INSTITUTO TECNOLOGICO DE OAXACA

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA

Oaxaca de Juarez, Oaxaca a 28 de Noviembre de 2013

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Tr a n s i s t o r Uni-Juntura (UJT)

Tr a n s i s t o r Monounin Programable (PTU)

DISPOSITIVOS DE DISPARO

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UJT (Transistor Mono-unin)

CONCEPTO
Dispositivo semiconductor unipolar con tres terminales, constituido por una barra de material semiconductor tipo N, que posee una conexin elctrica en cada extremo, denominadas B1 y B2.

Conmutacin por ruptura.

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UJT (Transistor Mono-unin)

CONCEPTO
En el centro de la barra se dopa el semiconductor para formar zonas P+ y N-, cuya unin determina el emisor (E) del transistor. El trmino uni-juntura se refiere a que el UJT tienen una sola unin P-N

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UJT (Transistor Mono-unin)

MODELO EQUIVALENTE
Esta constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

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UJT (Transistor Mono-unin)

MODELO EQUIVALENTE
Esta constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

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UJT (Transistor Mono-unin)

MODELO EQUIVALENTE
Y, cuando se le aplica un voltaje de alimentacin entre las dos bases estando el emisor abierto, el voltaje en RB1 est dado por

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UJT (Transistor Mono-unin)

FUNCIONAMIENTO
Viene dado por el circuito exterior. Se basa en el control de la resistencia Rb1Rb2 mediante la tension aplicada al emisor. Si el emisor no esta conectado, o el diodo esta polarizado inversamente , no conduce. Si el diodo esta conectado directamente, si conduce. Zona de resistencia negativa, Rbb varia en funcion de la corriente del emisor. A partir del punto de funcionamiento , si la corriente del emisor hasta alcanzar un valor inferior a IV.
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UJT (Transistor Mono-unin)

CURVA CARACTERISTICA

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UJT (Transistor Mono-unin)

CURVA CARACTERISTICA

A medida que aumenta VE, aumenta IE, Hasta un punto maximo IP. Mas alla del punto maximo, la corriente aumenta a medida que disminuye la tension, en la region de resistencia negativa. La tension alcanza un minimo en el punto valle. La resistencia de saturacion es mas baja en el punto valle.

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UJT (Transistor Mono-unin)

CURVA CARACTERISTICA - REGION DE CORTE

La tesion del emisor es baja, el diodo emisor se mantien polarizado inversamente. La corriente de emisor es muy baja y se observa que la tensin de pico en el UJT esta dada por la siguiente ecuacin:

Donde VD vara entre 0.35V a 0.7V. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

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UJT (Transistor Mono-unin)

CURVA CARACTERISTICA - REGION DE RESISTENCIA NEGATIVA

Si la tension del emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor VE=VP, el diodo entra en conduccion. Disminuyendo bruscamente la resistencia R1.

En esta region, la corriente del emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (Ip<IE<IV)

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UJT (Transistor Mono-unin)

CURVA CARACTERISTICA - REGION DE SATURACION

Con tensiones y corrientes de mantenimineto. (punto valle) Baja resistencia entre la tension y la corriente del emisor.

La corriente del emisor es mayor que la corriente de valle (IE>IV).

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EL TRANSISTOR PUT

Con las siglas PUT de programable unijiction transistor (transistor uniunin programable)

Es un elemento que tiene caractersticas semejantes al UJT pero la relacin puede programarse mediante un divisor de tensin exterior
Su estructura y caractersticas son similares al SCR (constituido por cuatro capas) solamente que la compuerta se encuentra en la regin N del nodo

(a) Estructura interna del PUT, (b) simbolo

Para polarizar PUT se muestra el divisor de tensin se encuentra en la puerta formado por RR1 y RR2 Mantienen una tencin VG

Utilizando el teorema de thvenin a la terminal de puerta se obtiene El circuito equivalente:

Donde:
R B1 VG VBB VBB R B1 R B2

El voltaje de disparo (VP) necesario para disparar el PUT est dada por:

VP VBB VD

 Para

una VG determinada y mientras VAK permanezca inferior a aqulla, la corriente de nodo (IA) es prcticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. la tensin VAK supera en cierta cantidad (llamada tensin de offset: Voffset) a VG se produce una inyeccin de portadores en el diodo formado por A y GA dando lugar a un efecto de avalancha que provoca el cebado del PUT. El valor VAK necesario para provocar este cebado se le llama tensin de pico (VP) por analoga al UJT

Si

Una vez cebado el PUT, si se produce una tensin VAK de manera que la corriente de nodo pase por debajo de un valor llamado de valle (IV) Se produce el paso al estado de bloqueo, al igual que ocurrira en el UJT.