UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO FACULDADE DE ENGENHARIA DE BAURU PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA MECNICA REA DE CONCENTRAO

EM FENMENOS DE TRANSPORTE

Slvio Aparecido Verdrio Jnior

Trabalho apresentado disciplina Formas No Convencionais de Energia (PEM 0104), com docente responsvel Prof. Dr. Celso Luiz da Silva.

Bauru, 08 de Maio de 2013.

1. INTRODUO
Condutor Metlico: Condutor eletrnico no qual a condutividade eltrica diminui com o aumento da temperatura. Semicondutor: Condutor eletrnico no qual a condutividade eltrica aumenta com o aumento da temperatura. Exemplo, Germnio (Ge) e Silcio (Si). Isolante: No conduz eletricidade. Modelo Atmico de Bohr. Teoria de Bandas dos Slidos. Banda de Valncia x Banda de Conduo.

Figura 1 Modelo de Bohr para o tomo. a) Orbitas dos Eltrons b) Nveis de Energia

Figura 2 Bandas de Energia

Figura 3 Nuvem de eltrons formada pelos vrios eltrons em suas diferentes rbitas Ligao Metlica.

 No Zero Absoluto (0 K) a banda de conduo vai estar totalmente vazia, e a banda de valncia totalmente preenchida. Os eltrons de valncia vo estar presos ao ncleo de Silcio, pois fazem parte das ligaes covalentes entre os tomos. Conforme Figura 4. Aquecendo o material, a energia trmica quebra algumas ligaes de valncia e alguns eltrons passam da camada de valncia para a banda de conduo, o que gera uma corrente eltrica, porm muito pequena para ser utilizada, mesmo a Temperatura Ambiente (25 C). Conforme Figura 5. Quando um eltron salta para a banda de conduo ele cria uma lacuna, que ser preenchida por um eltron da banda de valncia que por sua vez cria outra lacuna. Isso cria um movimento de lacunas, ou seja, de cargas positivas, conforme Figura 6.

Figura 4 Silcio na temperatura de 0 K.

Figura 5 Silcio na temperatura de 25 C.

Figura 6 Corrente de Lacunas.

Os Semicondutores oferecem dois trajetos para a: Eltrons se movendo na banda de conduo. Lacunas (ou eltrons) se movendo da banda de valncia. Enquanto que nos Condutores existe um tipo nico de corrente, a dos eltrons na banda de conduo.

 Para um cristal de Silcio Puro (SEMICONDUTOR INTRNSECO), temperatura ambiente, existem poucos eltrons livres, insuficientes para produzir uma corrente eltrica utilizvel. DOPAGEM: Introduo de tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres, quanto o nmero de lacunas, criando um campo eltrico entre as bandas de conduo e valncia. SEMICONDUTOR EXTRNSECO DO TIPO N ou TIPO P.

Figura 7 Semicondutor Extrnseco do Tipo n e Tipo p, respectivamente.

SEMICONDUTOR TIPO N A adio de tomos pentavalentes (cinco eltrons na camada de valncia N, P, As, Sb e Bi) objetiva aumentar o nmero de eltrons migrando para a banda de conduo. Assim passa a existir um grande nmero de eltrons na banda de conduo, porm continuam existindo lacunas na banda de valncia devido a energia trmica.

Figura 8 Semicondutor Tipo N.

SEMICONDUTOR TIPO P A adio de tomos trivalentes (trs eltrons na camada de valncia B, Al, Ga, In e Tl) objetiva aumentar o nmero de lacunas na banda de valncia. Continuaro existindo eltrons na banda de conduo devido a energia trmica.

Figura 9 Semicondutor Tipo P.

 JUNO P - N: Onde as regies Tipo p e Tipo n se encontram. Nas proximidades da juno, os portadores majoritrios de cada lado (eltrons e lacunas) iro se recombinar, formando ons negativos e positivos em uma regio onde no existiro mais cargas livres. Essa regio chamada de camada de depleo.

Figura 10 Juno P-N. a) Antes da Difuso. b) Depois da Difuso.

 EFEITO FOTOVOLTAICO: Surgimento de uma tenso eltrica em um material semicondutor, quando exposto luz visvel (FTONS). Para formar uma clula fotovoltaica (ou um diodo) so unidos os dois tipos de semicondutor. No rea da unio, chamada de Juno - PN, os eltrons livres do semicondutor tipo N migraro para o semicondutor tipo P para ocuparem esses espaos. Essa migrao no ocorre indefinidamente, pois forma-se um campo eltrico na rea de juno que impede que os eltrons continuem fluindo. Ao receberem ftons de luz visvel os eltrons so energizados, mas no conseguem fluir da camada N para a camada P. Se ligarmos as duas camadas externamente, podemos aproveitar a corrente eltrica que se forma na passagem dos eltrons de uma camada para outra. assim que funciona uma clula fotovoltaica.

Figura 11 Juno P-N e o Efeito Fotovoltaico.

2. CARACTERSTICAS DO EQUIPAMENTO
COMPOSIO: Lmina de Silcio purificado dopada, simultaneamente, com Boro e Fsforo. A parte dopada com Fsforo, do tipo-N, fica exposta ao sol. A parte dopada com Boro, do tipo-P, fica na parte inferior da clula, e maior que o tipo-N. CONTATOS FRONTAIS E GRELHAS DE COBRE. Sobre a parte tipoN, causam sombra e reflexo, diminuindo a eficincia da clula, porm so necessrios para captar os eltrons liberados pelo Efeito Fotovoltaico e com a diminuio do nmero de contatos frontais a eficincia da clula diminui. MXIMA EFICINCIA DA CLULA FOTOVOLTAICA: Mximo possvel de contatos frontais, porm com a menor rea possvel.

 PELCULA ANTI-REFLEXO: Reduz a reflexo da radiao incidente para valores abaixo de 5%, que em conjunto com textura especiais usadas em clulas de alto rendimento a reflexo pode ser reduzida para valores da ordem de 2%. Sem este revestimento a clula refletiria cerca de um tero (1/3) da radiao. CONTACTO TRASEIRO: Contacto metlico localizado na parte posterior da clula, que constitui o terminal positivo.
Figura 12 Forma Construtiva da Clula Fotovoltaica.

2.1 TIPOS DE CLULAS

A. SILCIO MONOCRISTALINO Atinge 60% das aplicaes do Mercado. COMPOSIO: Cristal nico com uniformidade molecular, que vai POTENCIALIZAR o Efeito Fotovoltaico. RENDIMENTO: 24% (Laboratrio) e 15% (Prtica). Elevado Custo de Produo.

Figura 13 Clula de Silcio Monocristalino.

B.

SILCIO POLICRISTALINO Atinge 30% das aplicaes do Mercado. COMPOSIO: Blocos de pequenos cristais de espessura capilar. As DESCONTINUIDADES dificultam o movimento dos eltrons e favorecem a recombinao com as lacunas, DIMINUINDO a potncia de sada. RENDIMENTO: 18% (Laboratrio) e 12% (Prtica).

Figura 14 Clula de Silcio Policristalino.

C. SILCIO AMORFO Atinge 04% das aplicaes do Mercado. Exemplo, equipamentos solares domsticos (relgios, calculadoras, etc.) COMPOSIO: Por no possuir uma estrutura cristalina definida, apresentando defeitos que favorecem a recombinao de eltrons com lacunas, adiciona-se uma pequena quantidade de hidrognio (HIGROGENAO), de forma a minimizar quimicamente os defeitos estruturais. Maior DEPRECIAO do equipamento, observvel logo nos primeiros meses de funcionamento e reduzindo assim a sua EFICINCIA. RENDIMENTO: 13% (Laboratrio) e 06% (Prtica). Menor Custo de Produo. Apresenta MAIOR ABSORO DE RADIAO NA FAIXA DO VISVEL. DEPOSIO de pelculas de silcio amorfo nos substratos (metal, vidro, plstico).

D. CLULAS DE FILMES FINOS Pesquisas objetivando produo de clulas fotovoltaicas confiveis, utilizando pouco material semicondutor - MENOR CUSTO DO PRODUTO e da ENERGIA GERADA. Opes de Materiais: Telureto de Cdmio (CdTe); Disseleneto de Cobre e ndio (CIS); Silcio amorfo hidrogenado (a-Si-H); Arseneto de Glio (GaAs).

Figura 15 Mdulos de Filme Fino.

3. MODELO MATEMTICO
3.1 MODELO SIMPLIFICADO
EFEITO FOTOVOLTAICO

Juno P-N (DIODO)

Gerada pelo FEIXE DE RADIAO LUMINOSA.

Figura 16 Modelo Simplificado.

3. MODELO MATEMTICO
3.1 MODELO SIMPLIFICADO
Corrente de Sada

Potncia de Sada FABRICANTE

Rendimento = Potncia de Pico / (rea da Clula . Radiao Solar Incidente Superficial)

Fator de Forma: 0,7 a 0,85

3.2 MODELO DETALHADO

Queda de TENSO devido aos CONTATOS EXTERNOS. CORRENTES DE FUGA

Figura 17 Modelo Detalhado.

3.2 MODELO DETALHADO

Equao TRANSCENDENTAL, resolvida atravs de MTODOS ITERATIVOS.

3. APLICAES

Figura 18 Configurao Bsica de um Sistema Fotovoltaico.

SISTEMAS ISOLADOS SISTEMAS HBRIDOS SISTEMAS INTERLIGADOS REDE

3.1 SISTEMAS ISOLADOS

Figura 19 Diagrama de Sistemas Voltaicos em funo da carga utilizada.

3.2 SISTEMAS HBRIDOS

Figura 20 Exemplo de Sistema Hbrido.

3.3 SISTEMAS INTERLIGADOS REDE

Figura 21 Sistema Conectado Rede Eltrica (Sem Armazenamento).

4. SISTEMAS FOTOVOLTAICOS INSTALADOS NO BRASIL

Figura 22 Sistema de Bombeamento Fotovoltaico para Irrigao. (Valente BA)

Figura 23 Sistema de Eletrificao Residencial Fotovoltaico. (Pentecoste CE)

Figura 24 Sistema Hbrido Solar Elico - Diesel. (Jaones PA)

Figura 25 Sistema de Telefonia Pblica utilizando Energia Fotovoltaica. (Macei-AL)

5. ANLISE DE CUSTOS
Tabela 1 Valores tpicos de implantao de usinas geradoras de energia (Fonte: ANEEL - SCG, 2006)

Tabela 2 Custo de Instalao de um Sistema Fotovoltaico de

Tabela 3 Custo do um Sistema Fotovoltaica durante 30 anos

ANALISANDO OS RESULTADOS ANTERIORES: Da Tabela 2, tem-se:

VALOR TPICO PARA SISTEMAS ISOLADOS: US$ 13/W

6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] http://paginas.fe.up.pt/~ee03096/index_ficheiros/Page830.htm Data de Acesso: 06/05/2013. [2] http://www.blue-sol.com/energia-solar/energia-solar-como-funciona-oefeito-fotovoltaico/ Data de Acesso: 07/05/2013. [3] SHAYANI, R. A. et al., Comparao do Custo entre Energia Solar Fotovoltaica e Fontes Convencionais. Congresso Brasileiro de Planejamento Energtico, 2006. Disponvel em: http://www.gsep.ene.unb.br/producao/marco/ sbpe_2006.pdf. Data de Acesso: 07/05/2013. [4] Energia Solar Princpios e Aplicaes. Centro de Referncia para Energia Solar e Elica Srgio de Salva Brito. Disponvel em: http://www.cresesb.cepel.br . Data de Acesso: 07/05/2013.

[5] CASTRO, R. M. G., Introduo Energia Fotovoltaica. Universidade Tcnica de Lisboa, Insitituto Superior Tcnico. 2008. [6] PINHEIRO, J. R. G., Diodos. Apostila Eletrnica de Automao Industrial, 54 pginas. Universidade Estadual Paulista, FEB DEE.

MUITO OBRIGADO