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(CFC)
(HC)
1 tomo inteiro
HC
RESUMO:NMERO DE COORDENAO, NC
Representa o nmero de vizinhos mais prximos que um dado tomo tem
CCC
CFC
HC
ESTRURA
CRISTALINA
NMERO DE
COORDENAO
CCC
CFC e HC
8
12
CS
Nmero de
Parmetro
Fator de
coordenao
de rede
empacotamento
6
2R
0,52
8
4R/3
0,68
12
4R/2
0,74
CCC
CFC
8
Ferro
912C
Fe
Fe
Metais
Titnio
883C
Ti
Ti
SOLIDIFICAO
E
ALOTROPIAS
DO
FERRO
No magntico
768C
Magntico
Alotropias do Ferro
o
C
F e rro
l q u i d o
150 0
F e rro
140 0
F e rro
9 10
F e r ro
EXERCCIO
O ferro passa de CCC para CFC a 910C. Nesta temperatura
os raios atmicos so respectivamente , 1,258 e 1,292.
Qual a percentagem de variao de volume percentual
provocada pela mudana de estrutura?
Vccc = 2a3
accc = 4R/ 3
Vccc = 49,1 3
Vcfc = a3
acfc = 4R/ 2
Vcfc = 48,7 3
LIGAS DE Ti
DIREES ATMICAS
NDICES DE MILLER :
Direo hkl colchetes
Famlia de direes <hkl> aspas
Ex. <123> = 123, 231, 321 e 123
+x
+y
DIREES ATMICAS
AVALIAO:
REPRESENTE COM OS NDICES DE MILLER A DIREO INDICADA
Resposta:
--
[111]
0
Ou
111
DIREO ATMICA
X
2[1/2
[2/2
[ 1
y z
1 0
1 0]
2 0]
2 0]
DENSIDADE LINEAR
DL = nmero de tomos centrados no vetor direo
comprimento do vetor direo
6nm
DL = 3 tomos
6nm
DL = 1/2 tomos/nm
z
l
[112]
2a
a2
0
accc = 4R/3
Densidade atmica linear
CCC
(Fe temp. amb.)
dl = 1 tomo/l
25
z
l
[112]
2a
a2
0
CFC
(Ni )
acfc = 4R/2
Densidade atmica linear
dl = 2 tomo/l
26
PLANOS CRISTALINOS
Um cristal contm planos de tomos e esses planos
influenciam as propriedades e o comportamento do cristal.
, portanto vantajoso identificar os vrios planos atmicos
que existem em um cristal.
Definio de Plano: X + Y + Z = 1 ou aX + bY + cZ = 1
e
m
n
z
n
e
PLANOS CRISTALOGRFICOS
PLANOS CRISTALINOS
Plano paralelo aos eixos x e
z, corta o eixo y em 1.
1/ , 1/1, 1/
Plano (010)
X Y Z
1
1,1,1
, 1 ,
(0 1 0)
Plano (001)
+y
+x
30
PLANOS CRISTALINOS
FAMLIA {110}
paralelo um eixo
32
PLANOS CRISTALINOS
PLANOS CRISTALINOS
FAMLIA {111}
Intercepta os 3 eixos
35
PLANOS CRISTALINOS
]
1
1
[1
0]
0
[1
(110)
(100)
(11
1)
[1
10
]
PLANOS ATMICOS
4r
c/a = 1,633
(110)
4r
(100)
a1 = , a2 = , a3 = e c=1
(1/, 1/, 1/, 1/1)
PLANOS BASAIS
(0001)
NDICES DE MILLER
a1 = 1, a2 = , a3 =-1 e c=
(1/1, 1/, 1/-1, 1/)
PLANO ABCD
PRODUTO ESCALAR
u
v
u.v = ux.vx + uy.vy + uz.vz
u.v = u . v cos
u = ux.vx + uy.vy + uz.vz
Cos = ux.vx + uy.vy + uz.vz
ux2 + uy2 +uz2 . vx2 + vy2 + vz2
v
Se = 90
u .v = 0
Ex.: 110. 110 = -1+1+0=0
AVALIAO:
Estrutura CCC
O sistema (112) [111] possvel?
No, A direo [111] mo pertence ao plano (112)
Porque [111] escalar [112] = 1+1+2 = 4 0
A direo [-1-11] sim, pertence ao plano (112)
z Porque [-1-11] escalar [112] = -1-1+2 = 0 (perpendiculares)
Ver pag.23
j
ux
vx
k
u y uz
vy vz
i
=
j k
1 0 0
1 1 1
(+)
(-)
conveno
= 0i + 0j + 1k - 0i 1j 0k = 0 11
EXERCCIO
DENSIDADE PLANAR
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano
CFC
Cu
(100)
Densidade atmica planar
dp = 2 tomos/a2
Livro: Van Vlack
48
b) No plano (110)
z
a
CFC
Cu
a2
(110)
Densidade atmica planar
dp = 2 tomos
a22
49
CFC
Cu
(111)
rea = l23
4
dp = 1/2 tomos
l23
4
50
DENSIDADE PLANAR
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano
l = 2R;
rea = l23 ;
4
n de tomos = 3 x 1/6 =
R = raio atmico em nm
DP =
= 1/2
= tomo
l23
(2R)2 3
....nm2
4
4
<110>
111
(direo compacta)
53
<111>
<100>
Filme 22
54
A famlia de planos
{111} no sistema CFC
o de maior densidade
atmica
55
A
f
Plano de
escoamento
= FA = Tenso Axial
= f = Tenso de Cisalhamento
A
56
A
f
Plano de
escoamento
A = ACos
= f
A
= f = F . Cos = F . Cos . Cos
A
A Cos
A
= . Cos . Cos
(Lei de Schmid)
F
57
resolvida
TENSO DE CISALHAMENTO
Tenso de cisalhamento,
= F/So
So
Deformao de cisalhamento,
= tan
Mdulo de cisalhamento, G
= G
= E
= G
NO DESLIZA
m = cos . Cos = 0
=0
R CRSS
R cos cos
R = 0
=90
typically
10-4 GPa to 10-2 GPa
R = /2
=45
=45
maximum at = = 45
R = 0
=90
61
62
=60
=35
cos cos
6500 psi
Adapted
from Fig. 7.7,
Callister 7e.
= 6500 psi
So the applied stress of 6500 psi will not cause the crystal to yield.
64
crss
3000 psi
y
7325 psi
cos cos
0.41
So for deformation to occur the applied stress must
be greater than or equal to the yield stress
y 7325 psi
65
CFC: 111
Planos
compactos
110
Direes
compactas
CFC
111 110
Sistemas = 4x3 = 12
111
Planos
mais
compactos
110
112
123
4 direes compactas
Nenhum plano compacto
CCC
110 111
Sistemas = 6x2 = 12
Rede CFC:
CFC
4 Planos {1 1 1} e 3 direes <1 1 0>
Rede CCC:
12 sistemas de deslizamento
0
x
(101)
(-101)
(110)
(-110)
Rede HC:
B
A
ESPAAMENTOS INTERPLANARES
No sistema cbico, o espaamento entre os planos :
dhkl =
a
(h2+k2+l2)1/2
1 = 10-10m = 10-8cm
(angstrom)
nano, n = 10-9m
ESPAAMENTOS INTERPLANARES
d110=
a
.= a . = a 2
2 1/2
(1 +1 +0 ) 2
2
d111=
a
.= a . = a 3
2
2
2 1/2
(1 +1 +1 )
3
3
d220=
a
(2 +2 +02)1/2
2
d200=
a
.= a . = a .
2 1/2
(2 +0 +0 )
22 2
.= a . = a 2
8
4
d100=
a
.= a
2 1/2
(1 +0 +0 )
2
ESPAAMENTOS INTERPLANARES
d110=
d200=
a
. = a . = a 2
(12+12+02)1/2 2
2
a
. = a.=a.
(22+02+02)1/2 22 2
Obs.:
Os ndices de Miller so reduzidos aos menores nmeros inteiros;
Os espaamentos interplanares no so.
d111 d222.
76
O espectro eletromagntico
78
n= 2 dhkl.sen
comprimento de onda
n um nmero inteiro de
ondas
dhkl =
a
(h2+k2+l2)1/2
79
Vlido
para
sistema
cbico
d a distncia interplanar
O ngulo de incidncia
LEI DE BRAGG
n= 2 dhkl.sen
Schematic diagram of an
x-ray diffractometer; T x-ray source,
S specimen, C detector, and O
the axis around which the specimen
and detector rotate.
81
a
(h2+k2+l2)1/2
DIFRAO DE RAIOS X
DIFRAO DE RAIOS X
a(ccc)=4R
3
a(cfc)=4R
2
d(hkl)=
a
.
h2+k2+l2
d/n=/2sen
DIFRAO DE RAIOS X
Difrao de Raios X
n= 2 dhkl.sen
87
DIFRATMETRO DE RAIOS X
n = 2 dhkl . sen
88
= E.
89
90
MINIDIFRATMETRO DESENVOLVIDO NA
INCUBADORA DA COPPE/UFRJ
A vista geral do minidifratmetro: 1-fonte de alta tenso; 2blindagem com ampola de raios X; 3-Colimador; 4-porta de
amostra; 5-detector sensvel posio; 6- Unidade de controle do
detector; 7-computador.
92
93
Equipamentos
n= 2 dhkl.sen
LEI DE BRAGG
VITORIAS DO BRASIL