Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
FABRICAO
DE
CIRCUITO INTEGRADO
2 Ano 2014
GRUPO I
ELABORADO POR:
HELDER FALCO 16133
HILTON CHIEMBA 16351
INTRODUO
O processo de fabricao de um Circuito Integrado consiste de
uma srie de passos que so elaborados em uma ordem especfica. A
realizao destes passos converte um projecto de circuito em um
componente real.
O conhecimento do processo de fabricao de um circuito
integrado fundamental ps permite ao projectista: melhorar o
projecto, propor ideias inovadoras usando as caractersticas do
processo, inferir sobre o efeito do layout no desempenho do circuito.
Este trabalho considerar apenas o processo de fabricao de CIs
baseada no silcio (Si) sendo o material mais popular, caracterizado
por uma larga gama de componentes com boa relao custodesempenho.
O que um circuito
integrado?
Um
circuito
integrado
(tambm
conhecido
como
CI,
microcomputador, micro-chip, chip de silcio, chip) um circuito
electrnico funcional miniaturizado constitudos por um conjunto de
transstores, dodos, resistncias e condensadores, fabricados num
mesmo processo, que produzido na superfcie de um substrato
(fig.b) fino de material semicondutor de silcio.
As
etapas
bsicas
envolvidas
na
fabricao dos circuitos integradas so:
1.1. A preparao da lmina de silcio
1.2. Crescimento Epitaxial
1.3. A oxidao
1.4. A difuso
1.5. A deposio Qumica em Fase de Vapor
1.6. A metalizao
1.7. A fotolitografia
1.8. O encapsulamento
(Silcio Policristalino)
(Wafers-bolachas)
1.3. A oxidao
A oxidao o processo
qumico de reaco do silcio com
o oxignio para formar o dixido
de silcio (SiO2). O oxignio usado
na reaco pode ser introduzido
tanto como um gs de alta pureza
(em que o processo conhecido
como oxidao seca) quanto
como vapor de agua (em que o
processo
conhecido
como
oxidao hmida).
Mascaramento
contra impurezas
Sala Limpa
1.4. A difuso
A difuso o processo pelo qual os tomos se movem de uma
regio com alta concentrao para uma regio com baixa concentrao
pela rede cristalina. Na fabricao de CIs, a difuso um mtodo em que
so introduzidos tomos de impureza (dopantes) no silcio para mudar a
sua resistividade.
1.6. A metalizao
O objectivo da metalizao interconectar vrios componentes do
circuito integrado (transstores, resistores, dodos, etc.) para formar o
circuito desejado. A metalizao envolve a deposio inicial de um
metal sobre toda a superfcie do silcio.
A camada de metal normalmente
depositada
por
processo
de
pulverizao catdica (sputtering).
(sputtering)
1.7. A fotolitografia
A fotolitografia corresponde a etapa do processo de fabricao em
que a imagem do circuito transferida para o wafer (bolacha). Em uma
impresso atravs de luz. A fotolitografia considerada a etapa
fundamental da construo de circuitos integrados. atravs dela que
os padres de mscaras so transmitidos para o substrato. Este
processo tambm se divide em etapas:
Aplicao de Fotoresiste
O fotoresiste um
lquido
que
tem
a
capacidade de sofrer
polimerizao de acordo
com
a
presena
(fotoresiste positivo) ou
ausncia
(fotoresiste
negativo) de luz.
Aplicao de fotoresiste
Camada de fotoresiste
Fabricao da
Fotomscara
Fotomscara
a
imagem
fotogrfica negativa de um molde
de
circuitos
integrados.
As
mscaras so construdas com o
objetivo de que seu padro
geomtrico
seja
capaz
de
delinear
completamente
os
componentes de um circuito
integrado.
Devido
s
necessidades
impostas pela alta intensidade
de integrao, a gerao das
mscaras padres um
processo
que
requer
sofisticados equipamentos e
bons recursos computacionais,
sendo
um
processo
que
consome
tempo
e
custos
considerveis.
Fotogravao
A luz ultravioleta emitida sobre
o
conjunto
e
o
material
fotossensvel sofre polimerizao
apenas
nas
partes
claras
(aberturas da mscara).
(Stepper)
1.8. O encapsulamento
O encapsulamento o invlucro protetor de um circuito integrado.
O invlucro possui terminais de metal ou "pinos", os quais so
resistentes o suficiente para conectar eltrica e mecanicamente o frgil
microchip de silcio a uma placa de circuito impresso.
Cada pastilha contm entre 10 a
108, ou mais transstores dentro de
uma
forma
rectangular,
tipicamente entre 1 a 10 mm em
cada lado.
Figura
1.8.1
Um
encapsulamento DIP padro de 8
pinos, contendo um CI 555
2. Processo de Fabricao de
Circuito Integrado
Desde o nicio dos anos 1980, a tecnologia MOS complementar
(CMOS) tem crescido muito rapidamente de tal forma que a tecnologia
bipolar passou a ser utilizada apenas para executar funes especificas,
como circuitos analgicos de alta velocidade. CMOS (pronuncia-se 'CMs') uma sigla para complementar metal-oxide-semiconductor.
Esta tecnologia recente utiliza os dois tipos de transstores MOSFET,
o MOSFET canal N e o MOSFET canal P, de tal modo que um deles
"complementa" o outro na necessidade de se produzir funes lgicas.
Uma
etapa
fotolitogrfica
reversa pode ser usada para
proteger os MOSFETs tipo n
durante a implantao de boro
p+ de dreno e fonte (figura
2.6(f)).
Concluso
Aprendemos que os circuitos integrados so componentes de
extrema importncia ps permitem a criao de dispositivos
electrnicos com um alto desempenho e mobilidade visto que
actualmente estamos na era da nanotecnologia onde procure-se cria
dispositivos menores com grande capacidade desempenho. Isso leva a
uma certa complexidade no processo de fabricao sendo
fundamental cumprir com grande preciso as etapas e processos de
fabricao