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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

Disciplina: Eletrnica de Potncia


Professor: Jos Artur Alves Dias
Aluna: Manoella Maria Saraiva Cavalcante
Matrcula: 20101610240
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TRANSISTORES
Caractersticas Gerais
Dispositivo semicondutor de trs terminais;
A tenso entre dois de seus terminais controla a
corrente no terceiro terminal;
Usados em varias aplicaes: amplificao de sinais;
projeto de circuitos digitais e memrias;
Tipos: TBJ e o FET.
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TRANSISTOR BIPOLAR
O termo Transistor resulta da aglutinao dos termos ingleses
TRANsfer + reSISTOR (resistncia de transferncia).
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores eletrons e
lacunas participarem no processo do fluxo de corrente.
CONSTITUIO
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Um transistor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas
junes PN (juno base-emissor e juno base-coletor) de material
semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por
Emissor (E), Base (B) e Colector (C).
N Material semicondutor com excesso de eletrons livres
P Material semicondutor com excesso de lacunas
Altamente
dopado
Menos
dopado que
o Emissor e
mais dopado
que a Base
Altamente
dopado
Camada
mais fina
e menos
dopada
Menos
dopado que
o Emissor e
mais dopado
que a Base
Camada
mais fina
e menos
dopada
TBJ
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Estrutura real do TBJ npn:
JUNES PN INTERNAS E SMBOLOS
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Juno PN
base - emissor
Juno PN
base - emissor
Juno PN
base - colector
Juno PN
base - colector
PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO
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Para que o transistor bipolar conduza necessrio que seja aplicada na
Base uma corrente mnima (V
BE
0,7 Volt), caso contrrio no haver
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.
I
B
= 0
O transstor no conduz
(est ao corte)
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transistor conduz e
pode amplificar a corrente que passa do emissor para o coletor.
Uma pequena corrente
entre a base e o emissor
origina uma grande corrente
entre o emissor e o colector
UTILIZAO
O transistor bipolar pode ser utilizado:

como interruptor eletrnico.
na amplificao de sinais.
como oscilador.
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O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
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POLARIZAO
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Para o transistor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC.

Para o transistor estar corretamente polarizado a juno PN base emissor deve
ser polarizada diretamente e a juno base coletor deve ser polarizada
inversamente.

Regra prtica:

O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui.


Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
+ - - - + +
POLARIZAO
Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
+ - - - + +
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+

Rc
Rb
_
Rc
Rb
+
_

R
b
Resistncia de polarizao de base
R
c
Resistncia de colector ou resistncia de carga
POLARIZAO
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REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES
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V
CE
Tenso coletor - emissor
V
BE
Tenso base emissor
V
CB
Tenso coletor - base
I
C
Corrente de coletor
I
B
Corrente de base
I
E
Corrente de emissor



V
RE
Tenso na resistncia de emissor
V
RC
Tenso na resistncia de coletor
REPRESENTAO DE TENSES
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RELAO DAS CORRENTES
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Rc
Rb
+


I
C

I
E

I
B

Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao
das correntes num transistor bipolar:

I
E
= I
C
+ I
B

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CURVA CARACTERSTICA QUALITATIVA DO BJT
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CARACTERSTICAS TCNICAS
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Utilizando o cdigo alfanumrico do transistor, podem-se obter as suas
caractersticas tcnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
I
C
a mxima corrente de colector que o transistor pode suportar. Se
este parmetro for excedido o componente poder queimar.
V
CEO
Tenso mxima colector emissor com a base aberta.
V
CBO
Tenso mxima colector base com o emissor aberto.
V
EBO
Tenso mxima emissor base com o colector aberto.
h
FE
ou Ganho ou fator de amplificao do transistor.
h
FE
= I
C
: I
B
P
d
Potncia mxima de dissipao.
f
T
Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transistor
1 ou seja, o transistor no amplifica mais a corrente).
SUBSTITUIO DE TRANSISTORES POR
EQUIVALENTES
Num circuito no se pode substituir um transistor de
silcio por um de germnio ou vice versa.

Tambm no se pode trocar diretamente um transistor
NPN por um PNP ou vice versa.

A letra (A, B, C) que pode aparecer no fim do cdigo
alfanumrico indica sempre aperfeioamentos ou
melhorias em pelo menos um dos parmetros, limites ou
caractersticas do transistor.
Exemplo: O BC548A substitui o BC548.
O BC548A no substitui o BC548B

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DISSIPADORES DE CALOR
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O uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
so quase que
obrigatrios nos
transstores que
trabalham com
potncias
elevadas de modo
a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possvel
destruio.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
BOYLESTAD, R. L. Introduo anlise de circuitos. 12. ed.
So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2012.
Disponvel em:
<http://www.reocities.com/CapeCanaveral/6744/a_04_01.pdf>
. Acesso em: 18 de jan. 2014.
Disponvel em
http://dee.ufcg.edu.br/~gutemb/Experimento_Guia%203_2009
_1.pdf. Acesso em: 18 de jan. 2014.

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