O inversor lgico bsico empregando TJB

Livro texto, item 4.14 (4

a
edio)
Vimos como vantagens do uso do TJB
para implementao do inversor:
A dissipao de potncia no circuito
relativamente baixa, tanto no corte quanto
na saturao: no corte todas as correntes
so zero (exceto pelas pequenas correntes
de fuga); em saturao a tenso sobre o
transistor muito pequena (V
CEsat
).
Os nveis de tenso de sada (V
CC
e V
CEsat
)
so bem definidos. Em contraposio, se o
transistor opera na regio ativa, v
O
= V
CC

R
C
i
C
= V
CC
| i
B
R
C
, que fortemente
dependente do parmetro | do transistor,
que por sua vez pouco controlvel.
A caracterstica de transferncia de tenso
Caracterstica de transferncia
Aproximada por 3 segmentos de reta
(retas assintticas) correspondentes
operao do TJB nas regies de corte,
ativa e saturao, conforme indicado.
Determinar as coordenadas
dos pontos notveis da
caracterstica de transferncia,
para: R
B
= 10 kO, R
C
= 1 kO,
| = 50 e V
CC
= 5 V.
A caracterstica de transferncia de tenso (2)
V. 5 V 2 , 0
sat
= = = = = =
CC OH O CE OL I
V V v V V v
V 7 , 0 conduo a inicia r transisto o : ~ =
IL IL I
V V v
t
|
r R
R
vi
vo
A
V v V
B
C
v
IH I IL
+
=
< <
: sinais pequenos para Ganho
or. amplificad : ativa regio na est r transisto o :

Ganho A
v
depende do valor de r
t
determinado por I
C
e, ,
pelo valor de v
I
.
Se | I
C
+ r
t
R
B
>> r
t
V/V 5
10
1
50 = =
B
C
v
R
R
A |
: para de valor o saturao a inicia r transisto o :
I IH IH I
v V V v =
|
C CE CC
EOS B B
R V V
I I
/ ) (
sat
) (

= =
As margens de rudo podem agora ser determinadas por (reveja a
seo 1.7 do livro texto):


As duas margens de rudo so muito diferentes este circuito
pouco ideal (por que?).
Para os valores aqui utilizados:
V 66 , 1 mA 096 , 0
(EOS) (EOS)
= + = =
BE B B IH B
V R I V I
V 5 , 0 2 , 0 7 , 0
V 34 , 3 66 , 1 5
= = =
= = =
OL IL L
IH OH H
V V MR
V V MR
: saturado fortemente est r transisto o : V 5 = =
OH I
V v
( )
( )
1 , 1
43 , 0
8 , 4
e V 2 , 0
sat
sat

= =

= ~ =
B BE OH
C CE CC
forado CE O
R V V
R V V
V v |
A caracterstica de transferncia de tenso (3)
V/V 5
7 , 0 66 , 1
2 , 0 5
tenso de Ganho =

=
O ganho na regio de transio pode ser determinado a partir das
coordenadas dos pontos notveis X e Y:
Observe que o fato de ser exatamente o mesmo valor encontrado
anteriormente uma coincidncia.
A caracterstica de transferncia de tenso (4)
Circuitos TTL: transistor transistor logic. Circuitos lgicos com
TJB saturado.
Limitao de velocidade de operao em razo dos tempos de atraso
relativamente longos necessrios para cortar um transistor saturado.
Para atingir velocidades de resposta elevadas, o TJB no deve entrar na
saturao.
Armazenamento de cargas portadoras minoritrias na base de um
transistor saturado. Leiam com cuidado este item do livro texto, para
melhor entender a limitao de velocidade de operao.
Caractersticas estticas completas
Livro texto, item 4.15 (4
a
edio)
Capacitncias internas e efeitos de segunda ordem.
i
C
v
CB
: Caractersticas de base comum - (npn).
v
CB
< 0 : JCB diretamente polarizada i
C
diminui, i
E
const.
i
B
aumenta em um valor igual diminuio em i
C
(saturao).
Caractersticas de base comum
Observe que, na regio ativa, as curvas caractersticas
apresentam uma pequena inclinao Indica que, na
configurao BC, i
C
depende um pouco da tenso v
CB
(uma
manifestao do efeito Early).
No entanto, a inclinao das curvas i
C
v
CB
medidas para uma
corrente i
E
constante muito menor que a inclinao das curvas
i
C
v
CE
medidas para uma tenso v
BE
constante. Isto , a
resistncia de sada da configurao BC muito maior do que a
do circuito EC com v
BE
constante (i.e, r
o
).
Outro ponto importante: uma vez que i
C
v
CB
medida para i
E

constante, um aumento de i
C
com v
CB
implica uma
correspondnete reduo em i
B
. A dependncia de i
B
com v
CB
:
adio de um resistor r

entre C e B no modelo t-hbrido

modelo expandido.
Caractersticas de base comum (2)
Figura 4.64 O modelo t-hbrido,
incluindo a resistncia r

, que
modela o efeito de v
c
em i
b
.
r

r

tipicamente maior que | r

o
.
Este modelo t-hbrido expandido pode ser usado para
determinar a resistncia de sada R
sada
da configurao BC = o
inverso da inclinao das linhas das curvas caractersticas i
C

v
CB

B aterrada; E em aberto (i
E
constante); aplique uma tenso
entre C e o terra e determine a corrente drenada da tenso de
teste. R
sada
~ r

// | r
o
(muito elevada)
Caractersticas de emissor comum
Figura 4.65
Caractersticas de
emissor comum. Note
que a escala horizontal
foi expandida em torno
da origem para mostrar
a regio de saturao
em mais detalhe.
i
B
mantida constante para cada curva i
C
v
CE
(diferentemente
da figura 4.15, em que v
BE
era mantida constante). A
inclinao na regio ativa diferente de 1 / r
o
. No caso, a
inclinao maior.
Caractersticas de emissor comum (2)
Pode-se mostrar (vide problema 4.47) que a resistncia de sada da
configurao EC para i
B
constante aproximadamente igual a [r
o
//
(r

/|)].
Na regio ativa: o transistor atua como uma fonte de corrente com uma
resistncia de sada elevada (mas finita).
Na regio de saturao: o transistor se comporta como uma chave
fechada com uma pequena resistncia de fechamento R
CEsat
.
Na saturao, as curvas no se diritem para a origem. Para um dado
valor de i
B
, a caracterstica i
C
v
CE
na saturao pode ser aproximada
por uma linha reta que intercepta o eixo v
CE
em um ponto V
CEoff
tenso
residual (offset) da chave transistorizada. Transistores de efeito de
campo (FET) no apresentam tais tenses residuais e, portanto, se
apresentam como chaves mais ideais.
FETs, no entanto, apresentam valores maiores de resistncia de
fechamento.
Caractersticas de emissor comum (3)
O comportamento do TJB na saturao figura 4.67 segue de
perto o previsto pela equao 4.114 (V
CEsat
), obtida a partir do
modelo de Ebers-Moll.
Figura 4.66 Uma viso expandida das
caractersticas de EC na regio de
saturao.
Figura 4.67 Uma das curvas caractersticas
i
C
v
CE
na regio de saturao. Note que a
caracterstica pode ser modelada por uma
tenso residual V
CEoff
e por uma resistncia
de pequeno valor R
CEsat
.
O | do transistor
Transistor: operando com uma corrente de base I
BQ
, uma corrente
de coletor I
CQ
e uma tenso CE V
CEQ
. Definido o ponto de
operao Q.
A razo entre I
CQ
e I
BQ
chamada de | cc ou h
FE
(parmetro h
direto na configurao emissor comum vide Apndice B
Parmetros de quadripolos).


Transistor usado como um amplificador primeiramente
polarizado em um ponto Q. Sinais aplicados ao circuito causam
mudanas incrementais em i
B
, i
C
e v
CE
em torno de Q.
Pode-se definir um | incremental ou ca mantendo a tenso C-E
constante em V
CEQ
(a fim de eliminar o efeito Early) e variando i
B

de um incremento Ai
B
. Se i
C
variar em um incremento Ai
C
:
BQ
CQ
FE
I
I
cc h |
O | do transistor (2)
v
CE
= constante v
ce
= 0
h
fe
: ganho de corrente
de curto-circuito.
Anlises para pequenos
sinais: | = | ca (h
fe
).
Anlise ou projeto de um
circuito de chaveamento:
| = | cc (h
FE
).
Observe que o valor de |
depende do nvel de
corrente no dispositivo
Figura 4.68.
constante =
A
A

CE
v
B
C
fe
i
i
ca h |
Figura 4.68 Dependncia tpica de | com I
C
e
com a temperatura em um moderno transistor npn
de silcio empregado em circuitos integrados
projetado para operar em torno de 1 mA.
Os parmetros H quadripolos (Apnd. B)
2 variveis de excitao (ex: V
1
e V
2
)
2 variveis de resposta (ex: I
1
e I
2
)
A caracterizao hbrida (ou parmetros h) da rede de dois
acessos baseada na excitao da rede por I
1
e V
2
(variveis
independentes):
Rede
linear de
dois
acessos
2 22 1 1 2 2
2 12 1 11 1


V h I h I
V h I h V
+ =
+ =
h
11
: a impedncia de entrada no acesso 1 com o acesso 2 curto-circuitado
h
12
: a razo de tenso reversa ou de realimentao da rede, medida com
o acesso de entrada em circuito aberto.
Os parmetros H quadripolos (2)
h
21
: o ganho de corrente da rede com o acesso de sada curto-circuitado
(ganho de corrente em curto-circuito).
h
22
: a admitncia de sada com o acesso de entrada em circuito aberto.
Os parmetros H quadripolos (3)
FONTE: http://engphys.mcmaster.ca/~glen/2e4/lab6.pdf
(1) h
ie
: Impedncia de entrada (V
in
/ I
in
), quando V
out
= 0 (em curto).
(2) h
re
: Relao entre a tenso de entrada e a tenso de sada (V
in
/ V
out
),
forando I
in
a zero (circuito aberto).
(3) h
fe
: Ganho de corrente (I
out
/ I
in
) com V
out
= 0 (em curto).
(4) h
oe
: Condutncia de sada (I
out
/ V
out
) com I
in
= 0 (circuito aberto).
Observao: correntes e tenses ac. Modelo linear variaes pequenas
em torno do ponto de operao.
- Equivalente Norton no acesso de sada;
- Equivalente Thevenin no acesso de entrada.
Os parmetros H quadripolos (4)
FONTE: http://engphys.mcmaster.ca/~glen/2e4/lab6.pdf
Aplicaes:
Resistor srie:
TJB 2N3904 (polarizado com I
C
= 1 mA) (configurao EC):
Os parmetros H quadripolos (5)
FONTE: http://engphys.mcmaster.ca/~glen/2e4/lab6.pdf
Os parmetros (Y) so complexos, de modo a levar em
considerao os efeitos das altas freqncias.
Circuito amplificador integrado Motorola, part # MC1590
(15 transistores, diodos e resistores caracterizao de quadripolo)
TJB: regio de saturao anlise grfica
Reta de carga
Q
Figura 4.69 Expanso da regio de saturao das curvas caractersticas juntamente
com uma reta de carga que resulta na operao em um ponto Q na regio de saturao
Nesse caso, variaes na corrente de base resultam em variaes muito pequenas
em i
C
e v
CE
e o | incremental (|
ca
) muito pequeno.
A ruptura do transistor
As tenses mximas que podem ser aplicadas ao TJB so
limitadas pelos efeitos de ruptura nas junes EB e CB
(mecanismo de avalanche).
Configurao BC: Caracterstica i
C
v
CB
(Figura 4.63)
Para i
E
= 0 (emissor em aberto), a juno CB se rompe para
uma tenso denominada BV
CBO
(Breakdown Voltage between
Collector and Base with emitter Open). Tipicamente,
BV
CBO
> 50V.
Configurao EC: Caracterstica i
C
v
CE
(Figura 4.65)
Ruptura ocorre para uma tenso BV
CEO
(s vezes chamado de
tenso de manuteno LV
CEO
(sustaining voltage)
Tipicamente, BV
CEO
metade de BV
CBO
.
A ruptura do transistor (2)
Ruptura da JCB (configuraes BC e EC) no destrutiva,
enquanto a dissipao de potncia no dispositivo for mantida
dentro de limites seguros.
Ruptura da JEB: A JEB rompe-se por avalanche para uma
tenso BV
EBO
muito menor que BV
CBO
. Tipicamente,
BV
EBO
est na faixa de 6 a 8 V, e a ruptura destrutiva O |
do transistor permanentemente reduzido.
Esta reduo do | no preocupante quando da utilizao da
JEB como um diodo zener para gerar tenses de referncia
em projetos de CIs.
A ruptura do transistor e a mxima dissipao de potncia
admissvel so parmetros importantes no projeto de
amplificadores de potncia.
A ruptura do transistor (3)
Exerccio 4.42: Qual a tenso de sada do
circuito da figura se o BV
BCO
do transistor
de 70V?









Resp: 60 V
Capacitncias internas no TJB
Lembrem-se que a juno pn exibe efeitos de armazenamento
de cargas que podem ser modelados como capacitncias.
A capacitncia de difuso ou de carregamento de base
C
de
.
Quando o transistor est operando no modo ativo ou de
saturao, cargas devidas aos portadores minoritrios so
armazenadas na regio de base:


t
F
: tempo de trnsito de base direto (forward base-transit time)
Representa o tempo mdio que um portador de carga (eltron) leva
para atravessar a base. Tipicamente: faixa de 10 a 100 ps. (No
modo ativo reverso: t
R
>> t
F
).
C F C
n
n
i i
D
W
Q
2
2
t = =
Constante do dispositivo, com
dimenso de tempo
Aplicvel a grandes sinais
Capacitncias internas no TJB (2)


i
C
: exponencialmente relacionada a v
BE
Q
n
depende de v
BE

da mesma forma Efeito capacitivo no-linear.
Para pequenos sinais: capacitncia de difuso C
de
:


A capacitncia da juno base-emissor ou da camada de
depleo C
je
:
C F C
n
n
i i
D
W
Q
2
2
t = =
T
C
F m F de
BE
C
F
BE
n
de
V
I
g C
dv
di
dv
dQ
C t t t = =
m
e
BE
je
je
V
V
C
C
|
|
.
|

\
|

=
0
0
1
O valor de C
je
para tenso zero
Tenso interna da JEB (tipicamente, 0,9 V)
Coeficiente de graduao da JEB
(tipicamente, 0,5)
Capacitncias internas no TJB (3)
A capacitncia da juno coletor-base ou de depleo C

:
No modo ativo de operao, a JCB est reversamente
polarizada e sua capacitncia de juno ou de depleo:




O modelo t-hbrido para altas freqncias:
C
t
= C
de
+ C
je
: capacitncia de EB (tipicamente, na faixa de
alguns pF at algumas dezenas de pF).
C

: a capacitncia de CB (tipicamente, na faixa de uma

frao de pF at alguns poucos pF).
m
c
CB
V
V
C
C
|
|
.
|

\
|
+
=
0
0
1

O valor de C

para tenso zero

Tenso interna da JCB (tipicamente, 0,75 V)
Coeficiente de graduao da JCB
(tipicamente, 0,2 0,5)
O modelo t-hbrido para altas freqncias
Resistncia r

omitida (mesmo em freqncias mdias, a reatncia de C

muito menor que r

.
Adicionou-se a resistncia r
x
: para modelar a resistncia do silcio da
regio de base entre o terminal de base B e um terminal de base interno
(ou intrnseco) fictcio B, que est posicionado exatamente sobre a
regio do emissor. Tipicamente, r
x
da ordem de algumas dezenas de
ohm e seu valor depende do nvel de corrente de uma maneira
relativamente complicada. Como r
x
<< r
p
, seu efeito desprezvel em
baixas freqncias. No entanto, sua presena importante em altas
freqncias.
Comportamento de chaveamento do TJB
FONTE: http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/pdf/ch5_6_2.pdf
t
d,1
: initial delay time (carregamento da capacitncia da JBE).
t
rise
: tempo de subida da corrente de coletor.
t
d,2
: delay time (descarregamento da capacitncia da JBE enquanto houver
carga significativa armazenada na regio da base, a corrente de coletor
continuar a existir.).
A freqncia de corte
As especificaes do TJB fornecidas pelo fabricante
normalmente no especificam o valor de C
t
.
Normalmente fornecido o comportamento de | ou h
fe
em
funo da freqncia. (Para determinar C
t
e C

, deve-se
deduzir expresses para h
fe
em funo da freqncia em
termos dos parmetros t-hbridos).
circuito. - curto de coletor de corrente : ) (
t
V sC g I
m c
=
Figura 4.71 Circuito para determinar uma expresso para h
fe
(s) I
c
/ I
b
.
A freqncia de corte (2)
) // // (
t t t
C C r I V
b
=
Impedncia vista entre B e E
) ( / 1


t t

C C s r
C s g
I
I
h
m
b
c
fe
+ +

=
t t t t
t

|
e
r C C s
h
r C C s
r g
h
C g
fe
m
fe
m
) ( 1

) ( 1


: vlido, modelo este que em s freqncia as Para
0
+ +
=
+ +
~
>>
Valor de | para baixas
freqncias
A freqncia de corte (3)
t t
|
r C C s
h
fe
) ( 1
0
+ +
=
: Resposta de plo simples com uma
freqncia de corte em e = e
b
.
( )
t t
e
r C C
b

1

+
=
b T
e | e
0
=
: freqncia de ganho
unitrio.
t
e
C C
g
m
T
+
=
( )
t
t C C
g
f
m
T
+
=
2

A faixa de passagem de ganho unitrio
f
T
usualmente includa pelo fabricante
do transistor em suas especificaes
(tipicamente na faixa de 100 MHz at
dezenas de GHz).
A freqncia de corte (4)
Em alguns casos, f
T
fornecida em funo de I
C
e V
CE
.
g
m
: diretamente proporcional a I
C
;
C
t
: apenas uma parte (a capacitncia de difuso C
de
) diretamente
proporcional a I
C
.
f
T
diminui para baixas freqncias.
Diminuio de f
T
para altas correntes: mesmo fenmeno que reduz |
0

para altas correntes.
Na regio em que f
T
praticamente constante: C
t
dominada pela
componente de difuso.
A freqncia de corte (5)
Observaes importantes:
O modelo t-hbrido da figura 4.71 caracteriza a operao do
transistor com razovel preciso at freqncias de cerca de 0,2 e
T
.
Para freqncias mais altas deve-se adicionar outros elementos
parasitrios no modelo, alm de refinar esse modelo para considerar
que o transistor se torna uma rede de parmetros distribudos que
estamos tentando modelar atravs de um circuito com componentes
concentrados.
No modelo da figura 4.71, para freqncias acima de 5 a 10 e
b
,
pode-se ignorar a resistncia r
t
. Nesse caso, r
x
torna-se a nica
parte resistiva da impedncia de entrada. Uma determinao
precisa de r
x
deve ser feita a partir de medidas em altas freqncias.
Figura 5.71 (5
a
edio) (a) Amplificador EC acoplado por capacitores. (b) Esboo da
magnitude do ganho do amplificador EC pela freqncia. O grfico define trs bandas de
freqncia relevantes determinao da resposta em freqncia.
A resposta em freqncia do
amplificador EC
Figura 5.72 (5
a
edio) Determinao da resposta em alta freqncia do amplificador EC: (a)
circuito equivalente; (b) o circuito em (a) simplificado tanto no lado de entrada quanto no lado de
sada; (c) circuito equivalente com C

substitudo no lado da entrada pela capacitncia

equivalente C
eq
; (d) esboo do grfico da resposta em freqncia, a qual a resposta de um
circuito passa-baixas STC (constante de tempo nica).
Figura 5.73 (5a edio) Anlise da resposta em baixa freqncia do amplificador
EC: (a) circuito amplificador com as fontes dc removidas; (b) o efeito de C
C1

determinado assumindo-se que C
E
e C
C2
atuam como curtos perfeitos;
Figura 5.73 (Continuao) (c) o efeito de C
E
determinado assumindo-se que C
C1
e
C
C2
atuam como curtos perfeitos; (d) o efeito de C
C2
determinado assumindo-se que
C
C1
e C
E
atuam como curtos perfeitos;
Figura 5.73 (Continuao) (e) esboo do ganho em baixas freqncias
assumindo-se que C
C1
, C
E
e C
C2
no interaem e que suas freqncias de
quebra (ou plos) encontram-se bastante separados.