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CONTENIDO RESUMIDO:
1-Introduccin
2-Osciladores
3-Mezcladores.
4-Lazosenganchadosenfase(PLL).
5-AmplificadoresdepequeasealparaRF.
6-Filtrospasa-bandabasadosenresonadorespiezoelctricos.
7-AmplificadoresdepotenciaparaRF.
8-Demoduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
9-Demoduladoresdengulo(FM,FSKyPM).
10-Moduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
11-Moduladoresdengulo(PM,FM,FSKyPSK).
12-TiposyestructurasdereceptoresdeRF.
13-TiposyestructurasdetransmisoresdeRF.
14-Transceptorespararadiocomunicaciones
ATE-UO EC amp se 00
Zg
+
VCC
vg
Amplificador
de seal de
RF
ZL
ATE-UO EC amp se 01
Zg
ie
+
vg
is
Ze
Zs
ZL
vso
Amplificador de seal de RF
ATE-UO EC amp se 02
Zg
+
Ye
ve
vg
iscc
Ys
vs
ZL
Amplificador de seal de RF
Zg
Zg
jXg
+
vg
ZL
Mxima transferencia de
potencia (ZL = Zg*):
Rg
ig
vg
jXL
ZL
RL
Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg
ATE-UO EC amp se 04
Zg
+
vg
Ze
Zs
ZL
vso
Amplificador de seal de RF
ATE-UO EC amp se 05
Zg
+
vg
Ze
is
Zs
ZL
vso
Amplificador de seal de RF
ATE-UO EC amp se 06
300
+
+
vg
ve
+
50
20ve
vs
75
-
ps = 75[20ve ef/(300+75)]2
ve = vg50/(50+75)
Re[ZL] = Re[Zs]
Im[Ze] = - Im[Zg]
Im[ZL] = -Im[Zs]
Z e = Z g*
ZL = Zs*
Zg
+
vg
Ze
Zs
vso
Amplificador de seal de
ZL
ATE-UO EC amp se 08
Zg
+
vg
Red
adaptacin
de entrada
(no disip.)
+
Ze
Zs
vso
Red
adaptacin
de entrada
(no disip.)
ZL
Amplificador de seal de
RF
Red
adapt.
de
entrada
Red
adapt.
de
salida
Ze
ZL
300
ve
ve
vg
+
50
vs
vs
75
20ve -
(300/75)1/2:1
(75/50)1/2:1
ve = 0,5vg
ve = (50/75)1/2ve
vs = 0,520ve
vs = (75/300)1/2vs
ve = (50/75)1/20,5vg
200
+
+
vg
ve
50
50
50ve
200
+
vg
vs
-
200
2:1
+
ve
ve
Sin adaptacin:
Gpt = 64 = 18,06 dB
+
50
+
vs
50ve -
2:1
vs
50
ROEs = (1 + s )/(1 - s )
ATE-UO EC amp se 12
+
vg
ve
-
100
+
50
50ve
vs
-
Debandaanchacontransformador
Contransformador
Debandaestrecha
Sintransformador
i1
+
i2
1:n
i1
+
v1
v2
-
v2 = v1n
i2 = i1/n
p1 = v1i1 = v2i2 = p2
v1
-
i2
ni2
nv1
v2
-
ATE-UO EC amp se 14
i1
i2
1:n
v2
R1
R2
Calculamos R1 = v1/i1:
R1 = v2/(i2n2) = R2/n2
R1 = R2/n2
i2 = i1/n
v2 = R2i2
v1
v1
v2 = v1n
i1
+
v1
-
ni2
im
Lm
i2
1:n
i1 = i2n + im
Calculamos i1/v1 = Y1:
v2
-
R2
i1
+
v1
-
ni2
im
i2
1:n
Por tanto:
Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]
v2
Lm
R2
Z1(j) []
Z1(s), Y1(s)
Si llamamos R2 = R2/n , obtenemos:
2
R2
0,7R2
fC
R2/10
R2/100
0,1fC
fC
10fC
ni2
i1
+
v1
Ld1
im
i2
1:n
Ld2
v2
Lm
+
-
Modelo en T
ni2
i1
+
v1
-
im1
Lm1
Modelo en
Ld
im2
Lm2
i2
1:n
v2
ATE-UO EC amp se 17
+
v1
i2
ni2
Ld
im
1:n
Lm
Z1(s), Y1(s)
+
v2
R2
Z1(j) []
10R2
R2
0,7R2
fCi
1,4R2
fCs
R2/10
en fCi = R2 /(2Lm)
ATE-UO EC amp se 18
0,1fC
fC
10fC
1:n
Ld
Lm
Z1(s), Y1(s)
Cp1
Cp3
Cp2
R2
v2
10R2
Z1(j) []
R2
R2/10
ATE-UO EC amp se 19
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Rg
1:n
+
vg
R2
Lm
Margen de uso
Z1(j) []
Z1(j)
R2 = R2/n2
Por diseo: Rg = R2
ATE-UO EC amp se 20
R2
R2 /10
0,1fC
fC
10fC
Ld
1:n
Cp1
R2
Lm
vg
R2 = R2/n
Z1(j)
Por diseo: Rg = R2
Margen de uso
(domina R2)
Domina Lm
Domina Cp1
Resonancia Cp1 Ld
ATE-UO EC amp se 21
Modelo ms elaborado
10R2
Z1(j) []
Domina Ld
R2
R2/10
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Rg
Cr
Lm
1:n
R2
vg
Z1(j)
R2 = R2/n2
Con Cr conseguimos:
Comportamiento selectivo.
Comportamiento real a menor
frecuencia para la misma Lm (menor
Lm si quisiramos comportamiento real
a la misma frecuencia).
ATE-UO EC amp se 22
10R2
R2
Z1(j) []
Sin Cr
Con Cr
R2/10
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Rg
Cr
1:n
Lm
R2
vg
Cr = Cr + C2n2
ATE-UO EC amp se 23
C2
fr =
1
2 LmCr
Rg
Ld
Cp1
1:n
R2
Cr Lm
vg
Z1(j)
Comportamiento
bastante independiente
de los parsitos del
transformador
10R2
R2
Con Cr
Sin Cr
R2/10
R2/100
ATE-UO EC amp se 24
Z1(j) []
f1
10f1
100f1
1000f1
Rg
jXs
RL
Calculamos Ze:
jXp
vg
Ze
(1)
(2)
De (2) se obtiene:
Xp( o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2
(3)
-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2
(4)
jXs
RL
jXp
vg
Z e = Re
Conclusiones:
(4)
Tambin:
-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2
Xp( o) = -RLRe/Xs( o)
(4)
(5)
RL
jXs
Z e = Re
jXp
(5)
Re < R L
Opcin pasa bajos
Pasa bajos
L
Ze = Re
RL
C
Particularizamos:
Xs( o) = L o y Xp( o) = -1/(C o)
Sustituimos en (4) (con signo -) y
en (5):
L o = [Re(RL-Re)]1/2
L o = [Re(RL-Re)]1/2
L/C = RLRe
Re < R L
ATE-UO EC amp se 27
RL
jXs
Z e = Re
jXp
(5)
Re < R L
Opcin pasa altos
Pasa altos
C
RL
Z e = Re
Particularizamos:
Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Sustituimos en (4) (con signo +)
y en (5):
1/(C o) = [Re(RL-Re)]1/2
C o = [Re(RL-Re)]-1/2
L/C = RLRe
Re < R L
ATE-UO EC amp se 28
1TeoremadeReciprocidad
c
Red
pasiva
v1
b
i2
d
Red
pasiva
i2
b
v1
2TeoremadeReciprocidadparacuadripolosno
disipativos,cargadosconunaresistenciaycon
impedanciadeentradaresistivaigualaladelgenerador
Rg
RL
Balance de potencias:
Red
Rg
pcd
disipativa
b
ATE-UO EC amp se 30
Red
pasiva no
Balance de potencias:
RL
iL
Por tanto:
disipativa
vg
Rg
iL
pasiva no
pab
vg
Zcd
Sustituyendo el valor
de iL ef:
pcd = (vg ef)2/(4RL)
Para que esto ocurra:
Zcd = RL
Conclusin
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una
resistencia y con impedancia de entrada resistiva
Si se cumple:
a
Red
pasiva no
R2
disipativa
Zab = R1
Entonces:
c
Red
pasiva no
R1
disipativa
b
ATE-UO EC amp se 31
Zcd = R2
Zab = R1
R2
jXs
Xp( o) = -R2R1/Xs( o)
a
R1
jXs
jXp
jXp
b
R1 = R e
R2 = R L
R1 < R 2
c
b
Dibujando de nuevo:
R1 = R L
R2 = R e
Zcd = R2
d
Rg
+
vg
Z e = Re
jXs
jXp
RL
-Xs( o) = [RL(Re-RL)]1/2
Xp( o) = -ReRL/Xs( o)
RL < Re
ATE-UO EC amp se 32
jXs
RL
jXp
Ze = Re
(5)
RL < R e
Opcin pasa bajos
Pasa bajos
Particularizamos:
L
Z e = Re
Xp( o) = -ReRL/Xs( o)
RL
L o = [RL(Re-RL)]1/2
L/C = ReRL
RL < R e
ATE-UO EC amp se 33
jXs
Ze = Re
RL
jXp
(5)
RL < R e
Opcin pasa altos
Pasa altos
C
Ze = Re
Xp( o) = -ReRL/Xs( o)
RL
Particularizamos:
Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Sustituimos en (4) (con signo +)
y en (5):
1/(C o) = [RL(Re-RL)]1/2
C o = [RL(Re-RL)]-1/2
L o = ReRLC o
L/C = ReRL
L/C = ReRL
RL < R e
ATE-UO EC amp se 34
Resumen
RL
L
Ze = Re
RL
Z e = Re
L o = [Re(RL-Re)]1/2
C o = [Re(RL-Re)]-1/2
L/C = RLRe
Re < R L
L
Z e = Re
RL
Z e = Re
RL
L o = [RL(Re-RL)]1/2
C o = [RL(Re-RL)]-1/2
L/C = ReRL
RL < Re
ATE-UO EC amp se 35
R1
jXs
jXp
R2
d
-Xs( o) = [R1(R2-R1)]1/2
Xp( o) = -R2R1/Xs( o)
R1 < R2
ATE-UO EC amp se 36
L o = [R1(R2-R1)]1/2
R1
R2
R1 < R2
b
a
L/C = R1R2
C o = [R1(R2-R1)]-1/2
R1
R2
L
b
L/C = R1R2
R1 < R2
d
ATE-UO EC amp se 37
L = 1,38H
200
+
C=
138pF
vg
200
ve
-
L = 1,38H
200
+
50
Ze
50
vs
C=
138pF
50ve
200
vs
-
Ze = Ze
Ze[]
Re[Ze]
Cambio de Ze con la
frecuencia de operacin
0
-200
ATE-UO EC amp se 38
Im[Ze]
6
10
f[MHz]
14
Comportamiento de la adaptacin de
impedancias con el cambio de frecuencia
300
L
Ze = Re
RL
Caso A:
Re = 200 RL = 100
L = 1,6 H C = 80 pF
Caso B:
Re = 200 RL = 20
L = 0,95 H C = 239 pF
ATE-UO EC amp se 39
Ze[]
Re[Ze], RL= 100
200
Re[Ze],
RL= 20
-200
10
f[MHz]
14
jXs
Zg
Rg
jXp
jXg
jXs
jXp
ZL
jXL
RL
vg
ATE-UO EC amp se 40
RL = 40
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20
RL = 40
fo = 10 MHz
C = 298 pF
ATE-UO EC amp se 41
CL = 100 pF
RL = 40
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20
RL = 40
fo = 10 MHz
C = - 102 pF
CL = 500 pF
ATE-UO EC amp se 42
RL = 40
fo = 10 MHz
RL = 40
CL = 500 pF jXL = -j31,8
ATE-UO EC amp se 43
Re = 20
CL =
500 pF
fo = 10 MHz j155,9
RL = 40
2,48 H
ATE-UO EC amp se 44
LP
CP
LP = 0,64 H CP = 295,8 pF
LP = 1,27 H CP = 96,8 pF
LP = 2,12 H CP = 17,3 pF
En los tres casos se consigue
adaptacin, pero su respuesta
en frecuencia ser distinta
LP
RL = 40
CP
jXp = -j40
Definimos el Q del circuito:
Q =RL/( oLp)
Q=1
Q = 0,5
Q = 0,1
Q = 0,01
LP = 0,64 H
LP = 1,27 H
LP = 6,37 H
LP = 63,7 H
CP = 795,8 pF
CP = 596,8 pF
CP = 437,7 pF
CP = 401,9 pF
Ze[]
40
Re[Ze],
Q=1
Re[Ze], Q=0,1
Im[Ze], Q=1
0
Im[Ze], Q=0,1
-20
10
f[MHz]
14
Red bsica
R1
R2
R1
R2
d
L o = [R1(R2-R1)]1/2
C o = [R1(R2-R1)]-1/2
L/C = R1R2
L/C = R1R2
R1 < R2
ATE-UO EC amp se 46
R1 < R 2
ATE-UO EC amp se 47
ATE-UO EC amp se 48
+ Vcc
1:n
Re2
ve2
-
real
C1
CS
ve1
-
D
S
RS
ATE-UO EC amp se 49
+
C
vs1o
Re2
ideal
Etapa 1
ATE-UO EC amp se 50
Etapa 2
Rs1
is1cc
ve2
ve2
Re2
Re2 = Re2/n2
ve2 = ve2/n
Rs1
is1cc
ve2
Re2
ve2
is1cc
R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)
R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)
Por tanto:
ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(L o2)]
Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones
en las que ZLCR(j) cae 3dB con relacin ZLCR(j o) :
ZLCR(j c) = ZLCR(j o) /21/2 c = o L o2/(2R) = o o/(2Q),
siendo Q = R/(L o). Por tanto:
cs = o + o/(2Q), ci = o - o/(2Q) y = cs - ci = o/Q
ATE-UO EC amp se 52
f= fo/Q
ZLCR
R
R/ 2
ZLCR
R
Q=5
Q=10
o = 2fo
Q=20
0
o = 1/(LC)1/2
90
Q = R/(L o)
Q=10
ZLCR[]
f fo/Q
Q=20
-90
0,6fo
fo
Q=5
1,4fo
ATE-UO EC amp se 53
Q=5
R/ 2
aprox.
aprox.
0
ZLCR[]
90
Q=5
aprox.
0
-90
ATE-UO EC amp se 54
aprox.
0,6fo
fo
1,4fo
+ Vcc
1:n2
C2
Re2
ve2
-
real
Rg
+
vg
G
1:n1
C1
real
S
ve1
RS CS
ATE-UO EC amp se 55
Coilcraft
Coilcraft
ATE-UO EC amp se 56
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp se 57
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp se 58
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp se 59
Coilcraft
Transformadores de RF
Coilcraft
ATE-UO EC amp se 60
Mini circuit
C2
Re2
ve2
-
real
Rg
G
1:n1
C1
vg
S
ve1
real
C1
RS CS
L1
ve1
igcc/n1
igcc = vg/Rg
C2
ve2
R1
gFETve1
ATE-UO EC amp se 61
R2
ve2 = ve2/n2
L2
C1
L1
ve1
igcc/n1
C2
L2
ve2
R1
gFETve1
R2
Ecuaciones:
igcc = vg/Rg
ve2 = ve2n2
ve1n1/igcc = ZLCR1(j) = R1/[1 + jR1(L1C1 2 - 1)/(L1)]
ve2/(gFETve1) = ZLCR2(j) = R2/[1 + jR2(L2C2 2 - 1)/(L2)]
Por tanto:
ve2/vg = ZLCR1(j)ZLCR2(j)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(j), siendo:
FLCR(j) = ZLCR1(j)ZLCR2(j)/(R1R2)
ATE-UO EC amp se 62
Llamamos:
o1 = o2
Sintona escalonada o1 o2
Caso de misma sintona
FLCR(j)
Q=5
1/ 2
Aumenta la atenuacin de
1 Etapa
frecuencias indeseadas
Disminuye el ancho de
banda
2 Etapas
0
ATE-UO EC amp se 63
0,6fo
fo
1,4fo
Q=5
Aumenta la atenuacin de
1/ 2
frecuencias indeseadas
Se puede conseguir una
respuesta bastante plana en
la banda deseada
Menor ganancia
0
ATE-UO EC amp se 64
1 Etapa
0,6fo
2 Etapas
fo
1,4fo
Etapa
1
Etapa
3
Etapa
2
L1 C 1 R 1
L 2 C2 R 2
Etapa
4
L3 C3 R3
vs
L4 C4 R4
f fo/Q
Q=5
1 Etapa
-20
-40
2 Etapas
-60
0,1fo
ATE-UO EC amp se 66
4 Etapas
fo
10fo
fo1
fo2
1/ 2
1 Etapa
0
fo(1-3/Q)
ATE-UO EC amp se 67
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
FLCR(j) [dB]
0
-3
Q=5
-20
-40
1 Etapa
2 Etapas
-60
0,1fo
ATE-UO EC amp se 68
fo
10fo
Aumenta la atenuacin
de frecuencias
indeseadas
Se puede conseguir
una respuesta bastante
plana en la banda
deseada
Menor ganancia
fo1
fo2
m = 1,5
1/ 2
1 Etapa
0
fo(1-3/Q)
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
ATE-UO EC amp se 69
-3 dB
m = 1,5
Q=5
-20
1 Etapa
m=1
-40
2 Etapas, m = 2
-60
0,1fo
fo
10fo
FLCR(j) [dB]
0
Q=5
1 Etapa
-20
Opc. A
Opc. B
Opcin B:
fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]
C
-40
2 Etapas
-60
0,1fo
4 Etapas
fo
10fo
Opcin C:
fo2= fo/[1 + 1/(2Q)]
fo3= fo/[1 - 1/(2Q)]
fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)]
ATE-UO EC amp se 71
C2
1:n1
+
vg
C1
Re1
ve1
-
real
Rg = R
C2
+
vg
C1
real
1:n2
C1
L
C1
L
ve1
-
Re1 = R
ATE-UO EC amp se 72
C2
C1
ve1
vg
C1
Re1 = R
Llamamos:
o = 2fo
o = 1/(LC1)1/2
C2 = C1/k
FLCR(j) [dB]
0
Q = R/(L o)
Q=5
FLCR(j) = ve1/vg
-20
Ojo! fo no es la
k=1
frecuencia central
-40
-60
0,1fo
k = 20
fo
2
5
10
10fo
ATE-UO EC amp se 73
C2
C1
ve1
vg
C1
Re1 = R
FLCR(j)
Q=5
k=2
k=5
10
0
0,6fo
k=1
k = 20
fo
1,4fo
ATE-UO EC amp se 74
v
igcc
C1
R
L
Z1
C2
C1
L
ve1
-
Z1
Mximos posibles:
Si Z1 es muy grande resonancia paralelo de Z1 o1 = 1/(LC1)1/2
Si 2Z1 + Z2 es muy pequea resonancia serie de 2Z1 y Z2
ATE-UO EC amp se 75
v
igcc
C1
R
Z1
C2
C1
L
ve1
-
Z1
Rg
C1
vg
Rg = R
C1
Re1
1:n1
1:n2
Acoplamiento
ideal
Acoplamiento
ideal
+
vg
Ld1
C
Ld2 Ld1
Lm
ve1
-
ve1
Re1 = R
ATE-UO EC amp se 77
Z1
Z1
v
igcc
C1
R
C1
C2
Z2
ve1
Acoplamiento inductivo
Z1
+
Z1
Ld
igcc
Ld
Lm
ve1
R
Z2
Se estudia de modo
ATE-UO EC amp se 78
Z1
Ld
igcc
Ld
Lm
ve1
R
Z2
ATE-UO EC amp se 79
Ld1
Lm
vg
Ld2 Ld1
FLCR(j) [dB]
0
Q=5
k=1
ve1
Re1 = R
Hemos llamado:
o = 2fo
o = 1/(LdC)1/2
-20
Lm = Ld/k
-40
Q = R/(Ld o)
FLCR(j) = ve1/vg
10
-60
0,1fo
k = 20
fo
10fo
ATE-UO EC amp se 80
Zg
ie
is
+
ve
vg
- y11
Ecuaciones:
ie = y11ve + y12vs
is = y21ve + y22vs
vs
y12vs
y21ve
y22
ZL
Dispositivo activo
ie
y11
ve
Valores:
is
y21
ve
ATE-UO EC amp se 81
vs 0
ie
vs
ve 0
vs 0
is
vs
ve 0
y12
y22
ie
is
ve
ve
- y11
vs
y12vs
y21ve
y22
ie
y11
ve
is
y21
ve
ATE-UO EC amp se 82
vs
ie
is
ve
- y11
y12
ie
vs
y22
is
vs
vs
y12vs
y21ve
y22
vs
ATE-UO EC amp se 83
ie
is
+
ve
- y11
vs
y12vs
y21ve
y22
ie
is
ve
- y11
vs
y12vs
y21ve
y22
id
+
vgs
yis
vds
yrsvds
yfsvgs
yos
is
S
id
vsg
yig
vdg
yrgvdg
yfgvsg
yog
ig
G
id
+
vgd
-
+
-
yid
vsd
yrdvsd
yfdvgd
D
yod
ATE-UO EC amp se 86
ATE-UO EC amp se 87
S
ve
+
-
*
G
D
+
vs
-
Respuestaenfrecuencia:
Capacidades parsitas en entrada y en salida sin efecto Miller
(no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva
capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la
ganancia de tensin) gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 88
G
ve
*S
Respuestaenfrecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida
hay efecto Miller (la capacidad entrada-salida es equivalente a
una nueva capacidad de entrada, muy aumentada al ir multiplicada
por la ganancia de tensin) pequeo ancho de banda
ATE-UO EC amp se 89
G
ve
*D
+
vs
-
Respuestaenfrecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida,
pero la ganancia de tensin es menor que 1 hay efecto Miller,
pero poco significativo al ser la ganancia de tensin menor que 1
gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 90
2 pF
50
vGS
vGS
gmvGS
4 pF
50 G
2 pF
vg
D
2 pF
vg
RL
4 pF
gm = 0,02 -1
gmvGS
4 pF S
gmvGS
RL
gm = 0,02 -1
Drenadorcomn
vg
+
vs
RL
4 pF
-
gm = 0,02 -1
50 S
vGS
vs
gmvGS
Fuentecomn
gm = 0,02 -1
2 pF
vGS
+ G
vs
-
Puertacomn
ATE-UO EC amp se 91
2 pF
+
vGS
-
vs/vg [dB]
gmvGS
4 pF
20
gm = 0,02
Fuente comn
-1
Puerta comn
RL = 200
0 Drenador comn
ATE-UO EC amp se 92
-20
-40
10
102
f[MHz]
103
104
S
G
ve
+
-
*S
*
G
D
+
vs
-
Zegc 1/gm
(pequea)
ATE-UO EC amp se 93
ve
vg
+
vs
-
RL
Zebc pequea
vs/vg [dB]
40
2 pF
20
+
vBE
-
Cascodo
rBE
rBE >> 50
gmvBE
4 pF
E
gm = 0,3 -1
Modelode
transistorusado
Emisor comn
Base comn
-20
RL = 200
-40
1
ATE-UO EC amp se 94
10
102
103
f[MHz]
104
Ganancia en BF (transparencias
ATE-UO EC mez 50-52):
vs -0,5RiOvd/VT
RL
RL
vs
vd
Es decir:
vs/vd -0,5RiO/VT
Por tanto, la ganancia se puede
controlar mediante el valor de io
Es fcil realizar fscamente el
ControlAutomticodeGanancia
(CAGoAGC)
iO
iO
- VCC
ATE-UO EC amp se 95
iO
- VCC
- VCC
+ VCC
RL
Rg/2
RL
vs
vg/2
+
vg/2
Rg/2
CAG
- VCC
ATE-UO EC amp se 96
iO
rBB
vg/2
CBC C
C CBC
rBE
RL
gmvBE
RL
gmvBE
E
B
rBB
rBE
vg/2
vBE
rBE
+ VCC
CBC C
RL
CBE
vBE
Rg/2
B
+
rBB
B
CBE
CBE
vBE
vs
gmvBE
Rg/2
RL
vs
vg/2
+
vg/2
ATE-UO EC amp se 97
Rg/2
CAG
- VCC
iO
ig
Rg/2
ig
rBB
vg/2
CBC C
rBE
RL
gmvBE
ie
rBB
CBC C
B
+
CBE
vBE
rBE
gmvBE
E
ATE-UO EC amp se 98
RL
gmvBE
ie
ic = 0
rBB
Rg/2
CBE
E
B
C CBC
CBE
vBE
vs
vBE
rBE
vg/2
rBB
vg/2
CBC C
B
CBE
vBE
rBE
gmvBE
RL
+
+
-
vs
Rg/2
rBB
vg/2
rBE
gmvBE
ATE-UO EC amp se 99
Rg/2
vBE
rBE
vg/2
CBC C
CBE
vBE
gmvBE
CBE
+ RL
rBB
B
+
vs/2
vs/2
C CBC
RL
vs/2
La respuesta en frecuencia es
como la de un emisor comn
+ VCC
RL
+
+
vs
Rg
RL
vg
CAG
- VCC
ATE-UO EC amp se 100
iO
La respuesta en frecuencia
es propia de un colector
comn seguido de un base
comn menor ganancia,
pero mayor ancho de banda
Circuito integrado
CA3028
Amplificador de FI para
receptor de TV
ATE-UO EC amp se 105
Amplificador de FI para
receptor de radio comercial
Variacin de la ganancia
con la tensin de CAG
ATE-UO EC amp se 107
CA3028
MC1350
Cascodo
Circuito doblemente
sintonizado
Oscilador y separador
Mezclador
Circuito
doblemente
sintonizado
Ejemplos de esquemas
reales de amplificadores de
RF con JFETs (obtenidos del
ARRL Handbook 2001) (II)
JFET en puerta
comn
Amplificador
de CAG