Transistores de efeito de campo metal-xido-semicondutor

MOSFETs

CARACTERSTICAS
Dispositivo controlado por tenso;
Alta impedncia de entrada;
Requer pequena corrente de entrada;
Velocidade de chaveamento muito alta;
Tempo de chaveamento da ordem de nanosegundos;
Aplicao: conversores de alta frequncia (at 100kHz) e
baixa potncia (at alguns KW).
Ex.: .Fontes de alimentao chaveadas, nas quais
frequncias altas de chaveamento subentendem
componentes menores e mais baratos;
.Motores de baixa velocidade de controle que utilizem
PWM.

Dois tipos:
- de depleo;
- de enriquecimento.
MSFET DE DEPLEO
MOSFET DE ENRIQUECIMENTO
Smbolo:
G (porta)
D
(dreno)
S (fonte)
Vgs
Id
Is
Vds
Obs.:
. No havendo tenso na porta, a chave fica desligada; a tenso na porta que
controla as condies ligado/desligado;
. Tanto no estado ligado quanto no desligado, a resistncia de entrada
extremamente alta e a corrente de porta , em essncia, igual a zero, pelo
isolamento resistivo da porta.
CURVA CARACTERSTICA
Vgs1
Vgs2
Vgs3
Vgs4
Vgs5
Vgs
aumentando
Regio de corte
(Vgs<Vth)
Vds
Id
Regio ativa
Resistncia constante ou regio no-
saturada
B
Vds
Vgs6
REGIES DA CURVA IDXVDS
Regio de corte:
- estado desligado (Vgs<Vth);
- condio vlida para qualquer valor de Vds at
uma tenso de ruptura BVds;
- a partir de BVds, a corrente pode aumentar
rapidamente e danificar o dispositivo;
- MOSFET deve trabalhar em uma tenso Vds
abaixo do valor de saturao BVds.
REGIES DA CURVA IDXVDS
Regio ativa:
- MOSFET funciona como amplificador;
- aumentando-se o valor de Vgs tem-se aumento
da corrente Id sem necessariamente aumentar
Vds;
- no muito aplicado eletrnica de potncia
devido alta perda de potncia associada
IdxVds.
REGIES DA CURVA IDXVDS
Regio hmica:
- regio de interesse da eletrnica de potncia;
- corrente de dreno aumenta proporcional a Vds:
Vds(on)=Rds(on)xId, Rds(on)=0,5;

- para garantir que o dispositivo fique nessa regio, para
todos os valores de Id, melhor usar um valor de Vgs
mais alto do que o necessrio na regio ativa;
- valor de Vgs em torno de 10V;
- Vgs no deve ser maior que 20V;
- limita-se Vgs colocando-se um diodo Zener nos
terminais porta-fonte.
CURVA CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA
DE UM MOSFET
Id
Vgs
Vth
A corrente Id igual a zero at que se alcance a tenso de
limiar Vth;
A partir da, a corrente Id aumenta linearmente com a tenso.
gm = Id
Vgs - Vth
CURVA CARACTERSTICA IDEAL DO MOSFET
UM MOSFET COMO CHAVE
Condio Ligado
- Opera na regio hmica;
- Queda de tenso baixa;
- Corrente de dreno determinada pela carga;
- Perda de potncia pequena.
Chaveamento
- Resistncia no estado ligado determina a perda de
potncia durante a conduo para um dado valor de
corrente de carga (dreno);
- Quanto mais baixo o valor de RDS(ON), mais baixa a queda
de tenso no estado ligado, mais baixa a queda de tenso
no estado ligado, mais baixa a dissipao de potncia e
mais alta a capacidade de corrente do dispositivo.
Queda de tenso direta:

Dissipao de potncia interna:


Condio Desligado
- Corrente de dreno igual a zero;
- VDS igual ao valor da tenso de alimentao;
- RDS muito alta;
PERDAS NO MOSFET
Perdas na conduo ou perdas no estado ligado


Perdas no estado desligado


Perdas na ligao da chave

Perdas no desligamento da chave



Perdas de potncia por chaveamento



Perda total de potncia no MOSFET
DIODO INTERNO DE UM MOSFET DE
POTNCIA
PROTEO DO MOSFET
Sobretenses
- Afetam somente quando desligado;
- Na regio ativa, VDS e ID podem ser simultaneamente
altas e a perda de potncia associada VDS.ID pode
danificar o MOSFET;
- Certificar-se de que a tenso da fonte de alimentao
menor do que a tenso de ruptura do MOSFET;
- Varistor (sua resistncia diminui oferecendo caminho
para o fluxo de corrente).
Sobrecorrentes
- Excede a temperatura;
- Sensores embutidos;
REA DE OPERAO SEGURA
MOSFETS EM SRIE E EM PARALELO
Srie
- Se a tenso nominal de um MOSFET isolado for
mais baixa do que a fonte de tenso, pode-se ligar
dois ou mais MOSFETs em srie para suportar essa
tenso mais alta.

Paralelo
- Se a corrente nominal for inferior ao solicitado pela
carga, pode-se ligar os MOSFET s em paralelo.