Transistores Fet,

Mosfet

TECNICO SUPERIOR EN ELECTRONICA

El transistor de efecto de campo

Introduccin
El transistor de efecto de campo de unin o JFET
JFET de canal N
JFET de canal P
El transistor MOSFET
Mosfet de acumulacin
Mosfet de deplexin
Conclusiones

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ELECTRONICA

Transistores de efecto de campo

(FET)
FET de unin (JFET)
FET metal-xido-semiconductor (MOSFET)

Transistores JFET
D

D
G

G
S
Canal N

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)

S
Canal P

S - Surtidor o fuente
(SOURCE)

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Estructura interna de un JFET

D

G
P

N
P

Canal N

Canal P

D
G

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Funcionamiento de un JFET de canal N (I)

Unin GS polarizada
inversamente

D
C anal
P

SG

Zona de
tr a n s ic i n

N
S

Se forma una zona de

transicin libre de portadores
de carga
La seccin del canal depende de
la tensin USG
Si se introduce una cierta tensin
D-S la corriente ID por el canal
depender de USG
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Funcionamiento de un JFET de canal N (II)

D

ID

ID

U
G

D S

SG

( b a ja )

E l canal
s e e s tre c h a
U

SG

U
S

D S

Entre D y S se tiene una resistencia que vara en funcin

de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (III)

D
U

D S + U

SG

SG

ID

ID

SG

SG 1

D S

S G

=0V

SG 2

El ancho del canal depende tambin de la tensin U DS

Pasado un lmite la corriente ID deja de crecer con UDS
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D S

Caractersticas elctricas de un JFET de canal

Z o n a r e s is tiv a
N
Z o n a d e f u e n t e d e c o r r ie n t e

ID ( m A )

G S

20

G S1

= -2 V

10

G S2

= -4 V

30

=0V

D S

Caracterstica real

(V )

ID

G S

G S1

G S2

Caracterstica
linealizada
U

D S

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Caractersticas elctricas de un JFET de canal

P
ID ( m A )
U

G S

-2 0

G S1

=2V

-1 0

G S2

=4V

-3 0

-2

-4

-6

-8

=0V

D S

(V )

Curvas idnticas al de canal N pero con tensiones y

corrientes de signo opuesto

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Resumen de las caractersticas de un JFET de

unin:

La corriente de drenador se controla mediante

tensin (a diferencia de los transistores bipolares
donde se controla la corriente de colector mediante la
corriente de base)
La unin puerta-fuente se polariza en zona inversa y
existe un valor lmite de UGS a partir del cual el canal
se cierra y deja de pasar corriente de drenador
Entre drenador y fuente el JFET se comporta como
una resistencia o una fuente de corriente
dependiendo de la tensin UDS.
Aplicaciones tpicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia
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Funcionamiento en conmutacin del JFET:

R

ID

ID
V
U

G S (B )

C C

D S

G S

G S (A )

U
V

D S

G S

Aplicando una onda cuadrada

en los terminales UGS se puede
conseguir que el JFET acte
como un interruptor

D S
C C

A
B

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

D

G
S

Canal N

G
S

Canal P

MOSFET acumulacin

G
S

Canal N

Canal P

MOSFET deplexin

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente
(SOURCE)
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal N (I)
G
S

D
N

M e ta l
O x id o ( a is la n t e )

S e m ic o n d u c to r
SUSTR ATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra

conectado con el surtidor S

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal N (II)
U

ID = 0

D S

S
N

Los terminales principales del MOS

son drenador y surtidor
Al aplicar tensin UDS la unin
drenador-sustrato impide la
circulacin de corriente de
drenador

SU STR ATO

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal N (III)
+ + +

+ + +

G S

Al aplicar tensin positiva UGS los electrones libres de la

zona P (sustrato) son atrados hacia el terminal de puerta
Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo
n (zona rica en electrones) que permite el paso de la
corriente entre drenador y surtidor
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal N (IV)
U DS
Formado el canal entre drenador
y surtidor puede circular la
U
ID
G S
corriente de drenador ID
N
C a m p o e l c tr ic o
d e b id o a U D S

C a m p o e l c tr ic o
d e b id o a U G S

Incrementar la tensin UDS tiene

un doble efecto:
Ohmico: mayor tensin =
mayor corriente ID
El canal se estrecha por uno
de los lados = ID se reduce

A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se

compensan y la corriente se estabiliza haciendose
prcticamente independiente de UDS
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal N (V)
Curvas
caractersticas
D
ID ( m A )

10

40

ID

30

D S

20

P o r d e b a jo d e
e s ta te n s i n n o
s e fo rm a e l c a n a l

10
G S

G S

S
2

D S

(V )

A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre

drenador y fuente. Por debajo de este lmite el transistor est
en corte.
Dependiendo de la tensin UDS se puede tener un equivalente
resistivo o de fuente de corriente entre
DyS
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de

canal P
Curvas
caractersticas
D
I (m A )
D

ID

-4 0

G S

-1 0

-3 0
D S

G S

-8

-2 0
-6

-1 0

-4
-2

-4

-6

-8

D S

(V )

Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal

N pero con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxidosemiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexin de

canal N
G

ID ( m A )

D
N

U
2

40

D ifu s i n h e c h a d u r a n te
e l p r o c e s o d e fa b r ic a c i n

G S

30

Ya hay canal
fo rm a d o

20

-2

10
2

D S

(V )

En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una

difusin adicional durante el proceso de fabricacin
Con tensin UGS nula puede haber circulacin de corriente de
drenador
Es necesario aplicar tensin negativa UGS para cerrar el canal
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Resumen de las caractersticas de los transistores

MOS:
La corriente de drenador se controla mediante la
tensin UGS

En los MOSFET de acumulacin a partir de un cierto

valor umbral de UGS se forma el canal y puede circular
la corriente de drenador
En los MOSFET de deplexin una difusin adicional
permite la circulacin de la corriente de drenador
incluso para tensin UGS nula
Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores
electrnicos de potencia, etapas amplificadoras,
circuitos digitales, ...
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