Polarizacin del transistor

Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en la Figura 6- 1. La zona inferior se denornina emisor, la zona central es la base y la zona superior es el colector. El transistor de la Figura 6-1 es un dispositivo NPN porque hay una zona p entre dos zonas n. Los transistores tambin se construyen como dispositivos pnp. Un transistor PNP tiene una zona n

entre dos zonas p.

El emisor esta fuertemente dopado. Por otro lado, la base esta ligeramente dopada. El nivel de dopaje del colector es intermedio, entre los dos anteriores.

El transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por tanto, un transistor es similar a dos diodos contrapuestos. El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base, o simplemente el diodo emisor. El diodo superior se denomina diodo colector-

base, o diodo colector.

Cuando ocurre la difusin, los electrones libres de la zona n se difunden a travs de la unin y se recombinan con los huecos del lado p. El resultado son las dos zonas de deflexin , mostradas en la Figura 6-2. En cada una de estas zonas la barrera de potencial es aproximadamente de 0.7 V a 25C para un transistor de silicio y 0.3 V a 25C para un transistor de germanio.

EL TRANSISTOR POLARIZADO Un transistor sin polarizacin es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo tiene una barrera de potencial de 0.7 V aproximadamente. Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen corrientes a travs de las diferentes partes del transistor. Electrones del emisor En la Figura 6-3 se muestra un transistor polarizado. El emisor esta fuertemente dopado; su funcin consiste en emitir o inyectar electrones libres a la base. La base ligeramente dopada deja pasar hacia el colector la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor. El colector se llama as porque colecta o recoge la mayora de los electrones provenientes de la base.

Electrones de la base

Si VBB es mayor que la barrera de potencial emisor-base de la Figura 6-3, circulara una elevada corriente de electrones del emisor hacia la base, como se ve en la Figura 6-4. Tericamente estos electrones libres pueden circular en cualquiera de las dos direcciones siguientes: por una parte, pueden circular hacia la izquierda saliendo de la base, pasando a travs de RB en su camino hacia el terminal positivo de la fuente. Por otra parte, los electrones libres pueden circular hacia el colector.

Electrones del colector Casi todos los electrones libres van hacia el colector, como se ve en la Figura 6-5. Estando ya en el colector, son atrados por la fuente de tensin Vcc. Como consecuencia de ello, los electrones libres circulan a travs del colector y a travs de Rc , hasta que alcanzan el terminal positivo de la fuente de tensin del colector.

En la siguiente hoja, la figura 1.9 incluye los circuitos de polarizacin mas tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores.

Ejemplo. El transistor tiene una tpica de 100, encontrar los valores adecuados de resistencias para la siguiente condicin de polarizacin:
Vcc = 12V ICQ = 3mA RB = ? RC = ? Su punto de operacin es igual a la mitad de la recta de carga.

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

El transistor sea NPN PNP es capaz de amplificar corriente.

Dos aspectos fundamentales que intervienen en la amplificacin de una seal son: -Ganancia -Punto De Operacin (Q)

Afecta por el calentamiento durante el funcionamiento y varia la corriente del colector desplazando el punto de funcionamiento.
*Todo circuito de transistores tiene una recta de carga. Dado cualquier circuito, es posible conocer su corriente de saturacin y tensin de corte.

Centrar el punto Q en la recta de carga de un transistor es importante por que permite obtener la mxima tensin alterna de salida.

Calcular Q.-

-Con el condensador la seal en el emisor es nula. -Sin el condensador existir un cierto nivel en el emisor, perdiendo algo de ganancia.

saturacin
En los circuitos de amplificacin el punto Q debe permanecer en la regin activa para que todas las condiciones de operacin. Si no ocurre as, la seal de salida se ver distorsionada en los picos donde se produce la saturacin y el corte.

Reduccin Al Absurdo

Mtodo De La Corriente De Saturacin.

() = 20 = 2 10 = 50 .1 = 5

Idealmente la corriente de la base es de .1 mA

: ()

Mtodo De La Tensin Del Colector.

= 20 5 10 = 30 : 0

Amplificador Emisor Comn

Es una de las mas utilizadas en la practica, se caracteriza por amplificar la seal, tanto en voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia tanto de entrada como de salida es muy alta.

Circuito equivalente en C.C.

Circuito equivalente en C.A.

Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma lineal o lo que es igual en su zona activa

Amplificador Base Comn

Este amplificador se caracteriza por la baja impedancia de entrada, no presenta ganancias de corriente(muy bajas), pero si de voltaje, adems tiene propiedades tiles en altas frecuencias.

La corriente del emisor esta formada por 2 partes: -La de base -La de colector Haciendo que la ganancia sea inferior a 1

Aplicaciones: -Adapta fuentes de impedancia de salida seal de baja

Amplificador Colector Comn

Este amplificador se caracteriza por tener muy ata impedancia de entrada, una muy baja impedancia de salida, una ganancia de voltaje ligeramente menor ala unidad, y ganancia de corriente alta. Todas estas caractersticas lo hacen til como un acoplador de impedancias.

Aplicaciones: -Adaptador de impedancia

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima: - IBSAT min = Icsat / b -RBMax = Von/IBsat min - Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax. - Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el circuito entre en corte.

Ejemplo de diseo de interruptor o switch con transistor bipolar Para calcular el valor de Rb (resistencia de base) que se utilizar para que el circuito funcione como un interruptor (conectar y desconectar un voltaje de 12 voltios en A). Los datos que tenemos son: - Voltaje de alimentacin = 12 V - Bombillo (foco) 12V, 1.2W - B (beta) mnimo del transistor es: 200 Transistor en saturacin Para obtener Ic Potencia del bombillo = P = VxI. I = Ic = P/V = 1.2 watts / 12 voltios = 100 mA

Ib = Ic/B = 100 mA/200 = 0.5 mA.

12 V = Rb x Ib Vbe
Rb = (120.7)/Ib = 11.3 V/0.5 mA = 2.2 Kohms

Parmetros y caractersticas elctricas

- Hoja de datos

Cuando se estudia la hoja de caractersticas se debe comenzar por las limitaciones mximas, ya que son los limites para las corrientes, tensiones y otros valores del transistor.

- Limitaciones en la zona de ruptura

A continuacin se dan los siguientes limites mximos para un 2N3904: VCB = 60V VCEO = 40V VEB = 6V -Corriente y potencia mximas Tambin se muestran como limites mximos estos valores: IC = 200mA PD = 625mW ( para TA = 25C) PD = 1.5W (para TC = 25C)

-Factores de ajuste
Indica cuanto hay que reducir la potencia mxima que puede disipar un dispositivo. El factor de ajuste del 2N3904 esta dado como 5mW/25C. esto significa que hay que reducir el limite mximo de potencia de 625mW en 5mW por cada grado centgrado por encima de los 25C. -Disipador de calor Una manera de aumentar la potencia mxima que puede disipar un transistor consiste en deshacer con mayor rapidez el calor interno. Este es el propsito de un disipador de calor (una masa de metal). Si se aumenta el rea superficial de encapsulado del transistor, se permite que el calor se escape fcilmente hacia el aire circundante.

-Ganancia de corriente Para analizar el transistor se utiliza tambin otro tipo de parmetros, llamados parmetros h; se usa hFE en vez de dc como smbolo para la ganancia de corriente, las dos cantidades son prcticamente iguales.

No se debe olvidar esta relacin porque las hojas de datos, usan el smbolo hFE. En la seccin caractersticas en conduccin, la hoja de caractersticas de un 2N3904 presenta los valores de hFE como sigue:

-Pruebas elctricas con aparatos elctricos de medicin

Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de ste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos.
Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se sigue la misma tcnica que probar diodos comunes.

La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos.

Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.
Nota: Aunque este mtodo es muy confiable (99% de los casos), hay casos en que, por las caractersticas del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para efectos prcticos se sugiere tomarlo como confiable en un 100%.