Introduccin

Electrnica I y II

Introduccin
tomo partcula ms pequea de un elemento que retiene las caractersticas de ese elemento Ncleo: formado por protones(p+) y neutrones La materia est constituida por protones y electrones Un tomo en estado neutro tiene los mismos protones (p+) que los electrones (e-)

Capas y Orbitas
Los (e-) orbitan al ncleo a cierta distancia de el Los (e-) cercanos al ncleo poseen menos energa que los de rbitas ms distantes Cada distancia discreta (rbitas) al ncleo corresponde a un cierto nivel energtico Las rbitas se agrupan en bandas energticas conocidas como capas

Niveles de energa
Entre los niveles de energa discretos hay bandas en las que ningn electrn en la estructura atmica puede aparecer

 El nmero mximo de Ionizacin: Cuando un electrones (Ne) se tomo absorbe energa calcula: de una fuente calorfica los niveles energticos Ne = 2n2 de los (e-) se elevan , al Electrones de valencia: proceso de perder un En la capa ms externa electrn de valencia se de un tomo existen le conoce ionizacin, el electrones con un alto tomo in positivo , y el nivel de energa, a esta (e-) que se escapo se capa se le denomina de denomina (e-) libre valencia y a los (e-) presentes (e-) de valencia

Semiconductores, conductores y aisladores

Aislante: No conduce corriente elctrica en condiciones normales Conductor: Conduce corriente elctrica fcilmente Semiconductor: Conduce energa bajo ciertas circunstancias, los semiconductores de un solo elemento estn caracterizados por tomos de cuatro electrones de valencia

tomo de Silicio y Germanio

Ambos tomos tiene cuatro electrones de valencia, diferencindose entre ellos por el nmero de protones El Si es el ms utilizado soporta altas temperaturas

Enlace Covalente
Cristal es un slido formado por una combinacin de tomos Los enlaces covalente mantiene juntos a los tomos , cada (e-) es compartido por los tomos adyacentes

Electrones y Huecos
Un cristal de silicio puro absorbe energa trmica del aire circulante cuando un (e-) salta la banda de conduccin deja una vacante en la banda de valencia denominndose hueco crendose el par electrn - hueco La recombinacin ocurre cuando un (e-) pierde energa en la B.C. y cae nuevamente en un hueco B.V.

Corrientes de electrones y huecos

Al aplicar voltaje a una pieza de silicio intrnseco los (e-) son fcilmente atrados al extremo positivo generando una corriente conocida como corriente de electrones Un (e-) de valencia puede caer en un hueco prximo con poco cambio en su nivel energtico dejando as otro hueco a este movimiento se le conoce como corriente de huecos

Dopado
Adicin controlada de impurezas a un semiconductor puro incrementando as el nmero de portadores de corriente (e- y huecos), elevando la conductividad y disminuyendo la resistividad

Materiales Extrnsecos
Tipo N
Impurezas pentavalentes con tomos donadores As, P, Sb

Tipo P
Impurezas trivalentes con tomos aceptadores B, In, Ga

Materiales Extrnsecos
Tipo N
El (e-) se denomina portador mayoritario y el hueco portador minoritario

Tipo P
El hueco portador mayoritario y el (e-) se denomina portador minoritario

Cuando el quinto (e-) de un tomo donador abandona el tomo al cual perteneca, este tomo padre adquiere una carga positiva neta

La unin de un material y tipo N y un tipo P dan origen al DIODO

Capa de empobrecimiento
Se forma una regin de empobrecimiento a partir de la unin, esta regin se forma por ionizacin La existencias de iones positivos y negativos sobre caras opuestas crea el potencial de barrera

Polarizacin Directa
Circula corriente siempre y cuando sea mayor que el potencial de barrera Is no cambia de magnitud (uA) Existe reduccin de la regin de empobrecimiento provoca un flujo de portadores mayoritarios denso en la unin (I mayoritarios) Id Corriente del diodo es la diferencia entre ( Imay Is)

Polarizacin Inversa

Impide el paso de corriente cuando el voltaje de polarizacin es inferior al voltaje de ruptura La corriente de saturacin [ Is] (uA) y se produce por efecto trmico y depende exclusivamente de la temperatura. Is Si << Is Ge Corriente superficial de fuga (I fg) est presente en funcin de la polarizacin Corriente mayoritario es cero, se aumento la barrera con el incremento de la regin de empobrecimiento

Curva Caracterstica del Diodo

I Cuadrante P.D., una vez que el voltaje alcanza el potencial de barrera la IF se incrementa drsticamente se limita con un resistor en serie III Cuadrante P.I., el voltaje en inversa(VR) permanece cerca de cero hasta que alcanza el voltaje de ruptura (VBR) que si no se limita puede destruir al diodo Nota : VBR= 50V

Aproximaciones del Diodo

Modelo Ideal.- Dispositivo no lineal de dos terminales cuyo funcionamiento es como el de un interruptor (encendido o apagado). El voltaje en directa y la corriente en inversa siempre son iguales a cero

Aproximaciones del Diodo

Modelo de Potencial de Barrera.- En P.D. interruptor cerrado en serie con una batera igual al potencial de barrera (VB), en P.I. es un circuito abierto

Aproximaciones del Diodo

Modelo Completo.- En P.D en serie el potencial de barrera y una resistencia en directa de bajo valor, en P. I. una resistencia de alto valor en paralelo con el circuito abierto.

Introduccin
Normalmente, la carga aplicada tendr un impacto importante en el punto o regin de operacin del dispositivo. Si el anlisis se debe llevar acabo de manera grfica, se puede dibujar una lnea recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada. La interseccin de la recta de carga con las caractersticas determinar el punto de operacin del sistema, a esta anlisis se le llama anlisis mediante la recta de carga. La mayor parte de las redes de diodos no estilan utilizar el sistema de la recta de carga, la tcnica se usa de manera frecuente en las demostraciones del funcionamiento del transistor.

Consideraciones Generales
Configuracin en serie. Corriente establecida de acuerdo a las manecillas del reloj. El diodo esta encendido Polarizacin directa. La zona operacin en la grfica es el primer cuadrante

Anlisis Elctrico
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene:

Las dos variables de la ecuacin (VD e ID)son las mismas que los ejes del primer cuadrante de la grfica de caractersticas de un diodo.

Anlisis Elctrico
Las intersecciones de la recta de carga sobre las caractersticas pueden determinarse con facilidad si se considera que:

Grfica
Una lnea recta dibujada entre los puntos cuando VD = 0v e ID = 0A,mdefinir una recta de carga.

Recta de Carga
La recta de carga esta definida por el circuito (red). La curva caracterstica esta definida por el dispositivo. El punto de interseccin entre los dos es el punto de operacin (Q). La corriente ID es la corriente a travs de la toda la configuracin en serie El trazo de lneas verticales y horizontales al punto Q determinan los valores de VDQ e IDQ El punto Q es tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". El punto Q se controla por la variacin de los valores de E y R.

Ejemplo
Para la configuracin de diodos en serie de la figura determinar los siguientes valores: a) VDQ e IDQ b) VR

APLICACIONES DEL DIODO

Rectificador de Media Onda ( Diodo Ideal)

 Valor promedio (1/2 onda).- Es el valor que se medira con un voltmetro de cd, matemticamente se calcula el rea bajo la curva correspondiente a un ciclo completo
=

Cul es el valor promedio de la siguiente forma de onda?

Efecto del Potencial de Barrera (1/2 Onda)

El Voltaje de entrada debe superar el potencial de barrera para que el diodo se polarice en directa, por lo tanto el voltaje de salida ser el voltaje de entrada menos el voltaje de barrera
= VB

Ejercicio
Trace el voltaje de salida de las siguientes formas de onda, cada diodo es de Si

Voltaje Pico Inverso

Llamado tambin PIV es igual al valor pico del voltaje de entrada y el diodo debe ser capaz de soportar esta cantidad en voltaje en inversa repetitivo, para la figura el PIV ocurre cuando el diodo est polarizado en inversa, en cada alternacin negativa

Rectificador onda acoplado por Transformador

Se usa un transformador para acoplar los voltajes de entrada provenientes de la fuente, ventajas: 1.- permite que el voltaje de la fuente se eleva o se reduzca segn se requiera 2.- la fuente de alimentacin de ca est aislada del circuito rectificador, evitando los choques elctricos en el circuito del secundario
2 = 1 = (sec) 0.7

Ejercicio
Determine el voltaje pico de salida para el circuito de la figura

Rectificadores de Onda Completa

Permite corriente unidireccional hacia la carga durante todo el ciclo de entrada, el resultado de la rectificacin de O.C es un voltaje de salida con una frecuencia del doble de la frecuencia de entrada, por lo tanto el valor promedio es:

Ejercicio
Encuentre el valor promedio del voltaje rectificado de onda completa

Rectificador Onda Completa con Derivacin Central

Observar que la corriente a travs del resistor est en la misma direccin durante todo el ciclo de entrada

SC (+) D1 P.D y D2 P.I

SC (-) D2 P.D y D1 P.I

Efecto de la razn de vueltas sobre el voltaje de salida en onda completa

Cuando la relacin de vueltas del transformador es = 1

=
() 2

VB

Para tener un voltaje de salida igual a la entrada es necesario usar un transformador elevador con una relacin de vueltas n=2, el voltaje total del secundario es dos veces el voltaje del primario

Para cualquiera de los dos casos el voltaje de salida es: = VB

Voltaje Pico Inverso

El VPI a travs de cada diodo con derivacin central es: = 2 + B Ejercicio: Muestre las formas de onda a travs de cada mitad del devanado del secundario y de RL, cuando al primario se le aplica una onda sinusoidal con 25V pico, encuentre tambin el VPI de cada diodo, considerar diodos de Si

Rectificador de Onda Completa tipo Puente

Usa cuatro diodos El sentido de la corriente es la misma tanto en P.D. como en P.I.

SC(+) D1 yD2 P.D SC(-) D3 y D4 P.I

SC(+) D3 yD4 P.D SC(-) D1 y D2 P.I

Voltaje de Salida del Puente

Para Diodos Ideales Vp(sal) = Vp (sec) Para Diodos Prcticos
Se incluyen las cadas de voltaje, por tanto: Vp(sal) = Vp (sec) 1.4 V

Voltaje Pico Inversa (PIV)

Diodos Ideales PIV= Vp (sal) Diodos Prcticos
PIV = Vp(sal) + 0.7V

El PIV de los diodos de puente es menor que el requerido para la configuracin con derivacin central, es decir el rectificador de puente requiere diodos con la mitad de PIV nominal de aquellos en un rectificador con derivacin central para el mismo voltaje de salida

Ejercicio
Determine el VPI para cada diodo en el circuito de la figura, se especifica que el transformador tiene un voltaje de 12 Vrms en el secundario para los 110V estndar travs del primario