Sei sulla pagina 1di 113

Electrnica de Comunicaciones

CONTENIDO RESUMIDO: 1- Introduccin 2- Osciladores 3- Mezcladores. 4- Lazos enganchados en fase (PLL). 5- Amplificadores de pequea seal para RF. 6- Filtros pasa-banda basados en resonadores piezoelctricos. 7- Amplificadores de potencia para RF. 8- Demoduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 9- Demoduladores de ngulo (FM, FSK y PM). 10- Moduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 11- Moduladores de ngulo (PM, FM, FSK y PSK). 12- Tipos y estructuras de receptores de RF. 13- Tipos y estructuras de transmisores de RF. 14- Transceptores para radiocomunicaciones
ATE-UO EC amp se 00

5- Amplificadores de pequea seal para RF


Idea fundamental:
Amplificacin selectiva de las seales de RF con buena relacin seal/ruido

Zg

+
VCC
vg

Amplificador de seal de RF

ZL

ATE-UO EC amp se 01

Concepto de ganancia de potencia (I)

Zg

is ie vg Ze

Zs vso

ZL

Amplificador de seal de RF

Potencia de entrada: pe = (ie ef)2Re[Ze] Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GP es funcin de ZL

Ojo: No valora la adaptacin de


impedancias entre generador y amplificador
ATE-UO EC amp se 02

Concepto de ganancia de potencia (II)


Con un modelo de admitancias

Zg

+
ve vg

Ye
-

iscc

Ys
-

vs

ZL

Amplificador de seal de RF

Potencia de entrada: pe = (ve ef)2Re[Ye]

Potencia de salida: ps = (vs ef)2Re[YL]


Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
ATE-UO EC amp se 03

Concepto de potencia disponible en un generador


Es la mxima potencia que puede entregar un generador a una carga

Zg

Zg

+
vg ZL

jXg

Rg ig jXL ZL

+
vg

Mxima transferencia de potencia (ZL = Zg*): Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg
ATE-UO EC amp se 04

RL

Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg =

(vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg

Concepto de ganancia de potencia disponible de un amplificador

Zg

+
vg
Ze

Zs

vso

ZL

Amplificador de seal de RF

Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potencia disponible de salida: psd = (vso ef)2/4Re[Zs] Ganancia de potencia disponible: Gpd = psd/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPd es funcin de Zg Valora la adaptacin de impedancias entre generador y amplificador
ATE-UO EC amp se 05

Concepto de ganancia de potencia de transduccin de un amplificador

Zg

is

+
vg

+
Ze

Zs vso

ZL

Amplificador de seal de RF

Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia de tranduccin: Gpt = ps/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es funcin de Zg y ZL Valora la adaptacin de impedancias entre generador y amplificador y entre amplificador y carga
ATE-UO EC amp se 06

Ejemplo de clculo de ganancias (I) 75 W 300 W +

+
vg ve

+
50 W

20v
e

75 W

vs
-

AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4) [dB] = 12,04 dB pe = (ve ef)2/50 ped = (vg ef)2/(475) ps = 75[20ve ef/(300+75)]2 psd = (20ve ef)2/(4300) ve = vg50/(50+75)

Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB Gpd = psd/ped = 16 = 10log(16) [dB] = 12,04 dB Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB
ATE-UO EC amp se 07

Condiciones para la mxima transferencia de potencia entre el generador de seal y el amplificador y entre el amplificador y la carga
Re[Ze] = Re[Zg] Im[Ze] = - Im[Zg] Ze = Zg* Re[ZL] = Re[Zs] Im[ZL] = -Im[Zs]

ZL = Zs*

Zg

+
vg

+
Ze

Zs vso

ZL

Amplificador de seal de RF

ATE-UO EC amp se 08

Modo de conseguir la mxima transferencia de potencia

Zg

+
vg

Red adaptacin

+
Ze

Zs

de entrada (no disip.)

vso

Red adaptacin de entrada (no disip.)

ZL

Amplificador de seal de RF
Red adapt. de entrada

Ze
ZeRed sal = Zs*

Red adapt. de salida

ZL

ZeRed ent = Zg*

ATE-UO EC amp se 09

Ejemplo de clculo de ganancias con redes de adaptacin de impedancias


75 W 300 W

+
ve

+ ve (75/50)1/2:1

+
50 W

+ vs 20ve 75 W

vs
-

vg

(300/75)1/2:1
vs = 0,520ve vs = (75/300)1/2vs

ve = 0,5vg

ve = (50/75)1/2ve

AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 = 20log(4,08) [dB] = 12,21 dB pe = ped = (vg ef)2/(475) (50/75)1/20,5vg ps = psd = (20ve ef)2/(4300) ve =

Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB


(coincide en este caso particular con AV, pero es slo por ser Rg = RL)
ATE-UO EC amp se 10

Ejemplo de la importancia de la adaptacin de impedancias 200 W 200 W

+
vg ve

+ 50 W -

+
e

+ 50 W

Sin adaptacin: Gpt = 64 = 18,06 dB

vs
-

50v

200 W

200 W

+
ve
vg

2:1 ve

+
50 W

2:1
50 W

vs
50ve -

vs
-

Con adaptacin: Gpt = 156,25 = 21,93 dB


ATE-UO EC amp se 11

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias


Coeficientes de reflexin: En la entrada: Ge = (Ze Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedancia de referencia) En la salida: Gs = (Zs Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedancia de referencia)

Relacin de Ondas Estacionarias (ROE, SWR): En la entrada: ROEe = (1 + Ge)/(1 - Ge) En la salida: ROEs = (1 + Gs)/(1 - Gs)

Prdidas de potencia por desadaptacin PL: En la entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] En la salida: PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2]

ATE-UO EC amp se 12

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias en el ejemplo anterior 200 W 200 W

+
Zo = Ro = 50 W

+
50 W
e

+ 50 W

vg

ve
-

vs
-

50v

Ge = (Ze Zo)/(Ze + Zo) = 0/250 = 0

Gs = (Zs Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6


ROEe = (1 + Ge)/(1 - Ge) = 1 ROEs = (1 + Gs)/(1 - Gs) = 4 PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] = 1,94 dB PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2] = 1,94 dB
ATE-UO EC amp se 13

Tipos de redes no disipativas de adaptacin de impedancias Redes no disipativas de adaptacin


De banda ancha con transformador
De banda estrecha Con transformador Sin transformador

Teora del transformador ideal (I)

i1
+ 1:n

i2
+

i1
+

i2 ni2

v1
-

v2

v1
-

v2
nv1
-

v2 = v1n i2 = i1/n p1 = v1i1 = v2i2 = p2

ATE-UO EC amp se 14

Teora del transformador ideal (II)

i1

i2
1:n +

v2 = v1n v2 = R2i2

i2 = i1/n

+
v1 v1
R1

+ -

Calculamos R1 = v1/i1:

v2
-

R2

R1 = v2/(i2n2) = R2/n2

R1 = R2/n2

Primera aproximacin al comportamiento real: inductancia y corriente magnetizante (I)


Modelo que tiene en cuenta que la transferencia de energa se realiza por un campo mgntico

i1
+

ni2 im Lm
1:n

i2
+

i1 = i2n + im Calculamos i1/v1 = Y1: Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms) Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
ATE-UO EC amp se 15

v1
-

v2
-

R2

Primera aproximacin al comportamiento real: inductancia y corriente magnetizante (II)

i1
+

ni2

i2
1:n +

Por tanto: Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]

im Lm

v1
-

v2
-

R2
Z1(jw) [W] R2

Z1(s), Y1(s)
Si llamamos R2 = R2 /n2, obtenemos:
0,7R2

Z1(s) = R2Lms/(R2 + Lms) Z1(jw) = jwR2Lm/(R2 + jwLm)


R2/10

fC

Hay un cero en cero y un polo en fC = R2 /(2pLm)


ATE-UO EC amp se 16

R2/100 0,1fC fC 10fC

Segunda aproximacin al comportamiento real: inductancias magnetizante y de dispersin (I)


Modelos que tienen en cuenta que el acoplamiento entre devanados no es perfecto

i1
+

ni2

i2
1:n

v1
-

Ld1 im
Lm

Ld2

v2
-

Modelo en T

i1
+ im1

ni2

i2
1:n +

v1
-

Ld

im2

Lm1

Lm2

v2
ATE-UO EC amp se 17

Modelo en p

Segunda aproximacin al comportamiento real: inductancias magnetizante y de dispersin (II)


i1 ni2 i2

+
v1 -

Ld

im

1:n

+ v2 R2

Lm
Modelo aproximado muy usado

Z1(jw) [W] 10R2 1,4R2 0,7R2

Z1(s), Y1(s)
Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms) Z1(jw) = jwLd + jwR2Lm/(R2 + jwLm) Hay un cero en cero, un cero

R2

fCi
R2/10

fCs

en fCs = R2 /(2pLd) y un polo


en fCi = R2 /(2pLm)
ATE-UO EC amp se 18

0,1fC

fC

10fC

Tercera aproximacin al comportamiento real: inductancias y capacidades parsitas (I) +

Ld
Lm Cp1

1:n

+
v2 Cp3

v1
Z1(s), Y1(s)

R2

Cp2
10R2

Z1(jw) [W]

Modelos que tienen en cuenta acoplamientos capacitivos de los devanados entre s y con el ncleo

R2 R2/10 R2/100

ATE-UO EC amp se 19

f1

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda ancha (I)


Solamente vlido en el caso de impedancias resistivas

Rg

+
vg

1:n

Lm
Z1(jw) R2 = R2/n2

R2

Margen de uso
Z1(jw) [W]
R2

Por diseo: Rg = R2

R2 /10

ATE-UO EC amp se 20

0,1fC

fC

10fC

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda ancha (II) Rg

+
vg

Ld Lm

1:n

Cp1

R2
Modelo ms elaborado
Z1(jw) [W]

Z1(jw)
Por diseo: Rg = R2

R2 = R2

/n2
10R2

Domina Ld

Margen de uso (domina R2) Domina Lm Domina Cp1 Resonancia C L


p1

R2 R2/10 R2/100

ATE-UO EC amp se 21

f1

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (I) Se aade un condensador para cancelar Rg
la reactancia inductiva de la inductancia magnetizante

+
vg Z1(jw)
Con Cr conseguimos:

Cr

Lm

1:n

R2
R2 = R2/n2
10R2
R2 R2/10 R2/100 f1

Z1(jw) [W]

Sin Cr

Comportamiento selectivo. Comportamiento real a menor frecuencia para la misma Lm (menor


Lm si quisiramos comportamiento real a la misma frecuencia).
ATE-UO EC amp se 22

Con Cr

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (II)


Si la admitancia de entrada es parcialmente capacitiva, su efecto se aade al del condensador resonante

Rg

+
vg

Cr

Lm

1:n

C2

R2
Y1(jw) =1/R2 + jwC2

Cr = Cr + C2n2

fr =

1 2p LmCr

ATE-UO EC amp se 23

Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (III) Con un modelo ms exacto
del transformador

Rg

+
vg Z1(jw)

Ld

1:n Cp1

Cr Lm
10R2 R2 Z1(jw) [W]

R2

Comportamiento bastante independiente de los parsitos del transformador


ATE-UO EC amp se 24

Con Cr

Sin Cr

R2/10

R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (I)

Rg

+
vg
Ze

jXs

RL jXp

Supongamos inicialmente impedancias resistivas en el generador y la carga Calculamos Ze: Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) = jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =

ATE-UO EC amp se 25

[j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2) Condicin de Im[Ze] = 0 y Re[Ze] = Re a wo: 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) + RL2Xp (wo) (1) Re = Xp2(wo)RL/[RL2 + Xp2(wo)] (2) De (2) se obtiene: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) Y de (1) y (3) se obtiene: -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4)

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (II) Rg
Partimos de que para que Re[Ze] = Re y Im[Ze] = 0: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 Tambin: -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo)

+
vg
Ze = Re
Conclusiones:

jXs

RL
jXp

(3) (4) (4) (5)

De (1) 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) + RL2Xp(wo) se deduce que Xs y Xp deben ser de distinto tipo (un condensador y una bobina) De (3) y (4) se deduce que en esta topologa tiene que ser Re < RL Posible realizaciones fsicas: Pasa bajos: Xs una bobina y Xp un condensador Pasa altos: Xs un condensador y Xp una bobina
ATE-UO EC amp se 26

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (III)

jXs
Ze = Re

RL jXp

-Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL Opcin pasa bajos

Pasa bajos

L
Ze = Re

RL C

Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo) Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 1/(Cwo) = RLRe/(Lwo) L/C = RLRe
ATE-UO EC amp se 27

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (IV)

jXs
Ze = Re

RL jXp

-Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL Opcin pasa altos

Pasa altos

C RL
Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4) (con signo +) y en (5): 1/(Cwo) = [Re(RL-Re)]1/2 Lwo = RLReCwo L/C = RLRe

Ze = Re

Cwo = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL

ATE-UO EC amp se 28

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (V)
Se puede conseguir que se adapten impedancias con Re > RL? Para explicarlo, un poco de Teora de Circuitos

1 Teorema de Reciprocidad
a c a c

+
v1
b

Red
pasiva
d

i2

i2
b

Red pasiva
d

+
v1

Si excitamos en tensin entre a-b y medimos la corriente de corto entre c-d, el resultado es mismo que si excitamos en tensin entre c-d y medimos la corriente de corto entre a-b
ATE-UO EC amp se 29

2 Teorema de Reciprocidad para cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con impedancia de entrada resistiva igual a la del generador

Rg

a Red

RL iL

+
pab

pasiva no
disipativa

vg
Rg
b a

Balance de potencias: pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2RL Por tanto: (iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL) Balance de potencias: pcd = (iL ef)2Rg Sustituyendo el valor de iL ef: pcd = (vg ef)2/(4RL) Para que esto ocurra:

d c Red

Rg
iL

RL

+
pcd
d

pasiva no disipativa b

vg
Zcd

Zcd = RL

ATE-UO EC amp se 30

Conclusin
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con impedancia de entrada resistiva Si se cumple: a Red pasiva no c

R2
d

disipativa

Zab = R1
Entonces:

a Red pasiva no disipativa b

R1
ATE-UO EC amp se 31

Zcd = R2

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VI)
-Xs(wo) = [R1(R2-R1)]1/2 c a Xp(wo) = -R2R1/Xs(wo) a R1 < R 2 c

jXs
Zab = R1

R2 jXp

R1

jXs
Zcd = R2

jXp
b R1 = R L R2 = R e d

R1 = Re R2 = RL

Dibujando de nuevo:

Rg

+
vg
Ze = Re

jXs
jXp

RL

-Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) RL < Re


ATE-UO EC amp se 32

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VII)

jXs
Ze = Re
Pasa bajos

jXp

RL

-Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re Opcin pasa bajos

L
Ze = Re

RL

Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re

Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo) Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 1/(Cwo) = ReRL/(Lwo) L/C = ReRL
ATE-UO EC amp se 33

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VIII)

jXs
Ze = Re
Pasa altos

jXp

RL

-Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re Opcin pasa altos

C
Ze = Re

RL

Cwo = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re

Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4) (con signo +) y en (5): 1/(Cwo) = [RL(Re-RL)]1/2 Lwo = ReRLCwo L/C = ReRL

ATE-UO EC amp se 34

Resumen

L
Ze = Re

RL C
Ze = Re

RL
L

Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

Cwo = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL

L
Ze = Re

C
RL
Ze = Re

RL

Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re


ATE-UO EC amp se 35

Cwo = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re

Circuito simblico que sintetiza los cuatro casos

jXs

R1
b

jXp
d

R2

-Xs(wo) = [R1(R2-R1)]1/2 Xp(wo) = -R2R1/Xs(wo) R1 < R2


ATE-UO EC amp se 36

Dos circuitos simblicos para sintetizar los cuatro casos

L
a c

Lwo = [R1(R2-R1)]1/2

R1 C
b d

R2

L/C = R1R2 R1 < R2

Cwo = [R1(R2-R1)]-1/2

R1
b

L
d

R2

L/C = R1R2 R1 < R2


ATE-UO EC amp se 37

Ejemplo de adaptacin de impedancias en un amplificador


200 W

L = 1,38mH
+ C= 138pF
Ze

200 W

L = 1,38mH
+
50 W

+
ve
vg 200 W

+
50 W

vs 50ve 200 W
300 Z e [W ]

vs
-

C= 138pF
Ze = Ze

Frecuencia de operacin: 10 MHz

Re[Ze]

Cambio de Ze con la frecuencia de operacin

0 -200

Im[Ze] 6 10 14

ATE-UO EC amp se 38

f [MHz]

Comportamiento de la adaptacin de impedancias con el cambio de frecuencia


Z e [W ]

L
Ze = Re

300

Re[Ze], RL= 100W Re[Ze], RL= 20W

RL

200

Frecuencia de diseo: 10 MHz

Im[Ze], RL= 100W

Caso A: Re = 200 W L = 1,6 mH

Im[Ze], RL= 20W

RL = 100 W C = 80 pF

-200

10

f [MHz]

14

Caso B: Re = 200 W RL = 20 W L = 0,95 mH C = 239 pF


ATE-UO EC amp se 39

Conclusin: cuanto mayor es la diferencia de impedancias, ms crtico es el margen de frecuencia de adaptacin. Lo mismo ocurre en las otras redes

Comportamiento con generadores y cargas con impedancia no resistivas


Se pueden usar estas redes si las componentes reactivas de las impedancias se pueden integrar en la red de adaptacin de impedancias

jXs

Zg

Rg

jXg
jXs

jXp

ZL
jXL RL

+
vg

jXp

Xs y Xp son los valores calculados por las frmulas anteriores Xs y Xp son los valores a colocar Xs = Xs + Xg Xp = XpXL/(Xp + XL) Xp = XpXL/(XL - Xp)
ATE-UO EC amp se 40

No siempre es posible hacer esto

Ejemplo de uso con impedancias no resistivas L = 0,32 mH Re = 20 W fo = 10 MHz C = 398 pF L = 0,32 mH

RL = 40 W

Re = 20 W
fo = 10 MHz

RL = 40 W

C = 298 pF
ATE-UO EC amp se 41

CL = 100 pF

Ejemplo de uso imposible con la red propuesta L = 0,32 mH Re = 20 W fo = 10 MHz C = 398 pF L = 0,32 mH Re = 20 W fo = 10 MHz C = - 102 pF

RL = 40 W

RL = 40 W

CL = 500 pF
ATE-UO EC amp se 42

No es posible con esta red

Red alternativa a usar en este caso (I)

L = 0,32 mH jXs = j20 W


Re = 20 W RL = 40 W C = 398 pF jXp = -j40 W L = 0,32 mH jXs = j20 W Re = 20 W fo = 10 MHz j155,9 W RL = 40 W

fo = 10 MHz

CL = 500 pF jXL = -j31,8 W


ATE-UO EC amp se 43

Xp = XpXL/(XL - Xp) = 155,9 W

Red alternativa a usar en este caso (II)


0,32 mH CL = 500 pF

Re = 20 W

RL = 40 W

fo = 10 MHz j155,9 W

Maneras de conseguir la reactancia inductiva necesaria a 10 MHz: Una bobina Un circuito LC paralelo (infinitos casos posibles) Un circuito LC serie (infinitos casos posibles) LP = 0,64 mH CP = 295,8 pF LP = 1,27 mH CP = 96,8 pF LP = 2,12 mH CP = 17,3 pF
En los tres casos se consigue adaptacin, pero su respuesta en frecuencia ser distinta

2,48 mH
ATE-UO EC amp se 44

LP

CP

Una nueva red de adaptacin de impedancias


L = 0,32 mH jXs = j20 W Re = 20 W fo = 10 MHz

LP CP
jXp = -j40 W
Ze [W]
40

RL = 40 W

Definimos el Q del circuito: Q =RL/(woLp)


Q=1 Q = 0,5 Q = 0,1 Q = 0,01 LP = 0,64 mH LP = 1,27 mH LP = 6,37 mH LP = 63,7 mH CP = 795,8 pF CP = 596,8 pF CP = 437,7 pF CP = 401,9 pF

Re[Ze], Q=1 Re[Ze], Q=0,1 Im[Ze], Q=1

0 Im[Ze], Q=0,1 -20 6 10

Hay adaptacin, pero su respuesta en frecuencia es distinta


ATE-UO EC amp se 45

f [MHz]

14

Red bsica

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)

L
a c

R1
b

R2
d

R1
b

L
d

R2

Lwo = [R1(R2-R1)]1/2 L/C = R1R2 R1 < R2

Cwo = [R1(R2-R1)]-1/2 L/C = R1R2 R1 < R2


ATE-UO EC amp se 46

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)
Otras redes (I)

ATE-UO EC amp se 47

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (III)
Otras redes (II)

ATE-UO EC amp se 48

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (I)

+ Vcc
1:n

C Re2
real

ve2
-

C1
+

G CS

D S RS
ATE-UO EC amp se 49

ve1
-

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (II) Rs1 1:n

+
vs1o
Etapa 1

ideal

Re2 Etapa 2

ve2

Rs1 is1cc
ATE-UO EC amp se 50

+ ve2
Re2 Re2 = Re2/n2 ve2 = ve2/n

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (III)


Rs1 is1cc + ve2
Re2

+ ve2 is1cc R

R = Re2Rs1/(Re2 + Calculamos la transferencia ve2/is1cc: Rs1) ve2/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2] Anlisis senoidal permanente (s = jw): ve2/is1cc = ZLCR(jw) = jLw /(1 - LCw2 + jLw/R) = R/[1 + jR(LCw2 - 1)/(Lw)] Nos fijamos en el trmino (LCw2 - 1)/(Lw) y llamamos wo = 1/(LC)1/2:

(LCw2 - 1)/(Lw) = [(LC)1/2w + 1][(LC)1/2w - 1]/(Lw) =


(w/wo + 1)(w/wo - 1)/(Lw) 2(w/wo - 1)/(Lwo) = 2(w - wo)/(Lwo2)
ATE-UO EC amp se 51

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (IV) + ve2 is1cc
Por tanto:

R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)

ZLCR(jw) R/[1 + jR2(w - wo)/(Lwo2)] Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones en las que ZLCR(jw) cae 3dB con relacin ZLCR(jwo): ZLCR(jwc) = ZLCR(jwo)/21/2 wc = wo Lwo2/(2R) = wo wo/(2Q), siendo Q = R/(Lwo). Por tanto: wcs = wo + wo/(2Q), wci = wo - wo/(2Q) y Dwo = wcs - wci = wo/Q
ATE-UO EC amp se 52

Dfo = fo/Q

(con la aproximacin admitida)

ZLCR R R/ 2

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (V)

ZLCR
Q=5 Q=10 Q=20

wo = 2pfo

0 90

ZLCR []
0

Q=10

wo = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lwo)

Dfo fo/Q
Q=20 Q=5

-90 0,6fo fo

1,4fo

ATE-UO EC amp se 53

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (VI) Valoracin de la aproximacin:
(w/wo + 1)(w/wo - 1)/(Lw) 2(w - wo)/(Lwo2) R R/ 2 aprox. aprox.
0

ZLCR Q=5

ZLCR []
90

aprox.
0

Q=5

aprox.
-90
ATE-UO EC amp se 54

0,6fo

fo

1,4fo

Amplificadores con dos circuitos sintonizados

Ojo! Hay que evitar que


se acoplen por campo magntico disperso

+ Vcc
C2
1:n2
+

M
real

Re2 G D S ve1

ve2
-

Rg

+
vg

1:n1

C1
real

RS CS
ATE-UO EC amp se 55

Formas de evitar que exista acoplamiento entre circuitos sintonizados


Bobinas ajustables con blindaje Transformadores de RF Bobinas y transformadores toroidales

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (I)

Coilcraft

Coilcraft
ATE-UO EC amp se 56

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (II)

Toko

Toko

Toko
ATE-UO EC amp se 57

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (III)

Toko

Toko

Toko
ATE-UO EC amp se 58

Bobinas y transformadores toroidales

Toko

Toko

Coilcraft

Toko
ATE-UO EC amp se 59

Transformadores de RF

Coilcraft

Mini circuit

ATE-UO EC amp se 60

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos sintonizados (I) + Vcc


C2
1:n2 +

Re2
real

ve2
-

Rg

G
1:n1 +

D S ve1 RS CS

+
vg

C1
real

+ ve1
igcc/n1

C1
R1

L1
gFETve1

+ ve2

C2
R2 ve2 = ve2/n2

L2

igcc = vg/Rg

ATE-UO EC amp se 61

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos sintonizados (II) + ve1


igcc/n1

C1
R1

L1
gFETve1

+ ve2 R2

C2

L2

Ecuaciones:
igcc = vg/Rg ve2 = ve2n2 ve1n1/igcc = ZLCR1(jw) = R1/[1 + jR1(L1C1w2 - 1)/(L1w)] ve2/(gFETve1) = ZLCR2(jw) = R2/[1 + jR2(L2C2w2 - 1)/(L2w)] Por tanto: ve2/vg = ZLCR1(jw)ZLCR2(jw)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(jw), siendo:

FLCR(jw) = ZLCR1(jw)ZLCR2(jw)/(R1R2)
ATE-UO EC amp se 62

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos sintonizados (III)


Llamamos: wo1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1wo1), wo2 = 1/(L2C2)1/2 y Q2 = R2/(L2wo2) Posibilidades: Misma sintona wo1 = wo2 Sintona escalonada wo1 wo2 Caso de misma sintona FLCR(jw) 1

Q=5
1/ 2 Aumenta la atenuacin de frecuencias indeseadas Disminuye el ancho de banda
0
ATE-UO EC amp se 63

1 Etapa

2 Etapas

0,6fo

fo

1,4fo

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos sintonizados (IV)


Caso de sintona escalonada
Ejemplo: fo1 =0,909 fo y fo2 =1,11 fo FLCR(jw) 1 Aumenta la atenuacin de 1/ 2 frecuencias indeseadas Se puede conseguir una respuesta bastante plana en la banda deseada Menor ganancia
0 0,6fo
ATE-UO EC amp se 64

Q=5
1 Etapa

2 Etapas
fo

1,4fo

Determinacin del ancho de banda en amplificadores con varios circuitos sintonizados a la misma frecuencia y con el mismo Q (I)
vg
Etapa 1
Etapa 2 Etapa 3

Etapa 4

vs L4 C4 R4

L1 C1 R1

L2 C2 R2

L3 C3 R3 Dfo fo/Q

Usamos las expresiones aproximadas: ZLCR(jw) R/[1 + jR2(w - wo)/(Lwo2)] Condicin de cada de 3dB a wc: FLCR(jwc) = FLCR(jwo)/21/2 21/2 = [1 + [R2(wc - wo)/(Lwo2)]2]n/2 [21/n 1]1/2 = R2(wc - wo)/(Lwo2); llamamos k(n) = [21/n 1]1/2 Entonces: wc = wo k(n)Lwo2/(2R) = wo k(n)wo/(2Q) Dfo = k(n)fo/Q Como Dfo = k(n)fo/Q y k(n) < 1, disminuye el ancho de banda
ATE-UO EC amp se 65

FLCR(jw) = [ZLCR(jw)/R]n = 1/[1 + jR2(w - wo)/(Lwo2)]n

Determinacin del ancho de banda en amplificadores con varios circuitos sintonizados a la misma frecuencia y con el mismo Q (II)
wo = 2pfo wo = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lwo) Dfo [21/n 1]1/2fo/Q
FLCR(jw) [dB]
0

1 Etapa
-20

Q=5

-40

2 Etapas

-60 0,1fo
ATE-UO EC amp se 66

4 Etapas
fo

10fo

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (I)


Ejemplos de posibles diseos: Frecuencia de corte superior de una etapa coincidente con la inferior de la otra fo1 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo2 = fo/[1 - 1/(2Q)] 1 1/ 2 FLCR(jw)

fo1

fo2

1 Etapa
0 fo(1-3/Q)
ATE-UO EC amp se 67

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (II)


Mismo ejemplo anterior, en escala logartmica

FLCR(jw) [dB]
0 -3

Q=5

-20

Aumenta la atenuacin de frecuencias indeseadas Se puede conseguir una respuesta bastante plana en la banda deseada

1 Etapa
-40

2 Etapas
-60 0,1fo fo

Menor ganancia

10fo

ATE-UO EC amp se 68

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (III)


Otros ejemplos de posibles diseos: fo1 = fo/[1 + 1/(mQ)] fo2 = fo/[1 - 1/(mQ)] FLCR(jw) 1 1/ 2 fo1 Caso anterior: m = 2 Resonancias ms alejadas: m < 2 Resonancias ms cercana: m > 2 fo2

m = 1,5

1 Etapa
0 fo(1-3/Q)

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)
ATE-UO EC amp se 69

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (IV) Influencia de m, en escala logartmica
FLCR(jw) [dB]
0 -3 dB

m = 1,5

Q=5

-20

1 Etapa
-40

m=1

2 Etapas, m = 2
-60 0,1fo 10fo
ATE-UO EC amp se 70

fo

Con menores valores de m, menor ganancia y mayor ancho de banda

Estudio de varias etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (I)


Ejemplos de posibles diseos con cuatro etapas: FLCR(jw) [dB]
0

Q=5
-20

1 Etapa C

Opc. A Opc. B

Opcin A: fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)] Opcin B: fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)] Opcin C: fo2= fo/[1 + 1/(2Q)] fo3= fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]

-40

2 Etapas
-60 0,1fo
4 Etapas fo

10fo

ATE-UO EC amp se 71

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (I)
Rg

C2
1:n1

+
vg

C1

C1 L

1:n2

L
real

Re1
real

ve1
-

Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg
ATE-UO EC amp se 72

ve1
-

Re1 = R

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (II)
Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg

ve1
-

Llamamos: wo = 2pfo wo = 1/(LC1)1/2 C2 = C1/k Q = R/(Lwo) FLCR(jw) = ve1/vg

Re1 = R

FLCR(jw) [dB]
0

Q=5

-20

k=1
-40

Ojo! fo no es la frecuencia central


2 5

-60 0,1fo

k = 20
fo

10
10fo
ATE-UO EC amp se 73

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (III)
Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg

ve1
-

Re1 = R

FLCR(jw)

Q=5
k=2 k=5 10 k = 20
0 0,6fo fo

k=1

Dnde salen los dos picos de resonancia y cundo sale slo uno?

1,4fo
ATE-UO EC amp se 74

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (IV) Z2
C2

C1

v
igcc

C1 L Z1 R

ve1
-

L
Z1

Ecuaciones: v/igcc = [Z1(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) y ve1/v = Z1/(Z1 + Z2) Por tanto: ve1/igcc = Z12/(2Z1 + Z2) Mximos posibles: Si Z1 es muy grande resonancia paralelo de Z1 wo1 = 1/(LC1)1/2 Si 2Z1 + Z2 es muy pequea resonancia serie de 2Z1 y Z2
ATE-UO EC amp se 75

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (V)
Z2
+ C1 C2 C1 L R +

v
igcc

ve1
-

Resonancia serie de 2Z1 y Z2: 2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0

Z1

Z1

Efectuamos un anlisis senoidal y suponemos R muy grande: 2Lwo2/(1 - LC1wo22) - jC2wo2 0 wo2 1/[L(C1 + 2C2)]1/2 Por tanto: wo1 wo2(1 + 2C2/C1)1/2 wo1 wo2(1 + 2/k)1/2 Hay dos picos cuando, aproximadamente: wo1 - wo2 > wo1/(2Q) + wo2/(2Q) k < (2Q-1)2/4Q Q (si Q es grande)
ATE-UO EC amp se 76

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (I)
Acoplamiento no ideal

Rg

+
vg 1:n1

C1

C1
1:n2
Acoplamiento ideal

Re1

ve1
-

Rg = R

Acoplamiento ideal

+
vg

Ld1 C Lm

Ld2 Ld1

ve1
Re1 = R
ATE-UO EC amp se 77

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (II)
Acoplamiento capacitivo

Z1

Z1

C1

v
igcc

C2 Z2

C1 L R

ve1
-

Acoplamiento inductivo

Z1

Ld
igcc

Z1 +

Ld Lm
Z2

ve1
C
R -

Se estudia de modo semejante

ATE-UO EC amp se 78

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (III)
Z1

Ld
igcc

Z1 +

Ld Lm
Z2

ve1 C
R -

Ecuacin final : ve1/igcc = Z2R2/[Z1(2Z2 + Z1)(1 + RCs)2]

Si suponemos R muy grande: ve1/igcc = Z2/[Z1(2Z2 + Z1)(Cs)2]


Mximos posibles: Si Z1 es muy pequea resonancia de serie Z1 wo1 1/(LdC)1/2 Si 2Z2 + Z1 es muy pequea resonancia serie de 2Z2 y Z1 wo2 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 y si llamamos k = Ld/Lm wo2 1/[Ld(2/k + 1)C]1/2 Por tanto: wo1 wo2(1 + 2/k)1/2 y hay dos picos cuando, aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q Q (si Q es grande)
ATE-UO EC amp se 79

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (IV)
Rg = R

+
vg

Ld1 C Lm

Ld2 Ld1

ve1
Re1 = R

FLCR(jw) [dB]
0

Hemos llamado:

Q=5
k=1

wo = 2pfo
wo = 1/(LdC)1/2 Lm = Ld/k Q = R/(Ldwo) FLCR(jw) = ve1/vg

-20 2

-40

5
10

-60 0,1fo

k = 20
fo

10fo

ATE-UO EC amp se 80

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (I)

Zg

ie
+

is
+

+
vg

ve
- y11 y12vs

vs
y21ve y22 -

ZL

Dispositivo activo

Ecuaciones: ie = y11ve + y12vs is = y21ve + y22vs


ATE-UO EC amp se 81

ie y11 ve
Valores:

y12
vs 0

ie vs is vs

ve 0

is y 21 ve

y22
vs 0

ve 0

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (II)

ie

is

+
ve

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs

Significado de cada parmetro:

ie y11 ve is y 21 ve
ATE-UO EC amp se 82

Admitancia de entrada con salida en corto


vs 0

vs

Admitancia de transferencia directa con salida en corto 0

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (III)

ie
+

is
+

+
vs

ve
- y11 y12vs

y21ve

y22

vs

y12

ie vs is vs

Admitancia de transferencia inversa con entrada en corto ve 0 Admitancia de salida con entrada en corto
ve 0

y22

ATE-UO EC amp se 83

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (IV)

ie
+

is
+

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs

Otra nomenclatura posible:

y11 = Admitancia de entrada con salida en corto = yi


y12 = Admitancia de transferencia inversa con entrada en corto = yr y21 = Admitancia de transferencia directa con salida en corto = yf y22 = Admitancia de salida con entrada en corto = yo
ATE-UO EC amp se 84

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (V)

ie

is
+

ve
- y11
y12vs y21ve y22 -

vs

Divisin en parte real e imaginaria:

y11 = g11 + jb11 o bien yi = gi + jbi


y12 = g12 + jb12 o bien yr = gr + jbr y21 = g21 + jb21 o bien yf = gf + jbf y22 = g22 + jb22 o bien yo = go + jbo
ATE-UO EC amp se 85

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de admitancias (VI) En funcin de la configuracin:


ig
G

id
+
D

vgs
yis yrsvds yfsvgs
S

vds
yos -

yis = gis + jbis yrs = grs + jbrs yfs = gfs + jbfs yos = gos + jbos yig = gig + jbig yrg = grg + jbrg yfg = gfg + jbfg yog = gog + jbog yid = gid + jbid yrd = grd + jbrd yfd = gfd + jbfd yod = god + jbod
ATE-UO EC amp se 86

is
S

id
+
D

vsg
yig yrgvdg yfgvsg
G

vdg
yog -

ig
G

id
+ S

vgd
yid yrdvsd yfdvgd
D

vsd
yod -

Tipos de dispositivos activos (I)


Montajes con un nico transistor: Base o puerta comn mayor ancho de banda, sin ganancia de corriente Emisor o fuente comn menor ancho de banda, mayor ganancia de potencia

Colector o drenador comn ancho de banda intermedia, sin ganancia de tensin

Montajes con varios transistores: Cascodo: emisor (o fuente) comn + base (o puerta) comn buen ancho de banda, buena ganancia de potencia Etapa diferencial: ganancia regulable por una tensin de control

ATE-UO EC amp se 87

Propiedades de las configuraciones: puerta (o base) comn

S
+ ve -

*
G

D + vs -

Baja impedancia de entrada


Alta impedancia de salida Media-alta ganancia de tensin Ganancia de corriente baja (< 1)

Respuesta en frecuencia: Capacidades parsitas en entrada y en salida sin efecto Miller (no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la ganancia de tensin) gran ancho de banda

ATE-UO EC amp se 88

Propiedades de las configuraciones: fuente (o emisor) comn


Alta impedancia de entrada (FETs) o + media impedancia de entrada vs (bipolares)

+ ve -

* S

Alta impedancia de salida Ganancia de tensin alta (con cargas altas)

Ganancia de corriente alta


Respuesta en frecuencia: Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida hay efecto Miller (la capacidad entrada-salida es equivalente a una nueva capacidad de entrada, muy aumentada al ir multiplicada por la ganancia de tensin) pequeo ancho de banda
ATE-UO EC amp se 89

Propiedades de las configuraciones: drenador (o colector) comn


Alta impedancia de entrada Baja impedancia de salida

+ ve -

*D

+ vs -

Ganancia de tensin baja (< 1)


Ganancia de corriente alta

Respuesta en frecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida, pero la ganancia de tensin es menor que 1 hay efecto Miller, pero poco significativo al ser la ganancia de tensin menor que 1 gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 90

Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (I)


Circuito equivalente del J309
G + vGS 4 pF S gmvGS
gm = 0,02 W-1

50 W

G + vGS 4 pF

2 pF

2 pF

D
vg

+ vs -

R gmvGS L
S
gm = 0,02 W-1

Fuente comn
gm = 0,02 W-1

gmvGS

50 W
vGS

S 4 pF -

+
-

RL
2 pF + G

+ vs

50 W G

vg
4 pF S gmvGS RL
gm = 0,02 W-1

+
vg

2 pF D

+ vs -

vGS

Puerta comn

Drenador comn

ATE-UO EC amp se 91

Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (II)


Circuito equivalente del J309
G + vGS 4 pF S gmvGS
20
gm = 0,02 W-1

2 pF

vs/vg [dB]
Fuente comn Puerta comn

RL = 200 W

0 Drenador comn

Ojo! En este caso particular el drenador comn tiene mayor ancho de banda que el puerta comn. Esto no siempre ocurre en transistores bipolares.

-20

-40 1 10 102 f [MHz] 103 104

ATE-UO EC amp se 92

El montaje cascodo (I)


Fuente comn + Puerta comn

S G D

*
G

D + vs -

ve

+
-

* S
Zegc 1/gm
(pequea)

Alta impedancia de entrada


Alta ganancia de corriente

Baja impedancia de entrada Baja ganancia de corriente Alta ganancia de tensin Buena respuesta en frecuencia

Baja ganancia de tensin (por Zegc baja) Buena respuesta en frecuencia (por baja ganancia de tensin)

Cascodo: Altas ganancias de tensin y corriente y buena respuesta en frecuencia

ATE-UO EC amp se 93

El montaje cascodo (II)


50 W

+
vg ve

+ -

*
Zebc pequea

+ vs -

RL

vs/vg [dB]
40 Cascodo

B + vBE rBE 4 pF

2 pF

20
gmvBE
gm = 0,3 W-1

Emisor comn Base comn

rBE >> 50 W

Modelo de transistor usado

-20

RL = 200 W
-40 1
ATE-UO EC amp se 94

10

102 103 f [MHz]

104

Etapa diferencial como amplificador de RF (I) + VCC


Ganancia en BF (transparencias ATE-UO EC mez 50-52):
vs -0,5RaiOvd/VT

RL

RL

Es decir:

+
+

vs

vs/vd -0,5RaiO/VT
Por tanto, la ganancia se puede controlar mediante el valor de io Es fcil realizar fscamente el Control Automtico de Ganancia (CAG o AGC)

v
d

iO
- VCC

iO
- VCC

iO
- VCC

ATE-UO EC amp se 95

Etapa diferencial como amplificador de RF (II)


Conexin diferencial de la tensin de entrada

+ VCC RL RL vs

Rg/2

+
vg/2

+
vg/2 Rg/2
CAG

iO

- VCC
ATE-UO EC amp se 96

Etapa diferencial como amplificador de RF (III)


Estudio de la respuesta en frecuencia (I)
Rg/2
B
rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

vs

C CBC
CBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

vBE

gmvBE

RL

RL

gmvBE

rBE

E
rBB

E
CBC CBE

B +

C
RL Rg/2

+ VCC RL vs

vBE

rBE

gmvBE

E
vg/2

+ +
vg/2 Rg/2
CAG

iO

ATE-UO EC amp se 97

- VCC

Etapa diferencial como amplificador de RF (IV)


Estudio de la respuesta en frecuencia (II) Dada la simetra del circuito, los emisores estn a tensin constante en alterna (por tanto, conectados a masa)

ig
Rg/2
B
rBB

ig
B +
CBE rBE gmvBE CBC

+
vg/2

vs

C CBC
CBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

vBE

RL

RL

gmvBE

rBE

E
rBB

ie
CBC CBE

ie
C

B +

ic = 0

vBE

rBE

gmvBE

E
ATE-UO EC amp se 98

Etapa diferencial como amplificador de RF (V)


Estudio de la respuesta en frecuencia (III)
Rg/2
B
rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

+ + -

vs

C CBC
CBE gmvBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

gmvBE

RL

vs/2 vs/2

vBE

+ RL

rBE

Rg/2

rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

+
vs/2

vBE

gmvBE

RL

La respuesta en frecuencia es como la de un emisor comn

ATE-UO EC amp se 99

Etapa diferencial como amplificador de RF (VI)


Otra conexin de la tensin de entrada

+ VCC

RL

+
Rg

vs

RL

+
vg
CAG

iO

- VCC
ATE-UO EC amp se 100

La respuesta en frecuencia es propia de un colector comn seguido de un base comn menor ganancia, pero mayor ancho de banda

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)

Circuito integrado CA3028

Colector comn + base comn con etapa diferencial


ATE-UO EC amp se 101

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)

Circuito integrado CA3028

Cascodo realizado con etapa diferencial. El CAG se realiza actuando en la polarizacin del transistor en emisor comn

ATE-UO EC amp se 102

Parmetros de admitancia del CA3028 (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)

ATE-UO EC amp se 103

Parmetros de admitancia del CA3028 (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)

ATE-UO EC amp se 104

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de FI con el circuito integrado MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)

Circuito integrado MC1350

Amplificador de FI para receptor de TV


ATE-UO EC amp se 105

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de FI con el circuito integrado MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)

Amplificador de FI para receptor de radio comercial

ATE-UO EC amp se 106

Parmetros de admitancia del MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)

Variacin de la ganancia con la tensin de CAG


ATE-UO EC amp se 107

Parmetros de admitancia del MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)

ATE-UO EC amp se 108

Parmetros de admitancia de los JFET J309 y J310


(obtenidos de una nota de aplicacin de Fairchild)

ATE-UO EC amp se 109

Informacin sobre el ruido


(figura o cifra de ruido y tensin de ruido) JFETs J309 y J310 Transistor bipolar BFY90

CA3028 MC1350

ATE-UO EC amp se 110

Cascodo Circuito doblemente sintonizado

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con JFETs (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
Circuito doblemente sintonizado Mezclador

Oscilador y separador

ATE-UO EC amp se 111

Mezclador

Circuito doblemente sintonizado

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con JFETs (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)

JFET en puerta comn

Amplificador de CAG

ATE-UO EC amp se 112