EL TRANSISTOR DE

UNI ON BI POLAR (BJ T)

INTRODUCCION
La palabra transistor se deriva de Trasfer
Resistor o resistencia de transferencia.
El transistor es un dispositivo electronico
que se comporta como una resistencia
variable que depende de una seal
electrica de control, que al variar el valor
de la seal de control varia la cantidad de
corriente que pasa port el transistor.


BJT:Transistores bipolares de unin.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unin.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
Tipos de transistores
ATE-UO Trans 01
BJT
PNP
NPN
FET
JFET
MESFET
MOSFET
Canal N
Canal P
Canal N
Empobrecimiento
Enriquecimiento
Canal P
Canal N
Canal P
Canal N
Aplicaciones
Los transistores se utiliza como
amplificadores de seal,
conmutador electrnico,
puertas lgicas, memorias de
PC y otros.
(BJ T)
transistores bipolares
Construccin de transistores
Smbolo del diodo
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado tipo N y el otro tipo P. El
primero constituye el ctodo, mientras que el segundo el
nodo. As, el diodo est polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial ms positivo que el
material tipo N:
I
D

V
D

+
+
R
+
A
C
P N
Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y
una de tipo N (transistor PNP), o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN), conformando lo que se conoce como
transistor bipolar.
Tipos de Transistores:
P N P
Transistor PNP
Transistor NPN
EMISOR
E
COLECTOR
C
BASE B
P N N
COLECTOR
BASE
EMISOR
E C
B
E E
C
C
B B
Smbolo del transistor
Construccin de transistores
ZAD
SATURACIN
DIRECTA
ZAI
SATURACIN
INVERSA
CORTE
CORTE
Transistor BJT
4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n
BJT npn
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarizacin directa a la unin o juntura Emisor-Base y una
polarizacin inversa a la juntura Base-Colector:
Transistor PNP Transistor NPN
E C
B
+
+
P N P
+ +
E C
B
P N N
Polarizacin
Directa
Polarizacin
Inversa
Polarizacin de los transistores
Aunque podra pensarse que ambos terminales pueden operar
indistintamente uno de otro, no es as, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector est especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando V
EE
al voltaje aplicado a la unin Emisor-Base, y
V
CC
al aplicado a la unin Base-Colector, la circulacin de
corriente para un transistor PNP ser:
E C
B
+ +
P N P
V
CC

V
EE

I
E

I
B

I
C

C B E
I I I + =
Polarizacin de los transistores
Polarizacin del transistor
Esta es la configuracin ms tpica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemtico para un Tr. NPN:
C
E
B
I
B

I
C

I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarizacin sobre este
circuito, pueden determinarse las caractersticas de entrada-
salida.
Esta es la configuracin ms tpica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemtico para un Tr. NPN:
C
E
B
I
B

I
C

I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarizacin sobre este
circuito, pueden determinarse las caractersticas de entrada-
salida.
Configuracin de base comn
Caraqcteristicas de entrada
Caracteristicas de salida
Factor de amplificacion de ganancia de
corriente en base comun
Amplificador de polarizacin universal
El esquema del circuito es el que se muestra a continuacin:
) (
E C C CE C
R R I V E + + ~
El circuito est conformado
por un divisor resistivo,
compuesto por R
1
y R
2

(conectado a la base del
transistor) y una resistencia
R
E
(conectado al emisor).
En este caso, se define la
recta de carga por:
E
C

R
1

R
2

R
E

R
C

Configuracin emisor comn
ZONA DE
OPERACIN
COMO AMPLIF.
LINEAL

REGIN DE CORTE
R
E
G
I

N

D
E

S
A
T
U
R
A
C
I

N

Curvas caractersticas
V
CE
=10V
V
CE
=20V
V
CE
=1V
Caractersticas
de base
V
BE
[V]
0,4 0,6 0,8
I
B

[A]
0,2
0
20
40
60
80
0
V
CE
[V]
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
Caractersticas
de colector
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
Factor de amplificacion
Ganancia de corriente en emisosr comun
B beta
Relaciones entre beta y alfa
Se cumplen las siguientes relaciones:
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):
E C C B E
I I I I I o = + = ;
B B C C B E C
I I I I I I I |
o
o
o o =

= + = =
1
) (
El factor | se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn, y en las especificaciones tcnicas
se lo suele denominar h
FE
.
B
C
I
I
= |
El factor o se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
Limites de operacion
Para cada transistorhay una region de
operacin sobre las caracteristicas, las
cuales aseguran que no se rebasen los
valores maximos y que la seal de salida
hexiba una distorsion minima.
Todos los limites de operacin para un
transistor se definen en las hojas de
esoecificaciones.
Transistor como
conmutador
Lmites de operacin
Para cada transistor,
existe una zona de
operacin, dentro de
la cual debe trabajar,
para que exhiba una
distorsin mnima.
En la siguiente
caracterstica se
muestra un aspecto de
lo indicado:
R
E
G
I

N

D
E

S
A
T
U
R
A
C
I

N

ZONA DE
RECHAZO




REGIN DE CORTE
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
ZONA DE
TRABAJO
COMO AMPLIFICADOR
V
CE
[V]
V
CEmx

P
Cmx

I
Cmx

V
CEsat

I
CEO

Lmites de operacin
Todos los lmites de operacin para un transistor vienen
definidos en sus hojas de especificaciones tcnicas. Entre las
ms relevantes pueden citarse:
corriente mxima de colector: Normalmente figura en las
especificaciones como corriente continua de colector.
voltaje mximo entre colector y emisor, V
CEO
: Indica el voltaje
mximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
est desconectada o polarizada inversamente.
V
CE mnimo
: Indica el voltaje V
CEsat
o voltaje mnimo que se
puede aplicar para no caer en la zona de saturacin.
P
C mx
: Representa la mxima potencia de disipasin del
colector (y define la curva azul de la grfica anterior).
Caractersticas de operacin
Un transistor no slo puede trabajar como amplificador, sino
tambin como conmutador, hacindolo trabajar entre las
regiones de corte y saturacin.
Se dice que un transistor est en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :
Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el
transistor est en estado de bloqueo.
V V y E V I I
BE C CE C B
7 , 0 ; 0 ; 0 < = = =
El transistor como conmutador
Por otra parte, se dice que un transistor est en saturacin
(para el mismo circuito) cuando :
B FE C BE CEsat
I h I e V V V V s = = 7 , 0 ; 2 , 0
El comportamiento de un transistor en saturacin es
equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operacin, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de V
BE
=0,7V y
V
CEsat
=0,2V son valores tpicos empleados en los clculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.
Caractersticas de operacin
Existen configuraciones comerciales que tienen en el mismo
ensamble- un fotodiodo (emisor) y un fototransistor
(receptor). A pesar que pueden operar en forma lineal, la
forma ms usada de esta configuracin es como conmutador,
permitiendo que el transistor pase del corte a la saturacin,
cuando se aplican pulsos de corriente al fotodiodo.
Configuracin tpica
Fototransistores y
optoaisladores
La forma de utilizar estos dispositivos es:
Configuracin tpica
R

R

Vcc
+
+
E
D
Pulsos de
Entrada
Pulsos de
Salida
Fin
Prxima Clase
POLARIZACION EN CD DEL TRANSISTOR
BJT