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UNIVERSIDADE METODISTA DE ANGOLA

ENGENHARIA INDUSTRIAL E SISTEMAS ELCTRICOS


ELECTRONICA I

FABRICAO
DE
CIRCUITO INTEGRADO

2 Ano 2014

GRUPO I
ELABORADO POR:
HELDER FALCO 16133
HILTON CHIEMBA 16351

INTRODUO
O processo de fabricao de um Circuito Integrado consiste de
uma srie de passos que so elaborados em uma ordem especfica. A
realizao destes passos converte um projecto de circuito em um
componente real.
O conhecimento do processo de fabricao de um circuito
integrado fundamental ps permite ao projectista: melhorar o
projecto, propor ideias inovadoras usando as caractersticas do
processo, inferir sobre o efeito do layout no desempenho do circuito.
Este trabalho considerar apenas o processo de fabricao de CIs
baseada no silcio (Si) sendo o material mais popular, caracterizado
por uma larga gama de componentes com boa relao custodesempenho.

O que um circuito
integrado?
Um
circuito
integrado
(tambm
conhecido
como
CI,
microcomputador, micro-chip, chip de silcio, chip) um circuito
electrnico funcional miniaturizado constitudos por um conjunto de
transstores, dodos, resistncias e condensadores, fabricados num
mesmo processo, que produzido na superfcie de um substrato
(fig.b) fino de material semicondutor de silcio.

fig. a - circuito integrado

fig. b -Substrato de silcio

Qual a importncia da fabricao dos CIs?


- Baixo custo e alto desempenho;
-Tamanho reduzido dos circuitos aliado alta confiabilidade
estabilidade de funcionamento;
- Os componentes so formados ao invs de montados;
- Permiti a concepo de portabilidade dos dispositivos
electrnicos;

Utiliza-se o silcio para fabricao de circuitos


integrados
Porque:

- um material abundante (ocorre normalmente na forma de areia);


- Pode ser refinado usando-se tcnicas simples;
- Apresenta propriedades fsicas adequadas para a fabricao de
dispositivos activos com boas caractersticas elctricas (ex:
capacitores e MOSFETs);
- Pode ser facilmente oxidado para formar uma excelente camada
isolante;
-Baixo custo;

Num circuito integrado podemos


encontrar dispositivos como:
- Transstores;
-Condutores de interligao,
- Dodos;
-Resistncias;
-Condensadores;
-Camadas e regies isolantes ou condutoras;

As
etapas
bsicas
envolvidas
na
fabricao dos circuitos integradas so:
1.1. A preparao da lmina de silcio
1.2. Crescimento Epitaxial
1.3. A oxidao
1.4. A difuso
1.5. A deposio Qumica em Fase de Vapor
1.6. A metalizao
1.7. A fotolitografia
1.8. O encapsulamento

1.1. A preparao da lmina de


silcio
Os circuitos integrados em termos gerais so basicamente
construdos a partir silcio monocristalino. Devido a caracterstica do
silcio (Polisilcio) que apresenta estrutura formada por diversos
blocos e desorganizados, tornando-se necessrio um processo de
purificao para obteno de um silcio de alta qualidade conhecido
como processo de Czochralski, torna o silcio mais puro devido ao
fato de que as impurezas possuem diferentes pontos de fuso.
(Silcio monocristalino)

(Silcio Policristalino)

O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto


est na fase lquida podem ser adicionadas quantidades controladas
de impurezas por meio de um processo conhecido como dopagem
(dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que sejam
obtidas as propriedades eltricas desejadas.
Aps a obteno do silcio dentro das caractersticas
necessrias, o cristal cortado com lminas ou fios de diamante
formando wafers (bolachas), com espessuras que variam de
0,25mm e 1mm de acordo com o dimetro do cristal.

(Wafers-bolachas)

O material polido e tratado


quimicamente, somente aps
todo esse processo que receber
o desenho para formao do
circuito integrado atravs de um
processo
conhecido
como
fotolitografia at essa fase o
circuito integrado construdo
camada
por
camada,
at
constituir
o
componente
projetado.

1.2. Crescimento Epitaxial


O crescimento epitaxial consiste em
fazer crescer em cima da camada tipo p
uma camada fina tipo n, mantendo a
,mesma estrutura cristalina da camada
tipo p do substrato. Obtendo-se como
resultado uma estrutura que um cristal
nico que, numa regio as impurezas
so predominantemente do tipo p e, na
outra
regio
as
impurezas
so
predominantemente do tipo n. O
crescimento dessa camada chamada
camada epiatxial feita em fornos
especiais.

(Em amarelo na figura, a camada


epitaxial)

1.3. A oxidao
A oxidao o processo
qumico de reaco do silcio com
o oxignio para formar o dixido
de silcio (SiO2). O oxignio usado
na reaco pode ser introduzido
tanto como um gs de alta pureza
(em que o processo conhecido
como oxidao seca) quanto
como vapor de agua (em que o
processo

conhecido
como
oxidao hmida).

Para evitar a introduo de


pequenas
quantidades
de
contaminantes
(que
podem
alterar
significativamente
as
propriedades elctricas do silcio),
necessrio manter o ambiente
muito
limpo
para
o
processamento.

Mascaramento
contra impurezas

Sala Limpa

1.4. A difuso
A difuso o processo pelo qual os tomos se movem de uma
regio com alta concentrao para uma regio com baixa concentrao
pela rede cristalina. Na fabricao de CIs, a difuso um mtodo em que
so introduzidos tomos de impureza (dopantes) no silcio para mudar a
sua resistividade.

(Difuso do boro no silcio)

O xido de silcio protege as regies


onde a impureza no deve penetrar)

As impurezas mais comuns usadas como dopantes so o boro, o


fsforo e o arsnio. O boro dopante tipo p e o fsforo e o arsnio so
dopantes tipo n. Esses dopantes so efectivamente mascarados por finas
camadas de xido. Difundindo-se o boro em um substrato tipo n, formase uma juno pn (diodo).

1.5. A deposio Qumica em


Fase de Vapor
A deposio qumica em fase de vapor (chemical vapor
deposition - CVD) o processo pelo qual os gases ou vapores reagem
quimicamente, levando formao de um slido sobre o substrato.
O mtodo CVD pode ser usado para
depositar vrios matrias sobre o
substrato de silcio, incluindo SiO2, Si3N2 e
silcio policristalino. Por exemplo, se o
gs silina (SiH4) e o oxignio forem
misturados no ambiente acima do
substrato de silcio, o produto final,
dixido de silcio, ir se depositar como
um filme slido sobre o silcio.

(chemical vapor deposition - CVD)

1.6. A metalizao
O objectivo da metalizao interconectar vrios componentes do
circuito integrado (transstores, resistores, dodos, etc.) para formar o
circuito desejado. A metalizao envolve a deposio inicial de um
metal sobre toda a superfcie do silcio.
A camada de metal normalmente
depositada
por
processo
de
pulverizao catdica (sputtering).

(sputtering)

1.7. A fotolitografia
A fotolitografia corresponde a etapa do processo de fabricao em
que a imagem do circuito transferida para o wafer (bolacha). Em uma
impresso atravs de luz. A fotolitografia considerada a etapa
fundamental da construo de circuitos integrados. atravs dela que
os padres de mscaras so transmitidos para o substrato. Este
processo tambm se divide em etapas:
Aplicao de Fotoresiste
O fotoresiste um
lquido
que
tem
a
capacidade de sofrer
polimerizao de acordo
com
a
presena
(fotoresiste positivo) ou
ausncia
(fotoresiste
negativo) de luz.

Aplicao de fotoresiste

Camada de fotoresiste

Fabricao da
Fotomscara
Fotomscara

a
imagem
fotogrfica negativa de um molde
de
circuitos
integrados.
As
mscaras so construdas com o
objetivo de que seu padro
geomtrico
seja
capaz
de
delinear
completamente
os
componentes de um circuito
integrado.

Interfase grfica do CAD/CAM com o


esboo de um circuito integrado, j
em fase final de elaborao.

Fotografia de uma fotomscara

Devido
s
necessidades
impostas pela alta intensidade
de integrao, a gerao das
mscaras padres um
processo
que
requer
sofisticados equipamentos e
bons recursos computacionais,
sendo
um
processo
que
consome
tempo
e
custos
considerveis.

Fotogravao
A luz ultravioleta emitida sobre
o
conjunto
e
o
material
fotossensvel sofre polimerizao
apenas
nas
partes
claras
(aberturas da mscara).

A lmina movimentada sobre


a fonte emissora UV at que
todos os circuitos estejam
fotogravados no wafer. Este
processo
ocorre
num
equipamento chamado Stepper.

(Aplicao de luz ultravioleta)

(Stepper)

1.8. O encapsulamento
O encapsulamento o invlucro protetor de um circuito integrado.
O invlucro possui terminais de metal ou "pinos", os quais so
resistentes o suficiente para conectar eltrica e mecanicamente o frgil
microchip de silcio a uma placa de circuito impresso.
Cada pastilha contm entre 10 a
108, ou mais transstores dentro de
uma
forma
rectangular,
tipicamente entre 1 a 10 mm em
cada lado.

Figura
1.8.1
Um
encapsulamento DIP padro de 8
pinos, contendo um CI 555

2. Processo de Fabricao de
Circuito Integrado
Desde o nicio dos anos 1980, a tecnologia MOS complementar
(CMOS) tem crescido muito rapidamente de tal forma que a tecnologia
bipolar passou a ser utilizada apenas para executar funes especificas,
como circuitos analgicos de alta velocidade. CMOS (pronuncia-se 'CMs') uma sigla para complementar metal-oxide-semiconductor.
Esta tecnologia recente utiliza os dois tipos de transstores MOSFET,
o MOSFET canal N e o MOSFET canal P, de tal modo que um deles
"complementa" o outro na necessidade de se produzir funes lgicas.

2.1. Processo CMOS


cavidade
n
O material de partida em
um processo CMOS cavidade
n o substrato tipo p. O
processo comea com uma
difuso
para
formar
a
cavidade n figura 2.1 (a)
Figura 2.1 (a)

Figura 2.3 (b)

A segunda etapa definir a regio


activa (a regio em que sero
colocados os transstores) usandose uma tcnica conhecida como
oxidao local. Uma camada de
nitrato de silcio (Si3N4) colocada
e o traado das regies a serem
oxidadas alinhado em relao as
regies
das
cavidades
n
preexistentes figura 2.3(b)

Depois de uma etapa de


oxidao hmida de longa
durao, regies de xido
espesso
aparecem
entre
regies activas (nas quais
sero
implementados
os
transstores) figura 2.3(c)
Figura 2.3 (c)

A prxima etapa a formao da


porta de silcio policristalino figura
2.4(d).
Uma
implantao
de
arsnio de alta dopagem pode ser
usada para formar as regies n+
de dreno e fonte dos MOSFETs tipo
n.
Figura 2.4 (d)

Uma camada de fotorresiste pode


ser usada para bloquear as
regies em que os MOSFETs tipo p
sero formados figura 2.5(e)

Figura 2.5 (e)

Uma
etapa
fotolitogrfica
reversa pode ser usada para
proteger os MOSFETs tipo n
durante a implantao de boro
p+ de dreno e fonte (figura
2.6(f)).

Figura 2.6 (f)

Antes de as janelas de contactos


serem abertas, uma camada
espessa de xido CVD
depositada sobre toda a lmina.
Uma fotomscara usada para
definir as janelas de contacto
figura 2.7(g)

Figura 2.7 (g)

Uma fina camada de alumnio


evaporada ou depositada por
pulverizao
catdica
(sputtering) sobre a lmina. Uma
etapa final de mascaramento e
corroso utilizada para delinear
as interconexes figura 2.8(h).

Figura 2.8 (h)

Concluso
Aprendemos que os circuitos integrados so componentes de
extrema importncia ps permitem a criao de dispositivos
electrnicos com um alto desempenho e mobilidade visto que
actualmente estamos na era da nanotecnologia onde procure-se cria
dispositivos menores com grande capacidade desempenho. Isso leva a
uma certa complexidade no processo de fabricao sendo
fundamental cumprir com grande preciso as etapas e processos de
fabricao

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