1.

- Introduccin a la electrnica
Definicin : Fsica, cargas elctricas, materiales, semiconductores.
Herramientas
Pinzas
Cautn
Caimanes.....

e instrumentos:
Multmetro
Fuente de voltaje
Osciloscopio....

Conocimientos bsicos: Carga, campo elctrico y magntico,

diferencia de potencial, corriente, voltaje.
Leyes
Ohm, Kirchhoff (LVK, LCK), Capacitancia, Inductancia, divisor de
voltaje y de corriente, circuitos equivalentes de Thevenin y de
Norton.
Dispositivos:
Amplificadores operacionales, Diodos, transistores, dispositivos
digitales (compuertas, contadores, flip flops...), convertidores, pic
s, microcontroladores, microprocesadores, DSP...
Aplicaciones: Mdicas, sociales, entretenimiento, investigacin,
aeronutica, aeroespacial, navegacin, transporte.....

2.- Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algn punto
entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA:

= 1012-cm

SILICIO = 50 x 103-cm

GERMANIO: = 50 -cm

-Alto nivel de pureza

-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de caractersticas de conductores a aislante por medio de procesos de dopado o
aplicacin de luz calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atmica: Red cristalina
Enlaces entre tomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4

Semiconductor
intrnseco
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen
electrones libres y huecos que contribuyen a la conduccin.
Electrn libre

Banda de conduccin

Enlace covalente
roto
Huecos
Banda de valencia

Electrn libre

Corriente en un
semiconductor
Cuando
se aplica un campo elctrico a un semiconductor intrnseco, se

produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones

en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo.

I = q A p p E + q A n n E = q A (p p + n n )E
Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, p es la
movilidad de huecos y n es la movilidad de electrones.
A temperatura ambiente n = 1012 para Si y 109 para Ge.
Banda de conduccin

Banda de valencia

Impurezas donadoras
Electrones libres
Nivel de energa del
donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Electrn de valencia del

antimonio

Impurezas aceptoras

Nivel de energa del

donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge
Huecos libres

Enlace (hueco) no
completado por el tomo
de B, Ga, In

Semiconductores
dopados

Bandas en semiconductores intrnsecos y dopados:

Los portadores mayoritarios son los portadores que estn en exceso en un

semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los
electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llamas
portadores minoritarios.

Propiedades de Si y Ge

Dopado no uniforme
Debido a la deferencia de concentracin de portadores debe
existir una corriente de difusin en el material, por lo tanto debe
existir una corriente de arrastre (y un campo elctrico) que
equilibre la corriente de difusin.
p1 > p2

V1

V2

Unin p-n
Al unir una regin tipo p con otra tipo n, se produce una
igualacin del nivel de Fermi.
Esto implica que la banda de conduccin del lado p se
encuentre en un nivel ms alto respecto aBanda
la delde
lado n.
conduccin Tipo P
Banda de
Tipo N
conduccin
Tipo
N
Tipo P

Nivel de
Fermi

Nivel de
Fermi

Banda de valencia

Nivel de
Fermi

Nivel de
Fermi

Banda de valencia

Unin p-n en equilibrio

Los huecos del lado p se difunden a travs de la unin hacia el
lado n y lo mismo pasa con los electrones del lado n hacia el
lado p.
Los electrones difundidos del lado p se combinan con los
tomos aceptores formando una regin de tomos cargados
negativamente y los huecos que se difunden del lado n se
combinan con los tomos donadores formando una regin de
tomos cargados positivamente.
El ancho de la regin de
+
El proceso se interrumpe
cuando el potencial
formado
por de
las
agotamiento
depende
+ N
dos regiones
es suficiente para
impedir el flujo de
P cargadas
las concentraciones
Nd ms
y
+
cargas elctricas.
+
Na.
Nd
xp
xn
Na
Regin de

Variacin de Q, E y V en la
zona de agotamiento

Concentracin de huecos y
electrones
La concentracin de huecos y electrones en el diodo de unin se
muestra en la siguiente figura. Se suponen Na > Nd.

Polarizacin inversa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarizacin jala a los huecos y a los electrones
alejndolos de la unin incrementando el ancho de la regin
de agotamiento.
Se produce una pequea corriente de huecos provenientes
del lado n y electrones de lado p llamada Corriente Inversa
p
n
de Saturacin.

Polarizacin directa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarizacin empuja a los huecos y a los electrones
acercndolos a la unin disminuyendo el ancho de la regin
de agotamiento.
Se produce una corriente de huecos provenientes del lado p
y electrones de lado n. Los huecos insertados en el lado n
p
n de portadores minoritarios
forman una corriente de difusin

Corriente de portadores
minoritarios en el diodo
polarizado
Se puede
demostrar que la directamente
p
corriente de huecos inyectada
al lado n es:

AqD p pn 0 V VT
I pn 0
e
1
Lp

Similarmente para
electronesAqDn nn 0
I np 0

Ln

V VT

NA >
ND

Inp(x)

corriente
I
Ipn(0)
Ipn(x)
Inp(0)
distancia

Corrientes de portadores
mayoritarios
Adems de la corriente de portadores minoritarios en cada
seccin del diodo, deben existir corrientes de arrastre de
portadores mayoritarios Ipp y Inn.
La corriente total que circula
por un diodo p-n polarizado
esta dada por:

I I o eV VT 1

NA >
ND

corriente
I
Inn

Ipp
Inp

Ipn

distancia

Caracterstica corriente
voltaje del diodo
La corriente del diodo real en funcin del voltaje esta dada
por:
I I eV VT 1
o

Donde es 1 para Ge y 2 para Si.

NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se

encuentre el electrn del ncleo mayor es el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado su tomo,
tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn
en la estructura atmica.

Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 eV

Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV

Banda de conduccin
Banda de valencia

Banda de valencia
Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Conductor

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Material Intrinseco

Materiales extrinsecos

Antimonio
Arsnico
Fsoforo

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

TIPO n

Boro
Galio
Indio

TIPO p

2.1 UNION p-n

TIPO p

TIPO n
Io n e s
d o n a d o re s

Io n e s
a c e p t o re s
P o rta d o re s
m a y o rit a rio s

P o rta d o re s
m a y o rit a rio s

P o rta d o re s
m in o rit a rio s

P o rta d o re s
m in o rit a rio s

Tip o p

T ip o n

R e g i n d e
a g o t a m ie n t o

DIODO
Es un elementos de dos terminales formado por una unin p-n

+
nodo

Ctodo

Modelado de diodos
ID

Modelo Ideal:

VD

Modelo Simplificado:

ID

VT
VT

VD

Modelo de segmentos lneales:

VT
rav

ID

rav
VT

Ejemplos

VD

2.3 Diodo Zener

Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propsito general, trabaja
en la regin de polarizacin negativa. Es decir que la direccin de la conduccin
es opuesta a la de la flecha sobre el smbolo.
Claro el voltaje Zener es muchas veces menor que VIP de un diodo
semiconductor, este control se logra con la variacin de los niveles de dopado.
Los voltajes zener van desde 1.8 V. hasta 200V, con rangos de potencia de W
hasta 50W.

ANALISIS:
1.Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminacin del circuitos de
la red y el clculo del voltaje de circuito abierto resultante
2.Sustituir el circuitos equivalente adecuado y resolverlo para las incgnitas
deseadas.

R 1

B T1

D 1

R 2

2.4 Anlisis de circuitos con diodos

Si

Con fuentes de cd.

-Determine el estado del diodo

ID1, ID2, IR, V0.

-Sustituya el equivalente adecuado

-Determine los parmetros restantes de la red.
12V

Si

Ge

Ge

5.6k

2.2K

Si

12V

R3

V R.

V R, I R

3.3K
12V

Si

Si

5.6k
20V

R3

VD1 , VD2, ID, VR.

Ambos casos

4.7K
10V

IR1, IR2,
2.2K

+
V0

E=8V, 0.5

5V

R3=2.2k, 1.2k
VD, ID, V0.

Si

5.6K

Si

Determine VD,, VR, ID.

Si

Si

10V

330

V0
-

2.5 Aplicaciones
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de
realizar una conversin de potencia de ac, en potencia de dc.
DE MEDIA ONDA:

20V

0V

D2

V1

1k

-20V
V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

8ms

9ms

10ms

V(D1:2)
Time
20V

0V

120

1k

-20V
V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

V(R1:1)
Time

6ms

7ms

DE ONDA COMPLETA:
1

20V

10V

2 2

1 1

1k

0V

-10V

-20V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

V(V2:+)
Time

CON TRANSFORMADORES:
Si
1

T1

5
6

Si

2.0ms

2. 5ms

3.0ms

Recortadores:
Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE:

20V

D2
5V

0V

1k

-20V
V(V10:+)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

V(R1:2)
Time
20V

10V

1k

0V

4V
-10V

-20V
0s
V(D1:2)

0.5ms
V(V1:+)

1.0ms

1.5ms
Time

2.0ms

2.5ms

3.0ms

Sujetadores o cambiadores de nivel:

C1

C1

V1
5V

Detectores de seal:

Vin
-

2
C1

Vout
-