BJT

TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Transistor bipolar o de unin bipolar: La carga en el
dispositivo es transportada por dos portadores de diferente
polaridad (huecos y electrones).
Consiste fundamentalmente en dos uniones PN
contrapuestas, contenidas en un solo cristal semiconductor
ya sea silicio o germanio.
Las dos uniones en un transistor BJT dan origen a tres
regiones que se denominan EMISOR, BASE y COLECTOR.
En funcin del tipo de impurezas o dopado de las tres
regiones los transistores BJT se clasifican en: PNP y NPN.
TRANSISTOR BJ T

TRANSISTOR BJ T
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
CLASIFICACION SEGN DOPADO O IMPUREZAS

ESTRUCTURA Y PRINCIPIO DE OPERACIN
DEL BJT
La unin emisor-base se polariza en sentido directo
presentando una resistencia relativamente baja.
La unin colector-base se polariza en sentido inverso
presentando una resistencia elevada.
La intensidad de emisor es ligeramente mayor que la de
colector, esa diferencia origina la pequea intensidad de
base.
La amplificacin puede conseguirse en virtud de la gran
diferencia entre las resistencias de entrada y salida que
son atravesadas por intensidades de corrientes
prcticamente iguales.
Para el empleo prctico de los transistores (BJT) se
pueden configurar tres tipos de circuitos: base comn,
emisor comn y colector comn o seguidor emisor.
ESTRUCTURA Y PRINCIPIO DE OPERACIN
DEL BJT
LOS CIRCUITOS BC, EC, CC.
CONFIGURACION EMISOR COMUN. E.C.
1.Ganancia en corriente: hfe=(20~200).
2. Ganancia en tensin: Alta
3. Ganancia de potencia: Alta
4. Resistencia de entrada:
Moderada 500~2000 ohmios
5. Resistencia de salida:
Moderada: 10 Kilohmios ~ 50 Kil ohmios

CONFIGURACION BASE COMUN. B.C.
1.Ganancia en corriente: hfb < 1.
2. Ganancia en tensin: Alta
3. Ganancia de potencia: Alta
4. Resistencia de entrada:
Baja 30~50 ohmios
5. Resistencia de salida:
Alta: 100 Kil ohmios ~ 500 Kil ohmios

CONFIGURACION COLECTOR COMUN. C.C.
1.Ganancia en corriente: hfc 40~200.
2. Ganancia en tensin: <1
3. Ganancia de potencia: Moderada
4. Resistencia de entrada:
Alta 10 kil ohmios ~500 Kil ohmios
5. Resistencia de salida:
Baja: 20 ohmios ~ 100 ohmios

RESUMEN DE PROPIEDADES DE LOS CIRCUITOS
BC, EC, CC.
Propiedad BC = Base
comn
EC = Emisor
comn
CC = Colector
comn
Ganancia de
corriente
hfb < 1 hfe (40-200) hfc (40-200)
Ganancia de tensin
Alta Alta Inferior a 1
Ganancia de
potencia
Alta Alta Moderada
Resistencia de
entrada
Baja (30 -50 ohm) Moderada (500 -
2Kohm)
Alta (10Kohm- 500Kohm)
Resistencia de
salida
Alta
(100Kohm.500Kohm)
Moderada (10Kohm-
50Kohm)
Baja (20-100ohm)
En la prctica la configuracin de mayor aplicacin es la de emisor
comn y la de menor la de base comn
RESUMEN DE PROPIEDADES DE
LOS CIRCUITOS BC, EC, CC.
BJ T COMO RESISTENCIA VARIABLE

= (

) = (

VARIACION DE LA GANACIA DE CORRIENTE
EN UN BJT
EL TRANSISTOR BIPOLAR O BJT DE POTENCIA
El BJT es un dispositivo unidireccional: La corriente de colector es controlada
mediante la corriente de base.
En aplicaciones de potencia trabaja conmutando entre las regiones de corte y
saturacin.
Maneja menores tensiones que los SRC y que el GTO pero son ms rpidos y
ms fciles de controlar.
Tiempo de conmutaciones entre ambos estados > 2 microsegundos, la
Frecuencia mxima de trabajo en los transistores BJT < 100Khz
Bloqueo de voltaje directo del orden de 1500V
No bloquea voltaje inverso
Capacidad de corriente del orden de 1000A
Voltaje de conduccin pequeo y prcticamente constante
Control por corriente de valor relativamente elevado

OPERACIN DEL BJT COMO INTERRUPTOR
CONTROLADO
La operacin del BJT como interruptor controlado la podemos resumir asi:
I
B
= corriente de base.

I
C
= Corriente de colector.
Se define = factor de amplificacin de corriente continua.
=
B
C
I
I
.
Saturacin: I
B
>

C
I
, el transistor esta saturado por lo tanto el voltaje sobre la carga es mximo.
Si I
B
= 0 el transistor esta en la regin de corte o bloqueado por lo tanto I
C
(corriente de colector) = 0 y V
CE (
voltaje entre
colector emisor) es igual al voltaje de la fuente.

El requerimiento de elevadas tensiones en transistores de potencia conlleva a limitaciones de operacin.
En corte: Hay tensin mxima entre los extremos de la capa de carga espacial de la unin colector-base (polarizacin
inversa)

El aumento de Vcb aumenta la anchura de la capa y acorta las regiones de base y de colector. Por accin de campo
elctrico puede aparecer una alta corriente que puede destruir el dispositivo (efecto conocido como perforacin)
OPERACIN DEL BJT COMO INTERRUPTOR
CONTROLADO
CORTE Y SATURACION
CORTE Y SATURACION
CORTE Y SATURACION
TIEMPOS DE CONMUTACION
El retardo de conmutacin, al
cambiar de un estado a otro
produce un pico de potencia
disipada, debido al valor del
producto Ic x Vce

Estas prdidas se incrementan
con la frecuencia de trabajo,
debido al aumento del nmero
de veces que se produce el
paso de un estado a otro.
TIEMPOS DE CONMUTACION
Son dos Tiempos: De excitacin o
encendido (ton) y de apagado (toff).
Ton
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el
tiempo que transcurre desde que se
aplica la seal de entrada al dispositivo,
hasta que la seal de salida alcanza el
10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo
que emplea la seal de salida en pasar
del 10% al 90% de su valor final.
Toff
Tiempo de almacenamiento (Storage
time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la seal de entrada hasta
que la seal de salida baja al 90% de su
valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo
que emplea la seal de salida en caer
del 90% al 10% de su valor final
TIEMPOS DE CONMUTACION
Ntese que el tiempo de
apagado (toff) ser siempre
mayor que el tiempo de
encendido (ton).
Los tiempos de encendido (ton)
y apagado (toff) limitan la
frecuencia mxima de
funcionamiento del transistor:
Por tanto, se pueden definir las
siguientes relaciones :

BJ T CORTE SATURACION
PARAMETROS DEL BJT DE POTENCIA
Los datos de los transistores BJT de potencia indican: primero la magnitud (V
para tensin, I para corriente etc.,).
Los subndices indican los terminales entre los que se hace la medicin,
siguiendo la siguiente correspondencia: E emisor, C colector y B base.

Cuando aparece un tercer subndice el significado obedece a la siguiente regla:
O: El terminal sin nombrar esta sin conectar o abierto
R: se conecta una resistencia entre el terminal sin nombrar y el emisor.
S: el terminal sin nombrar se encuentra cortocircuitado con el terminal e
referencia EMISOR
V: para indicar polarizacin inversa
Tensiones mximas segn fabricante
VCEO = Tensin colector emisor con la base abierta.
VCESM = Tensin de colector a emisor de pico con VBE = 0.
VCER = Tensin colector emisor con resistencia especificada entre base y emisor.
VCBO = Tensin colector base con emisor abierto.
VEBO = Tensin emisor base colector abierto.
VCBC = Tensin colector base con una tensin especificada ente emisor y base
VCC = voltaje de alimentador de colector
VBB = Voltaje de alimentacin de base
VBE(sat) = Voltaje base emisor de saturacin.
V(BR)CEO = Voltaje de ruptura ente colector y emisor con base abierto
V(BR)CBO = Voltaje de ruptura ente colector y base con emisor abierto
V(BR)CER = Voltaje de ruptura ente colector y emisor con resistencia entre base
emisor


Intensidades de corriente mximas segn fabricante.
IC = corriente de colector, en continua
ICM = corriente de colector de pico.
IB = Corriente de base, en continua
IBM = corriente de base de pico.
ICEO = Corriente de corte de colector con base abierta.
ICEX = Corriente de corte de colector con circuito especificado en base emisor
ICEV = Corriente de corte de colector con tensin especificada entre base emisor
ICES = Corriente de corte de colector con base y emisor en cortocircuito
IEBO = Corriente de corte de emisor con colector abierto
ICBO = corriente colector base con emisor abierto
CORRIENTES DE FUGA
ICEO = corriente de colector a emisor con base abierta.
ICBO = corriente colector base con emisor abierto

CAIDAS DE TENSION Y POTENCIA
Cadas de tensin:

VCE(sat): = cada de tensin
entre colector y emisor de
saturacin, para determinada
corriente de base y de colector.

VBE(sat) = cada de tensin entre
base emisor en saturacin, para
determinada corriente de base y
de colector.
Ptot = Potencia total disipable a una
temperatura de la armadura de
montaje fija.

Tj = temperatura mxima de unin.

hfe.= = ganancia de corriente en
directa.
ZONAS DE TRABAJO DE UN BJT
La curva caracterstica de un transistor de potencia (IC frente VCE) nos
permite diferenciar las zonas de trabajo posible:

Zona de bloqueo: Corriente de base nula y la de colector es de muy bajo
valor, pudiendo soportar altas tensiones entre el colector y el emisor.
Zona lineal: El transistor acta como amplificador. No utilizada en el manejo
de electrnica de potencia debido a las grandes prdidas de potencia,
grandes tensiones y grandes intensidades de corriente en el dispositivo.
Zona de quasi saturacin: Bajas tensiones entre colector emisor, la
ganancia del transistor no es constante (se abandona la zona lineal).
Zona de saturacin: Corriente de colector elevada, cadas de tensin muy
bajas entre colector y emisor, potencia a disipar es pequea.

ZONAS DE TRABAJO DE UN BJT

Durante el estado de no conduccin (zona de corte) el transistor se va a
caracterizar por dos parmetros.

1. Tensin de colector- emisor de avalancha, que depende de la polaridad
de la unin base-emisor. Representa la mxima tensin que puede soportar el
dispositivo sin que haya avalancha de la unin. El fabricante suministra el
dato VCE0(sus) como tensin mxima soportable por el dispositivo para
corrientes de colector significativas.
2. Corriente de fuga entre colector y emisor, de valor muy pequeo siendo
menos importante que el anterior. (Iceo)

ZONAS DE TRABAJO DE UN BJT

Durante el estado de conduccin (zona de saturacin) o quasi-
saturacin el funcionamiento del transistor es caracterizado por los
siguientes parmetros:

Cada de tensin entre colector y emisor en saturacin VCE(sat). Este
valor debe ser siempre acompaado de la corriente de colector y la corriente
de base utilizadas para efectuar la medida por lo regular el fabricante
suministra graficas.
Corriente de colector mxima. Fijada por el fabricante del dispositivo (es
posible que se indique para corriente continua o corriente pulsante)
CURVA CARACTERISTICA CORRIENTE-
TENSION PARA UN BJT NPN
CURVA CARACTERISTICA CORRIENTE-
TENSION PARA UN BJT NPN
AREA DE TRABAJO SEGURO (SOA) DEL BJT
El fabricante aporta la grafica
SOA (Safe Operating Area).
El rea de trabajo seguro en
conmutacin es diferente y de
mayor extensin que para
funcionamiento en la zona lineal.
En conmutacin el transistor
presenta dos estados estables
de baja disipacin de potencia:
corte y saturacin.
En la zona activa la disipacin
de potencia es alta.
SOA se encuentra limitado por:

1. Icm dada por fabricante y depende de la construccin del dispositivo.
2. Potencia mxima disipable en el BJT que es funcin directa de la
Tjmax de la juntura y por el rgimen de trabajo del BJT en
conmutacin o en continua.
3. Segunda ruptura. Se produce al presentar puntos de mayor
conduccin de corriente localizados en la pastilla del semiconductor.
4. Tensin mxima colector-emisor Vcesus Es lo mximo que soporta el
BJT, correctamente polarizado.
AREA DE TRABAJO SEGURO (SOA) DEL BJT
AVALANCHA PRIMARIA Y SECUNDARIA
1. Si se excede la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor
abierto (VCBO), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la
base abierta (VCEO), la unin colector - base polarizada en inverso entra en un
proceso de ruptura como cualquier diodo, fenmeno denominado avalancha
primaria.
2. Tambin puede presentarse avalancha en algunos casos trabajando con
tensiones por debajo de los lmites anteriores por la aparicin de puntos
calientes (focalizacin de la corriente de base), producida por la polarizacin en
directo de la unin base - emisor. La polarizacin de la juntura crea un campo
magntico transversal en la zona de base que se opone al paso de portadores
minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de
potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de
polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto
valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el
consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. Fenmeno conocido
con el nombre de avalancha secundaria.
AVALANCHA SECUNDARIA
El fenmeno de avalancha secundaria o segunda ruptura suele
darse por dos causas.
1. Con polarizacin directa de la base. Si la intensidad de excitacin se
lleva por debajo de la suficiente para la saturacin del BJT (Es muy
comn para circuitos con componentes inductivos).
2. Si la corriente de colector exigida es superior a la mxima en
saturacin, debido a que no es posible mantener saturado el BJT
incluso con Ib elevadas.

Generalmente, los BJT en aplicaciones conmutan con plena tensin y
corriente, se corre el riesgo de superar el limite de segunda ruptura en
el SOA. Como proteccin se utilizan circuitos de ayuda para la
conmutacin.
Aparte del fenmeno de avalancha secundaria, uno de los inconvenientes de los
transistores BJT es el control por corriente de base, a causa del bajo valor de su
ganancia de corriente, tpicamente del orden de 10.
Los transistores Darlington ofrecen mayor ganancia de corriente (generalmente
superior a 70) a costa de un mayor voltaje de conduccin y de una disminucin
en la frecuencia de conmutacin.
Su principal ventaja es la baja cada de voltaje de saturacin, prcticamente
independiente de la corriente de colector (carga). El voltaje de saturacin es
normalmente entre 0.8V y 2.5V.
Rangos de funcionamiento 1200V y 600A.
AVALANCHA SECUNDARIA
MODULOS DARLINGTON PARA BJT.
Debido a altas intensidades
de trabajo, se presenta baja
ganancia (igual o menor a
10)
Este aspecto se mejora
utilizando mdulos
Darlington.
Existen varias
configuraciones de mdulos
Darlington.
CAIDAS DE TENSION Y POTENCIA
Cadas de tensin:

VCE(sat): = cada de tensin
entre colector y emisor de
saturacin, para determinada
corriente de base y de colector.

VBE(sat) = cada de tensin entre
base emisor en saturacin, para
determinada corriente de base y
de colector.
Ptot = Potencia total disipable a una
temperatura de la armadura de
montaje fija.

Tj = temperatura mxima de unin.

hfe.= ganancia de corriente en
directa.
DATA SHEET
TRANSISTOR 2N3904
DATA SHEET
TRANSISTOR 2N3904
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TRANSISTOR 2N3904
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TRANSISTOR 2N3904
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TRANSISTOR 2N3904
DATA SHEET
TRANSISTOR 2N3904
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TRANSISTOR 2N3904
DATA SHEET
TRANSISTOR 2N3904
DATA SHEET
TRANSISTOR 2N3904
DATA SHEET TRANSISTOR
2N3904
FACTOR DE AJUSTE
(DEGRADACION POR TEMPERATURA)
Indica cuanto hay que reducir la potencia
mxima que puede disipar un dispositivo. Se
indica en mW/C.
Si un transistor tiene un factor de ajuste de 5
mW/C, indica que la potencia mxima
disipable se debe reducir 5 mW por cada C
que la temperatura exceda a 25C.
Los disipadores sirven para deshacerse del
calor interno del dispositivo y aprovechar de
lo mejor su desempeo.