Dispositivos de Potencia

Universidad de Oviedo
Leccin 2
Seleccin de dispositivos
electrnicos de potencia
Diseo de Sistemas Electrnicos de
Potencia
4 Curso. Grado en Ingeniera en Tecnologas
y Servicios de Telecomunicacin
Dispositivos a estudiar
El Diodo de potencia
El MOSFET de potencia
El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)
El Rectificador Controlado de Silicio (SCR)
El Tiristor Apagado por Puerta (GTO)
El Triodo de Corriente Alterna (TRIAC)
Nuevos
para
vosotros
Encapsulados de diodos
DIODOS DE POTENCIA
Axiales
DO 35
DO 41
DO 15
DO 201
DIODOS DE POTENCIA
Para usar radiadores
Para grandes potencias
DIODOS DE POTENCIA
DO 5
B 44
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 2 diodos
2 diodos en ctodo comn
2 diodos en serie
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)
Nombre del dispositivo
Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados
para el mismo dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
Nombre del
dispositivo
Encapsulados
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
Dual in line
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
DIODOS DE POTENCIA
Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor
Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

Dan origen a mdulos de potencia
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia
- Minimizan las inductancias parsitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
DIODOS DE POTENCIA
- Se pueden pedir a medida
Electrnica militar
Control de Motores
Circuito equivalente esttico

Curva caracterstica
real
DIODOS DE POTENCIA
Curva
caracterstica ideal
Curva caracterstica
asinttica.
Pendiente = 1/rd
V
0
V
ideal
Circuito equivalente asinttico
Modelo asinttico
rd
V
Caractersticas fundamentales de cualquier diodo

1 -Mxima tensin inversa soportada
2 -Mxima corriente directa conducida
3 -Cada de tensin en conduccin
4 -Corriente de inversa en bloqueo
5 -Velocidad de conmutacin
DIODOS DE POTENCIA
1 Mxima tensin inversa soportada

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente
polarizada
Baja tensin
Media tensin
Alta tensin
Ejemplo de
clasificacin
15 V
100 V
500 V
30 V
150 V
600 V
45 V
200 V
800 V
55 V
400 V
1000 V
60 V
80 V
1200 V
1 Mxima tensin inversa soportada

El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM
DIODOS DE POTENCIA
- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM
La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
2 Mxima corriente directa conducida

El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
DIODOS DE POTENCIA
- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM
Depende de la cpsula
3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la
corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente
ideal
rd
DIODOS DE POTENCIA
V
i
ID
5A
V
VD
DIODOS DE POTENCIA
La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

soportable por el diodo

Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V
1,25V @ 25A
IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
En escala lineal no son muy tiles
Frecuentemente se representan en
escala logartmica
2,2V @ 25A

Curva caracterstica en escala logartmica
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 25A,
VRRM = 200V
0,84V @ 20A
IF(AV) = 22A,
VRRM = 600V
1,6V @ 20A
DIODOS DE POTENCIA
Los Schottky tienen mejor

comportamiento en
conduccin para VRRM < 200
(en silicio)
0,5V @ 10A
DIODOS DE POTENCIA
Schottky de VRRM relativamente

alta
0,69V @ 10A
La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Schottky
Similares valores
de VRRM y similares
cadas de tensin
en conduccin
PN
4 Corriente de inversa en bloqueo
DIODOS DE POTENCIA
Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
4 Corriente de inversa en bloqueo

Dos ejemplos de diodos
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Crece con IF(AV)

Crece con Tj
Decrece con VRRM
5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin
R
a
DIODOS DE POTENCIA
V1
b
V2
i
V1/R
V
-V2
i
+
V
t
t
Transicin de a a b,
es decir, de conduccin
a bloqueo (apagado)
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo

(apagado)
DIODOS DE POTENCIA
V1
b
V2
i
+
V1/R
trr
V
-
ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
ts
-V2/R
tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )
-V2
t
tf (i= -0,1V2/R)
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin

(encendido)
R
a
DIODOS DE POTENCIA
V1
b
V2
i
+
0,9V1/R
V
-
0,1V1/R
td
tr
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )
El tiempo de recuperacin directa genera menos
problemas reales que el de recuperacin inversa
Informacin suministrada
por los fabricantes
DIODOS DE POTENCIA
Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento
inductivo
DIODOS DE POTENCIA
STTA506D
Ms informacin suministrada por

los fabricantes
La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a
clasificar los diodos
DIODOS DE POTENCIA
VRRM
IF
trr
> 1 s
Standard
100 V - 600 V
1 A 50 A
Fast
100 V - 1000 V
1 A 50 A
100 ns 500 ns
Ultra Fast
200 V - 800 V
1 A 50 A
20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V (Si)
1 A 150 A
< 2 ns
1 A 20 A
< 2 ns
300 V 1200 V (SiC)
Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
Direcciones web
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com
Prdidas en diodos
Son de dos tipos:
- Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables)
- Dinmicas
Prdidas estticas en un diodo
iD
DIODOS DE POTENCIA
iD
Forma de onda frecuente
ideal
rd
V
Potencia instantnea perdida en conduccin:

pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)
Potencia media en un periodo:
T
PDcond
1
p Dcond (t )dt
T
PDcond = VIM + rd Ief2

IM : Valor medio de
iD(t)
Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo

Las conmutaciones no son perfectas
Hay instantes en los que conviven tensin y corriente
La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin
10 A
iD
tf
DIODOS DE POTENCIA
t
3A
0,8 V
Potencia instantnea perdida

en la salida de conduccin:
VD
t
pDsc (t) = vD (t)iD (t)

Potencia media en un periodo:
trr
PD
-200 V
1
p Dsc (t )dt
T
Informacin de los fabricantes sobre prdidas
DIODOS DE POTENCIA
Estticas
(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)
DIODOS DE POTENCIA
Dinmicas
(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
DIODOS DE POTENCIA
Dinmicas
(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C
Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W
Ley de Ohm trmica: T=PRTH
DIODOS DE POTENCIA
Si
P
(W)
RTHca
RTHjc
Ambiente
Unin
(oblea)
Magnitudes elctricas:
- Resistencias elctricas, R en
- Difer. de tensiones, V en voltios
- Corriente, I en A
c
Encapsulado
Equivalente
elctrico
RTH
T
V
Equivalente
elctrico
TJ
Si
DIODOS DE POTENCIA
P
(W)
RTHca
RTHjc
j
Unin
RTHjc TC
RTH
T
V
PI
RTHca
a
Ta
c
P
Ambiente
0K
c
Encapsulado
Por tanto:
T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)
Y tambin:
Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca
La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)
La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)
DIODOS DE POTENCIA
Cpsula
RTHca [C/W]
TO 3
TO 5
TO 66
TO 220
TOP 3
30
105
45
60
40
Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador en la cpsula.
RTHrad
RTHjc
j
TJ
c
TC
RTHca
Ta
RTHrad
Si
DIODOS DE POTENCIA
P
(W)
RTHjc
RTHca
0 K
Ambiente
Unin
c
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin de seal
Zonas de trabajo de un MOSFET de seal
ID
2,5K
EL MOSFET DE POTENCIA
+
-
VGS
+
VDS
-
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
10V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
(sin inters en electrnica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin de seal
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los
dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET

de enriquecimiento
S
N+
P-
D
N+
D
G
S
Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia
Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente
Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):

Fuente
n+
Fuente
Puerta
n+
nn+
Drenador
Estructura planar
(D MOS)
n+
Puerta
nn+
Drenador
Estructura en
trinchera
(V MOS)
S
G
D
Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los
encapsulados axiales)
Existe gran variedad de encapsulados
Ejemplos: MOSFET de 60V
RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=5,5m, ID=86A
RDS(on)=9m, ID=93A
RDS(on)=12m, ID=57A
RDS(on)=1.5m, ID=240A
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
Otros ejemplos de MOSFET de 60V
RDS(on)=3.4m, ID=90A
Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

2 -Mxima corriente de drenador
3 -Resistencia en conduccin
N-
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta
5 -Proceso de conmutacin
1 Mxima tensin drenador-fuente
Puerta
Fuen
te
1 -Mxima tensin drenador-fuente
Diodo
Fuente
Drenado
r
Drenador
MOSFET con puerta en
trinchera
Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a

la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1 Mxima tensin drenador-fuente
La mxima tensin drenador-fuente de representa como

VDSS o como V(BR)DSS
Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia
Baja tensin
Ejemplo de
clasificacin
15 V
30 V
45 V
55 V
60 V
80 V
Media tensin
100 V
150 V
200 V
400 V
Alta tensin
500 V
600 V
800 V
1000 V
1200 V (SiC)
2 Mxima corriente de drenador

El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima ID
- Corriente mxima pulsada IDM
La corriente continua mxima ID depende de

la temperatura de la cpsula (mounting base
aqu)
A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin
Es uno de los parmetro ms importante en un

MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras RDS(on)

Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
Para un dispositivo particular, decrece con la tensin

de puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,
RDS(on) crece con el valor de VDSS
En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los
valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000
V)
MOSFET de
1984
MOSFET de los aos 2000
4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que

comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral
VGS(TO) como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
La tensin umbral cambia con la temperatura
La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es

tpicamente de 20V
5 Proceso de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos

usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En

ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al
aumento de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son
difciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
parsitas del dispositivo
Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal
- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
Cdg
G
Cgs
Cds
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con
ellas:
- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)
- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)
Coss
Ciss
Ejemplo de informacin de los fabricantes
Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan

prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia
V1
En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
- Energa almacenada en C = 0,5CV12
C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
Energa total perdida: CV12 = V1QCV1
Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las

variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en las fuentes de
corriente dependientes que caracterizan la operacin esttica del
MOSFET
Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:
- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
IL
Cdg
V1
Cds
R
Cgs
V2
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto:
vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0

iDT = 0 y iD = IL
- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
IL
iD
vDG
-
Cdg
A
V1
iDT
Cds
+
vGS
Cgs
+
vDS
-
V2
vGS
iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

vDS = V2 hasta que iDT = IL
BA
VGS(TO)
Pendiente determinada
por R, Cgs y por Cdg(V2)
vDS
iDT
IL
IL
iD
vDG
Cdg
A
V1
+
vGS
iDT
Cds
Cgs
+
vDS
-
V2
vGS
La corriente que da V1 a travs de R

se emplea fundamentalmente en
descargar Cdg prcticamente no
BA
circula corriente porCgs vGS = Cte
VGS(TO)
vDS
iDT
IL
IL
vDG
-
Cdg
+
+
A
V1
+
vGS
iDT
Cds
+
-
Cgs
+
vDS
-
V2
vGS
Cgs y Cdg se continan cargando
V1
BA
Constante de tiempo determinada

por R, Cgs y por Cdg (medida a V1)
VGS(TO)
vDS
iDT
IL
IL
vDG
-
Cdg
iDT
A
V1
+
vGS
Cds
+
-
Cgs
vDS
-
V2
vGS
BA
VGS(TO)
Valoracin de prdidas de entrada en

conduccin (caso de conmutaciones sin
recuperacin de energa)
V1
VM
vDS
Valoracin de prdidas entre t0 y

t2 :
- Hay que cargar Cgs (grande) y
descargar Cdg (pequea) VM voltios
IL
t0 t1 t2 t3
iDT MOSFET)
de corriente dependiente del
Cdg
PVI
+
vGS
iDT
+
iDT
- Hay convivencia tensin corriente

entre t1 y t2 (energa perdida en la fuente
(energa perdida en el circuito de mando)
+
-
Cgs Cds -
vDS V2
vGS
Valoracin de prdidas entre t2 y

t3 :
BA
VGS(TO)
V1
VM
- Hay que descargar Cds hasta 0

(energa perdida en el transistor) e
invertir la carga de Cdg desde V2-VM hasta
-VM (energa perdida transistor y en el
vDS
circuito de mando)
- Hay convivencia tensin corriente
entre t2 y t3 (energa suministrada
IL
iCdg+i
Cds+I
L
t0 t 1 t2 t 3
iCdg
Cdg
PVI
+
vGS
iDT = IL
iCds
+
iDT
externamente al transistor y perdida)
+
-
Cgs Cds -
vDS
IL
vGS
BA
VGS(TO)
V1
VM
- Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg

hasta V1
vDS
No
hay convivencia
corriente salvo la propia

prdidas de conduccin
iDT
iCdg
IL
t0 t1 t2 t3
Cdg
+
vGS
de
iDT = IL
PVI
tensin
iL
-
Valoracin de prdidas a partir de

t3 :
+
-
Cgs Cds -
vDS
IL
las
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la

carga de puerta:
vGS
- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente

constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con
IV1 V1/R)
- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado

esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una
carga elctrica Qgs
iV1
Qdg
Qgs
- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la

carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg
t0
- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg

es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)
t2 t 3
Qg
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),

cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el
transistor
iV1
- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS,

siendo fS la frecuencia de conmutacin
V1
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes
IRF 540
BUZ80
MOSFET de 1984
MOSFET de los aos 2000
Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes:
conmutacin con carga resistiva (no es importante para nosotros)
VGS
VDS
90%
10%
td on
td off
tr
iDT
tf
RD
td on: retraso de encendido
RG
tr: tiempo de subida

td off: retraso de apagado
tf: tiempo de bajada
+
-
vGS
+
vDS
-
Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes:
conmutacin con carga resistiva (no es importante para nosotros)
IRF 540
iDT
RD
td on: retraso de encendido
RG
tr: tiempo de subida

td off: retraso de apagado
tf: tiempo de bajada
+
-
vGS
+
vDS
-
Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente
vGS
Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
vDS
Pconm = fS(w on + w off)
iDT
PVI
Prdidas en conmutacin
Prdidas en
conduccin
Woff
Won
Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas en la fuente de gobierno
vGS
iV1
V1
iV1
Qdg
Circuito terico
Qgs
iV1
t0
t2 t 3
Qg
V1
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

todo en MOSFETs de alta tensin
IRF 540
D
G
S
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin
Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia
Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia
Este fabricante denomina mounting base a la

cpsula y suministra informacin de la RTHja = RTHjc +
RTHca
Principio de operacin y estructura
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una

estructura que permite:
Modulacin de la conductividad (lo que implica bajas
prdidas en conduccin)
Antisaturacin del transistor bipolar interno (no tan
lento como si se saturara completamente)
Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).
R
P
EL IGBT
S1
V2
G
S
V2

Colector
(Collector)
Colector
(C)
P E
N
D
G
EL IGBT
Puerta
(Gate)
B
P
S
Emisor
(Emitter)
Puerta
(G)
Emisor (E)
Smbolo de un IGBT de canal N
Circuito
equivalente
simplificado de un
IGBT
Otro smbolo usado
Concepto de nivel de inyeccin en una unin PN

Bajo nivel de inyeccin :
nN3(0+) >> pNV(0+)
Portadores/cm
1016
1014
pP
nN
1012
1010
108
10
EL IGBT
104
0.
3
P+
nPV
N-
pNV
0-0.2 0.
0.
+
Longitud
2
0.1 0 [mm]
1
0.3
Bajo nivel de inyeccin es lo que siempre hemos

considerado hasta ahora en otros casos de
uniones PN y P+N
En el caso de uniones P+N- esto es vlido para
Concepto de nivel de inyeccin en una unin PN

Alto nivel de inyeccin:
nN(0+) pNV(0+)
Portadores/cm3
pP
nN
P+
N-
nPV
EL IGBT
No es posible!
0.
3
pNV
0-0.2 0.
0.
Longitud
2
0.1 0+ [mm]
1
0.3
Si la tensin de polarizacin directa

suficientemente
intensa,
pNV(0+)
aproxima a nN(0+). En este caso, nN
permanece
constante,
sino
que
es
se
no
se
Modulacin de la Conductividad
P+
N+
N-
NA = 1019ND1 = 1014ND2 = 1019

Huecos
inyectados
desde la zona
P+ n
nN- pN-
1016
1014
P+
10
EL IGBT
10
Electrones
inyectados
desde la zona
N+
pN+
10
Hay inyeccin de portadores desde las regiones

adyacentes muy dopadas (doble inyeccin) , lo
que disminuye la resistividad de la regin poco
dopada
cuando
est
en
conduccin.
Este
EL IGBT
Transistores bipolares (BJTs) de potencia

Se utilizaban antes del desarrollo
de los MOSFET de potencia. Hoy
se
utilizan
poco
(como
interruptores principales)
Son mucho ms lentos que los
MOSFETs (como unas 10 veces
ms lentos)
Adems, hay que inyectar una
corriente bastante apreciable por
la base (slo 5-20 veces menor
que la corriente de colector)
Sin embargo, tienen modulacin
de la conductividad, lo que
implica que se pueden hacer
dispositivos que soporten mucha
tensin (zona N- poco dopada) y
que tengan baja resistencia en
Corrien
te de
Base
Si
O2
E
N P-
N-
N+
Corriente de colecto
Comparacin entre BJTs y MOSFETs de potencia

Conmutac Control
in
Prdidas en
conduccin en
dispositivos de alta
tensin
BJTs
Lenta
Difcil
Bajas
MOSF
ETs
Rpida
Fcil
No
Altas
EL IGBT
Modulacin
de la
Conductivid
ad
Se puede conseguir un dispositivo

con las ventajas de ambos?
La respuesta es el IGBT, que presenta

muy
buenas
caractersticas
en
aplicaciones de mayor potencia que las
de uso de los MOSFET (sacrificando
frecuencia de conmutacin)
Estructura interna de un IGBT

(modelo muy simple)
Emisor
Puer
ta
Emisor (E)
Puerta
(G)
Puerta
Emisor
Colector
(C)
Colector
EL IGBT
N+
NN+
P
+
Colector
N+
Estructura interna de un IGBT

(modelo un poco ms elaborado)
Emisor
Puerta
Puer
ta
Emisor
N+
N+
Rdrift
Rdrift
EL IGBT
P
Colector
Colector
El IGBT bloqueando (soportando) tensin
Zona de
transici
n
Emisor
Puer
ta
Puerta
V2
Emisor
N+
N+
EL IGBT
P
Colector
V2
Rdrift
R
R
Colector
Modulacin
de la
Conductivida
Efecto
d
transist
or
V1
El IGBT conduciendo corriente
V1
Puerta
Emisor
Puer
ta
V2
Emisor
N+
N+
Rdrift
EL IGBT
P
Colector
V2
Rdrift
R
R
Colector
Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

Emisor
Puer
ta
N
Rbody
Rdrift
Emisor
Puer
ta
Rbody
P
N
-
Rdrift
N
+
EL IGBT
P
+
Colector
Colect
or
Hay un tiristor parsito que creaba problemas
en los primeros IGBTs. El problema est hoy
solucionado, cortocircuitando R
Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

actual (solucionado el problema del tiristor parsito
interno)
Corriente que dispara
el tiristor parsito
Rbody
N
+
P
Emiso
r
Puer
ta
Canal
Tiristor
parsito
N-
EL IGBT
Para evitar el disparo

de tiristor parsito
P
+
Canal
P
+
Emiso
r
Puert
a
Colect
or
Corriente por el BJT
Colect
or
Corriente por el BJT
El IGBT no puede conducir corriente

inversa con tensin cero en puerta, como s
ocurra en los MOSFETs
P
P
N
D
N
C
Corriente inversa
Corriente inversa
P
G
Diodo
parsito
Diodo
extern
o
Corriente inversa
EL IGBT
El IGBT por tanto puede soportar tensin inversa
Los IGBTs simtricos se disean para este fin. Sin

embargo, la cada de tensin directa es mayor en
ellos.
Para conducir corriente inversa hay que colocar un
Estructuras asimtrica y simtrica
N
+
P
+
Emiso
r
Puer
ta
Emiso
r
Puer
ta
N-
P
N-
N
+
P
EL IGBT
P
Colect
or
Colect
or
IGBT asimtrico
IGBT simtrico
(tambin llamado
punch-through IGBT)
(tambin llamado
non-punch-through IGBT)
Curvas caractersticas de salida de los IGBTs

C
vEB_BJT+
iD [A]
6
vGS = 10V
vGS = 8V
vGS = 6V
iC [A]
6
vGE = 10V
vGE = 8V
vGE = 5V
vGS = 5V
2
2
vGE = 4V
vGS = 4V
vGE < VGE(th) = 3V
vGS < VGS(TO) = 3V

0
vDS [V]
EL IGBT
Tambin es as en la
parte
MOSFET
del
IGBT
vCE [V]
vEB_BJT
Caso de un MOSFET.
vGE = 6V
Caso de un IGBT.
Se obtienen sumando
vEB_BJT
a
las
curvas
caractersticas
de
un
EL IGBT
Caractersticas generales de un IGBT
Caractersticas generales de un IGBT
EL IGBT
Informacin general del IRG4PC50W.
EL IGBT
Caractersticas estticas de un IGBT
IC_max @ T = 50 oC: 55 A
EL IGBT
IC_max @ T = 75 oC: 48 A
EL IGBT
Asymmetrical IGBT
Curva caracterstica esttica para una tensin v GE dada

iC [A]
6
vGE = 15V
vCE [V]
EL IGBT
vEB_BJT
vEB_BJT
1V
Comportamien
to trmico
como un
MOSFET
EL IGBT
Comportamien
to trmico
como un BJT
Caractersticas dinmicas de los IGBTs
vGE
Apagado con carga inductiva y diodo ideal

C
vGE(th)
G
EL IGBT
iC
vCE
E
Apagado de
la parte
MOSFET
Apagado
de la
parte
Cola del
BJTIGBT
IL
RG
V
G
C
G
+
V vGE
-
iC V
+C
vC
E
E
Comparacin de IGBTs y MOSFETs en el apagado
vGE
C
D
vGE(th)
iC
E
Parte MOSFET
vGS
vDS(TO)
iD
Parte BJT
EL IGBT
Cola
vCE
Periodo con
prdidas de
apagado
Prdidas de
conmutacin
vDS
Encendido con carga inductiva y diodo ideal
vGE
vGE(th)
G
iC
EL IGBT
Periodo con
prdidas de
encendido
vCE
Encendido
de la parte
MOSFET
Parte BJT
IL
RG
A
V
G
C
G
+
V vGE
-
iC V
+C
vC
E
E
Caractersticas dinmicas de un IGBT
EL IGBT
Conmutaciones reales del IGBT IRG4PC50W

teniendo en cuenta el comportamiento real del
diodo y las inductancias parsitas
EL IGBT
EL IGBT
Capacidades parsitas y
carga de puerta
Prdidas en un IGBT
EL IGBT
Las de conduccin se calculan

desde
las
curvas
caractersticas estticas:
Las de conmutacin a
partir
de
curvas
especficas
de
los
fabricantes:
Introduccin a los Tiristores
Los tiristores fueron, durante muchos aos, los

dispositivos que dominaban la electrnica de
potencia
Son dispositivos bipolares de ms de dos uniones
Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de

manejar
grandes
corrientes
y
tensiones
(modulacin de la conductividad)
Los Tiristores
Los ms importantes son:

- El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon
Controlled Rectifier, SCR), al que se le aplica
muchas veces el nombre de Tiristor
-
El GTO (Gate Turn-Off thyristor) o Tiristor

apagado por puerta
El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente

Alterna
La estructura de 3 uniones (4 capas)
Los Tiristores
La base de los tiristores es la estructura PNPN
N
P
N N
P P
E2
B2
C2
B1
C1
E1
Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como un biestable)
C2
Pol.
inversa
E2
C2
-B
Polarizac -
C1
E1
in
directa
Los Tiristores
B2
La estructura de 4 capas
puede soportar tensin
sin conducir corriente, ya
que una unin queda
polarizada inversamente
VCC
Polarizac
in
E directa
Ahora inyectamos corriente

en la unin B1-E1 desde una
fuente externa Vg
ig
Rg
Vg
B2
-B
C1
iB1
E1
Ahora circula iB1 = ig

por la unin B1-E1
VCC
iB1 genera iC1 = 1iB1

iB2
iC2
ig
Rg
Vg
+
iB1
iB1
iC1
1
Pero iC1 = iB2; por tanto:

iC2 = 2iB2 = 2 1iB1
La corriente iB1 ser ahora:
VCC
iB1 = ig + iC2 = ig + 2 1iB1

Es decir, iB1 2 1iB1 >>
iB1
Los Tiristores
Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
-
Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un

cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situacin no cambia

Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados,
dependiendo de la historia anterior:
- Con la estructura de 4
capas sin conducir
- Con la estructura de 4
capas conduciendo
iCC =0 A
VCC
+ 0,7 V
-
0,5 V
VCC
VCC
Los Tiristores
0V
0V
0,9 V
0,7 V
VCC
iCC VCC/R

Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas
conduzca? (I)
- Aumentando mucho VCC: las
- Inyectando corriente en B1
corrientes inversas de las uniones
(ya explicado)
base-colector alcanzan valores
suficientes para la saturacin
mutua de los transistores
i V /R
CC
iCC VCC/R
0,9 V
VCC
Vg
B1
Los Tiristores
R
Rg
0,9 V
iC2
iC1
Esto slo ocurre cuando

las son suficientemente
grandes, lo que se alcanza
cuando
las
corrientes
inversas tambin lo son
VCC
CC

Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas
conduzca? (II)
- Haciendo incidir radiacin
(luz) en la zona B1
iCC VCC/R
iCC VCC/R
0,9 V
iC2
VCC
iB1
iB1
VCC
iC1
iC2
0,9 V
Los Tiristores
iB2
iB2
- Sometiendo a la estructura a una

fuerte derivada de tensin: la
corriente de carga de la capacidad
parsita colector base pone en
conduccin la estructura
B1
Luz
El SCR
Es el tiristor por antonomasia
Su smbolo es como el de un diodo con un

terminal ms (la puerta)
Se enciende (dispara) por puerta

No se puede apagar por puerta
Estructura interna
nodo
(A)
iA
Los Tiristores
VAK
N-
Ctodo
(K)
N
Puerta
(G)
PG
El SCR
Curva caracterstica sin corriente de

puerta
Polarizacin directa cuando
iA [A]
est ya disparado (como un
diodo en polarizacin directa)
Disparo por
sobretensin
nodo-ctodo
VAK [V]
-600 V
Los Tiristores
Polarizacin inversa
(como un diodo)
600 V
Polarizacin directa a
tensin menor de la
disparo por sobretensin
nodo-ctodo (como un
diodo en polarizacin
inversa)
El SCR
Curva caracterstica con corriente de

puerta

iA [A]
Disparo
por
sobretensin
nodo-ctodo
Disparo
por puerta
-600 V
ig3
ig4
Los Tiristores
ig2
ig1
ig = 0
600 V
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4
VAK [V]
El SCR
Disparo por puerta:

- Es el modo de disparo deseado
+ A
Lmite de disipacin
de potencia
iA
VGK
VAK
Vg
G ig
+
VGK
Los Tiristores
Unin
fra
Unin caliente
Rg
Vg/Rg
Zona de disparo
imposible
Vg
ig
- Para que se mantenga disparado, la corriente nodo-ctodo

tiene que ser mayor que el valor llamado latching current
En disparo se realiza con poca potencia
(bajos niveles de corriente y tensin)
El SCR
Apagado del SCR :

- No se puede hacer por puerta
- Para apagarse, el valor de su corriente nodo-ctodo tiene
que bajar por debajo de un valor llamado corriente de
mantenimiento (holding current)
Los Tiristores
- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tipo de

convertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado
a conversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de
altsima potencia
-
En aplicaciones de entrada en continua, se usaban

circuitos auxiliares para conseguir el apagado (con
bobinas, condensadores y SRCs auxiliares)
Los Tiristores
Caractersticas de un
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
El GTO
nodo
(A)
Puerta
(G)
Ctodo
(K)
Los Tiristores
Smbolo
Es un SCR que se puede apagar por puerta

La corriente de encendido es similar a la de
un SCR
Se apaga por corriente saliente en puerta,
que llega a ser tan grande como un tercio de
la de nodo-ctodo
Su capacidad de soportar tensin directa

cuando no est disparado es alta
Su capacidad de soportar tensin inversa es

muy limitada (unos 30 V)
Es un dispositivo lento, pensado para

aplicaciones de muy alta potencia
La estructura interna es muy compleja
Los Tiristores
El GTO
Estructura interna de un GTO (obtenida del texto "Power Electronics:

Converters, Applications and Design de N. Mohan, T. M. Undeland y W.
P. Robbins. Editorial John Wiley and Sons.)
El TRIAC
Es el equivalente a dos SCRs

conectados en antiparalelo
No se puede apagar por puerta

Terminal 2
(T2)
T2
T2
P
N-
Los Tiristores
N
Puerta
Terminal 1 (G)
(T1)
Smbolo
G
T1
Equivalente
P-
T1
Estructura
interna
El TRIAC
Curva caracterstica sin corriente de

puerta
iT2 [A]
Disparo por
sobretensin
T2-T1
VT2T1 [V]
-600 V
Los Tiristores
Polarizacin inversa: se
comporta como en
polarizacin directa
600 V
Polarizacin directa a
tensin menor de la
disparo por sobretensin
T2-T1
El TRIAC
Curva caracterstica con corriente de

puerta
iT2 [A]
Disparo
por
sobretensin
T2-T1
Disparo
por puerta
ig4
-600 V
Los Tiristores
ig = 0
ig1
ig2
ig3 ig4
Disparo
por
sobretensin
T2-T1
ig3
Las corrientes de
puerta pueden ser
positivas
o
negativas
Desaconsejado
ig2
ig1
ig = 0
600 V VT2T1 [V]
Hay 4 modos posibles:
Facilidad
- Modo I+: VT2T1 > 0 y iT2 > 0
- Modo I-: VT2T1 > 0 y iT2 < 0
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iT2 > 0
- Modo III-: VT2T1 < 0 y iT2 < 0
El DIAC
No es un componente de potencia, sino que es un

componente auxiliar para el disparo de TRIACs
Slo tiene dos terminales y es simtrico
iA2
A2
A2
iA2 [A]
+
VA2A1
A1
Los Tiristores
Smbolo
P
N
VA2A1 [V]
-30 V
0
30 V
P
A1
Curva caracterstica
Cpsula
DO-35
Ejemplo de DIAC
Estructura
interna

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2 diodos en ctodo comn

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

- Se pueden pedir a medida

Circuito equivalente esttico

Caractersticas fundamentales de cualquier diodo

1 Mxima tensin inversa soportada

1 Mxima tensin inversa soportada

- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

2 Mxima corriente directa conducida

- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

3 Cada de tensin en conduccin

3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

3 Cada de tensin en conduccin

3 Cada de tensin en conduccin

3 Cada de tensin en conduccin

Los Schottky tienen mejor

3 Cada de tensin en conduccin

Schottky de VRRM relativamente

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

3 Cada de tensin en conduccin

4 Corriente de inversa en bloqueo

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

4 Corriente de inversa en bloqueo

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

Crece con IF(AV)

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo

tf = tiempo de cada (fall time )

Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

Ms informacin suministrada por

Schottky 15 V - 150 V (Si)

300 V 1200 V (SiC)

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

Forma de onda frecuente

Potencia instantnea perdida en conduccin:

PDcond = VIM + rd Ief2

Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo

Potencia instantnea perdida

pDsc (t) = vD (t)iD (t)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

(de las hojas de caractersticas

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

(de las hojas de caractersticas

T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin de seal

Zonas de trabajo de un MOSFET de seal

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V