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Perfil de temperatura
Tipos de Reatores
Caractersticas do Sistema:
menos reao na fase gasosa menor gerao de partculas;
boa uniformidade;
boa cobertura de degraus;
usado para deposio de: Si-poli, Si3N4, SiO2, PSG, BPSG, W, etc.
(a)
(b)
Reatores LPCVD de parede quente (a) e fria (b). O reator do tipo (a) pode
processar at 200 lminas por fornada. O do tipo (b) conhecido tambm
como reator vertical isotrmico.
+ baixa temperatura;
capacidade limitada;
manual;
(a)
(b) Reator Horizontal de Parede Quente
(b)
+ alta capacidade;
+ baixa temperatura;
manual;
Vantagens
Desvantagens
Aplicaes
APCVD
Simples
Alta taxa de deposio
Baixa temperatura
Cobertura de degraus
ruins
Contaminao por
partculas
xidos de baixa
temperatura, dopados ou
no
LPCVD
Excelente uniformidade e
pureza
Processamento de muitas
lminas por vez ( at 200)
Alta temperatura
Baixa taxa de deposio
xidos de alta
temperatura, dopados ou
no, nitreto de silcio,
polisilcio, W e WSi.
PECVD
Baixa temperatura
Alta taxa de deposio
Boa cobertura de degrau
Contaminao qumica,
como H2 e por
particulados
Deposio de dieltricos
sobre metais em baixa
temperatura e nitreto de
silcio
RPECVD
ECR
Baixa temperatura
Alta qualidade dos filmes
depositados
Alta taxa de deposio
Boa cobertura de degrau
Alto custo do
equipamento