Electrnica I

1er Parcial

Ing. Fernando Vsquez

Semiconductores
P

Diodo

N
Diodo Zener

Materiales Intrnsecos
Son todos aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados
para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, en esencia tan puro como se lo
pueda lograr por medio de la tecnologa moderna.
Los electrones libres en este material se los denomina portadores intrnsecos.

Materiales Extrnsecos
Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se lo
denomina material extrnseco.
Existen dos tipos de materiales para la fabricacin de dispositivos
semiconductores, tipo P y tipo N , ambos materiales se forman mediante la
adicin de un nmero predeterminado de tomos de impurezas.

a) Material Tipo P
Este material se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o
de silicio con tomos de impurezas que poseen 3 electrones de valencia.
Los elementos que utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el
boro, indio y galio.
b) Material Tipo N
Este material se crea a travs de la introduccin de elementos de impureza
que poseen cinco electrones de valencia, tales como el antimonio, arsnico
y fsforo.

Elementos de dos Terminales

Ideal

1) DIODO

Real

Simbologa:
nodo

Ctodo

+ VakVd

Construccin:
A

-Diodos Ideales
Puede actuar de dos formas:
-Cortocircuito

Vd= Vak>0

Diodo est encendido

Id>0

-Circuito Abierto

Vak<0

Diodo est apagado

-Vak=Vak

Para polarizar un diodo hay que conectarles fuentes independientes DC,

haciendo esto podemos conocer los parmetros del diodo que son Id, Vd.

Ejemplo 1:

10V

id
1k

10V

id

Vd

id (mA)
1k

10
10mA
1k
Vd Vak 0
id

10

Vd V

Curva Caracterstica del Diodo Ideal.

Ejemplo 2:
Vd

10V

id
1k

10V

Vd

id
1k

id 0mA
Vd 10V

Ejemplo 3:
20V

2k

2k

1k

D1 conduce o no? Por qu?

No usar mtodos generalizados.

5V

D1

Hallando Vth
2k
2k 2k
V Th 10V
V Th 20

Hallando Rth

Vth 10V

Rth 1k

Asumo que D1 ON

RTh 2k 2k

1k

RTh 1k

10 5
2k
i d 2.5mA 0
I id

5V

D1 _" ON "
id

D1

Vd 0V (Cortocircuito)

Ejemplo 4:
20V

2k

2k

1k

D1 conduce o no? Por qu?

No usar mtodos generalizados.

12V

D1

Hallando Vth
2k
2k 2k
V Th 10V
V Th 20

Hallando Rth

Vth 10V

Rth 1k
i d 0mA

RTh 2k 2k

1k

RTh 1k

Vak ?
10 12 Vak 0

12V

id

Vak

Vak 2V
D1 _" OFF "

Ejercicio 5
Verificar si conducen los diodos ideales.

D1

I D1

10V

I D2

D2

1k
1k

Ejercicio 5
Verificar si conducen los diodos ideales.
D1
I

I D1

10V

I D2

D2

1k
1k

Como D1 es ideal

Como D2 es ideal

Vak1 0V

Vak 2 0V

10V
10mA
1k
I D1 I D 2 I

I D2

10V
10mA
1k
D2 on

I D1 10 10

I D1

10V

I D1 20mA 0

I D2

D2

1k
1k

D1 on

Ejercicio 6
Verificar si conducen los diodos ideales.

D1

I D1

10V

I D2

D2

1k
1k

Ejercicio 6
Verificar si conducen los diodos ideales.
D1

I D1

10V

I D2

D2

Como D1 es ideal

Vak1 0V

1k
1k

Como D2 es ideal

I D2 0 A

10V
10mA
1k

D2 off

I D1 I D 2 I
I D1 0 10
I D1 10mA 0

10V

I D1

I
1k

I D2

1k

D1 on

Ejemplo 7:
V V
10

t
10

1k

id mA

t
Vd V

Ejemplo 7:
V V
10

1k

t
10

Semiciclo Positivo

Id

id mA

D"on"

Vd 0V

1k

id

1k
id 10mAp
Semiciclo Negativo
Vd

1k

10V p

D"off "

id 0 A
Vd 10V p

Vd V

-CURVA CARACTERISITCA PARA EL Diodo Real

(T 25 C )

id mA

Ge

Si
Zona de
Conduccin

Voltaje
Inverso
de Pico

1a10A

0.3

1a 2 A
Corriente de
Saturacin

Zona de
Avalancha
Zona de
Polarizacin Inversa

0.7

Voltaje de
Umbral

Vd V

Polarizacin del Diodo Real

I. Directa
Al aplicar un voltaje positivo se reduce la zona de agotamiento y el intercambio
produce una corriente elctrica en dicha zona.

Id

Zona de
Agotamiento

If

Vf

Zona de Agotamiento Disminuye

ID IS e

kVd
TK

Zona de Conduccin

I S : Corriente _ Saturacin

Id

Id

11600
n
Tk T (C ) 273
k

Vd

Vd

ID ISe

kVd
Tk

IS

Niveles Altos de ID

n 1
tanto Ge, Si

Niveles Bajos de ID
n 1, Ge
n 2, Si

Para valores positivos de voltaje del diodo y corriente del diodo la grfica crecer
de la misma manera que crece para una funcin exponencial y=e X.
Para valores negativos de Vd, el primer trmino disminuir rpidamente debajo
de Is dando como resultado Id=-Is.
Para cuando el voltaje del diodo es igual a cero entonces la corriente del diodo
tambin va a ser igual a cero.
La ruptura de las caractersticas en voltaje de diodo igual a 0V se debe
nicamente al cambio drstico en la escala de nano amperios a micro amperios.

Zona Zener
En la grfica de la curva caracterstica de los diodos reales se observa que
existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo
dar como resultado un agudo cambio en las caractersticas.
El voltaje de polarizacin inversa que da como resultado este cambio
drstico se lo llama potencial zener y se le da el smbolo VZ.

Is

II. Inversa
A

Zona de
Agotamiento
Vf

Zona de agotamiento
aumenta
If

I Is

Al aplicar un voltaje negativo aumenta la zona de agotamiento y los

portadores mayoritarios logran ir hacia el otro extremo y en cambio una
pequea cantidad de portadores mayoritarios logran irse al material tipo P
logrando formar una corriente.
La corriente mxima que puede adquirir un diodo que ha sido conectado
con voltaje negativo, se denomina corriente de saturacin inversa Is.
III. No hay Polarizacin
A

Id

Zona de
Agotamiento

En ausencia de voltaje de polarizacin aplicada, el flujo neto de la carga en

cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero

Silicio vs Germanio
1.- Los valore de VIP para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000
V, mientras que el valor mximo para el germanio est alrededor de los 400V.
2.- El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura
puede aumentar cerca de los 200 C, mientras que el germanio soporta un
valor mximo de 100C.
3.- La desventaja del silicio comparada con el germanio es el mayor voltaje de
polarizacin directa que se requiere para alcanzar la regin de conduccin.
El voltaje umbral para el Silicio VT= 0,7 voltios.
El voltaje umbral para el Germanio VT= 0,3 voltios
4.- Mientras ms cercana est la curva al eje vertical, ms cerca de lo ideal
est el dispositivo, sin embargo las otras caractersticas del silicio comparadas
con las del germanio, lo hacen ser el elegido en la mayor parte de unidades
disponibles en el mercado.

Niveles de Resistencia

Tipo

Ecuacin

Caract. Especiales

Determinacin Grf.
Id [mA]

DC
Esttica

RD

VD
ID

Definida como un punto

en las caractersticas

Id

Pto.Q

Vd [V ]

Vd

AC
Dinmica

Vd 26mV
d

I d
IdQ

Definida por una lnea

tangencial en el pto Q.

Id [mA]
Pto.Q Id
Vd [V ]

AC
Promedio

av

Vd
/ Punto
I d a _ punto

Definida por una lnea

recta entre los lmites de
la operacin

Vd
Id [mA]

Id
Vd [V ]
Vd

Procedimiento Matemtico
Vd
dVd
d
Id
dId
kVd

Tk
I D I S e 1

kVd

1 dI d
d Tk

IS
e 1
d dVd
dVd

kVd

kVd

k TK
1
k
e
I S
I S e TK
d
TK
TK
1
k
ID IS
d TK
como : I D I S
1
k

ID
d TK

11600
,n 1
n
k 11600
k

d
1

TK 25 273
TK 298

11600
I DQ
298

38.93I DQ

rd

26mV
I DQ

IMPORTANTE
Es importante considerar que esta ltima ecuacin es exacta solo para valores
de ID en la zona de crecimiento vertical de la curva.
Todos los clculos de resistencia que se han determinado han sido definidos
para la unin PN y no incluye la resistencia del material semiconductor (llamada
resistencia del cuerpo) y la resistencia que representa la conexin entre el
material del semiconductor y el conductor metlico exterior, llamada resistencia
de contacto.
Estos dos niveles de resistencia se agrupan en una resistencia llamada rB,
modificando a la ecuacin ltima en:

rd

26mV
B
I DQ

Circuitos Equivalentes
Un circuito es una combinacin de elementos que se eligen en forma adecuada
para representar la mejor posible las caractersticas terminales reales de un
dispositivo, sistema o similar en una regin de operacin en particular.
Circuitos Equivalentes para Diodos
I. Circuitos

Equivalentes de Segmentos Lineales

Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en

aproximar las caractersticas del dispositivo mediante segmentos lineales.
Los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva real
como para establecer un circuito equivalente que ofrece una excelente primera
real aproximacin al comportamiento real del dispositivo.

Id [mA]

Id [mA]

10

10

0.7

Real

Vd [V ]

0.8

Si:

VT 0.7V

Ge:

VT 0.3V

0.7

Id

Vt

ac

Diodo
Ideal

0.8

Vd [V ]

 La resistencia rac que aparece en el lado derecho es el nivel de resistencia ac

promedio, en esencia define el nivel de resistencia cuando se encuentra en
estado encendido.
El diodo ideal se incluye con el fin de establecer que exista una nica direccin
de conduccin de polarizacin inversa en el estado de circuito abierto para el
dispositivo (diodo ideal).
La batera solo especifica que el voltaje a travs del dispositivo debe ser mayor
que el umbral del voltaje de la batera para que pueda establecer la conduccin a
travs del dispositivo (diodo real) en la direccin que dicta el diodo ideal. Cuando
se establezca la conduccin la resistencia del diodo ser el valor especificado rac.

de la curva anterior tenemos:

ac
ac
ac

Vd
I d

0.8 0.7

10 0
10

El circuito equivalente ser:

Id

0.7V

10

Diodo
Ideal

II. Circuitos

Equivalentes
Simplificado
Id

VT

Id [mA]

Diodo
Ideal

Vd [V ]

0.7V

III. Circuitos

Equivalentes Ideal

Id [mA]

Vd [V ]

Ejercicio 8:
Determinar V0, I1,ID1, ID2
0.33k

10V

I1

I D1
D1

I D2
D2

V0

Usando el mtodo simplificado el circuito equivalente es:

0.33k

I1

10V

I D1

0.7V

I D2

0.7V

V0
D1

D2

ideal

ideal

Los diodos ideales

en este circuito se
comportan como un
corto.

 del circuito equivalente anterior:

V0 0.7V
10 0.7
28.18mA
0.3k
I
28.18mA
I D1 I D 2 1
14.09mA
2
2
I1

Ejercicio 9:
20V

2k
V

2k

1k
5V
Diodo
Ideal

Verificar que D1 On .
Hallar V

2k

4k

VTh 20V

RTh 2k // 2k

VTh 10V

RTh 1k

VTh 10V

RTh 1k

1k
I D1

LVK:

Asumo que D1 On

5 1k ( I D1) V 0

10 5
2k
2.5m 0

I I D1

5V

I D1

V 5 1K (0.25mA)
V 7.5V

D1 (on)

Ejercicio 10:

E1 20V

20k

Determine I. UTILICE CIRCUITO EQUIVALENTE

SIMPLIFICADO
D1

Si
Si

D2

E2 4V

20k

E1 20V

E1 E2 V
R
20 4 0.7
I
2.2k
I 6.95mA
I

E2 4V

0.7V

Diodo
Ideal

Ejercicio 11:
Determine Vo.

12V
D2

12V

D1

Si

0.3V

Ge

V0

V0
2. 2 k

2.2k

VDGe 0.3V
VDSi 0.7V
V0 12V 0.3V
V0 11.7V

Aplicaciones de los Diodos

Anlisis Mediante la Recta de Carga

La carga que se aplica determina el punto de operacin del diodo. Se la
obtiene dibujando una lnea recta que representa a la carga y que se intersecta
con la caracterstica propia del diodo.
VD

Id [mA]

ID
R

VR

E
R

I DQ

VDQ

LVK:
E VD I D (R )
Con:

E
R
I D 0 VD E

V D 0 I D

Vd [V ]

 Teorema de Thvenin
Para hallar el VTh se puede calcular o medir el voltaje del circuito abierto.

Circuito

VTh
B

Para encontrar la RTh se reducen a cero todas las fuentes redundantes AC o

DC y se calcula la resistencia entre los puntos AB.
Para esto se cortocircuitan las fuentes de voltaje y se dejan en circuito abierto
las fuentes de corriente.
Configuraciones Serie Paralelo.
En general un diodo est en estado encendido si la corriente establecida por las
fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la flecha del smbolo del
diodo y VD 0.7V para el silicio y VD 0.3V para el Ge

Mtodo Rpido
Reemplazar por una resistencia mental al diodo
Observar la direccin de la corriente I resultante.
Si la corriente es igual a la flecha del smbolo del diodo entonces el diodo
est encendido.
Reemplazar por una fuente de 0.7V
Ejemplo 12:
Calcular el punto de operacin Q del diodo.
R3 0.25k

3k

Th

5V 3kI1 0.25kI 2 VTh

5V

R2 1k

5 1 I1 3k 1k I 2 (1k )
4 I1 ( 4 K ) I 2 (1k )

1V

1 I1 (1k ) (1k 0.25k ) I 2

1 I1 (1k ) I 2 (1.25k )

V2 R2 I VTh o

RTh ( R1 // R2 ) R3

V V
VTh V2 R2 1 2
R1 R2

RTh 1k

RTh (3k // 1K ) 0.25k

VTh 2V
1k
2V

ID

VTh
RTh

ID

2
2mA 0
1k

Mtodo Analtico o Grfico

VTh I D RTh VD 0

Id [mA]

I D 0 VTh VD 2V

VD 0 VTh I D RTh

1.2

ID
2

Vd [V ]

VTh
2mA
RTh

VD 0V

Ejercicio 13 : ASUMA DIODOS DE SILICIO

Encuentre V0 ,I
D1

D1

V0

I
V0
10V

D2

El D2 no conduce porque el nodo est a

tierra.

Ejercicio 14: ASUMA DIODOS DE SILICIO

Encuentre V0 ,I
E1 10V

E2 0V

E2 0V

0.7V

V0

V0

1k

1k
10V

10 0.7
1k
I 9.3mA
I

V0 0.7V

I
10V

V0 9.3

1k

10V

1k

V0 10 0.7

9.3
9.3mA
1k

Condiciones de Operacin AC del diodo

Mientras la resistencia equivalente del circuito permanece constante cualquier
cambio de V da lugar a un simple desplazamiento de la lnea de carga.
Seal AC grande

VTh

1k

2
D1
1

VTh AC 2 sent V

Graficar: Vd.(t), Vi(t), V2(t), id (t)

Ejercicio 15:

Primero se Halla el punto de Operacin en DC, para luego hacer

el anlisis AC y finalmente graficar
Id [ A]

4mV p

120 V2

V1

0.25

80

10V

0.65

0.67

Anlisis DC
Id

Vt

ac

0.67 0.65
0.25 0
a 0.08

Diodo
Ideal

Vd [V ]

Las fuentes de V ac se cortocircuitan y los capacitores se abren entonces el

circuito equivalente es:

0.08

ID

10V

0.65V

120 V
2

V1

I ID

80

V f VT

VD I d ( a ) VT

R1 a

VD 0.65 77.86mA(0.08)

10 0.65
ID
0.08 120
I D 77.86mA 0

VD 0.656V

V1 120 I D
V1 120(77.86mA)
V1 9.34V

V2 0V

D"on"

Anlisis AC

0.08

4mV p

120

80

En este anlisis las fuentes de V DC y los

capacitores se hacen corto

4mV p

ID
0.08

4mV p

Graficar:

48

V1 V2

VD 0.08 * 83.19mAp
VD 6.65mV p

48
48 0.08
V1 V2 3.99mV p
V1 V2 4mV p

Vd(t), Vi(t), V2(t), id (t)

VD

V1
3.99mV p

0.656

0.082 48
I D 83.19mAP

9.34

6.56mV p

ID

V2

83.19mAp
77.86

3.99