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CRISTALOGRAFIA

A cristalografia a cincia experimental que tem como objeto de


estudo a disposio dos tomos em slidos

2014, o Ano da Cristalografia


Prof. M.Sc. Antonio Fernando de Carvalho Mota

SEQUNCIA DE EMPILHAMENTO - RESUMO

(CFC)

(HC)

NMERO DE COORDENAO DA ESTR. CS


Para a estrutura CS o nmero de coordenao 6

4 no mesmo plano + 1 no plano de baixo + 1 no plano de cima

NMERO DE COORDENAO DA ESTR. CCC


1/8 de tomo

1 tomo inteiro

Para a estrutura CCC o nmero de coordenao 8

NMERO DE COORDENAO DA ESTR.S CFC

Empacotamento compacto CFC: ABC, ABC...

Para a estr.s CFC o nmero de coordenao 12.


6 no mesmo plano
+ 3 no plano de baixo
+ 3 no plano de cima
5

NMERO DE COORDENAO DA ESTR. HC

HC

Para a estr.s HC o nmero de coordenao 12

RESUMO:NMERO DE COORDENAO, NC
Representa o nmero de vizinhos mais prximos que um dado tomo tem

CCC

CFC

HC

ESTRURA
CRISTALINA

NMERO DE
COORDENAO

CCC
CFC e HC

8
12

TABELA RESUMO PARA O SISTEMA CBICO


tomos
por clula
CS
1
CCC
2
CFC
4

CS

Nmero de
Parmetro
Fator de
coordenao
de rede
empacotamento
6
2R
0,52
8
4R/3
0,68
12
4R/2
0,74

CCC

CFC
8

EXEMPLO DE MATERIAIS QUE EXIBEM


POLIMORFISMO OU ALOTROPIAS

Ferro

912C

Fe

Fe

Metais
Titnio

883C

Ti

Ti

Carbono (Diamante e Grafite)


SiC (chega ter 20 modificaes cristalinas)
Etc

Obs.: As transformaes alotrpicas so acompanhadas de mudanas


na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas

SOLIDIFICAO
E
ALOTROPIAS
DO
FERRO
No magntico

768C

Magntico

Alotropias do Ferro
o

C
F e rro

l q u i d o

150 0
F e rro
140 0

F e rro

preciso malhar o Ferro


enquanto ainda est quente.

9 10

F e r ro

Avaliao: Na transformao CFC CCC, durante o


resfriamento, o volume diminui ou aumenta?

EXERCCIO
O ferro passa de CCC para CFC a 910C. Nesta temperatura
os raios atmicos so respectivamente , 1,258 e 1,292.
Qual a percentagem de variao de volume percentual
provocada pela mudana de estrutura?

Vccc = 2a3
accc = 4R/ 3
Vccc = 49,1 3

Vcfc = a3
acfc = 4R/ 2
Vcfc = 48,7 3

V%= 48,7 - 49,1 /48,7 = - 0,8% de variao


Para o clculo foi tomado como base 2 clulas unitrias CCC,
por isso Vccc= 2a3 uma vez que na passagem do sistema
CCC (2 t.s) para CFC (4 t.s) h uma contrao de volume

Alotropias ou Polimorfismo do Titnio

LIGAS DE Ti

PRTESE TOTAL DO QUADRIL

REVISO: Representao de uma direo (vetor)


Coordenadas da extremidade menos as coordenadas da origem

DETERMINAO DA DIREO ATMICA

DIREES ATMICAS

NDICES DE MILLER :
Direo hkl colchetes
Famlia de direes <hkl> aspas
Ex. <123> = 123, 231, 321 e 123

Linha de tomos na direo y 010


+z

+x

+y

DIREES ATMICAS

AVALIAO:
REPRESENTE COM OS NDICES DE MILLER A DIREO INDICADA

Resposta:
--

[111]
0

Ou
111

DIREO ATMICA
X

2[1/2
[2/2
[ 1

y z
1 0
1 0]
2 0]
2 0]

DENSIDADE LINEAR
DL = nmero de tomos centrados no vetor direo
comprimento do vetor direo

6nm

DL = 3 tomos
6nm
DL = 1/2 tomos/nm

3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao longo da


direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?

Livro: Van Vlack


24

3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao


longo da direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?
a) Clculo da densidade atmica linear ao longo da direo 112 do Ferro

z
l
[112]

2a

a2
0

accc = 4R/3
Densidade atmica linear

CCC
(Fe temp. amb.)

dl = 1 tomo/l
25

3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao


longo da direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?
b) Clculo da densidade atmica linear ao longo da direo 112 do Nquel

z
l
[112]

2a

a2
0

CFC
(Ni )

acfc = 4R/2
Densidade atmica linear

dl = 2 tomo/l
26

PLANOS CRISTALINOS
Um cristal contm planos de tomos e esses planos
influenciam as propriedades e o comportamento do cristal.
, portanto vantajoso identificar os vrios planos atmicos
que existem em um cristal.
Definio de Plano: X + Y + Z = 1 ou aX + bY + cZ = 1
e
m
n
z

n
e

PLANOS CRISTALOGRFICOS

NDICES DE MILLER PLANAR:


Planos hkl parnteses
Famlia de Planos {hkl} chaves

ROTEIRO PARA DETERMINAR OS NDICES DE UM PLANO:

1. Determina-se as intersees do plano com os


trs eixos;
2. Toma-se os inversos;
3. Multiplica-se por um fator para torn-los
nmeros inteiros;
4. ndices de Miller (hkl)

PLANOS CRISTALINOS
Plano paralelo aos eixos x e
z, corta o eixo y em 1.
1/ , 1/1, 1/
Plano (010)
X Y Z
1

Famlia de planos 010


+z

1,1,1
, 1 ,
(0 1 0)

Plano (001)
+y
+x

30

PLANOS CRISTALINOS

Plano paralelo ao eixo (z) e corta


os eixos (x e y) em 1
1/ 1, 1/1, 1/
Famlia de Planos 110
Plano (110)
31

FAMLIA {110}
paralelo um eixo

32

PLANOS CRISTALINOS

PLANOS CRISTALINOS

O Plano corta os 3 eixos cristalogrficos em 1


1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111)
Plano (111)
Famlia de Planos 111
34

FAMLIA {111}
Intercepta os 3 eixos

35

AVALIAO: DETERMINE O PLANO ATMICO


Plano B (paralelo ao plano A)
Corta o eixo x em -a;
Corta o eixo z em (paralelo);
Corta o eixo y em a/2.
Usando os procedimentos j descritos
os ndices so determinadas:
a=1 -1 ; ; 1/2
-1/1 ; 1/ ; 2
Plano (-102)

PLANOS CRISTALINOS

DEVER DE CASA - CRISTALOGRAFIA

REPRESENTAO DE PLANOS NO SISTEMA CBICO

Obs.: Somente no Sistema Cbico,


Plano e Normal tm os mesmos ndices

PLANO (100) E DIREO (100) NO SISTEMA CBICO SIMPLES

]
1
1
[1

0]
0
[1

(110)
(100)

(11
1)

REPRESENTAO DE PLANOS NO SISTEMA CBICO

[1
10
]

A normal do plano (100) a direo [100]


A normal do plano (110) a direo [110]
A normal do plano (111) a direo [111]
e assim por diante

PLANOS ATMICOS

4r

c/a = 1,633

(110)

4r

(100)

Parmetros dos reticulados dos sistemas HC, CCC e CFC

DIREES E PLANOS NO HEXAGONAL COMPACTO


(0001)

a1 = , a2 = , a3 = e c=1
(1/, 1/, 1/, 1/1)
PLANOS BASAIS

(0001)

NDICES DE MILLER

a1 = 1, a2 = , a3 =-1 e c=
(1/1, 1/, 1/-1, 1/)
PLANO ABCD

PRODUTO ESCALAR
u

v
u.v = ux.vx + uy.vy + uz.vz

u.v = u . v cos
u = ux.vx + uy.vy + uz.vz
Cos = ux.vx + uy.vy + uz.vz
ux2 + uy2 +uz2 . vx2 + vy2 + vz2

v
Se = 90
u .v = 0
Ex.: 110. 110 = -1+1+0=0

Ex.: 110 e 1 10 pertencem ao plano (111)


Porque: [-110].(111) = -1+1+0 = 0
[1-10].(111) = 1-1+0 = 0

AVALIAO:
Estrutura CCC
O sistema (112) [111] possvel?
No, A direo [111] mo pertence ao plano (112)
Porque [111] escalar [112] = 1+1+2 = 4 0
A direo [-1-11] sim, pertence ao plano (112)
z Porque [-1-11] escalar [112] = -1-1+2 = 0 (perpendiculares)

A direo [111] pertence ao plano (112)?

Ver pag.23

Direo comum a dois planos


Aplicao: calculo da direo comum aos planos (100) e (111)
Soluo: atravs do produto vetorial
i

j
ux
vx

k
u y uz
vy vz

i
=

j k
1 0 0
1 1 1

(+)

(-)
conveno

= 0i + 0j + 1k - 0i 1j 0k = 0 11

Para calcular o determinante de


matrizes de terceira ordem, utilizamos
a chamada regra de Sarrus:

EXERCCIO

DENSIDADE PLANAR
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano

3.16 a) Quantos tomos por milmetro quadrado h no plano


(100) do Cobre? b) no plano (110)? (c) e no plano (111)?

a) No plano (100); rCu = 1,278 A = 1,278x10-8cm;


aCFC = 4r
z
2

CFC
Cu

(100)
Densidade atmica planar

dp = 2 tomos/a2
Livro: Van Vlack

48

Cont. questo 3.16 Van Vlack

b) No plano (110)
z
a

CFC
Cu

a2

(110)
Densidade atmica planar

dp = 2 tomos
a22

49

Cont. questo 3.16 Van Vlack

(c) No plano (111)


l = 2R

CFC
Cu

(111)

rea = l23
4

Densidade atmica planar


n de tomos = 3 x 1/6 = 1/2

dp = 1/2 tomos
l23
4
50

DENSIDADE PLANAR
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano
l = 2R;
rea = l23 ;
4
n de tomos = 3 x 1/6 =
R = raio atmico em nm
DP =

= 1/2
= tomo
l23
(2R)2 3
....nm2
4
4

REVISO DE DENSIDADE ATMICA

DIREES PARA O SISTEMA CBICO


A simetria desta estrutura permite que as direes
equivalentes sejam agrupadas para formar uma famlia de
direes:
<100> para as arestas das faces
<110> para as diagonais das faces
<111> para a diagonal do cubo

<110>
111
(direo compacta)

53

<111>
<100>

DIREES COMPACTAS DO SISTEMA CFC


No sistema CFC os tomos se
tocam ao longo da diagonal da
face, que corresponde a famlia
de direes <110>.
Ento, a direo <110> a de
maior empacotamento atmico
para o sistema CFC.

Filme 22
54

PLANOS DE MAIOR DENSIDADE ATMICA NO SISTEMA


CFC
Densidade Planar:
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano

A famlia de planos
{111} no sistema CFC
o de maior densidade
atmica

55

CLCULO DA TENSO DE CISALHAMENTO


(BASE DA RESISTNCIA DOS MATERIAIS

A
f

Plano de
escoamento

= FA = Tenso Axial
= f = Tenso de Cisalhamento
A

56

TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO LEI DE SCHMID


= FA = Tenso Axial
f = Fcos = Fora de Cisalhamento

A
f

A = A Cos = Seo Transversal

Plano de
escoamento

A = ACos
= f
A
= f = F . Cos = F . Cos . Cos
A
A Cos
A
= . Cos . Cos
(Lei de Schmid)

F
57

TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO

resolvida

= Fresolvida = F cos cos = cos cos


A resolvida Ao

A Tenso de Cisalhamento, , varia de 0 a da Tenso Axial,


Quando a Tenso de Cisalhamento mxima, a Tenso Axial
mnima.
mx. = 1/2 quando = = 45
= 0 quando = 0 ou =0

TENSO DE CISALHAMENTO
Tenso de cisalhamento,
= F/So

So

Deformao de cisalhamento,
= tan
Mdulo de cisalhamento, G
= G

= E

= G

Avaliao: Qual o maior valor da tenso de cisalhamento?


Resp.: mx. = 1/2 quando = = 45

TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO (CONT.)


Casos especiais

NO DESLIZA
m = cos . Cos = 0
=0

Critical Resolved Shear Stress


Condition for dislocation motion:

R CRSS

Crystal orientation can make


it easy or hard to move dislocation

R cos cos

R = 0
=90

typically
10-4 GPa to 10-2 GPa

R = /2
=45
=45

maximum at = = 45

R = 0
=90

61

Single Crystal Slip

Adapted from Fig. 7.8, Callister 7e.

Adapted from Fig.


7.9, Callister 7e.

62

Copyright 2006 by Nelson, a division of Thomson Canada Limited


4-63

Ex: Deformation of single crystal


a) Will the single crystal yield?
b) If not, what stress is needed?

=60

=35

crss = 3000 psi

cos cos
6500 psi
Adapted
from Fig. 7.7,
Callister 7e.

= 6500 psi

(6500 psi) (cos 35o)(cos 60o)


(6500 psi) (0.41)
2662 psi crss 3000 psi

So the applied stress of 6500 psi will not cause the crystal to yield.

64

Ex: Deformation of single crystal


What stress is necessary (i.e., what is the
yield stress, y)?
crss 3000 psi y cos cos y (0.41)

crss
3000 psi
y

7325 psi
cos cos
0.41
So for deformation to occur the applied stress must
be greater than or equal to the yield stress

y 7325 psi
65

PLANOS E DIREES DE DESLIZAMENTO DA REDE CFC

CFC: 111
Planos
compactos

110
Direes
compactas

6 DIREES COMPACTAS 110


(DIAGONAIS DAS FACES)
4 PLANOS COMPACTOS 111

CFC
111 110

Sistemas = 4x3 = 12

PLANOS E DIREES DE DESLIZAMENTO DA REDE CCC


Direes
compactas

111

Planos
mais
compactos

110
112
123

4 direes compactas
Nenhum plano compacto
CCC
110 111

Sistemas = 6x2 = 12

A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento


(cisalhamento)

Rede CFC:

CFC
4 Planos {1 1 1} e 3 direes <1 1 0>

12 sistemas de deslizamento (fcil)

A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento


(cisalhamento)

Rede CCC:

6 Planos {1 1 0} e 2 direes <1 1 1>

12 sistemas de deslizamento

Estrutura Cristalina CCC


6 x 2 = 12
(011)
(01-1)

0
x

(101)

(-101)

(110)

(-110)

RESUMO: PLANOS E DIREES DE ESCORREGAMENTOS


NOS RETICULADOS CFC E CCC

A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento


(cisalhamento)
A

Rede HC:

B
A

1 Plano {0 0 0 1} e 3 direes <1 1 -2 0>

3 sistemas de deslizamento fcil.

ESPAAMENTOS INTERPLANARES
No sistema cbico, o espaamento entre os planos :

dhkl =

a
(h2+k2+l2)1/2

1 = 10-10m = 10-8cm
(angstrom)
nano, n = 10-9m

ESPAAMENTOS INTERPLANARES

d110=

a
.= a . = a 2
2 1/2
(1 +1 +0 ) 2
2

d111=

a
.= a . = a 3
2
2
2 1/2
(1 +1 +1 )
3
3

d220=

a
(2 +2 +02)1/2
2

d200=

a
.= a . = a .
2 1/2
(2 +0 +0 )
22 2

.= a . = a 2
8
4

d100=

a
.= a
2 1/2
(1 +0 +0 )
2

ESPAAMENTOS INTERPLANARES
d110=

d200=

a
. = a . = a 2
(12+12+02)1/2 2
2
a
. = a.=a.
(22+02+02)1/2 22 2

Obs.:
Os ndices de Miller so reduzidos aos menores nmeros inteiros;
Os espaamentos interplanares no so.

d111 d222.

DETERMINAO DA ESTRUTURA CRISTALINA


POR DIFRAO DE RAIO X

Raos-x tem comprimento de onda similar a


distncia interplanar 0,1nm

76

O espectro eletromagntico

DETERMINAO DA ESTRUTURA CRISTALINA POR


DIFRAO DE RAIO X

78

DIFRAO DE RAIOS X - LEI DE BRAGG (1913)

n= 2 dhkl.sen
comprimento de onda
n um nmero inteiro de
ondas

dhkl =
a
(h2+k2+l2)1/2
79

Vlido
para
sistema
cbico

d a distncia interplanar
O ngulo de incidncia

LEI DE BRAGG

n= 2 dhkl.sen

Schematic diagram of an
x-ray diffractometer; T x-ray source,
S specimen, C detector, and O
the axis around which the specimen
and detector rotate.

DISTNCIA INTERPLANAR (dhkl)


uma funo dos ndices de Miller e
do parmetro de rede
dhk l =

81

a
(h2+k2+l2)1/2

Lei de Bragg: dhkl.Sen=n/2

DIFRAO DE RAIOS X

Mtodos de difrao de Raios-X

DIFRAO DE RAIOS X
a(ccc)=4R
3
a(cfc)=4R
2
d(hkl)=

a
.
h2+k2+l2

d/n=/2sen

DIFRAO DE RAIOS X

Difrao de Raios X

DIFRATMETRO DE RAIOS - X O INSTRUMENTAL DO IPT


A difratometria de raios X
corresponde a uma das principais
tcnicas de caracterizao
microestrutural de materiais cristalinos.
O ngulo , no qual o cristal pode
refletir o raio-X, depende
fundamentalmente da distancia
interplanar dhkl do retculo.

Difratmetro de Raios X em julho de 1979

n= 2 dhkl.sen

87

DIFRATMETRO DE RAIOS X

Difratmetro de p, Philips, modelo Pw 1880


(instalado no LCT EPUSP)

n = 2 dhkl . sen
88

EFEITO DA DEFORMAO NO NGULO DE BRAGG

= E.
89

DIFRATOMETRO PORTTIL DE RAIOS X LEI DE BRAGG

90

DIFRATOMETRO PORTTIL DE RAIOS X LEI DE


BRAGG

Dr. Joel Teodsio


Professor da COPPE/UFRJ

MINIDIFRATMETRO DESENVOLVIDO NA
INCUBADORA DA COPPE/UFRJ

A vista geral do minidifratmetro: 1-fonte de alta tenso; 2blindagem com ampola de raios X; 3-Colimador; 4-porta de
amostra; 5-detector sensvel posio; 6- Unidade de controle do
detector; 7-computador.
92

INOVAES TECNOLOGICAS DO MINIDIFRATOMETRO


Neste trabalho, o controle de corrente de nodo, foi feito atravs da
potncia aplicada ao filamento, e foi implementado por meio de um
circuito PWM (Pulse Width Modulation) em malha fechada, o que
permitiu uma grande estabilidade de corrente.
Todo circuito eletrnico descrito est contido em um gabinete de
alumnio com dimenses de 320x280x80 mm.
O difratmetro desenvolvido no tem o gonimetro como uma
unidade separada. As funes do gonimetro so cumpridas por um
motor de passo controlado pelo computador.
Esta substituio, do gonimetro tradicional por motor de passo,
simplifica a determinao da posio angular do detector e diminui
significativamente o peso total do difratmetro.
O computador controla a rotao de detector e permite determinar
aposio angular deste com preciso 0,05 graus.

93

APLICAO EM CONDIES DE CAMPO

Utilizao do minidifratmetro em medidas de tenses em


condies de campo.
94

Equipamentos

A microssonda EDX, disponvel na Gerdau Aos Especiais Piratini


desde 1996, um equipamento complementar ao MEV capaz de
realizar anlises qualitativas e quantitativas (bem como mapeamentos)
de elementos qumicos, assim auxiliando na caracterizao de
incluses
no-metlicas
presentes
nos
aos.

POR QUE OS PLANOS CRISTALINOS SO


IMPORTANTES?
Para a determinao da estrutura cristalina;
Para a deformao plstica;
Para as propriedades de transporte.
dhkl =
a
(h2+k2+l2)1/2

n= 2 dhkl.sen
LEI DE BRAGG

VITORIAS DO BRASIL