Podemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y

FET.
BJT : Bipolar JunctionTransistor
FET: Field-EffectTransistor

BJT (de unin dipolar)

Estn formados por dos uniones PN y constan de 3 terminales
(colector, base y emisor), que se corresponden con las tres
zonas de material semiconductor.
Por el emisor entra un flujo de portadores que a travs de la
base llega al colector (los sentidos de la corriente estn
indicados en la figura).

FET (de efecto de campo)

Los terminales en este caso son: fuente (F o S), drenaje (D) y
puerta (G o P). Cabe distinguir en este grupo dos tipos
diferenciados: los JFET (de unin) y los MOSFET (del tipo metal xido - semiconductor).

Su funcionamiento no se basa en uniones PN, como el transistor

bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos elctricos en el interior
del dispositivo.
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura
MOS (Metal Oxide Semiconductor), tecnologa inventada en los aos
60 para hacer los primeros chips (procesadores). Pronto evolucion en
CMOS (complementary metal oxyde semiconductor)

-V1 + VGS = 0
VGS = V1 = 5v
Id en la recta = Vth/Rth =
mA

9/750

= 12

Definicin:MOSFETsignifica"FETdeMetalOxidoSemiconductor"oFETdecompuertaaislada
Es un tipo especial de Transistor FETque tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es
llamadoMOSFETdecanalNyelPNPesllamadoMOSFETdecanalP.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) es colocada del lado
delsemiconductoryunacapademetalescolocadadelladodelacompuerta(GATE)

ParaquecirculecorrienteenunMOSFETdecanalNunatensinpositivasedebeaplicarenlacompuerta.
AsloselectronesdelcanalNdelafuente(source)yeldrenaje(Drain)sonatradosalacompuerta(Gate)
ypasanporelcanalPentreellos.
Elmovimientode estoselectrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los
electronesentre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad decorriente)
dependeoescontroladaporlatensinaplicadaalacompuerta.
EnelcasodelMOSFETdecanal P,sedaunasituacinsimilar.Cuandoseaplicaunatensinnegativaen
lacompuerta,loshuecos(ausenciadeelectrones)delcanalPdeldrenajeydelafuentesonatradoshacia
lacompuertaypasanatravsdelcanalNquehayentreellos,creandounpuenteentredrenajeyfuente.
Laamplitudoanchuradelpuente(ylacantidaddecorriente)dependedelatensinaplicadaa
lacompuerta.
Debidoaladelgadacapadexidoquehayentrelacompuertayelsemiconductor,nohaycorrientepor
lacompuerta.Lacorrientequecirculaentredrenajeyfuenteescontroladaporlatensinaplicadaa
lacompuerta.
Lostransistores MOSFETse pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad
si hay alta tensin o hayelectricidad esttica.
Esta capaaislante(rea gris)es tandelgada que se si produjera uncampo
elctricofuerte, podra destruirse, es por eso que lamanipulacin del MOSFETes tan
importante. Esta acumulacin de carga puede producir un campo elctrico destructivo

En la figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N,

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de
empobrecimiento como de enriquecimiento, la tensin negativa,
aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al
empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente
de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se
realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin
VGGde la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una
tensin positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue
hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin
positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de

Trabajo en Grupo

FETTransistor de Efecto Campo(Field-Effect TransistoroFET,eningls)

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido
cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones,
que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control,
mucho menor.Los FET pueden plantearse comoresistenciascontroladas pordiferencia de
potencial.
SimbologadelTransistorFET:LafiguramuestraelcroquisdeunFET

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET)

1. ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable
dependientedelvalordeVGS.Unparmetroqueaportaelfabricanteeslaresistenciaquepresentael
dispositivoparaVDS=0(rdson),ydistintosvaloresdeVGS.
2. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una
fuentedecorrientegobernadaporVGS
3.ZONADECORTE:Laintensidaddedrenadoresnula(ID=0).

Laoperacindeun
FETdeCANALP
escomplementaria
aladeunFETde
CANALN,loque
significaquetodos
losvoltajesy
corrientessonde
sentidocontrario

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN

PRINCIPALVENTAJA

USOS

Aisladoroseparador(buffer)

Impedanciadeentradaaltaydesalida
Usogeneral,equipodemedida,receptores
baja

AmplificadordeRF

Bajoruido

SintonizadoresdeFM,equipoparacomunicaciones

Mezclador

Bajadistorsindeintermodulacin

Receptores de
comunicaciones

AmplificadorconCAG

Facilidadparacontrolarganancia

Receptores,generadoresdeseales

Amplificadorcascodo

Bajacapacidaddeentrada

Instrumentosdemedicin,equiposdeprueba

Troceador

Ausenciadederiva

Amplificadores de cc, sistemas de control de

direccin

Resistorvariableporvoltaje

Secontrolaporvoltaje

Amplificadoresoperacionales,rganoselectrnicos,
controlasdetono

FM

TV,equipos

para

Amplificadordebajafrecuencia Capacidadpequeadeacoplamiento Audfonosparasordera,transductoresinductivos

Oscilador

Mnimavariacindefrecuencia

Generadoresdefrecuenciapatrn,receptores

CircuitoMOSdigital

Pequeotamao

Integracin
memorias

en

gran

escala,

computadores,

http://
www.learnabout-electronics.org/fet_03.php

Trabajo en grupo

SudenominacineninglesBJT(Bipolar Junction Transistor).Eltrminobipolarhace

referenciaalhechodequeenlaconduccindelacorrienteintervienenlosdostiposde
portadores(electronesyhuecos).Elterminojunction(unin)hacereferenciaalaestructura
deldispositivo,yaquecomoveremosacontinuacintenemosdosunionesPNeneltransistor
ymediantelapolarizacindeestasunionesconseguiremoscontrolarelfuncionamientodel
dispositivo.
Eltransistoresundispositivodetrescapas.PodemostenerunacapadematerialtipoNen
mediodedoscapasdematerialtipoP,enestecasosedenominatransistor PNP,obientener
unacapatipoPcondoscapastipoPacadalado,encuyocasoestaramoshablandodeun
transistor NPN.

La zona de Emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona

encargada
de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos
en el caso de un transistor PNP o electrones en el caso del transistor
NPN.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de
emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas
exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de
portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de
recoger o
colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado
inferior de las tres.

Estamosanteundispositivoquetienedosuniones,unauninentrelaszonasdeemisorybase(que
denominaremosapartirdeahoraunindeemisorJE)yotrauninentrelaszonasdebaseycolector
(denominaremosunindecolectorJC),cadaunadelascualespuedeserpolarizadaenlasdosformas.
As,desdeelpuntodevistaglobaldeldispositivotenemoscuatrozonasdefuncionamientoposiblesen
funcindelestadodepolarizacindelasdosuniones.
Deestaforma,sipolarizamoslasdosunionesendirecta,diremosqueeltransistoresttrabajandoen
lazona de saturacin.Enelcasodequelaunindeemisorlapolaricemosendirectaylauninde
colectoreninversa,estaremosenlazona activa.
Cuandolasdosunionessepolarizaneninversa,sedicequeeltransistorestenlazona
de corte.Porltimo,silaunindeemisorsepolarizaeninversaylaunindecolectorendirecta,el
transistorseencuentraenactiva inversa.
De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms interesantes desde el punto
de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona puramente
terica y sin inters prctico.

donderepresentalafraccindeportadoresqueinyectadosporelemisoralcanzanelcolector.

IE=IC+IBIB=CorrientedeBase;IC=CorrientedeColector;IE=CorrienteEmisor.
IEIC=IB
IEfIE=IB
IE(1-f)=IB
SibuscamoslarelacinentreICeIB
IE=IC/f=IB/(1-f)
IC/IB=f/(1-f)=F

IbMax=100APuntoB
VbeMaxcuandoIb=0
VbbIb*Rb=Vbe
SiIb=0
Vbe=Vbb=1v

ParaelpuntoAIb=20A;Ic=1mA
IcIb=f=50
PorLKVVce=Vcc-Ic*Rc;Ic=Ib=50*30A=1.5mA
Vce=10-1.5mA*1K=8.5V
SicalculamosparaelpuntoBnosdarelmismoresultado
VceMax=10VparaIc=0A
IcMax=10mAparaVce=0V

Trabajo en grupo

-9+Ib*Rb+Vbe+10=0
-9+Ib*10K-0,7+10=0
Ib=-0,3/10K=-30A
Ic=Ib=50*(-30A)=-1.5mA
IcRc+Vce+10=0
Vce=-10(-1.5)*(1K)=-8.5V

Trabajo Grupal
EntregueuntrabajoenformatoPDFdondedemuestredominioenlossiguientestemas:
Seescogerunintegrantedecadagrupoparaexponertemaalguno,mximo5porgrupo,mnimo4.
G1.Fotodiodo,Fototransistor,DiodoEmisorDeLuz,hacerdosejemplosportemadelibrogua.
G2.DiodoLser,Dependenciadelosdispositivosalatemperatura,LimitacindePotenciaenla
operacindedispositivos,hacerdosejemplosportemadellibrogua.
G3.Ejercicioslibroguapagina239del5.1al5.8
G4.Ejercicioslibroguapagina249del5.9al5.18
G5.Ejercicioslibroguapagina257del5.26al5.36
G6.Ejercicioslibroguapagina259del5.37al5.40;pagina261del5.41al5.44
G7.Ejercicioslibroguapagina271del5.50al5.57;pagina273del5.59al5.60