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O documento descreve o transistor bipolar de junção, incluindo sua constituição com duas junções PN e três terminais, seu funcionamento através da injeção de corrente na base, e sua polarização correta para operação como interruptor, amplificador ou oscilador.
O documento descreve o transistor bipolar de junção, incluindo sua constituição com duas junções PN e três terminais, seu funcionamento através da injeção de corrente na base, e sua polarização correta para operação como interruptor, amplificador ou oscilador.
O documento descreve o transistor bipolar de junção, incluindo sua constituição com duas junções PN e três terminais, seu funcionamento através da injeção de corrente na base, e sua polarização correta para operação como interruptor, amplificador ou oscilador.
Professor: Jos Artur Alves Dias Aluna: Manoella Maria Saraiva Cavalcante Matrcula: 20101610240 1 TRANSISTORES Caractersticas Gerais Dispositivo semicondutor de trs terminais; A tenso entre dois de seus terminais controla a corrente no terceiro terminal; Usados em varias aplicaes: amplificao de sinais; projeto de circuitos digitais e memrias; Tipos: TBJ e o FET. 2 TRANSISTOR BIPOLAR O termo Transistor resulta da aglutinao dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistncia de transferncia). O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores eletrons e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente. CONSTITUIO 4 Um transistor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas junes PN (juno base-emissor e juno base-coletor) de material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C). N Material semicondutor com excesso de eletrons livres P Material semicondutor com excesso de lacunas Altamente dopado Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base Altamente dopado Camada mais fina e menos dopada Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base Camada mais fina e menos dopada TBJ 5 Estrutura real do TBJ npn: JUNES PN INTERNAS E SMBOLOS 6 Juno PN base - emissor Juno PN base - emissor Juno PN base - colector Juno PN base - colector PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO 7 Para que o transistor bipolar conduza necessrio que seja aplicada na Base uma corrente mnima (V BE 0,7 Volt), caso contrrio no haver passagem de corrente entre o Emissor e o Colector. I B = 0 O transstor no conduz (est ao corte) Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transistor conduz e pode amplificar a corrente que passa do emissor para o coletor. Uma pequena corrente entre a base e o emissor origina uma grande corrente entre o emissor e o colector UTILIZAO O transistor bipolar pode ser utilizado:
como interruptor eletrnico. na amplificao de sinais. como oscilador. 8 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 9 POLARIZAO 10
Para o transistor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC.
Para o transistor estar corretamente polarizado a juno PN base emissor deve ser polarizada diretamente e a juno base coletor deve ser polarizada inversamente.
Regra prtica:
O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui. A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui. O Colector polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui.
Emissor Base Colector Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + + POLARIZAO Emissor Base Colector Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + + 11 +
Rc Rb _ Rc Rb + _
R b Resistncia de polarizao de base R c Resistncia de colector ou resistncia de carga POLARIZAO 12 REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES 13 V CE Tenso coletor - emissor V BE Tenso base emissor V CB Tenso coletor - base I C Corrente de coletor I B Corrente de base I E Corrente de emissor
V RE Tenso na resistncia de emissor V RC Tenso na resistncia de coletor REPRESENTAO DE TENSES 14 RELAO DAS CORRENTES 15 Rc Rb +
I C
I E
I B
Considerando o sentido convencional da corrente e aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao das correntes num transistor bipolar:
I E = I C + I B
16 17 18
CURVA CARACTERSTICA QUALITATIVA DO BJT 19 CARACTERSTICAS TCNICAS 20 Utilizando o cdigo alfanumrico do transistor, podem-se obter as suas caractersticas tcnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do fabricante. I C a mxima corrente de colector que o transistor pode suportar. Se este parmetro for excedido o componente poder queimar. V CEO Tenso mxima colector emissor com a base aberta. V CBO Tenso mxima colector base com o emissor aberto. V EBO Tenso mxima emissor base com o colector aberto. h FE ou Ganho ou fator de amplificao do transistor. h FE = I C : I B P d Potncia mxima de dissipao. f T Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transistor 1 ou seja, o transistor no amplifica mais a corrente). SUBSTITUIO DE TRANSISTORES POR EQUIVALENTES Num circuito no se pode substituir um transistor de silcio por um de germnio ou vice versa.
Tambm no se pode trocar diretamente um transistor NPN por um PNP ou vice versa.
A letra (A, B, C) que pode aparecer no fim do cdigo alfanumrico indica sempre aperfeioamentos ou melhorias em pelo menos um dos parmetros, limites ou caractersticas do transistor. Exemplo: O BC548A substitui o BC548. O BC548A no substitui o BC548B
21 DISSIPADORES DE CALOR 22 O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor so quase que obrigatrios nos transstores que trabalham com potncias elevadas de modo a evitar o sobreaquecimento do componente e a sua possvel destruio. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS BOYLESTAD, R. L. Introduo anlise de circuitos. 12. ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2012. Disponvel em: <http://www.reocities.com/CapeCanaveral/6744/a_04_01.pdf> . Acesso em: 18 de jan. 2014. Disponvel em http://dee.ufcg.edu.br/~gutemb/Experimento_Guia%203_2009 _1.pdf. Acesso em: 18 de jan. 2014.