CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGA EN LOS SEMICONDUCTORES

DEFINICIN DE UN SEMICONDUCTOR
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre.

 Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente.

 El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos presentando propiedades mecnicas y elctricas buenas. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar.

CRISTAL TIPO N. CONDUCCIN

Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

CRISTAL TIPO P. CONDUCCIN

Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.

Polarizacin Directa Unin Pn

Polarizacin Inversa Unin Pn. Corriente De Fuga

Corriente superficial de fuga en materiales semiconductores

En la electrnica, las fugas no deseadas es una imperfeccin de algunos materiales dielctricos utilizados en los condensadores, tambin conocido como fuga de dielctrico. Es el resultado del material dielctrico no ser un perfecto aislante y por lo tanto permite una fuga de corriente a fluir, lentamente descarga del condensador.

 En los dispositivos semiconductores, la fuga es un fenmeno cuntico, donde los portadores de carga mviles (electrones o huecos) del tnel a travs de una regin aislante. Fugas aumenta exponencialmente a medida que disminuye el espesor de la regin de aislamiento. De tnel de fuga tambin puede ocurrir en las uniones de semiconductores entre P fuertemente dopada tipo y N-semicondutors tipo.

 Aparte de un tnel a travs del aislador de puerta o las uniones, las compaas tambin pueden filtrar entre la fuente y la fuga de terminales de un semiconductor de xido metlico (MOS) del transistor. Esto se llama sub-umbral de fugas. La principal fuente de fuga se produce dentro de los transistores, los electrones, pero tambin puede filtrarse entre las interconexiones. Fugas aumenta el consumo de energa y si es lo suficientemente grande puede causar falla de circuito completo.

 La fuga es actualmente uno de los principales factores que limitan un mayor rendimiento procesador de la computadora.Los esfuerzos para minimizar las fugas incluyen el uso de silicio rgido, de alta constante dielctrica, y / o los niveles de fuerte dopante en el semiconductor. Reduccin de las fugas a seguir la ley de Moore no slo requieren de soluciones nuevo material, pero tambin el diseo del sistema adecuado.