistor se deriva de

Transfer Resistor o resistencia de

transferencia.

El

transistor
es
un
dispositivo
electrnico semiconductor que se
comporta como una resistencia
variable que depende de una seal
elctrica de control, que al variar el
valor de la seal de control vara la
cantidad de corriente que pasa por el
transistor.

BJT

Tipos de transistores

PNP
NPN
JFET

Canal P
Canal N

FET MESFET Canal N

MOSFET

Empobrecimiento Canal P
Canal N
Canal
Enriquecimiento
P

BJT:Transistores bipolares de unin.

FET: Transistores de efecto de campo.

Canal
N

JFET: Transistores de efecto de campo de unin.

MESFET: Transistores de efecto de campo de metal
semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxidosemiconductor.

APLICACIONES
Los transistores se utiliza como
amplificadores de seal.
Conmutador electrnico,
Diseo de circuitos digitales
lgicos, memorias de PC y otros.

Transistores bipolares BJT

Del ingls "Bipolar Junction Transistor" [BJT]; dispositivo
electrnico de estado slido consistente en tres capas
semiconductoras, PNP o NPN, que permite controlar el paso
una corriente en funcin de otra.

Construccin de Diodos
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado tipo N
N y el otro tipo P.
P El
primero constituye el ctodo,
ctodo mientras que el segundo el
nodo.
nodo As, el diodo est polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial ms positivo que el material
tipo N:

VD

+A

I
SmboloDdel diodo

N
R

Construccin de transistores BJT

Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y una
de tipo N (transistor PNP),
PNP o dos tipo N y una tipo P (transistor
NPN),
NPN conformando lo que se conoce como transistor bipolar,
bipolar
debido a que su corriente elctrica estn formadas por dos tipos
de cargas, huecos y electrones.

Tipos de Transistores:
Transistor
TransistorNPN
NPN
Transistor PNP

EMISOR

C
COLECTOR

COLECTOR

EMISOR

C B

BASE

BASE

B
Smbolo del transistor

Transistor NPN

N P N

EMISOR

C
COLECTOR

BASE

Capa de Emisor: Tamao medio, fuertemente

dopada diseada para emitir o inyectar
electrones.
Capa de la Base: Capa pequeo, ligeramente
dopada diseada para pasar electrones.
Capa del Colector: Tamao grande, muy poco
dopado diseada para colectar electrones.

Transistor BJT
4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las
2 uniones p-n

BJT npn

SATURACIN
DIRECTA

Z. Directa

CORTE
CORTE

Z.Inversa

SATURACIN
INVERSA

Polarizacin de los transistores

Un transistor puede pensarse como compuesto por dos
diodos: el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
Base-Colector
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando
una polarizacin directa a la unin o juntura EmisorBase y una polarizacin inversa a la juntura BaseColector:

Polarizacin
Directa

E N

P C

Transistor PNP

Polarizacin
Inversa

N C

Transistor NPN

Polarizacin de los transistores

Aunque podra pensarse que ambos terminales pueden operar
indistintamente uno de otro, no es as, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector est especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando VEE al voltaje aplicado a la unin Emisor-Base, y
VCC al aplicado a la unin Base-Colector, la circulacin de
corriente para un transistor PNP ser:
E
IE

VEE

N
B
IB

VCC

IC

I E I B IC

Polarizacin del transistor

Esta es la configuracin ms tpica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemtico para un Tr. NPN:
B

IC

IB
E IE

Para analizar el efecto que tiene la polarizacin sobre este

circuito, pueden determinarse las caractersticas de entradasalida.

Transistores bipolares.
Configuraciones
Un terminal es comn a entrada y salida.
De los tres terminales que tiene un
transistor, dos actan como terminales de
entrada
(control).
Dos de los
tres terminales actan como
terminales ide salida.
e

Ve

Entrada

is
+

Vs

CuadripoloSalida

Transistores bipolares.
Configuraciones

Emisor

(N) Colector (N)

IE

IC

IB

VEB

B
(P)

VBE

VCB

BASE
BASE COMN
COMN
Tecnologa Electrnica

IC
C

EMISOR
EMISOR
COMN
COMN

VCE

Configuracin de Base Comn

Se le denomina configuracin de
Base comn debido a que la base es
comn o hace referencia a las
terminales tanto de entrada como de
salida, en este, es comn tanto a la
terminal de Emisor como a la de
colector.

Configuracin en Base comn

Curvas caractersticas

Caractersticas de entrada

Caractersticas de salida

Configuracin de Emisor Comn

Se le denomina configuracin de
Emisor comn debido a que el
Emisor es comn o hace referencia a
las terminales tanto de entrada como
de salida, en este, es comn tanto a
la terminal de base como a la de
colector.

Transistores bipolares
Configuracin en emisor comn
El
El terminal
terminal
comn
comn es
es el
el
emisor
emisor

La
La corriente
corriente
de
de entrada
entrada
es
IIB
es
B
(controla
(controla la
la VBE
corriente
corriente de
de
salida
salida IICC))
La
La tensin
tensin
de
de entrada
entrada
es
es VVBE
BE

IC
C

B
IB

Para
Para controlar
controlar IICC,,
debemos
tener
debemos
tener
una
una corriente
corriente IIBB
que
ser
que
ser
proporcionada
proporcionada
por
por VVBE
BE

VCE

E
IE

Configuracin
Configuracin emisor
emisor
comn
comn
en activa
activa
Tecnologa en
Electrnica

La
La
corriente
corriente
de
de salida
salida
es
es IICC
La
La tensin
tensin de
de
salida
salida es
es VVCE
CE

Configuracin emisor comn

Amplificador de polarizacin universal

RC

R1

El esquema del circuito es el que se muestra a continuacin:

RE

R2

EC

El circuito est conformado

por un divisor resistivo,
compuesto por R1 y R2
(conectado a la base del
transistor) y una resistencia
RE (conectado al emisor).
En este caso, se define la
recta de carga por:
EC VCE I C ( RC RE )

Curvas caractersticas
VCE =1V
VCE =10V
80

VCE =20V

Caractersticas
de colector

IC [mA]

IB =90A

REGIN DE SATURACIN

IB [A]

Caractersticas
de base

60
6
40

20

IB =70A
IB =50A
IB =30A

REGION ACTIVA

AMPLIF.
LINEAL

IB =10A

IB =0A

0
0

0,2

0,4

0,6

0,8

VBE [V]

Caractersticas de entrada

10

15

REGIN DE CORTE

20

Caractersticas de salida

VCE [V]

Caractersticas de salida de un
transistor NPN en Emisor Comn
Tres zonas: activa, saturacin y corte
Activa: corresponde a la parte lineal de las

caractersticas. En ella se verifica: IC=IB, el

transistor se comporta como una fuente de
corriente controlada por corriente, es un
amplificador.
Saturacin: Es la zona a la izquierda del codo
de las caractersticas. En ella: IC < IB. VCE es de
unas dcimas de voltio. La unin B-E y la unin
C-B deben estar polarizadas en directa. El
transistor se comporta como una resistencia.
Corte: El transistor est cortado, IB=0, IC=0,
IE=0

Transistor NPN
Zonas de funcionamiento
activa

VCB
IB

P
VBE

IC

VCB

VCB > 0
VBE > 0
IC IB

saturaci
n

VCB

IE

corte

IB

VBE
IC 0,IE

0 IB 0

IC

R
N

P
VBE

IE

VCB < 0 VBE

>0 VCE 0
IC< IB

Curvas de salida y recta de

carga. Transistor NPN.
200
C
10 K
B

I
VCE

IB

2V

Recta
Recta de
de
IC [mA] carga
carga I = 400A
B

IC

6V

40

=100
=100

30

Aplicando
Aplicandolalaley
leyde
detensiones
tensionesde
de
Kirchhoff
Kirchhoffaalalamalla
mallade
desalida:
salida:
-V
-VCECE+I.R
+I.RCC+6V
+6V==00
I=-I
I=-ICC
VVCE==0V
CE 0V
ICI ==00
C

6V=
6V=VVCECE+I
+ICC.R
.RCC
ICI ==6V/200
6V/200=30mA
=30mA
C

VVCE ==6V
6V
CE

IB= 300A
IB= 200A

20

IB= 100A

10

IB=0A

Pto.
Pto. de
de trabajo
trabajo

VCE [V]

Curvas
Curvas de
de salida
salida

Punto de trabajo.
Se

llama punto de
trabajo del transistor a
cualquier pto. de la recta
de carga en el que se
encuentre trabajando el
transistor.

200

10 K

C
6V

B
VCE

2V

IB

2V
IIB 2V 0,2mA
0,2mA
B 10K
10K
Si
Sieleltransisto
transistorrest
esten
enactiva
activa::IICC IIBB 100
1000,2mA
0,2mA20mA
20mA
Veremos
Veremoselelvalor
valorde
deVVCE ::-V
-VCE IIC RRC 66VV 00
CE

CE

6V
6V20mA
20mA0,2K
0,2K2V
2V
0V
0VVVCE 6V
6V
transistor
transistoren
enactiva.
activa.
CE

IC

El
Elpto.
pto.de
detrabajo
trabajoes
esIICC 20mA,
20mA, IIBB 0,2mA,
0,2mA,VVCECE 22VV

Punto de trabajo
Se llama punto de trabajo del transistor a cualquier
pto. de la recta de carga en el que se encuentre
trabajando el transistor.
Pto.
Pto. de
de
trabajo
trabajo

IC [mA]

IB= 400A

40

Recta
Recta de
de
carga
IB= 200A carga
IB= 300A

30
20

IB= 100A

10

IB=0A

VCE [V]

Relaciones entre beta y alfa

Se cumplen las siguientes relaciones:
I E I B IC ; IC I E
El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
comn ( 0.9 0.998)
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):

IC I E (I B IC ) IC
IB IB
IC I
1
B
El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn,
comn y en las especificaciones
tcnicas se lo suele denominar hFE.(Puede tener un rango de
50 a mas de 400)

Limites de operacin
Para cada transistor hay una regin de
operacin sobre las caractersticas, las
cuales aseguran que no se rebasen los
valores mximos y que la seal de
salida con una distorsin mnima.
Todos los limites de operacin para un
transistor se definen en las hojas de
especificaciones.

Lmites de operacin

En la siguiente
caracterstica se
muestra un aspecto de
lo indicado:

IC [mA]

Transistor como
conmutador
IB =90A

ICmx
8

REGIN DE SATURACIN

Para cada transistor,

existe una zona de
operacin, dentro de
la cual debe trabajar,
para que exhiba una
distorsin mnima.

IB =70A
IB =50A
IB =30A

ZONA DE
RECHAZO
IB =10A

ZONA DE
TRABAJO
COMO AMPLIFICADOR

ICEO

PCmx
VCEmx

IB =0A
0

VCEsat

10

15

REGIN DE CORTE

20

VCE [V]

Lmites de operacin
Todos los lmites de operacin para un transistor vienen
definidos en sus hojas de especificaciones tcnicas. Entre las
ms relevantes pueden citarse:
corriente mxima de colector:
colector Normalmente figura en las
especificaciones como corriente continua de colector.
voltaje mximo entre colector y emisor, VCEO: Indica el voltaje
mximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
est desconectada o polarizada inversamente.
VCE mnimo: Indica el voltaje VCEsat o voltaje mnimo que se puede
aplicar para no caer en la zona de saturacin.
PC mx: Representa la mxima potencia de disipasin del colector
(y define la curva azul de la grfica anterior).