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Semicondutores: Diodo

Zener

23-03-15

Por : Lus Timteo

Semicondutores:
Diodo Zener

Junes P-N Diodo


semicondutor

Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento de dispositivos electrnicos, como diodos
rectificadores e transistores, baseiam-se no comportamento de junes entre
semicondutores tipo P e tipo N, denominadas de juno P-N. A juno tem a
propriedade de um rectificador electrnico, isto , faz com que um fluxo de
corrente elctrica tome somente uma direco, transformando, por exemplo,
tenso
alternada
em uma
tenso
contnua
(DC).
Na
prtica,
obtemos
juno
PN dopando
um mesmo material com impurezas
doadoras de um lado e impurezas aceitadoras do outro. A diferena das
concentraes de electres e lacunas nestes materiais, gera um processo de
deslocamento de cargas na juno dos dois tipos de semicondutores ( corrente de
difuso). No equilbrio, os electres do material tipo-N preenchem as lacunas do
material tipo-P nas proximidades da juno, formando uma camada dupla de
cargas
fixas de
de cargas
tomosfixas
dadores
e aceitadores
chamada
de zona
de deplexo
.
A
formao
nesta
regio d origem
a uma
diferena
de potencial
de contato (VD) ou barreira de potencial na zona de deplexo. Desta forma, a
regio (ou zona) de deplexo age como uma barreira (resistncia alta) impedindo
que os electres e lacunas continuem a atravessar o plano da juno.
Este movimento de cargas devido ao campo eltrico criado na juno devido s
cargas fixas de doadores e aceitadores, constitui uma corrente chamada de
corrente de deriva (contrria a corrente de difuso). Assim, para que haja
conduo de corrente pela juno, electres livres e lacunas em maioria nos
diferentes semicondutores, estes precisam de vencer esta barreira de potencial,
ou seja, precisam possuir energia
que
VD.
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Pormaior
: Lus
Timteo

Semicondutores:
Diodo Zener

Junes P-N Diodo


semicondutor
Princpio de funcionamento: Propriedades - Barreira

potencial
Uma de
tenso
positiva adequada (forward bias) aplicada entre as duas
extremidades da juno PN, pode fornecer os electres livres e lacunas
com a energia extra. A tenso externa necessria para superar esta
barreira de potencial que existe agora, muito dependente do tipo de
material semicondutor utilizado, e a sua temperatura real. Tipicamente,
temperatura ambiente, a tenso atravs da camada de deplexo para
o silcio de cerca de 0,6-0,7 volts e para o germnio de cerca de
0,3-0,35 volts. Esta barreira de potencial existir sempre, mesmo que o
dispositivo no esteja ligado a qualquer fonte de energia externa.
O significado desta barreira de potencial built-in, atravs da juno,
que ela se ope tanto o fluxo de lacunas ou buracos, como de electres,
atravs da juno e por isso que chamado de barreira de
potencial.
Na prtica, uma juno PN formada dentro de um cristal nico de
material, em vez de simplesmente aderir ou fundir duas peas
separadas. Os contatos eltricos tambm so fundidos em ambos os
lados do cristal, para permitir a ligao elctrica a um circuito externo.
O dispositivo resultante, chamado um diodo de juno PN ou diodo
de sinal.
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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Sem polarizao (Zero Biased


Junction Diode)
Juno PN

Regio - N Regio - P

IR

Volts

ID

23-03-15

Quando um diodo ligado numa condio


de polarizao zero, nenhuma energia
potencial externa aplicada juno PN.

No entanto, se os terminais de diodos so


curto-circuitados,
algumas
lacunas(portadores maioritrios) no material
do tipo P tm a energia suficiente para
ultrapassar a barreira de potencial, e iro
mover-se atravs da juno, contra a
barreira de potencial. Isto conhecido
Potencial
Built-in 0,3 como o corrente de deriva e referida como
0,7V
IF .
Do mesmo
modo, as lacunas geradas no material do
tipo N (portadores minoritrios), atravs desta situao
favorvel, movem-se atravs da juno na direco
oposta. Isto conhecido como o "corrente inversa"
(reverse current) e referenciada como ID. Esta
transferncia de electres e lacunas atravs da juno
PN conhecida como difuso.
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Por : Lus Timteo

Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Sem polarizao (Zero Biased


Juno PNDiode)
Junction

Regio - N Regio - P

A barreira de potencial que existe agora


desencoraja a difuso de
mais quaisquer
portadores maioritrios atravs da juno. No
entanto, a barreira de potencial ajuda os
portadores minoritrios (poucos electres livres da
regio - P, e alguns buracos da regio - N,
deriva, atravs da juno.
Depois, estabelecer-se- um "equilbrio" que ser estabelecido quando
se moverem em direces opostas, os portadores maioritrios em igual
nmero, de modo que o resultado lquido corrente zero a fluir no
circuito. Quando isto ocorre, a juno dita estar num estado de
"equilbrio dinmico".
Os portadores minoritrios so constantemente gerados devido
energia trmica, pelo que, este estado de equilbrio pode ser quebrado
por aumento da temperatura da juno PN, causando um aumento da
gerao de portadores minoritrios, resultando assim num aumento da
corrente de fuga, mas uma corrente elctrica no pode fluir uma vez
que nenhum circuito est ligado
juno
PN.
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Por : Lus
Timteo

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Diodo Zener

Diodo
Semicondutor
Polarizao do diodo: Polarizao directa (Forward Biased
Junction
Juno PN Diode)

Quando um diodo ligado numa condio de


polarizao directa, uma tenso negativa
aplicada ao material do tipo N, e uma tenso
positiva aplicada ao material do tipo P. Se esta
tenso externa se tornar maior do que o valor da
barreira de potencial, aprox. 0,7 volts para o silcio
Camada de Deplexo
(muito pequena)
e 0,3 V para o germnio, o potencial da barreira
de oposio, ser superada e a corrente elctrica
Isto acontece
porque a tenso negativa empurra
Voltagem de Polarizao
Directa
comear
a fluir.
R
ou repele os electres em direco juno,
I max.
dando-lhes energia para a atravessar e
+
combinarem-se com as lacunas, que so tambm
empurradas na direco da juno, na direco
oposta, pela tenso positiva. Isso resulta numa
curva de caractersticas de fluxo de corrente zero,
at ao ponto de tenso, o chamado "joelho" nas
curvas estticas, e em seguida um elevado fluxo
de corrente atravs do diodo com um pequeno
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Por : Lus
Timteo
aumento
na tenso
externa, a partir de 0,3 6 07
Regio - N Regio - P

Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Polarizao directa (Forward Biased Jun


Juno PN

Curva caracterstica de um diodo de juno com


polarizao directa

Regio - N Regio - P

Corrente
Directa (I
(IF
mA)
mA)

Joelho

Diodo de
Silcio
Camada de Deplexo
(muito pequena)

Regio de
Polariza
o Directa

Voltagem de Polarizao Directa

Voltagem de Polarizao Directa (V


(VF vo

A aplicao de uma tenso de polarizao directa na juno do diodo, resulta na


camada de deplexo se tornar muito fina e estreita, o que representa um trajecto
de baixa impedncia atravs da juno, permitindo assim altos fluxos de corrente.
O ponto em que este aumento sbito da corrente tem lugar, est representada na
I-V esttica caracterstica, acima do ponto de "joelho".
curva
Uma vez que o diodo pode conduzir corrente "infinita" acima deste ponto joelho
pois torna-se efectivamente um curto-circuito, so usadas, resistncias em srie
com o diodo afim de limitar o seu fluxo de corrente. Ultrapassar o valor de corrente
directa mxima especificada, resulta em sobreaquecimento e posterior falha do
dispositivo.
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Por : Lus Timteo

Semicondutores: Diodo
Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Polarizao direc


Juno PN em aberto

+
+
+
+

+
+
+
+

Regio Carga Espacial

+
+
+
+

Polarizao Directa
V

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Polarizao inversa (Reverse Biased Ju


Juno PN

Quando um diodo ligado numa condio de


Regio - N Regio - P
polarizao inversa, uma tenso positiva
aplicada ao material do tipo N, e uma tenso
negativa aplicado ao material de tipo P. A
voltagem positiva aplicada ao material do tipo N
atrai electres para o elctrodo positivo e
aumenta a distncia a partir da juno,
Maior camada de Deplexo
enquanto as lacunas tambm so atradas para
elctrodo negativo da fonte afastando-se assim
O da
resultado
juno. lquido que a camada de deplexo
Voltagem de Polarizao
Inversa
cresce mais, devido a uma falta de electres e
lacunas, e apresenta um caminho de alta
impedncia, quase um isolante. O resultado
criar uma alta barreira de potencial impedindo
assim o fluxo de corrente atravs do material
Esta circunstncia d um valor elevado de resistncia
semicondutor.
juno PN e praticamente zero a corrente fluir atravs do
dodo de juno com um aumento na tenso de
polarizao inversa.
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Semicondutores: Diodo
Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Polarizao Inve


Juno PN em aberto N

+
+
+
+

+
+
+
+

Regio Carga Espacial

+
+
+
+

+
+
+
+

+
+
+
+

Polarizao Inversa
V

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Polarizao do diodo: Polarizao inversa (Reverse Biased


Juno PNDiode)
Junction

No entanto, uma pequena corrente de fuga flui


atravs da juno, e que pode ser medida, na
ordem de microamperes (A). Se a tenso de
polarizao inversa VR aplicada ao diodo for
elevada para um valor suficientemente alto, far a
juno PN superaquecer e falhar devido ao efeito
de avalanche em torno da juno. Isto pode fazer
Maior camada de Deplexo
com que o diodo entre em curto-circuito e ir
resultar
na
passagem
daVoltagem
corrente mxima no
VZ
Voltagem de Polarizao Inversa
Inversa ((-VR)
VR)
circuito.
Por vezes, este efeito de avalanche
Regio - N Regio - P

tem
aplicaes
prticas
em
Regio de
circuitos estabilizadores de tenso Regio de
Polariza
em que uma limitadora em srie Reverse
o Inversa
utilizada com o diodo a limitar a Breakdow
n
corrente a um valor mximo prestabelecido, e assim, produzir
uma sada de tenso fixa atravs
do diodo de ruptura inversa. Estes
tipos de diodos so comumente
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: Lus Timteo
conhecidos como Diodos ZenerPor
.

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Diodo Zener

Diodo
Semicondutor

Funcionamento

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diod
e.html
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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener

O diodo Zener como um diodo de sinal de uso geral, que consiste de


uma juno PN de silcio. Quando polarizado directamente, ele se
comporta como um diodo de sinal padro, passando a corrente nominal,
mas assim que a tenso inversa aplicada sobre o diodo Zener exceder
as da tenso nominal do dispositivo VZ, (breakdown voltage) ou tenso
de ruptura altura, atingido um processo chamado de avalanche) na
camada de depleo do semicondutor, e a corrente comea a fluir
do diodo,
o aumento na tenso.
atravs
A corrente
flui limitando
atravs assim
do
diodo
zener
aumentando
drasticamente para o valor
Knee-10%
Knee-10% I max
mximo (que geralmente
limitada por uma resistncia
--------------------25% I max
em srie) que atingindo a
saturao inversa, permanece
Esta tenso do ponto de ruptura VZ,
constante.
I
chamada de "tenso Zener, e pode
Impedncia Zener-D=
Zener-D= V / I
variar de menos do que um, a
--------------------100% I max
V
centenas de volts.
Z

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Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Equivalente

Curva IV Caracterstica

Circuito equivalente modelo do diodo Zener


e curva caracterstica ilustrando (ZZ)
Resistncia dinmica.
-VR

IF

VZ

VF 0,3-0,7V

VZ
ZZ

Ideal

Real

+VF

0I
Zmin

VZ
I Z

I Z

IZmax

IR
Um ponto importante do zener a inclinao da curva Volt-ampere na
faixa de operao .Seja ZZ = VZ / IZ o inverso da inclinao, onde ZZ
a resistncia dinmica ; se houver uma mudana IZ na corrente de
operao do doido, haver uma mudana VZ = ZZ IZ na tenso de
operao.
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Por : Lus Timteo

Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador

O diodo de Zener utilizado com "polarizao inversa" , isto o nodo liga-se ao negativo
da alimentao. A partir curva IV caractersticas anterior, podemos ver que o diodo zener
tem uma regio na sua caracterstica inversa, de uma tenso negativa constante,
independentemente do valor da corrente que flui atravs do diodo e permanece quase
constante, mesmo com grandes mudanas, desde que a corrente no zener permanea entre
os valores de IZ (min) e a corrente mxima classificao IZ (max).

FONTE
SEM
REGULAO
Vp
Vz

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Vin

Vz

Vout

RL

Vout = Vz

A tenso Vin deve ser


sempre maior que a
VZ. entre ambas
tenso
A diferena
as tenses dissipada
na resistncia R.
Interessa que Vin no
seja muito maior que
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Por : Lus Timteo Vout.

Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador

+
_

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador

Carga em
curto

Efeito Zener e
Ripple

Sem
Carga

Essencialmente, o diodo Zener um regulador paralelo (com a carga


RL). Na ausncia de carga toda a corrente passa atravs do Zener, e a
potncia dissipada em RS.
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Por : Lus Timteo

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador
Efeito Zener e
Ripple

Vin
VDC

Vr

t
Regulador

Vout
Vr

VZ

VZ

Vout

ZZ

Regulao de linha =
Vout/ Vin

Regulao de Carga =
Vout/ IL

Vout
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( Z Z || RL )
VZ Vr
( Z Z || RL ) RS
Por : Lus Timteo

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador: Exerccio

Calcular: Voltagem de sada Vout, com Vin


=15V
e Vin= 20V

KVL d a recta ou linha de carga:

VZ

Vout= -VZ

Dados: Curva I-V do diodo zener, RS=1k Vin

IZ
-10,5V

IZ

Vin RS I Z VZ 0
Em relao ao ponto "Q", temos :
Vout 10.0 V par a Vin 15 V
Vout 10.5 V para Vin 20 V

Variao d e 5V na entrada 0.5V na sada Vout .


Qualquer Zener actual tem uma performance melhor do que isto.
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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador: Funcionamento

Aumento da tenso de Entrad

Corrente Aumenta

Diminuio da tenso de Entrada

Tenso constante

Vin
Vin VZ

Corrente diminui

Tenso constante

IZmin IZ IZmax

Vin
Vin VZ
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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador Paralelo: Com Amplificador Operacional

Elemento
Srie

RS

Elemento
de Controlo
R1

Q1

Vin

V o Rc

Vz

Tenso de
Referncia
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R2

Circuito de
Amostragem

Circuito
Comparador

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador Srie : Com Amplificador Operacional
Elemento de
Q1Controlo

R1 + R2
Vo = Vz
R2
R1

Vin

Vo

Vz

Circuito
Comparador

Tenso de Referncia

RL

R2

Circuito de
Amostragem

O Circuito regulador Srie, tem a vantagem de s consumir potncia na presena d


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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuito Regulador- Valores standard

Alm de produzir uma nica tenso de sada estabilizada, os diodos


zener tambm podem ser ligados em em srie, como diodos de sinal
normais de silcio, para produzirem uma variedade de diferentes valores
de referncia
sada,podem
como mostrado abaixo.
tenso
Os valores
dos diodosnaZener
ser escolhidos individualmente para
atender a um valor pedido,
enquanto o diodo de silcio tem
sempre uma queda de 0.6 - 0.7V
BZX55
Zenerde
Diode
Power Rating
na condio
polarizao
direta.
500mW
2.4V 2.7V 3.0V 3.3V 3.6V 3.9V 4.3V 4.7V
5.1V 5.6V 6.2V 6.8V 7.5V 8.2V 9.1V 10V
11V 12V 13V 15V 16V 18V 20V 22V
24V 27V 30V 33V 36V 39V 43V 47V
A tenso de alimentao, Vin
BZX85 Zener Diode Power Rating
deve, evidentemente, ser maior
1.3W
do que a maior potncia e
3.3V 3.6V 3.9V 4.3V 4.7V 5.1V 5.6 6.2V
tenso de referncia, no nosso
6.8V 7.5V 8.2V 9.1V 10V 11V 12V 13V
exemplo 19v.
15V 16V 18V 20V 22V 24V 27V 30V
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23
33V
36V 39V 43V 47V 51V Por
56V: Lus
62V Timteo

Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Circuitos Limitadores

Os circuitos de fixao e de limitao, e proteco, so usados para


moldar ou modificar uma entrada de onda AC (ou qualquer sinusoide)
para uma forma de onda de sada diferente, dependendo do arranjo
do circuito.

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Semicondutores:
Diodo Zener

Diodo
Zener
Testes

Os testes devem de ser executados com um multmetro


digital Normal

Zener de 5,1V

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Diodo Zener

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Semicondutores:
Diodo Zener

Bibliografia
s

http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm
http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/
http://www.yteach.co.za/page.php/resources/view_all?
id=potential_resistance_voltage_semiconductor_conductor_insulator_n_type_p_type_p_n_junction_n_p_diode_t_
page_3
http://content.tutorvista.com/physics_12/content/media/pn_junct_
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http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/electronic/photdet.html
http://www.thorlabs.com/tutorials.cfm?
tabID=31760
http://www.passo-a-passo.com/mec/3.2.3/05_teoria_frame.htm
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html

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